基于lora技术的温度传感器.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202020339420.3 (22)申请日 2020.03.18 (73)专利权人 山东电子职业技术学院 地址 250200 山东省济南市章丘区大学城 文化路888号 (72)发明人 高霞袁明波宋维田延娟 杨立峰 (74)专利代理机构 济南誉丰专利代理事务所 (普通合伙企业) 37240 代理人 高强 (51)Int.Cl. G05B 19/042(2006.01) (54)实用新型名称 一种基于lora技术的温度传感器 (57)摘要 本实用新型公开了一种基于lora技术的温 。

2、度传感器， 其特征在于， 包括： 电源电路、 单片机 电路、 lora电路和温度采集电路， 所述单片机电 路分别与所述温度采集电路和所述lora电路电 连接， 所述单片机电路用于将温度采集电路采集 的温度信息传输给所述lora电路； 所述电源电路 分别与所述单片机电路、 lora电路和温度采集电 路电连接， 用于给上述电路进行供电。 采用无线 lora方式将采集到的数据传输到接收端。 由于其 采用lora方式， 所以其具有超远传输距离以及低 功耗等诸多优点， 使用简单、 安全， 且由于温度传 感器可以直接放置在被测对象附近， 所以准确度 也较高。 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 CN 2。

3、11718741 U 2020.10.20 CN 211718741 U 1.一种基于lora技术的温度传感器， 其特征在于， 包括： 电源电路、 单片机电路、 lora电 路和温度采集电路， 所述单片机电路分别与所述温度采集电路和所述lora电路电连接， 所 述单片机电路用于将温度采集电路采集的温度信息传输给所述lora电路； 所述电源电路分 别与所述单片机电路、 lora电路和温度采集电路电连接， 用于给上述电路进行供电。 2.根据权利要求1所述的基于lora技术的温度传感器， 其特征在于， 所述电源电路包 括： 所述电源电路包括第一主控芯片， 所述第一主控芯片的输入端分别与第一电容的第一。

4、 端和电池接口的第一端电连接， 所述第一主控芯片的接地端、 所述第一电容的第二端和所 述电池接口的第二端均接地； 所述第一主控芯片的输出端分别与内部电源、 第二电容的第 一端和第三电容的第一端电连接， 所述第二电容的第二端和所述第三电容的第二端接地。 3.根据权利要求2所述的基于lora技术的温度传感器， 其特征在于， 所述单片机电路包 括： 所述单片机电路包括第二主控芯片、 程序下载电路和第一去耦合电路， 所述程序下载电 路包括第一端、 第一TCK端、 第一TMS端、 第一NRST端和接地端， 所述第一端与所述内部电源 电连接， 所述第一TCK端与所述第二主控芯片的第二TCK端电连接， 所述。

5、第一TMS端与第二主 控芯片的第二TMS端电连接， 所述第一NRST端与第二主控芯片的第二NRST端电连接， 所述接 地端接地； 所述第二主控芯片的第二端与第一指示灯的负极电连接， 所述第二主控芯片的第三端 与第二指示灯的负极电连接， 所述第一指示灯的正极与第一电阻的第一端电连接， 所述第 二指示灯的正极与第二电阻的第一端电连接， 所述第一电阻和所述第二电阻的第二端均与 所述内部电源电连接； 所述第二主控芯片的第四端与第一晶振的第一端电连接， 所述第一晶振的第二端与所 述第二主控芯片的第五端电连接， 所述第一晶振的第三端接地； 所述第二主控芯片的BOOT0 端与第三电阻的第一端电连接， 所述第。

6、三电阻的第二端接地； 所述第二NRST端还分别与第 四电阻的第一端和第四电容的第一端电连接， 所述第四电阻的第二端与所述内部电源电连 接， 所述第四电容的第二端接地； 所述第二主控芯片的VDD端和VDDA端均与所述内部电源电 连接， VSS端接地； 所述第一去耦合电路包括第五电容和第六电容， 所述第五电容的第一端 和所述第六电容的第一端均与所述VDD端和所述VDDA端电连接， 所述第五电容的第二端和 所述第六电容的第二端接地。 4.根据权利要求3所述的基于lora技术的温度传感器， 其特征在于， 所述lora电路包 括： 第三主控芯片和第二去耦合电路， 所述第三主控芯片的XTA端分别与第二晶振。

