低副瓣天线.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202020718348.5 (22)申请日 2020.04.30 (73)专利权人 深圳迈睿智能科技有限公司 地址 518127 广东省深圳市宝安区燕罗街 道罗田社区象山大道380号3栋2、 3楼 (72)发明人 邹高迪邹新 (74)专利代理机构 宁波理文知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 33244 代理人 李高峰孟湘明 (51)Int.Cl. H01Q 1/38(2006.01) H01Q 1/48(2006.01) H01Q 1/50(2006.01) H01Q 1/5。

2、2(2006.01) H01Q 13/10(2006.01) G01S 7/36(2006.01) G01S 7/41(2006.01) G01S 13/88(2006.01) (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 (54)实用新型名称 低副瓣天线 (57)摘要 本实用新型公开了一低副瓣天线， 其中所述 低副瓣天线包括一参考地和一辐射源， 其中所述 辐射源具有一馈电点， 所述辐射源被间隔地保持 于所述参考地的一侧， 并在所述参考地和所述辐 射源之间形成一辐射缝隙， 所述辐射源具有两个 相对的极化边和两个非极化边， 其中两个所述非 极化边位于两个所述极化边之间， 两个所述非极 化边朝向所述。

3、辐射源的物理中点内凹， 所述低副 瓣天线能够抑制一探测微波的一副瓣波束的产 生， 减小所述低副瓣天线的自激干扰， 进而提高 所述低副瓣天线在探测过程中的准确性和可靠 性。 权利要求书1页 说明书8页 附图12页 CN 211670322 U 2020.10.13 CN 211670322 U 1.一低副瓣天线， 其特征在于， 包括： 一参考地； 和 一辐射源， 其中所述辐射源具有一馈电点， 所述辐射源被间隔地保持于所述参考地的 一侧， 并在所述参考地和所述辐射源之间形成一辐射缝隙， 其中在所述辐射源以所述馈电 点至所述辐射源的物理中心点为一极化方向， 其中所述辐射源具有在所述极化方向上的两 个。

4、相对的极化边， 和具有位于两个所述极化边之间的两个相对的非极化边， 其中两个所述 非极化边朝向所述辐射源的物理中点内凹。 2.根据权利要求1所述的低副瓣天线， 其中所述辐射源的所述非极化边为一个内凹曲 边。 3.根据权利要求1所述的低副瓣天线， 其中所述辐射源的所述非极化边由至少一个曲 边和至少一个直边相互连接构成。 4.根据权利要求1所述的低副瓣天线， 其中所述辐射源的所述非极化边由多个连续的 直边构成。 5.根据权利要求1至4任一所述的低副瓣天线， 其中所述辐射源的所述极化边为一个直 边。 6.根据权利要求1至4任一所述的低副瓣天线， 其中所述辐射源的所述极化边为一个外 凸曲边。 7.根据。

5、权利要求1至4任一所述的低副瓣天线， 其中所述辐射源的所述极化边由至少一 个外凸曲边和至少一个直边相互连接构成。 8.根据权利要求1至4任一所述的低副瓣天线， 其中所述辐射源的所述极化边由多个连 续的直边构成。 9.根据权利要求1至4任一所述的低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线的所述参考地为对 称多边形或圆形。 10.根据权利要求5所述的低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线的所述参考地为对称多边 形或圆形。 11.根据权利要求6所述的低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线的所述参考地为对称多边 形或圆形。 12.根据权利要求7所述的低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线的所述参考地为对称多边 形或圆形。 13.。

6、根据权利要求8所述的低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线的所述参考地为对称多边 形或圆形。 14.根据权利要求1所述的低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线进一步包括一屏蔽罩， 其 中所述屏蔽罩和所述辐射源分别被设置于所述参考地相对的两侧。 权利要求书 1/1 页 2 CN 211670322 U 2 低副瓣天线 技术领域 0001 本实用新型涉及微波探测领域， 特别涉及一低副瓣天线。 背景技术 0002 微波探测技术被广泛地应用于人们的日常生活和工业生产中。 微波探测器包括一 天线和一数据处理模块， 其中所述数据处理模块被可通信地连接于所述天线。 参照图1A， 所 述天线10P包括一参考地11P和一辐。

