分流式CVD沉积室.pdf
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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202020006486.0 (22)申请日 2020.01.02 (73)专利权人 成都超纯应用材料有限责任公司 地址 610200 四川省成都市双流区西航港 空港二路1166号 (72)发明人 白秋云 (74)专利代理机构 成都睿道专利代理事务所 (普通合伙) 51217 代理人 潘育敏 (51)Int.Cl. C23C 16/455(2006.01) C23C 16/32(2006.01) (54)实用新型名称 一种分流式CVD沉积室 (57)摘要 本发明提供一种分流式CV。
2、D沉积室, 涉及复 合材料制备的技术领域, 包括沉积筒和进气室, 沉积筒内设有隔板, 隔板将沉积筒分为上腔室和 下腔室; 上腔室包括第二固定筒, 第二固定筒的 底部与隔板之间连接; 下腔室包括引流筒和第一 固定筒, 第一固定筒的另一端与隔板之间留有气 体流通的第一通道, 引流筒的另一端与下腔室底 部之间留有气体流通的第二通道; 进气室内设有 进气管, 沉积筒内设有与进气管连接的输气组 件, 输气组件包括上排气室、 主气室、 从气管和引 流管, 上排气室置于上腔室内, 主气室和从气管 设于下腔室内, 引流管的底部和从气管设于主气 室的上部, 且均与主气室连通, 引流管的顶部还 与上排气室连通, 。
3、上排气室和从气管上均设有排 气孔。 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 CN 211713196 U 2020.10.20 CN 211713196 U 1.一种分流式CVD沉积室, 其特征在于, 包括中空沉积筒和进气室, 所述进气室设于所 述沉积筒的底部, 所述沉积筒内设有隔板, 通过所述隔板将所述沉积筒分为上腔室和下腔 室; 所述上腔室包括用于固定预制件的第二固定筒, 所述第二固定筒的底部与所述隔板之 间连接; 所述下腔室包括引流筒和用于固定预制件的第一固定筒, 所述引流筒的直径大于所述 第一固定筒的直径, 所述第一固定筒的一端与所述下腔室底部固定连接, 所述第一固定筒 的另一端与所述隔。
4、板之间留有气体流通的第一通道, 所述引流筒的一端与所述隔板固定连 接, 所述引流筒的另一端与所述下腔室底部之间留有气体流通的第二通道; 所述进气室内设有将气体输送至沉积筒的进气管, 所述沉积筒内设有与所述进气管连 接的输气组件, 所述输气组件包括上排气室、 主气室、 从气管和引流管, 所述上排气室置于 所述上腔室内, 所述主气室和所述从气管设于下腔室内, 所述引流管的底部和所述从气管 均设于所述主气室的上部, 且均与所述主气室连通, 所述引流管的顶部还与所述上排气室 连通, 所述上排气室和所述从气管上均设有排气孔。 2.根据权利要求1所述的分流式CVD沉积室, 其特征在于, 所述主气室呈圆柱体。
5、, 所述从 气管呈圆锥体。 3.根据权利要求2所述的分流式CVD沉积室, 其特征在于, 所述上排气室底部与所述隔 板连接, 所述主气室设于所述下腔室底部。 4.根据权利要求1所述的分流式CVD沉积室, 其特征在于, 所述沉积筒顶部设有第一抽 气口, 所述隔板上设有通气孔, 所述通气孔靠近所述沉积筒; 所述第一抽气口能够抽取出所 述上腔室和所述下腔室内的气体。 5.根据权利要求1所述的分流式CVD沉积室, 其特征在于: 所述沉积筒上设有第一抽气 口和第二抽气口, 所述第一抽气口设于所述沉积筒的顶部, 用于抽取上腔室内的气体, 所述 第二抽气口设于所述沉积筒的底部, 用于抽取下腔室内的气体。 6.。
6、根据权利要求15任一项所述的分流式CVD沉积室, 其特征在于, 所述隔板上设有多 个安装槽, 每个安装槽的直径不同, 以使能够安装不同直径的第二固定筒。 7.根据权利要求6所述的分流式CVD沉积室, 其特征在于, 所述引流管的顶部伸出所述 上排气室, 所述引流管顶部设有排气孔。 权利要求书 1/1 页 2 CN 211713196 U 2 一种分流式CVD沉积室 技术领域 0001 本发明涉及复合材料制备的技术领域, 具体而言, 涉及一种分流式CVD沉积室。 背景技术 0002 化学气相沉降室半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术, 包括大 范围的绝缘材料, 大多数金属材料和金属合金。