7、的第一端 和第七电容的第一端电连接， 所述第三主控芯片的XTB端分别与所述第二晶振的第二端和 第八电容的第一端电连接， 所述第七电容的第二端和所述第八电容的第二端接地； 所述第三主控芯片的第一SCK端、 第一MOSI端、 第一MISO端和第一CS端分别与所述第二 主控芯片的第二SCK端、 第二MOSI端、 第二MISO端和第二CS端对应电连接； 所述第三主控芯片的RFO_LF端与第一电感的第一端电连接， 所述第一电感的第二端分 别与第九电容的第一端和第十电容的第一端电连接， 所述第十电容的第二端与第二电感的 第一端电连接， 所述第二电感的第二端分别与第十一电容的第一端、 第三电感的第一端和 第。

8、十二电容的第一端电连接， 所述第三电感的第二端分别与第十三电容的第一端和第四电 感的第一端电连接， 所述第十二电容的第二端分别与所述第三电感的第二端和第十四电容 的第一端电连接， 所述第四电感的第二端分别与所述第十四电容的第二端和第十五电容的 权利要求书 1/2 页 2 CN 211718741 U 2 第一端电连接， 所述第九电容的第二端、 第十一电容的第二端、 第十三电容的第二端和所述 第十五电容的第二端接地， 所述第十四电容的第二端和第四电感的第二端与lora天线发射 端电连接； 所述第三主控芯片的VBTA_ANA端、 VBTA_DIG端、 VBTA_RF端、 VR_ANA端、 VR_D。

9、IG端和VR_ PA端均与所述内部电源电连接， 所述第三主控芯片的接地端接地； 所述第二去耦合电路包括第十六电容、 第十七电容、 第十八电容、 第十九电容、 第二十 电容、 第二十一电容、 第二十二电容、 第二十三电容、 第二十四电容和第二十五电容， 所述第 十六电容、 第十七电容、 第十八电容、 第十九电容、 第二十电容、 第二十一电容、 第二十二电 容、 第二十三电容、 第二十四电容和第二十五电容第一端与所述VBTA_ANA端、 VBTA_DIG端、 VBTA_RF端、 VR_ANA端、 VR_DIG端和VR_PA端电连接， 所述第十六电容、 第十七电容、 第十八电 容、 第十九电容、 第。

10、二十电容、 第二十一电容、 第二十二电容、 第二十三电容、 第二十四电容 和第二十五电容第二端接地。 5.根据权利要求4所述的基于lora技术的温度传感器， 其特征在于， 所述温度采集电路 包括： 第四主控芯片， 所述第四主控芯片包括VDD端和第一DQ端， 所述VDD端分别所述内部电 源和第二十六电容的第一端电连接， 所述第一DQ端与所述第二主控芯片的第二DQ端电连 接， 所述第四主控芯片的接地端和所述第二十六电容的第二端接地。 6.根据权利要求2所述的基于lora技术的温度传感器， 其特征在于， 所述第一主控芯片 为MCP33线性低压差线性稳压芯片。 7.根据权利要求3所述的基于lora技术。

11、的温度传感器， 其特征在于， 所述第二主控芯片 为STM32F070F6P6单片机芯片， 所述第一晶振为型号CSTCE12M0G55Z的晶振。 8.根据权利要求4所述的基于lora技术的温度传感器， 其特征在于， 所述第三主控芯片 为低功耗、 远距离的SX278IMLTRT lora芯片。 9.根据权利要求5所述的基于lora技术的温度传感器， 其特征在于， 所述第四主控芯片 为型号是DS18B20的单总线温度传感器。 权利要求书 2/2 页 3 CN 211718741 U 3 一种基于lora技术的温度传感器 技术领域 0001 本实用新型涉及物联网技术领域， 具体涉及一种基于lora技术。