7、射源12P， 其中所述辐射源12P被邻近地保持于所述参考 地11P的一侧， 并在所述参考地11P和所述辐射源12P之间形成一辐射缝隙13P。 所述辐射源 12P具有一馈电点120P， 当微波激励信号自所述馈电点120P被接入所述辐射源12P后， 所述 辐射源12P被激励地产生具有初始极化方向的一探测微波110P， 以对一目标区域进行探测， 所述探测微波被所述目标区域内的用户反射后形成一反射微波， 所述天线10P接收所述反 射微波。 所述数据处理模块根据所述反射微波和所述探测微波110P的信息， 基于多普勒效 应原理判断目标区域内的用户的运动状态， 以在后续根据用户的运动状态控制电气设备的 工作。

8、状态。 然而， 所述天线10P产生的所述探测微波110P具有一定的消散距离和范围， 在狭 小的空间、 封闭环境或是钢结构的厂房内， 所述探测微波110P难以被消散衰减， 就会出现所 述探测微波110P被多次反射的现象， 即产生自激干扰。 并且， 每次所述探测微波110P被反射 后形成的所述反射微波都被所述天线10P接收， 所述数据处理模块在对所述探测微波110P 和所述反射微波的信息进行处理时也无法分辨所述反射微波的来源， 进而产生错误的判断 结果， 造成后续无法正常地控制电气设备的工作状态。 0003 比如说， 所述微波探测器被应用于钢结构的厂房内， 所述天线10P产生的所述探测 微波110。

9、P被钢结构多次反射后产生形成的所述反射微波的频率和/或相位与所述探测微波 110P的频率和/或相位出现差异， 所述数据处理模块在对所述探测微波110P和所述反射微 波的信息进行处理时， 就会判断厂房内有用户在活动， 进而控制灯具处于工作状态。 即使厂 房内没有用户活动， 所述微波探测器仍然控制灯具处于工作状态。 所述天线10P的自激干扰 给用户带来极大的困扰。 0004 具体地， 参照图1B， 所述天线10P产生的所述探测微波110P包括一主瓣波束111P和 一副瓣波束112P， 其中所述主瓣波束111P朝向所述目标区域内辐射， 所述主瓣波束111P覆 盖所述天线10P最大辐射方向周围的区域，。

10、 所述副瓣波束112P的辐射方向与所述主瓣波束 111P的辐射方向相反， 即所述副瓣波束112P能够覆盖的区域为非目标区域， 然而所述微波 探测器的所述数据处理模块不仅接收主瓣波束111P被反射形成的所述反射微波， 也接收所 述副瓣波束112P被反射形成的所述反射微波。 被安装于钢结构的厂房内的所述微波探测器 产生的所述探测微波110P的副瓣波束朝向安装所述微波探测器的钢结构辐射， 所述副瓣波 束112P被钢结构多次反射后形成的所述反射微波的频率和/或相位出现差异， 或是所述副 瓣波束112P穿过墙体被隔壁非目标区域内的其他物体反射， 从而产生自激干扰， 造成所述 微波探测器无法正常地控制所述。

11、目标区域内的电气设备的工作， 影响用户的使用体验。 0005 更具体地， 现有的所述天线10P的所述辐射源12P呈矩形， 所述辐射源12P的电荷在 说明书 1/8 页 3 CN 211670322 U 3 极化方向的两端分布较为密集， 四个直角的位置电荷分布更集中， 这样， 在辐射源的两端， 尤其是直角位置的电场强度较大， 造成电场强度不平衡， 所述天线10P的杂散近场辐射不平 衡产生所述副瓣波束112P， 且杂散近场辐射越大， 所述副瓣波束112P的范围越大， 所述天线 10P受到的干扰越多， 探测准确性和可靠性也越低。 0006 在现有技术中， 通过设置一屏蔽罩14P于所述参考地11P的方。

