制作纳米双疏材料的装置.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202020583415.7 (22)申请日 2020.04.17 (73)专利权人 天津日津科技股份有限公司 地址 300000 天津市东丽区华明工业园华 丰路6号滨海华明低碳产业基地F座1 号楼 (72)发明人 许建民李晓峰伊彬辛金菲 (74)专利代理机构 天津企兴智财知识产权代理 有限公司 12226 代理人 刘影 (51)Int.Cl. C23C 16/458(2006.01) C23C 16/505(2006.01) B82Y 40/00(2011.01) (54)实用。

2、新型名称 制作纳米双疏材料的装置 (57)摘要 本实用新型提供了一种制作纳米双疏材料 的装置， 属于纳米材料领域， 包括控制器、 二路混 气系统、 生成器、 RF射频电源、 真空泵和温控系 统， 二路混气系统、 RF射频电源、 真空泵和温控系 统均信号连接至控制器， 生成器信号连接至温控 系统， 且生成器均管路连接至真空泵和二路混气 系统， 二路混气系统上端设置生成器和RF射频电 源， 且生成器外围套接RF射频电源。 本实用新型 所述的制作纳米双疏材料的装置设置磁力旋转 装置， 在实验过程中通过电机带动磁力旋转装置 使待试验物料在生成室内旋转， 可以有效的促使 物料受热、 薄膜分布均匀， 减少。

3、薄膜气泡， 有效提 高实验结果。 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 CN 211999910 U 2020.11.24 CN 211999910 U 1.制作纳米双疏材料的装置， 其特征在于： 包括控制器(1)、 二路混气系统(2)、 生成器 (3)、 RF射频电源(4)、 真空泵(5)和温控系统(6)， 生成器(3)包括第一支架(31)、 第二支架 (32)、 磁力架(33)、 电机(34)、 第一盖板(35)、 支撑环(37)、 发生装置外壳(312)、 第二盖板 (314)和套箍(315)， 二路混气系统(2)上端分别设置RF射频电源(4)、 第一支架(31)和第二 支架(32)， 。

4、磁力架(33)通过电机(34)固定连接至第一支架(31)一侧， 磁力架(33)和位于发 生装置外壳(312)内部的支撑环(37)构成磁力旋转结构， 电机(34)一端固定连接至第一盖 板(35)的第一端， 电机(34)线路连接至第一盖板(35)， 发生装置外壳(312)一端固定连接至 第一盖板(35)的第二端， 另一端通过套箍(315)固定连接至第二盖板(314)， 第一盖板(35) 信号连接至温控系统(6)， 管路连接至二路混气系统(2)， 第二盖板(314)管路连接至真空泵 (5)， 发生装置外壳(312)外围套接RF射频电源(4)， 二路混气系统(2)、 RF射频电源(4)、 真空 泵(5。

5、)、 温控系统(6)均信号连接至控制器(1)， 控制器(1)外接电源。 2.根据权利要求1所述的制作纳米双疏材料的装置， 其特征在于： 所述生成器(3)还包 括第一胶垫(36)、 轴承(38)、 轴套(39)、 物料架(310)、 加热管(311)和第二胶垫(313)， 轴套 (39)一端固定连接至第一盖板(35)， 另一端固定连接至加热管(311)， 轴套(39)外围依次套 接轴承(38)、 支撑环(37)和第一胶垫(36)， 支撑环(37)一侧设置若干物料架(310)， 加热管 (311)、 轴套(39)、 轴承(38)、 支撑环(37)和物料架(310)均位于发生装置外壳(312)内部，。

6、 第 一胶垫(36)位于第一盖板(35)与发生装置外壳(312)连接端口之间， 第一胶垫(36)、 第一盖 板(35)和发生装置外壳(312)构成密封装置， 第二胶垫(313)位于第二盖板(314)与发生装 置外壳(312)连接端口之间， 第二胶垫(313)、 第二盖板(314)和发生装置外壳(312)构成密 封装置。 3.根据权利要求2所述的制作纳米双疏材料的装置， 其特征在于： 所述第一胶垫(36)和 第二胶垫(313)材质均为氟橡胶246。 4.根据权利要求2所述的制作纳米双疏材料的装置， 其特征在于： 所述支撑环(37)、 轴 承(38)和物料架(310)的材质均为陶瓷。 5.根据权利。

7、要求2所述的制作纳米双疏材料的装置， 其特征在于： 所述支撑环(37)包括 支撑环本体(371)和第二磁铁(373)， 轴承(38)外围套接支撑环本体(371)， 支撑环本体 (371)外围安装第二磁铁(373)， 支撑环本体(371)上设有若干通孔(372)， 每个物料架(310) 通过穿过一个通孔(372)卡接至支撑环本体(371)上。 6.根据权利要求1所述的制作纳米双疏材料的装置， 其特征在于： 所述磁力架(33)包括 磁力架(33)本体和第一磁铁(332)， 磁力架(33)本体的横截面是V行结构， 磁力架(33)本体 一端套接至电机(34)， 另一端安装第一磁铁(332)。 7.根据。