12、的温度传感器。 背景技术 0002 温度传感器是指能感受温度并转换成可用输出信号的传感器。 温度传感器是温度 测量仪表的核心部分， 品种繁多。 其主要分为4种主要类型： 热电偶、 热敏电阻、 电阻温度检 测器和IC温度传感器。 IC温度传感器又包括模拟输出和数字输出两种类型。 0003 现有的温度传感器在数据显示方式上， 可分为本地显示和远程数据传输2种类型。 其远程数据传输类型又可以分为有线传输和无线传输2种方式。 无线传输方式相对于有线 传输方式来说， 具有使用方便、 价格低廉以及兼容性好等多种优点， 所以在众多应用场景， 无线传输方式增在逐步替代有线传输方式。 0004 但是， 现有的无。

13、线温度传感器， 在其传输方式上， 有蓝牙、 wifi、 2.4G、 433M、 800M等 多种方式， 但其传输距离有限， 如果需要远距离传输， 必须增大功耗才能完成。 实用新型内容 0005 本实用新型为了解决上述技术问题， 提出了如下技术方案： 0006 第一方面， 本实用新型实施例提供了一种基于lora技术的温度传感器， 包括： 电源 电路、 单片机电路、 lora电路和温度采集电路， 所述单片机电路分别与所述温度采集电路和 所述lora电路电连接， 所述单片机电路用于将温度采集电路采集的温度信息传输给所述 lora电路； 所述电源电路分别与所述单片机电路、 lora电路和温度采集电路电。

14、连接， 用于给 上述电路进行供电。 0007 采用上述实现方式， 采用无线lora方式将采集到的数据传输到接收端。 由于其采 用lora方式， 所以其具有超远传输距离以及低功耗等诸多优点， 使用简单、 安全， 且由于温 度传感器可以直接放置在被测对象附近， 所以准确度也较高。 0008 结合第一方面， 在第一方面第一种可能的实现方式中， 所述电源电路包括： 所述电 源电路包括第一主控芯片， 所述第一主控芯片的输入端分别与第一电容的第一端和电池接 口的第一端电连接， 所述第一芯片的接地端、 所述第一电容的第二端和所述电池接口的第 二端均接地； 所述第一主控芯片的输出端分别与内部电源、 第二电容的。

15、第一端和第三电容 的第一端电连接， 所述第二电容的第二端和所述第三电容的第二端接地。 0009 结合第一方面第一种可能的实现方式， 在第一方面第二种可能的实现方式中， 所 述单片机电路包括： 所述单片机电路包括第二主控芯片、 程序下载电路和第一去耦合电路， 所述程序下载电路包括第一端、 第一TCK端、 第一TMS端、 第一NRST端和接地端， 所述第一端 与所述内部电源电连接， 所述第一TCK端与所述第二主控芯片的第二TCK端电连接， 所述第 一TMS端与第二主控芯片的第二TMS端电连接， 所述第一NRST端与第二主控芯片的第二NRST 端电连接， 所述接地端接地； 所述第二主控芯片的第二端与。

16、第一指示灯的负极电连接， 所述 第二主控芯片的第三端与第二指示灯的负极电连接， 所述第一指示灯的正极与第一电阻的 说明书 1/5 页 4 CN 211718741 U 4 第一端电连接， 所述第二指示灯的正极与第二电阻的第一端电连接， 所述第一电阻和所述 第二电阻的第二端均与所述内部电源电连接； 所述第二主控芯片的第四端与第一晶振的第 一端电连接， 所述第一晶振的第二端与所述第二主控芯片的第五端电连接， 所述第二晶振 的第三端接地； 所述第二主控芯片的BOOT0端与第三电阻的第一端电连接， 所述第三电阻的 第二端接地； 所述第二NRST端还分别与第四电阻的第一端和第四电容的第一端电连接， 所 。