12、式减小所述天线10P 的自激干扰。 具体来说， 金属的所述屏蔽罩14P被罩设于所述参考地11P的背面， 所述屏蔽罩 14P抑制产生的所述探测微波110P的所述副瓣波束112P向外辐射， 进而减少所述副瓣波束 112P于非目标区域内被多次反射。 通过这样的方式来减小所述天线10P的自激干扰。 然而， 在实际的应用过程中， 所述天线10P产生的所述探测微波110P的所述副瓣波束112P能量较 大， 通过设置所述屏蔽罩14P也难以消散衰减所述副瓣波束112P。 也就是说， 现有的天线10P 即使设置了屏蔽罩14P也仍然会出现明显的自激干扰。 实用新型内容 0007 本实用新型的一个目的在于提供一低副。

13、瓣天线， 其中所述低副瓣天线通过抑制一 探测微波的一副瓣波束的产生的方式提高所述低副瓣天线的抗干扰性能， 进而提高所述低 副瓣天线在探测过程中的准确性和可靠性。 0008 本实用新型的一个目的在于提供一低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线抑制了所述 低副瓣波束的产生， 减少了所述低副瓣波束造成的自激干扰， 进而提高所述低副瓣天线在 探测过程中的准确性和可靠性。 0009 本实用新型的另一个目的在于提供一低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线减小了杂 散近场辐射的不平衡性， 进而抑制所述探测微波的所述副瓣波束的产生， 以减小所述低副 瓣天线在使用过程中的自激干扰。 0010 本实用新型的另一个目的在于提供。

14、一低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线抑制了所 述探测微波的所述副瓣波束的产生， 减小了所述副瓣波束向一非目标区域内的辐射， 有利 于避免所述非目标区域内的物体对所述低副瓣天线的探测结果的影响， 进而提高了所述低 副瓣天线的抗干扰性能和探测准确性。 0011 本实用新型的另一个目的在于提供一低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线能够被应 用于狭小空间、 密闭环境或是钢结构的厂房等， 提高了所述低副瓣天线的适用性。 0012 本实用新型的另一个目的在于提供一低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线的一辐射 源的电荷分布均匀， 所述辐射源和所述低副瓣天线的所述参考地之间的耦合强度减弱， 电 场强度减弱， 所述低副瓣。

15、天线的杂散近场辐射的不平衡性减弱， 从而抑制副瓣波束的发生。 0013 本实用新型的另一个目的在于提供一低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线的所述辐 射源的所述辐射源的两个非极化边朝向所述辐射源的物理中点凹陷， 所述辐射源的所述非 极化边的边长被拉长， 电荷朝向所述非极化边移动， 平衡化了所述辐射源的整体电荷分布， 所述辐射源的自身耦合增强， 所述辐射源与所述参考地的耦合减弱， 有利于提高所述低副 瓣天线的杂散近场辐射的平衡性， 减小了所述低副瓣天线产生的所述探测微波的所述副瓣 波束向外辐射的面积和能量。 0014 本实用新型的另一个目的在于提供一低副瓣天线， 其中所述辐射源的两个非极化 边内凹，。

16、 所述辐射源的耦合距离变短， 所述辐射源的自身耦合增强， 有利于提高所述低副瓣 说明书 2/8 页 4 CN 211670322 U 4 天线的杂散近场辐射的平衡性。 0015 本实用新型的另一个目的在于提供一低副瓣天线， 其中所述辐射源的两个非极化 边内凹， 所述参考地与所述辐射源的耦合面积增大， 所述辐射源和所述参考地的耦合增强， 有利于提高所述低副瓣天线的杂散近场辐射的平衡性。 0016 本实用新型的另一个目的在于提供一低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线的所述辐 射源的两个所述极化边向外凸起， 进一步均匀了所述辐射源的整体电荷分布， 有利于提高 所述低副瓣天线的杂散近场辐射的平衡性。 00。

17、17 本实用新型的另一个目的在于提供一低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线进一步包 括一屏蔽罩， 其中所述辐射源和所述屏蔽罩分别被设置于所述参考地相对的两侧， 所述屏 蔽罩进一步抑制产生的少量的所述探测微波的所述副瓣波束， 以避免产生的少量的所述副 瓣波束向外辐射， 从而进一步地减小了所述低副瓣天线的自激干扰， 提高了所述低副瓣天 线在探测过程中的准确性和可靠性。 0018 依本实用新型的一个方面， 本实用新型提供一低副瓣天线， 其中所述低副瓣天线 包括： 0019 一参考地； 和 0020 一辐射源， 其中所述辐射源具有一馈电点， 所述辐射源被间隔地保持于所述参考 地的一侧， 并在所述参考地和所。