7、材料, CVD技术将炭源气体通入高温热解炉中 热解, 热解炭通过扩散和对流等机理, 沉积在碳纤维预制件上增密的过程。 0003 现有专利CN205999479分流式沉积室, 该专利主要解决的技术问题是: 预制件在沉 积室内并不是均匀分布, 尤其是针对高层的预制件, 不能充分增密, 该专利通过分流的方式 来进行均匀的增密, 该专利通过分气板进行分流, 这样虽然使得部分气体能够选择性的进 入高层, 但是大部分气体依然存在底层, 高层还是只能部分进入, 从而也使得高层依然不能 均匀的增密, 上述专利在底层通过增密后, 气体再通过真气泵抽走, 上述设置的结构, 不能 将增密后的气体与增密前的气体分开,。
8、 底层增密后的气体继续向上, 也将会影响上层预制 件的增密。 发明内容 0004 本发明的目的在于提供一种分流式CVD沉积室, 用以实现均匀增密预制件的技术 效果。 0005 本发明通过以下技术方案实现: 包括中空沉积筒和进气室, 所述进气室设于所述 沉积筒的底部, 所述沉积筒内设有隔板, 通过所述隔板将所述沉积筒分为上腔室和下腔室; 0006 所述上腔室包括用于固定预制件的第二固定筒, 所述第二固定筒的底部与所述隔 板之间连接; 0007 所述下腔室包括引流筒和用于固定预制件的第一固定筒, 所述引流筒的直径大于 所述第一固定筒的直径, 所述第一固定筒的一端与所述下腔室底部固定连接, 所述第一。
9、固 定筒的另一端与所述隔板之间留有气体流通的第一通道, 所述引流筒的一端与所述隔板固 定连接, 所述引流筒的另一端与所述下腔室底部之间留有气体流通的第二通道; 0008 所述进气室内设有将气体输送至沉积筒的进气管, 所述沉积筒内设有与所述进气 管连接的输气组件, 所述输气组件包括上排气室、 主气室、 从气管和引流管, 所述上排气室 置于所述上腔室内, 所述主气室和所述从气管设于下腔室内, 所述引流管的底部和所述从 气管均设于所述主气室的上部, 且均与所述主气室连通, 所述引流管的顶部还与所述上排 气室连通, 所述上排气室和所述从气管上均设有排气孔。 0009 为了更好的实现本发明, 进一步的,。
10、 所述主气室呈圆柱体, 所述从气管呈圆锥体。 0010 为了更好的实现本发明, 进一步的, 所述上排气室底部与所述隔板连接, 所述主气 室设于所述下腔室底部。 0011 为了更好的实现本发明, 进一步的, 所述沉积筒顶部设有第一抽气口, 所述隔板上 设有通气孔, 所述通气孔靠近所述筒体; 所述第一抽气口能够抽取出所述上腔室和所述下 说明书 1/3 页 3 CN 211713196 U 3 腔室内的气体。 0012 为了更好的实现本发明, 进一步的, 所述沉积筒上设有第一抽气口和第二抽气口, 所述第一抽气口设于所述沉积筒的顶部, 用于抽取上腔室内的气体, 所述第二抽气口设于 所述沉积筒的底部, 。
11、用于抽取下腔室内的气体。 0013 为了更好的实现本发明, 进一步的, 所述隔板上设有多个安装槽, 每个安装槽的直 径不同, 以使能够安装不同直径的第二固定筒。 0014 为了更好的实现本发明, 进一步的, 所述引流管的顶部伸出所述上排气室, 所述引 流管顶部设有排气孔。 0015 本发明的有益效果是: 本实用新型提供一种分流式CVD碳化硅沉积室, 通过在沉积 筒内设置隔板, 将沉积筒分别设为了上腔室和下腔室, 并通过从气管和引流管将主气室的 炭源气体均匀引流到上腔室和下腔室内, 然后对预制件进行均匀的增密, 该结构避免因在 同一个腔体时, 炭源气体上少下多的情况, 本实用新型能够有效的分流炭。
12、源气体, 达到更加 均匀增密的效果。 附图说明 0016 为了更清楚地说明本发明的技术方案, 下面将对本发明中所需要使用的附图作简 单地介绍, 应当理解, 以下附图仅示出了本发明的某些实施例, 因此不应被看作是对范围的 限定, 对于本领域普通技术人员来讲, 在不付出创造性劳动的前提下, 还可以根据这些附图 获得其他相关的附图。 0017 图1为本发明提供实施例一中的一种分流式CVD碳化硅沉积室的结构示意图; 0018 图2为本发明提供实施例二中的一种分流式CVD碳化硅沉积室的结构示意图; 0019 图3为本发明提供的隔板的俯视图。 0020 图标: 0021 100-沉积筒, 101-第一抽气。
13、口, 102-第二抽气口, 110-隔板, 111-通气孔, 112-安装 槽, 120-上腔室, 121-第二固定筒, 130-下腔室, 131-引流筒, 132-第一固定筒, 133-第一通 道, 134-第二通道, 141-上排气室, 142-主气室, 143-从气管, 144-引流管, 145-排气孔, 200- 进气室, 210-进气管。 具体实施方式 0022 下面将结合本发明中的附图, 对本发明中的技术方案进行描述。 0023 应注意到: 相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项, 因此, 一旦某一项在一 个附图中被定义, 则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。 同时,。