17、述第五电阻的第二端与所述内部电源电连接， 所述第四电容的第二端接地； 所述第二主控 芯片的VDD端和VDDA端均与所述内部电源电连接， VSS端接地； 所述第一去耦合电路包括第 五电容和第六电容， 所述第五电容的第一端和所述第六电容的第一端均与所述VDD端和所 述VDDA端电连接， 所述第五电容的第二端和所述第六电容的第二端接地。 0010 结合第一方面第二种可能的实现方式， 在第一方面第三种可能的实现方式中， 所 述lora电路包括： 第三主控芯片和第二去耦合电路， 所述第三主控芯片的XTA端粉笔与第二 晶振的第一端和第七电容的第一端电连接， 所述第三主控芯片的XTB端分别与所述第二晶 振的。

18、第二端和第八电容的第一端电连接， 所述第七电容的第二端和所述第八电容的第二端 接地； 所述第三主控芯片的第一SCK端、 第一MOSI端、 第一MISO端和第一CS端分别与所述第 二主控芯片的第二SCK端、 第二MOSI端、 第二MISO端和第二CS端对应电连接； 所述第三主控 芯片的RFO_LF端与第一电感的第一端电连接， 所述第一电感的第二端分别与第九电容的第 一端和第十电容的第一端电连接， 所述第十电容的第二端与所述第二电感的第一端电连 接， 所述第二电感的第二端分别与第十一电容的第一端、 第三电感的第一端和第十二电容 的第一端电连接， 所述第三电感的第二端分别与第十三电容的第一端和第四电。

19、感的第一端 电连接， 所述第十二电容的第二端分别与所述第三电感的第二端和第十四电容的第一端电 连接， 所述第四电感的第二端分别与所述第十四电容的第二端和第十五电容的第一端电连 接， 所述第九电容的第二端、 第十一电容的第二端、 第十三电容的第二端和所述第十五电容 的第二端接地， 所述第十四电容的第二端和第四电感的第二端与lora天线发射端电连接； 所述第三主控芯片的VBTA_ANA端、 VBTA_DIG端、 VBTA_RF端、 VR_ANA端、 VR_DIG端和VR_PA端 均与所述内部电源电连接， 所述第三主控芯片的接地端接地； 所述第二去耦合电路包括第 十六电容、 第十七电容、 第十八电容。

20、、 第十九电容、 第二十电容、 第二十一电容、 第二十二电 容、 第二十三电容、 第二十四电容和第二十五电容， 所述第十六电容、 第十七电容、 第十八电 容、 第十九电容、 第二十电容、 第二十一电容、 第二十二电容、 第二十三电容、 第二十四电容 和第二十五电容第一端与所述VBTA_ANA端、 VBTA_DIG端、 VBTA_RF端、 VR_ANA端、 VR_DIG端和 VR_PA端电连接， 所述第十六电容、 第十七电容、 第十八电容、 第十九电容、 第二十电容、 第二 十一电容、 第二十二电容、 第二十三电容、 第二十四电容和第二十五电容第二端接地。 0011 结合第一方面第三种可能的实现。

21、方式， 在第一方面第四种可能的实现方式中， 所 述温度采集电路包括： 第四主控芯片， 所述第四主控芯片包括VDD端和第一DQ端， 所述VDD端 分别所述内部电源和第二十六电容的第一端电连接， 所述第一DQ端与所述第二主控芯片的 第二DQ端电连接， 所述第四主控芯片的接地端和所述第二十六电容的第二端接地。 0012 结合第一方面第一种可能的实现方式， 在第一方面第五种可能的实现方式中， 所 述第一主控芯片为MCP33线性低压差线性稳压芯片。 0013 结合第一方面第二种可能的实现方式， 在第一方面第六种可能的实现方式中， 所 述第二主控芯片为STM32F070F6P6单片机芯片， 所述第一晶振为。