18、述辐射源之间形成一辐射缝隙， 所述辐射源具有两个相对 的极化边和两个非极化边， 其中两个所述非极化边位于两个所述极化边之间， 两个所述非 极化边朝向所述辐射源的物理中点内凹。 0021 根据本实用新型的一个实施例， 所述辐射源的所述非极化边为一个内凹曲边。 0022 根据本实用新型的一个实施例， 所述辐射源的所述非极化边由至少一个曲边和至 少一个直边相互连接构成。 0023 根据本实用新型的一个实施例， 所述辐射源的所述非极化边由多个连续的直边构 成。 0024 根据本实用新型的一个实施例， 所述辐射源的所述极化边为一个直边。 0025 根据本实用新型的一个实施例， 所述辐射源的所述极化边为一。

19、个外凸曲边。 0026 根据本实用新型的一个实施例， 所述辐射源的所述极化边由至少一个外凸曲边和 至少一个直边相互连接构成。 0027 根据本实用新型的一个实施例， 所述辐射源的所述极化边由多个连续的直边构 成。 0028 根据本实用新型的一个实施例， 所述低副瓣天线的所述参考地为矩形。 0029 根据本实用新型的一个实施例， 所述低副瓣天线的所述参考地为圆形。 0030 根据本实用新型的一个实施例， 所述低副瓣天线进一步包括一屏蔽罩， 其中所述 屏蔽罩和所述辐射源分别被设置于所述参考地相对的两侧。 附图说明 0031 图1A是现有技术的一天线的立体图示意图。 0032 图1B是现有技术的所述。

20、天线产生的所述探测微波的辐射图示意图。 0033 图2A是根据本实用新型的一较佳实施例的所述天线的立体图示意图。 说明书 3/8 页 5 CN 211670322 U 5 0034 图2B是根据本实用新型的上述较佳实施例的所述天线10P的辐射图示意图。 0035 图2C是根据本实用新型的另一较佳实施例的所述低副瓣天线的立体图示意图。 0036 图3是根据本实用新型的另一较佳实施例的所述低副瓣天线的立体图示意图。 0037 图4是根据本实用新型的另一较佳实施例的所述低副瓣天线的立体图示意图。 0038 图5是根据本实用新型的另一较佳实施例的所述低副瓣天线的立体图示意图。 0039 图6是根据本实。

21、用新型的另一较佳实施例的所述低副瓣天线的立体图示意图。 0040 图7A是根据本实用新型的另一较佳实施例的所述低副瓣天线的立体图示意图。 0041 图7B是根据本实用新型的上述较佳实施例的所述低副瓣天线的辐射图示意图。 0042 图8A是根据本实用新型的另一较佳实施例的所述低副瓣天线的立体图示意图。 0043 图8B是根据本实用新型的上述较佳实施例的所述低副瓣天线的辐射图示意图。 0044 图9是根据本实用新型的另一较佳实施例的所述低副瓣天线的立体图示意图。 0045 图10是根据本实用新型的另一较佳实施例的所述低副瓣天线的立体图示意图。 0046 图11是根据本实用新型的另一较佳实施例的所述。

22、低副瓣天线的立体图示意图。 0047 图12是根据本实用新型的另一较佳实施例的所述低副瓣天线的立体图示意图。 0048 图13是根据本实用新型的一较佳实施例的所述低副瓣天线的应用图示意图。 0049 图14A是根据本实用新型的一较佳实施例的所述低副瓣天线的应用图示意图。 0050 图14B是根据本实用新型的一较佳实施例的所述低副瓣天线的应用图示意图。 0051 图15是根据本实用新型的一较佳实施例的所述低副瓣天线的应用图示意图。 具体实施方式 0052 以下描述用于揭露本实用新型以使本领域技术人员能够实现本实用新型。 以下描 述中的优选实施例只作为举例， 本领域技术人员可以想到其他显而易见的变。

