LED器件.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202020466751.3 (22)申请日 2020.04.02 (73)专利权人 盐城东山精密制造有限公司 地址 224000 江苏省盐城市盐都区盐渎路 999号 (72)发明人 牛艳玲 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 田媛媛 (51)Int.Cl. H01L 33/48(2010.01) H01L 33/56(2010.01) H01L 33/62(2010.01) (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 (54)实用新型名称 。

2、一种LED器件 (57)摘要 本申请公开了一种LED器件， 包括基板； 位于 基板的上表面的线路层； 通过固定部与线路层相 连的LED芯片； 分布于线路层的上表面、 LED芯片 的表面、 固定部的表面的保护层， 且保护层为二 氧化硅层、 氮化硅层、 一氧化硅层、 氮氧化硅层中 的任一种或者任意组合叠加的保护层； 封装部。 分布在线路层的上表面、 LED芯片的表面、 固定部 的表面的保护层不仅具有耐腐蚀性和低吸水性， 并且还具有非常高的稳定性、 低收缩性、 高附着 力， 与封装部有很好的兼容性， 提高LED器件的密 封性和防潮性， 解决金属迁移问题。 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 CN 。

3、211529970 U 2020.09.18 CN 211529970 U 1.一种LED器件， 其特征在于， 包括： 基板； 位于所述基板的上表面的线路层； 通过固定部与所述线路层相连的LED芯片； 分布于所述线路层的上表面、 所述LED芯片的表面、 所述固定部的表面的保护层， 且所 述保护层为二氧化硅层、 氮化硅层、 一氧化硅层、 氮氧化硅层中的任一种或者任意组合叠加 的保护层； 封装部。 2.如权利要求1所述的LED器件， 其特征在于， 所述保护层的厚度取值范围为0.5微米至 2微米， 包括端点值。 3.如权利要求2所述的LED器件， 其特征在于， 所述LED芯片为上表面具有PV层的芯片。

4、。 4.如权利要求1至3任一项所述的LED器件， 其特征在于， 当所述LED芯片为正装LED芯片 时， 还包括： 用于电连接所述LED芯片的电极和所述线路层的导线； 相应的， 所述保护层分布于所述线路层的上表面、 所述LED芯片的表面、 所述固定部的 表面、 所述导线的表面。 5.如权利要求4所述的LED器件， 其特征在于， 所述封装部为硅胶封装部、 改性环氧树脂 胶封装部、 环氧胶饼封装部中的任一种。 6.如权利要求5所述的LED器件， 其特征在于， 所述基板为陶瓷基板、 氮化铝基板、 BT板、 金属板中的任一种。 权利要求书 1/1 页 2 CN 211529970 U 2 一种LED器件。

5、 技术领域 0001 本申请涉及LED技术领域， 特别是涉及一种LED器件。 背景技术 0002 发光二极管， 简称LED， 具有节能、 环保、 寿命长、 体积小等特点， 广泛应用于各种指 示、 显示、 装饰、 背光源、 普通照明和城市夜景等领域。 0003 目前LED器件在封装过程中， 在焊线工艺结束在基板表面、 LED芯片表面以及镀层 表面喷涂一层三防漆或者硅氧烷类的防水层后再进行模压成型工艺。 焊线是在高温状态下 利用热超声波施压共振使导电线材和LED芯片上的电极焊接导通， LED芯片上的电极会受到 破坏， 由于防水层材料的致密性很难控制和附着力不稳定等， 使得LED器件的气密性和防潮 。

6、性不够， 当有水汽进入LED器件后， 焊接后的电极在水汽及负向电压作用下发生电解产生金 属离子， 即发生金属迁移， 进而导致电极脱落， LED器件死灯。 0004 因此， 如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。 实用新型内容 0005 本申请的目的是提供一种LED器件， 以解决金属迁移问题， 提升LED器件的气密性 和防潮性。 0006 为解决上述技术问题， 本申请提供一种LED器件， 包括： 0007 基板； 0008 位于所述基板的上表面的线路层； 0009 通过固定部与所述线路层相连的LED芯片； 0010 分布于所述线路层的上表面、 所述LED芯片的表面、 所述固定部的表面。

7、的保护层， 且所述保护层为二氧化硅层、 氮化硅层、 一氧化硅层、 氮氧化硅层中的任一种或者任意组合 叠加的保护层； 0011 封装部。 0012 可选的， 所述保护层的厚度取值范围为0.5微米至2微米， 包括端点值。 0013 可选的， 所述LED芯片为上表面具有PV层的芯片。 0014 可选的， 当所述LED芯片为正装LED芯片时， 还包括： 0015 用于电连接所述LED芯片的电极和所述线路层的导线； 0016 相应的， 所述保护层分布于所述线路层的上表面、 所述LED芯片的表面、 所述固定 部的表面、 所述导线的表面。 0017 可选的， 所述封装部为硅胶封装部、 改性环氧树脂胶封装部、。