22、型号CSTCE12M0G55Z的晶 说明书 2/5 页 5 CN 211718741 U 5 振。 0014 结合第一方面第三种可能的实现方式， 在第一方面第七种可能的实现方式中， 所 述第三主控芯片为低功耗、 远距离的SX278IMLTRT lora芯片。 0015 结合第一方面第四种可能的实现方式， 在第一方面第八种可能的实现方式中， 所 述第四主控芯片为型号是DS18B20的单总线温度传感器。 附图说明 0016 图1为本实用新型实施例提供的一种基于lora技术的温度传感器的结构示意图； 0017 图2为本实用新型实施例提供的电源电路的结构示意图； 0018 图3为本实用新型实施例提供的。

23、单片机电路的结构示意图； 0019 图4为本实用新型实施例提供的lora电路的结构示意图； 0020 图5为本实用新型实施例提供的温度采集电路的结构示意图； 0021 图1-5中， 符号表示为： 0022 U1-第一主控芯片， U2-第二主控芯片， U3-第三主控芯片， U4-第四主控芯片， C1-第 一电容， C2-第二电容， C3-第三电容， C4-第四电容， C5-第五电容， C6-第六电容， C7-第七电 容， C8-第八电容， C9-第九电容， C10-第十电容， C11-第十一电容， C12-第十二电容， C13-第 十三电容， C14-第十四电容， C15-第十五电容， C16-。

24、第十六电容， C17-第十七电容， C18-第十 八电容， C19-第十九电容， C20-第二十电容， C21-第二十一电容， C22-第二十二电容， C23-第 二十三电容， C24-第二十四电容， C25-第二十五电容， C26-第二十六电容， R1-第一电阻， R2- 第二电阻， R3-第三电阻， R4-第四电阻， L1-第一电感， L2-第二电感， L3-第三电感， L4-第四 电感， Y1-第一晶振， Y2-第二晶振， D1-第一指示灯， D2-第二指示灯。 具体实施方式 0023 下面结合附图与具体实施方式对本方案进行阐述。 0024 图1为本实用新型实施例提供的一种基于lora技。

25、术的温度传感器的结构示意图， 参见图1， 本实用新型实施例提供的基于lora技术的温度传感器包括： 电源电路、 单片机电 路、 lora电路和温度采集电路， 所述单片机电路分别与所述温度采集电路和所述lora电路 电连接， 所述单片机电路用于将温度采集电路采集的温度信息传输给所述lora电路； 所述 电源电路分别与所述单片机电路、 lora电路和温度采集电路电连接， 用于给上述电路进行 供电。 0025 参见如2， 所述电源电路包括： 所述电源电路包括第一主控芯片U1， 所述第一主控 芯片U1的输入端分别与第一电容C1的第一端和电池接口的第一端电连接， 所述第一芯片的 接地端、 所述第一电容C。

26、1的第二端和所述电池接口的第二端均接地； 所述第一主控芯片U1 的输出端分别与内部电源、 第二电容C2的第一端和第三电容C3的第一端电连接， 所述第二 电容C2的第二端和所述第三电容C3的第二端接地。 0026 电源电路的第一主控芯片U1与P1接口相连接的锂电池通过线性方法稳压到3.3V 电压， 给其它电路供电。 所述第一主控芯片U1为MCP33线性低压差线性稳压芯片， 第一电容 C1、 第二电容C2和第三电容C3起到滤波作用。 0027 参见图3， 所述单片机电路包括： 所述单片机电路包括第二主控芯片U2、 程序下载 说明书 3/5 页 6 CN 211718741 U 6 电路和第一去耦合。

27、电路， 所述程序下载电路包括第一端、 第一TCK端、 第一TMS端、 第一NRST 端和接地端， 所述第一端与所述内部电源电连接， 所述第一TCK端与所述第二主控芯片U2的 第二TCK端电连接， 所述第一TMS端与第二主控芯片U2的第二TMS端电连接， 所述第一NRST端 与第二主控芯片U2的第二NRST端电连接， 所述接地端接地。 0028 所述第二主控芯片U2的第二端与第一指示灯D1的负极电连接， 所述第二主控芯片 U2的第三端与第二指示灯D2的负极电连接， 所述第一指示灯D1的正极与第一电阻R1的第一 端电连接， 所述第二指示灯D2的正极与第二电阻R2的第一端电连接， 所述第一电阻R1和。