23、型。 在以下描 述中界定的本实用新型的基本原理可以应用于其他实施方案、 变形方案、 改进方案、 等同方 案以及没有背离本实用新型的精神和范围的其他技术方案。 0053 本领域技术人员应理解的是， 在本实用新型的揭露中， 术语 “纵向” 、“横向” 、“上” 、 “下” 、“前” 、“后” 、“左” 、“右” 、“竖直” 、“水平” 、“顶” 、“底”“内” 、“外” 等指示的方位或位置关 系是基于附图所示的方位或位置关系， 其仅是为了便于描述本实用新型和简化描述， 而不 是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、 以特定的方位构造和操作， 因此上 述术语不能理解为对本实用新型的限制。 0。

24、054 可以理解的是， 术语 “一” 应理解为 “至少一” 或 “一个或多个” ， 即在一个实施例中， 一个元件的数量可以为一个， 而在另外的实施例中， 该元件的数量可以为多个， 术语 “一” 不 能理解为对数量的限制。 0055 参照说明书附图2A和图2B， 根据本实用新型的一较佳实施例的一低副瓣天线10将 在接下来的描述中被阐述， 其中所述低副瓣天线10朝向一目标区域内产生一探测微波110， 所述探测微波110的一主瓣波束111覆盖所述目标区域， 对所述目标区域进行探测， 以获取 所述目标区域内的目标物体的活动状态。 并在后续， 所述低副瓣天线10能够被应用于一电 气设备100， 根据目标。

25、区域内的用户的活动状态控制所述电气设备100的工作状态， 进而提 供用户智能化的服务体验。 并且， 所述低副瓣天线10能够抑制所述探测微波110的一副瓣波 束112的产生， 减小所述低副瓣天线10的自激干扰， 进而提高所述低副瓣天线10在探测过程 说明书 4/8 页 6 CN 211670322 U 6 中的准确性和可靠性。 0056 具体地， 所述主瓣波束111朝向所述目标区域内辐射， 所述主瓣波束111包括如图 2B、 图7B以及图8B中示出的Z轴的正半轴方向、 X轴方向以及Y轴方向示出的区域。 所述副瓣 波束112的辐射方向与所述主瓣波束111的辐射方向相反， 所述副瓣波束112包括如图。

26、2B、 图 7B以及图8B中示出的Z轴的负半轴方向、 X轴方向以及Y轴方向示出的区域。 图2B、 图7B以及 图8B中的原点为所述低副瓣天线10的所述辐射源12的所述馈电点120， 即辐射起点。 0057 进一步地， 所述低副瓣天线10通过减小杂散近场辐射的不平衡性的方式抑制所述 探测微波110的所述副瓣波束112的产生， 不仅减小了所述低副瓣天线10的自激干扰， 而且 避免了所述低副瓣波束112穿过安装墙体对一非目标区域进行辐射， 避免了非目标区域内 的运动物体对所述低副瓣天线10的探测结果的影响。 从而， 有效地提高了所述低副瓣天线 10的抗干扰性能。 0058 所述低副瓣天线10进一步包。

27、括一参考地11和一辐射源12， 其中所述辐射源12被邻 近地保持于所述参考地11的一侧， 并在所述参考地11和所述辐射源12之间形成一辐射缝隙 13。 所述辐射源12具有一馈电点120， 所述馈电点120被电连接于一振荡电路。 所述振荡电路 能够产生一微波激励信号， 并当所述微波激励信号自所述馈电点120被接入所述辐射源20 后， 所述天线100能够产生具有初始的极化方向的所述探测微波110， 所述探测微波110被所 述目标空间内的用户反射后形成一反射回波， 并在后续根据所述探测微波110和所述反射 回波的差异获取所述目标区域内的用户的运动状态。 0059 在所述辐射源12以所述馈电点120至。

28、所述辐射源12的物理中心点为一极化方向， 所述辐射源12具有在所述极化方向上的两个相对的极化边121， 和具有位于两个所述极化 边121之间的两个相对的非极化边122， 其中两个非极化边122与所述辐射源12的物理中点 的距离一致， 两个所述极化边122与所述辐射源12的物理中点的距离不一致， 所述辐射源12 的所述馈电点120偏离所述辐射源12的物理中点。 0060 进一步地， 所述辐射源12的两个非极化边122朝向所述辐射源12的物理中点凹陷， 即所述辐射源12的非极化边122的两端到所述辐射源12的纵向的中心轴线的距离大于所述 非极化边122的底部到所述辐射源12的中心轴线的距离。 所述。