8、 环氧胶饼封装部中的 任一种。 0018 可选的， 所述基板为陶瓷基板、 氮化铝基板、 BT板、 金属板中的任一种。 0019 本申请所提供的一种LED器件， 包括基板； 位于所述基板的上表面的线路层； 通过 固定部与所述线路层相连的LED芯片； 用分布于所述线路层的上表面、 所述LED芯片的表面、 说明书 1/4 页 3 CN 211529970 U 3 所述固定部的表面的保护层， 且所述保护层为二氧化硅层、 氮化硅层、 一氧化硅层、 氮氧化 硅层中的任一种或者任意组合叠加的保护层； 封装部。 0020 可见， 本申请中的LED器件除了包括基板、 线路层、 固定部、 LED芯片、 封装部外，。

9、 还 包括分布在线路层的上表面、 LED芯片的表面、 固定部的表面的保护层， 保护层为二氧化硅 层、 氮化硅层、 一氧化硅层、 氮氧化硅层中的任一种或者任意组合叠加的保护层， 该保护层 不仅具有耐腐蚀性和低吸水性， 并且还具有非常高的稳定性、 低收缩性、 高附着力， 与封装 部有很好的兼容性， 提高LED器件的密封性和防潮性， 解决金属迁移问题， 有效保护LED芯片 的电极， 提升LED器件的寿命， 另外该保护层还可以保护线路层不被污染。 附图说明 0021 为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案， 下面将对实施例或现有 技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍， 显而易见地， 下面描。

10、述中的附图仅仅是本申 请的一些实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根 据这些附图获得其他的附图。 0022 图1为本申请实施例所提供的一种LED器件的结构示意图； 0023 图2为现有技术中的LED器件与本申请中的LED器件盐水试验对比结果。 具体实施方式 0024 为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案， 下面结合附图和具体实施方式 对本申请作进一步的详细说明。 显然， 所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例， 而不是 全部的实施例。 基于本申请中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提 下所获得的所有其他实施例， 都属于本申请保护的。

11、范围。 0025 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型， 但是本实用新 型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施， 本领域技术人员可以在不违背本实 用新型内涵的情况下做类似推广， 因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。 0026 正如背景技术部分所述， 现有技术中在基板表面、 LED芯片表面以及镀层表面喷涂 有三防漆或者硅氧烷类的防水层， 其致密性很难控制且附着力不稳定， 使得LED器件的气密 性和防潮性不够， 当有水汽进入LED器件后， 焊接后的电极在水汽及负向电压作用下发生电 解产生金属离子， 即发生金属迁移， 进而导致电极脱落， LED器件死灯。 002。

12、7 有鉴于此， 本申请提供了一种LED器件， 请参考图1， 图1为本申请实施例所提供的 一种LED器件的结构示意图， 该LED器件包括： 0028 基板1； 0029 位于所述基板1的上表面的线路层2； 0030 通过固定部4与所述线路层2相连的LED芯片3； 0031 分布于所述线路层2的上表面、 所述LED芯片3的表面、 所述固定部4的表面的保护 层6， 且所述保护层6为二氧化硅层、 氮化硅层、 一氧化硅层、 氮氧化硅层中的任一种或者任 意组合叠加的保护层6； 0032 封装部7。 0033 优选地， 保护层6为单独的二氧化硅层， 单层保护层6的设置便于生产， 对生产设备 说明书 2/4 。

13、页 4 CN 211529970 U 4 的要求低， 进而成本降低， 并且二氧化硅层的透明度高， 不会对 LED器件的发光性能造成影 响。 0034 需要指出的是， 基板1的下表面也分布有线路层2以实现导通。 本申请中对基板1的 种类不做具体限定， 例如， 所述基板1为陶瓷基板1、 氮化铝基板1、 BT(Bismaleimide Triazine)板、 金属板中的任一种。 同理， 本申请中对LED 芯片3的数量也不做具体限定， 视 情况而定。 0035 LED芯片3包括由下至上依次层叠的衬底、 缓冲层、 N型氮化镓层、 有源层、 N型氮化 镓层、 ITO(Indium Tin Oxides， 。

14、氧化铟锡)层、 电极， 已为本领域技术人员所熟知， 此处不再 详细赘述。 其中， LED芯片3具有正、 负两个电极。 0036 需要说明的是， 本实施例中对LED芯片3的安装类型不做具体限定， 视情况而定， 既 可以为正装LED芯片， 也可以为倒装LED芯片。 进一步地， 本实施例中对LED芯片3的尺寸也不 做具体限定， 视情况而定。 当所述LED芯片3为正装LED芯片时， 还包括： 用于电连接所述LED 芯片3的电极和所述线路层2的导线5； 相应的， 所述保护层6分布于所述线路层2的上表面、 所述LED芯片3的表面、 所述固定部4的表面、 所述导线5的表面。 此时， 固定部4可以为绝缘胶 或。