28、所 述第二电阻R2的第二端均与所述内部电源电连接。 0029 所述第二主控芯片U2的第四端与第一晶振Y1的第一端电连接， 所述第一晶振Y1的 第二端与所述第二主控芯片U2的第五端电连接， 所述第二晶振Y2的第三端接地； 所述第二 主控芯片U2的BOOT0端与第三电阻R3的第一端电连接， 所述第三电阻R3的第二端接地； 所述 第二NRST端还分别与第四电阻R4的第一端和第四电容C4的第一端电连接， 所述第五电阻的 第二端与所述内部电源电连接， 所述第四电容C4的第二端接地； 所述第二主控芯片U2的VDD 端和VDDA端均与所述内部电源电连接， VSS端接地； 所述第一去耦合电路包括第五电容C5和。

29、 第六电容C6， 所述第五电容C5的第一端和所述第六电容C6的第一端均与所述VDD端和所述 VDDA端电连接， 所述第五电容C5的第二端和所述第六电容C6的第二端接地。 0030 所述第二主控芯片U2采用SPI方式与lora电路相连接， 采用单总线方式与温度采 集电路相连接， P2是程序下载电路。 所述第二主控芯片U2为STM32F070F6P6单片机芯片， 具 有低功耗、 运行速度快、 价格便宜等诸多优点； 第一指示灯D1D1和第二指示灯D2D2用于提示 用户数据的收发操作。 所述第一晶振Y1为型号CSTCE12M0G55Z的晶振， 为单片机提供精准的 12M工作频率， 第四电容C4和第四电。

30、阻R4构成低电平有效的RC复位电路， 第五电容C5和第六 电容C6为去耦合电容。 0031 参见图4， 所述lora电路包括： 第三主控芯片U3和第二去耦合电路， 所述第三主控 芯片U3的XTA端粉笔与第二晶振Y2的第一端和第七电容C7的第一端电连接， 所述第三主控 芯片U3的XTB端分别与所述第二晶振Y2的第二端和第八电容C8的第一端电连接， 所述第七 电容C7的第二端和所述第八电容C8的第二端接地。 0032 所述第三主控芯片U3的第一SCK端、 第一MOSI端、 第一MISO端和第一CS端分别与所 述第二主控芯片U2的第二SCK端、 第二MOSI端、 第二MISO端和第二CS端对应电连接。

31、。 0033 所述第三主控芯片U3的RFO_LF端与第一电感L1的第一端电连接， 所述第一电感L1 的第二端分别与第九电容C9的第一端和第十电容C10的第一端电连接， 所述第十电容C10的 第二端与所述第二电感L2的第一端电连接， 所述第二电感L2的第二端分别与第十一电容 C11的第一端、 第三电感L3的第一端和第十二电容C12的第一端电连接， 所述第三电感L3的 第二端分别与第十三电容C13的第一端和第四电感L4的第一端电连接， 所述第十二电容C12 的第二端分别与所述第三电感L3的第二端和第十四电容C14的第一端电连接， 所述第四电 感L4的第二端分别与所述第十四电容C14的第二端和第十五。

32、电容C15的第一端电连接， 所述 第九电容C9的第二端、 第十一电容C11的第二端、 第十三电容C13的第二端和所述第十五电 容C15的第二端接地， 所述第十四电容C14的第二端和第四电感L4的第二端与lora天线发射 端电连接。 0034 所述第三主控芯片U3的VBTA_ANA端、 VBTA_DIG端、 VBTA_RF端、 VR_ANA端、 VR_DIG端 说明书 4/5 页 7 CN 211718741 U 7 和VR_PA端均与所述内部电源电连接， 所述第三主控芯片U3的接地端接地。 0035 所述第二去耦合电路包括第十六电容C16、 第十七电容C17、 第十八电容C18、 第十 九电容。