29、辐射源12的所述非极化边122 的边长被拉长， 电荷朝向所述非极化边122移动， 平衡化了所述辐射源12的整体电荷分布， 所述辐射源12的自身耦合增强， 所述辐射源12与所述参考地11的耦合减弱， 所述低副瓣天 线10的电场强度减弱， 有利于减小所述低副瓣天线10的杂散近场辐射的不平衡性， 进而减 小所述低副瓣天线10产生的所述探测微波110的所述副瓣波束112向外辐射的面积和能量。 0061 进一步地， 所述辐射源12的两个所述非极化边122向内凹陷， 所述辐射源12自身耦 合的距离变短， 自身耦合增强， 所述辐射源12与所述参考地11的耦合减弱， 有利于缩小所述 杂散近场辐射的最大值与最小。

30、值之间的差异， 提高所述低副瓣天线10的杂散近场辐射的平 衡性， 进而抑制所述探测微波110的所述副瓣波束112的产生。 0062 更一步地， 所述辐射源12的两个非极化边122向内凹陷， 所述参考地11与所述辐射 源12相互耦合的面积增大， 所述辐射源12和所述参考地11的耦合增强， 有利于缩小所述杂 散近场辐射的最大值与最小值之间的差异， 进而减小所述杂散近场辐射的不平衡性， 抑制 所述探测微波110的所述副瓣波束112的产生。 0063 参照图2C、 图3、 图5、 图8A以及图10， 在本实用新型的所述的低副瓣天线10的一些 说明书 5/8 页 7 CN 211670322 U 7 具。

31、体的示例中， 所述低副瓣天线10的所述辐射源12的所述非极化边122为一个内凹曲边。 0064 参照图4、 图6、 图9、 图11以及图12， 在本实用新型的一些具体的示例中， 所述辐射 源12的所述非极化边122由多个连续的直边相互连接构成。 例如但不限于， 所述辐射源12的 所述非极化边122由三个直边相互倾斜地连接构成， 其中一个直边的延伸方向与所述辐射 源12的所述中心轴线保持平行， 另外两个直边倾斜地自与所述中心轴线保持平行的所述直 边的两端向上延伸。 0065 参照图2A和图7A， 在本实用新型的一些具体的示例中， 所述辐射源12的所述非极 化边122由至少一个直边和至少一个内凹曲。

32、边构成。 例如但不限于， 所述辐射源12的所述非 极化边122由一个内凹曲边和两个直边构成， 所述内凹曲边连接两个延伸方向保持一致的 所述直边。 0066 进一步地， 所述辐射源12的所述极化边121向外凸起， 即所述极化边121的两端到 所述辐射源12横向的中心轴线之间的距离小于所述极化边的顶部到所述辐射源12横向的 中心轴线之间的距离。 通过这样的方式， 拉长了所述辐射源12的所述极化边121的边长， 使 得电荷朝向所述极化边121移动， 进一步平衡化了所述辐射源12的整体电荷分布， 所述辐射 源12的自身耦合增强， 所述辐射源12与所述参考地11的耦合减弱， 所述低副瓣天线10的电 场强。

33、度减弱， 有利于减小所述低副瓣天线10的杂散近场辐射的不平衡性， 进而减小所述低 副瓣天线10产生的所述探测微波110的所述副瓣波束112向外辐射的面积和能量。 0067 参照图3、 图4、 图8A以及图9， 在本实用新型的一些具体的示例中， 所述辐射源12的 所述极化边121为一个外凸曲边。 0068 参照图5、 图6、 图10、 图11以及图12， 在本实用新型的一些具体的示例中， 所述辐射 源12的所述极化边121由多个连续的直边相互连接构成。 例如但不限于， 所述辐射源12的所 述极化边121由三个直边相互倾斜地连接构成， 其中一个直边的延伸方向与所述辐射源12 的所述横向的中心轴线保。