15、者导电银胶， 其中， 当固定部4为导电银胶时， 导线5的数量为一根即可。 当LED芯片3为倒 装LED芯片时， 无需设置导线5， 此时固定部4锡膏固定部， 进一步的， 锡膏固定部为共晶锡膏 固定部或低温锡膏固定部。 0037 可选地， 导线5为金线、 铜线、 合金铜线、 银线、 铝线等导电线。 0038 需要说明的是， 本实施中对封装部7不做具体限定， 可自行设置。 例如， 所述封装部 7为硅胶封装部、 改性环氧树脂胶封装部、 环氧胶饼封装部、 环氧胶中的任一种。 0039 本申请中的LED器件除了包括基板1、 线路层2、 固定部4、 LED芯片3、 封装部7外， 还 包括分布在线路层2的上表。

16、面、 LED芯片3的表面、 固定部4的表面的保护层6， 保护层6为二氧 化硅层、 氮化硅层、 一氧化硅层、 氮氧化硅层中的任一种或者任意组合叠加的保护层6， 该保 护层6不仅具有耐腐蚀性和低吸水性， 并且还具有非常高的稳定性、 低收缩性、 高附着力， 与 封装部7有很好的兼容性， 提高LED器件的密封性和防潮性， 解决金属迁移问题， 有效保护 LED芯片3的电极， 提升LED器件的寿命， 另外该保护层6还可以保护线路层 2不被污染。 0040 优选地， 在本申请的一个实施例中， 所述保护层6的厚度取值范围为0.5 微米至2 微米， 包括端点值， 避免保护层6的厚度太薄， 对焊线后LED芯片3的。

17、电极防潮性保护不足， 抵 抗金属迁移的能力差， 同时避免保护层6的厚度太后， 浪费原料， 增加成本， 同时还会产生额 外的应力给LED芯片3的电极。 0041 在上述任一实施例的基础上， 在本申请的一个实施例中， 所述LED芯片3 为上表面 具有PV(passivation， 钝化)层的LED芯片3。 具体的， PV层位于LED 芯片3的ITO层和电极的 表面， 可以进一步增强LED器件的气密性， 避免污染物对ITO层和电极造成污染。 0042 为了验证本申请中LED器件的性能， 与现有技术中的LED器件进行实验对比的结果 如下。 0043 1、 高温高湿环境下逆向压验证： 0044 实验条件。

18、： 85/85RH， VF-10V； 0045 现有技术中的LED器件： 1000H光衰-12； 0046 本申请中的LED器件： 1000H光衰-5。 说明书 3/4 页 5 CN 211529970 U 5 0047 2、 盐水实验： 0048 实验条件： 饱和浓度NaCl溶液， 温度50， 每24h点测； 0049 LED器件实验数量： 300pcs； 0050 现有技术中的LED器件与本申请中的LED器件对比结果请参见图2。 0051 3、 灯板点亮刷新温湿度循环实验： 0052 3.1实验数量： 0053 现有技术中的LED器件数量46000pcs， 2块灯板； 0054 本申请中的。

19、LED器件数量46000pcs， 2块灯板； 0055 3.2实验条件： 0056 步骤1.LED器件贴片 0057 步骤2.Reflow： (2605)3次 0058 步骤3.TS： -5/0OFF 2H25/95ON 2H-5/0OFF 2H； 共计10回合。 0059 步骤4.HTHH动态： 温度85； 湿度85RH； 时间168H； 0060 3.3实验结果统计： 0061 现有技术中的LED器件灯板： 6pcs死灯， 分析其中2pcs为迁移； 0062 本申请中的LED器件灯板： 无死灯等异常。 0063 由上述实验结果可知， 本申请中的LED器件相较于现有技术中的LED器件在密封性。

20、 和防潮性上有明显提升， 金属迁移现象得到明显改善。 0064 本说明书中各个实施例采用递进的方式描述， 每个实施例重点说明的都是与其它 实施例的不同之处， 各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。 对于实施例公开的装 置而言， 由于其与实施例公开的方法相对应， 所以描述的比较简单， 相关之处参见方法部分 说明即可。 0065 以上对本申请所提供的LED器件及其封装方法进行了详细介绍。 本文中应用了具 体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述， 以上实施例的说明只是用于帮助理解本申 请的方法及其核心思想。 应当指出， 对于本技术领域的普通技术人员来说， 在不脱离本申请 原理的前提下， 还可以对本申请进行若干改进和修饰， 这些改进和修饰也落入本申请权利 要求的保护范围内。 说明书 4/4 页 6 CN 211529970 U 6 图1 图2 说明书附图 1/1 页 7 CN 211529970 U 7 。