14、 在本发明的 描述中, 术语 “第一” 、“第二” 等仅用于区分描述, 而不能理解为指示或暗示相对重要性。 0024 实施例1 0025 请参看图1和3, 图1为本发明提供的一种分流式CVD碳化硅沉积室的结构示意图, 图3为本发明提供的隔板110示意图。 本发明主要包括沉积筒100和进气室200, 其中进气室 200为沉积筒100提供炭源气体, 通过进气管210将炭源气体注入沉积筒100对预制件进行增 密。 0026 为了使其对沉积筒100内的预制件都能够均匀增密, 因此通过隔板110将沉积筒 说明书 2/3 页 4 CN 211713196 U 4 100分成了上腔室120和下腔室130, 。
15、上腔室120内通过第二固定筒121将预制件固定, 该预制 件为圆柱形, 下腔室130内通过第一固定筒132将预制件进行固定, 该预制件也是圆柱形。 0027 隔板110如图3所示, 在隔板110上设置了多个安装槽112, 每个安装槽112的直径不 同, 第二固定筒121固定安装在这安装槽112上, 为了使其沉积室内能够适用不同尺寸的预 制件, 因此设置了该结构, 可以提高通用性。 0028 上腔室120和下腔室130之间通过设置引流管144, 该引流管144的作用在于连通上 排气室141和主气室142, 尤其是将部分炭源气体引入上排气室141, 通过上排气室141上的 排气孔145进行排出, 。
16、并对预制件进行均匀的增密; 该引流管144的顶部还将伸出上排气室 141, 并通过在引流管144的顶部设置排气孔145将进炭源气体进行排出, 该设置能够更加均 匀的将炭源气体排出到上腔室120内。 0029 主气室142和从气管143设于下腔室130内, 其中主气室142是与进气管210连通, 进 气管210将气体通入主气室142后, 在主气室142内存储, 从气管143和引流管144均与主气室 142连接, 从而使其引流管144和从气管143排出的炭源气体的总量的恒定, 从气管143上设 有排气孔145, 用于将气体排出至下腔室130, 对预制件进行均匀的增密。 0030 本实施例中优选主气。
17、室142的结构式圆柱体, 从气管143的结构为圆锥体, 如图1所 示。 0031 本发明通过设置主气室142、 从气管143和引流管144, 通过从气管143和引流管144 对主气室142内的气体进行均匀的分流, 然后在通过从气管143和引流管144的排气孔145将 炭源气体均匀分散到下腔室130和上腔室120, 并均匀对预制件进行增密, 通过引流管144和 从气管143的均匀分流, 从而保证上腔室120和下腔室130内的炭源气体总量恒定, 进而保证 均匀增密的效果。 0032 该引流的效果相对于现有设计而言, 更能充分、 均匀的分散炭源气体的分布, 能够 更均匀对预制件进行增密。 0033 。
18、在下腔室130增密后中, 为了避免下腔室130增密后的气体对上腔室120的增密过 程有影响, 因此在下腔室130内设置了引流筒131, 用于引出已经增密后的气体(不含炭源的 气体, 简称气体), 具体是设置了第一通道133和第二通道134, 其中第一通道133是通过第一 固定筒132和隔板110之间的距离形成的, 第二通道134是通过引流筒131与下腔室130底部 之间的距离形成的, 从而使得气体从侧部流出, 本实施例中隔板110上设置了通气孔111, 通 气孔111从而使得上腔室120和下腔室130连通, 下腔室130流出的气体最终从上腔室120侧 壁流出, 最后通过第一抽气口101被抽走。。
19、 0034 实施例2: 0035 本实施例2与上述实施例1的区别在于: 设置了第二抽气口102, 并且隔板110上没 有开设通气孔111, 如图2所示, 该第二抽气口102的设置避免了在隔板110上开设通气孔 111, 除此之外还有的好处在于, 能够分别对上腔室120和下腔室130内的气体进行单独排 出。 0036 以上所述, 仅为本发明的具体实施方式, 但本发明的保护范围并不局限于此, 任何 熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内, 可轻易想到变化或替换, 都应涵 盖在本发明的保护范围之内。 因此, 本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。 说明书 3/3 页 5 CN 211713196 U 5 图1 说明书附图 1/3 页 6 CN 211713196 U 6 图2 说明书附图 2/3 页 7 CN 211713196 U 7 图3 说明书附图 3/3 页 8 CN 211713196 U 8 。
- 内容关键字: 分流 CVD 沉积
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