34、持平行， 另外两个直边倾斜地自与所述横向中心轴线保持平行的 所述直边的两端向下延伸， 并连接于所述非极化边122。 0069 在本实用新型的一些具体的示例中， 所述辐射源12的所述极化边121由至少一个 直边和至少一个外凸曲边构成。 例如但不限于， 所述辐射源12的所述极化边121由一个外凸 曲边和两个直边构成， 所述外凸曲边连接两个延伸方向保持一致的所述直边。 0070 可选地， 参照图2A、 图2C以及图7A， 在本实用新型的一些具体的示例中， 所述辐射 源12的两个所述极化边121为一个直边。 0071 参照图2B、 图7B以及图8B， 通过内凹所述非极化边122的方式明显地抑制了所述探。

35、 测微波110的所述副瓣波束112的产生。 值得一提的是， 内凹所述辐射源12的所述非极化边 122和外凸所述极化边121的方式仅仅作为示例， 不能成为对本实用新型所述的低副瓣天线 10的内容和范围的限制。 0072 参照图2A、 2C至图7A、 图8A， 图9至图12， 所述低副瓣天线10进一步包括一屏蔽罩 14， 其中所述屏蔽罩14和所述辐射源12分别被保持于所述参考地11的两侧。 所述屏蔽罩14 被实施为金属材质制得， 所述屏蔽罩14抑制产生的所述探测微波的所述副瓣波束向外辐 射， 进一步避免所述副瓣波束辐射至所述非目标区域， 而干扰所述探测微波对所述目标区 域的探测结果。 从而进一步提。

36、高了所述低副瓣天线10的抗干扰性能和探测准确性。 0073 参照图2A和图2C至图6， 其中所述低副瓣天线10的所述参考地11被实施为一矩形。 说明书 6/8 页 8 CN 211670322 U 8 参照图7A、 图8A以及图9至图12， 其中所述低副瓣天线10的所述参考地11被实施为一圆形， 有利于电荷分布的平衡化， 提高所述低副瓣天线10的杂散近场辐射的平衡性。 本领域技术 人员应该理解的是， 所述低副瓣天线10的所述参考地11的具体实施方式仅仅作为示例， 不 能成为对本实用新型所述低副瓣天线10的内容和范围的限制， 所述参考地11优选地被实施 为对称多边形(如矩形)或圆形。 0074 。

37、值得一提的是， 参照图14A至图15， 所述低副瓣天线10抑制了所述探测微波110的 所述副瓣波束112的产生， 减少了所述低副瓣天线10的自激干扰， 使得所述低副瓣天线10能 够被应用于狭小空间、 密闭环境、 停车场或是钢结构的厂房等， 并准确地控制狭小空间、 密 闭环境或是钢结构的厂房内的所述电气设备100的工作状态。 并且， 无论所述低副瓣天线10 被安装于所述目标区域的上方或是侧方， 所述低副瓣天线10产生的所述探测微波110都不 会穿过安装墙体而覆盖所述非目标区域。 也就是说， 所述低副瓣天线10能够准确地对所述 目标区域进行探测。 从而， 不仅提高了所述低副瓣天线10的适用性， 也。

38、提高了所述低副瓣天 线110的准确性和可靠性。 0075 具体地， 所述电气设备100包括至少一个所述低副瓣天线10和一设备本体20， 所述 低副瓣天线被可通信地连接于所述设备本体20， 所述低副瓣天线10根据探测结果控制所述 设备本体20的工作状态， 使得所述电气设备100能够提供用户智能化的服务。 值得一体的 是， 所述设备本体20的具体实施方式不受限制， 例如但不限于， 所述设备本体20可以被实施 为灯具、 空调、 音响、 窗帘、 笔记本等电子设备中的一种或是多种的组合。 0076 依本实用新型的另一个方面， 本实用新型进一步提供一低副瓣天线10的探测方 法， 其中所述探测方法进一步包括。