33、C19、 第二十电容C20、 第二十一电容C21、 第二十二电容C22、 第二十三电容C23、 第二 十四电容C24和第二十五电容C25， 所述第十六电容C16、 第十七电容C17、 第十八电容C18、 第 十九电容C19、 第二十电容C20、 第二十一电容C21、 第二十二电容C22、 第二十三电容C23、 第 二十四电容C24和第二十五电容C25第一端与所述VBTA_ANA端、 VBTA_DIG端、 VBTA_RF端、 VR_ ANA端、 VR_DIG端和VR_PA端电连接， 所述第十六电容C16、 第十七电容C17、 第十八电容C18、 第十九电容C19、 第二十电容C20、 第二十一电。

34、容C21、 第二十二电容C22、 第二十三电容C23、 第二十四电容C24和第二十五电容C25第二端接地。 0036 所述第三主控芯片U3为低功耗、 远距离的SX278IMLTRT lora芯片。 第一电感L1、 第 九电容C9、 第十电容C10、 第二电感L2、 第十一电容C11、 第三电感L3、 第十二电容C12、 第十三 电容C13、 第四电感L4、 第十五电容C15、 第十六电容C16和P3组成完整的lora天线。 第二晶振 Y2为lora芯片提供精准的32M工作频率， 第七电容C7、 第八电容C8、 第十六电容C16、 第十七 电容C17、 第十八电容C18、 第十九电容C19、 第。

35、二十电容C20、 第二十一电容C21、 第二十二电 容C22、 第二十三电容C23、 第二十四电容C24和第二十五电容C25为去耦合电容。 0037 参见图5， 所述温度采集电路包括： 第四主控芯片U4， 所述第四主控芯片U4包括VDD 端和第一DQ端， 所述VDD端分别所述内部电源和第二十六电容C26的第一端电连接， 所述第 一DQ端与所述第二主控芯片U2的第二DQ端电连接， 所述第四主控芯片U4的接地端和所述第 二十六电容C26的第二端接地。 0038 所述第四主控芯片U4为型号是DS18B20的单总线温度传感器， 其测量精度可以达 到0.0625； 第四主控芯片U4的使用方法非常简单， 。

36、其使用单总线与单片机电路相连接， 接 收单片机电路发来的指令， 传递当前采集到的温度信息。 第二十六电容C26为去耦合电容， 以达到稳定第四主控芯片U4工作的目的。 0039 由上述实施例可知， 本实用新型实施例提供了一种基于lora技术的温度传感器， 采用无线lora方式将采集到的数据传输到接收端。 由于其采用lora方式， 所以其具有超远 传输距离以及低功耗等诸多优点， 使用简单、 安全， 且由于温度传感器可以直接放置在被测 对象附近， 所以准确度也较高。 0040 需要说明的是， 在本文中， 术语 “包括” 、“包含” 或者其任何其他变体意在涵盖非排 他性的包含， 从而使得包括一系列要素。

37、的过程、 方法、 物品或者设备不仅包括那些要素， 而 且还包括没有明确列出的其他要素， 或者是还包括为这种过程、 方法、 物品或者设备所固有 的要素。 在没有更多限制的情况下， 由语句 “包括一个” 限定的要素， 并不排除在包括所 述要素的过程、 方法、 物品或者设备中还存在另外的相同要素。 0041 当然， 上述说明也并不仅限于上述举例， 本实用新型未经描述的技术特征可以通 过或采用现有技术实现， 在此不再赘述； 以上实施例及附图仅用于说明本实用新型的技术 方案并非是对本实用新型的限制， 如来替代， 本实用新型仅结合并参照优选的实施方式进 行了详细说明， 本领域的普通技术人员应当理解， 本技术领域的普通技术人员在本实用新 型的实质范围内所做出的变化、 改型、 添加或替换都不脱离本实用新型的宗旨， 也应属于本 实用新型的权利要求保护范围。 说明书 5/5 页 8 CN 211718741 U 8 图1 图2 图3 说明书附图 1/2 页 9 CN 211718741 U 9 图4 图5 说明书附图 2/2 页 10 CN 211718741 U 10 。