39、如下步骤： 0077 (a)内凹所述低副瓣天线的所述辐射源的两个所述非极化边； 0078 (b)抑制所述探测微波110的所述副瓣波束112的产生； 以及 0079 (c)向外辐射所述探测微波110。 0080 根据本实用新型的一个实施例， 在所述步骤(a)中， 平衡化所述辐射源12的电荷分 布， 减弱所述探测微波110的杂散近场辐射。 具体地， 在所述步骤(a)中， 拉长所述辐射源12 的所述非极化边， 电荷朝向所述非极化边122移动， 以平衡化所述辐射源12P的电荷分布。 所 述辐射源12的自身耦合增强， 所述辐射源12与所述参考地11的耦合减弱， 所述低副瓣天线 10的电场强度减弱， 有利。

40、于减小所述低副瓣天线10的杂散近场辐射的不平衡性， 进而减小 所述低副瓣天线10产生的所述探测微波110的所述副瓣波束112向外辐射的面积和能量。 0081 根据本实用新型的一个实施例， 在所述步骤(a)中， 缩短所述辐射源12自身耦合的 距离， 自身耦合增强， 所述辐射源12与所述参考地11的耦合减弱， 有利于缩小所述杂散近场 辐射的最大值与最小值之间的差异， 提高所述低副瓣天线10的杂散近场辐射的平衡性， 进 而抑制所述探测微波110的所述副瓣波束112的产生。 0082 根据本实用新型的一个实施例， 在所述步骤(a)中， 增大所述参考地11与所述辐射 源12的耦合面积。 所述辐射源12和。

41、所述参考地11的耦合增强， 有利于缩小所述杂散近场辐 射的最大值与最小值之间的差异， 进而减小所述杂散近场辐射的不平衡性， 抑制所述探测 微波110的所述副瓣波束112的产生。 0083 根据本实用新型的一个实施例， 在所述步骤(b)中， 进一步包括步骤： 拉长所述辐 射源12的所述极化边121， 使得电荷朝向所述极化边121移动， 进一步平衡化了所述辐射源 说明书 7/8 页 9 CN 211670322 U 9 12的整体电荷分布， 所述辐射源12的自身耦合增强， 所述辐射源12与所述参考地11的耦合 减弱， 所述低副瓣天线10的电场强度减弱， 有利于减小所述低副瓣天线10的杂散近场辐射 。

42、的不平衡性， 进而减小所述低副瓣天线10产生的所述探测微波110的所述副瓣波束112向外 辐射的面积和能量。 优选地， 外凸所述辐射源12的所述极化边121。 0084 根据本实用新型的一个实施例， 在所述步骤(c)之后， 进一步包括步骤： 藉由所述 屏蔽罩14抑制产生的所述探测微波的所述副瓣波束向外辐射。 0085 本领域的技术人员可以理解的是， 以上实施例仅为举例， 其中不同实施例的特征 可以相互组合， 以得到根据本实用新型揭露的内容很容易想到但是在附图中没有明确指出 的实施方式。 0086 本领域的技术人员应理解， 上述描述及附图中所示的本实用新型的实施例只作为 举例而并不限制本实用新型。

43、。 本实用新型的目的已经完整并有效地实现。 本实用新型的功 能及结构原理已在实施例中展示和说明， 在没有背离所述原理下， 本实用新型的实施方式 可以有任何变形或修改。 说明书 8/8 页 10 CN 211670322 U 10 图1A 图1B 说明书附图 1/12 页 11 CN 211670322 U 11 图2A 图2B 说明书附图 2/12 页 12 CN 211670322 U 12 图2C 图3 说明书附图 3/12 页 13 CN 211670322 U 13 图4 图5 说明书附图 4/12 页 14 CN 211670322 U 14 图6 图7A 说明书附图 5/12 页 。

44、15 CN 211670322 U 15 图7B 图8A 说明书附图 6/12 页 16 CN 211670322 U 16 图8B 图9 说明书附图 7/12 页 17 CN 211670322 U 17 图10 图11 说明书附图 8/12 页 18 CN 211670322 U 18 图12 说明书附图 9/12 页 19 CN 211670322 U 19 图13 说明书附图 10/12 页 20 CN 211670322 U 20 图14A 图14B 说明书附图 11/12 页 21 CN 211670322 U 21 图15 说明书附图 12/12 页 22 CN 211670322 U 22 。