8、权利要求1所述的制作纳米双疏材料的装置， 其特征在于： 所述第一盖板(35)包 括第一圆板(351)、 螺环(352)、 电机(34)座、 线路管(354)和第一气管(355)， 电机(34)通过 电机(34)座固定连接至第一圆板(351)的第一侧， 第一圆板(351)的第二侧设置螺环(352)， 螺环(352)的横截面是圆环结构， 螺环(352)内圈套接轴套(39)， 螺环(352)外圈套接发生装 置外壳(312)， 第一圆板(351)第一侧还设置第一气管(355)和线路管(354)， 第一气管(355) 管路连接至二路混气系统(2)， 线路管(354)信号连接至温控系统(6)。 8.根据权。

9、利要求1所述的制作纳米双疏材料的装置， 其特征在于： 所述发生装置外壳 (312)包括外壳本体(3121)和滑轨(3122)， 外壳本体(3121)两端分别固定连接至第一盖板 权利要求书 1/2 页 2 CN 211999910 U 2 (35)和第二盖板(314)， 外壳本体(3121)外围套接滑轨(3122)， 滑轨(3122)横截面是凹槽结 构， 第一磁铁(332)卡接至滑轨(3122)凹槽内。 9.根据权利要求8所述的制作纳米双疏材料的装置， 其特征在于： 所述外壳本体(3121) 和滑轨(3122)的材质均为石英玻璃。 10.根据权利要求1所述的制作纳米双疏材料的装置， 其特征在于：。

10、 所述第二盖板(314) 包括第二气管(3141)、 支撑板(3142)和第二圆板(3143)， 第二气管(3141)一端通过支撑板 (3142)固定连接至第二圆板(3143)， 另一端固定连接至真空泵(5)支撑板(3142)外围卡接 至第二支架(32)， 第二圆板(3143)外围设置外螺纹， 第二圆板(3143)通过套箍(315)固定连 接至外壳本体(3121)。 权利要求书 2/2 页 3 CN 211999910 U 3 制作纳米双疏材料的装置 技术领域 0001 本实用新型属于纳米材料领域， 尤其是涉及一种制作纳米双疏材料的装置。 背景技术 0002 当物质到纳米尺度以后， 大约是在0。

11、.1100纳米这个范围空间， 物质的性能就会 发生突变， 出现特殊性能。 这种既具不同于原来组成的原子、 分子， 也不同于宏观的物质的 特殊性能构成的材料， 即为纳米材料。 0003 纳米材料、 微纳复合材料尤其是具有特殊浸润性(如超疏水性、 超双疏性等)的微 纳复合材料在人们的日常生活和国民生产各个部门都有着广泛的应用前景,因而也引起科 学界的广泛关注。 由于固体表面的浸润性决定于其表面的化学组成和表面形貌,因此通过 改变固体的表面自由能和表面形貌可以实现对固体材料表面浸润性控制。 0004 在日常生活中， 使用的消费类电子防水疏油将成为重要性能， 在手机等消费电子 产品的发展进程中， 防水。

12、技术得以不断进步和突破， 随着防水技术被各大终端厂商所重视， 相信未来智能手机等消费电子产品将迎来防水的新热潮， 防水技术升级， 密封性防水是当 前主流方式， 防水技术的发展可以分为被动式防水、 密封性防水和防水膜及纳米防水三个 阶段， 其中密封性防水是目前主流的防水方式， 通过采用密封胶、 防水胶条和橡胶圈等进行 密封防水， 不同消费电子部件形状的特性和密封性能的不同要求需要用到不同的密封材 料， 相对而言纳米防水技术仍处于布局阶段， 将是未来的发展方向。 0005 PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离， 在局部形成等离子 体， 而等离子体化学活性很强， 很容易发生反应，。

13、 在基片上沉积出所期望的薄膜。 为了使化 学反应能在较低的温度下进行， 利用了等离子体的活性来促进反应， 因而这种CVD称为等离 子体增强化学气相沉积(PECVD)， 实验机理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气 体， 在局部形成等离子体， 而等离子体化学活性很强， 很容易发生反应， 在基片上沉积出所 期望的薄膜。 0006 现在实验室制备纳米双疏材料较多的应用PECVD技术生产， 小型的 PECVD通常因 受热、 材料分布不均， 导致实验结构不精确， 而大型的PECVD 设备集成均较昂贵， 且设备较 大， 单次实验成本较高， 不适用实验室使用。 发明内容 0007 有鉴于此， 本实用新型。

14、旨在提出一种制作纳米双疏材料的装置， 以改善应用于手 机、 音响等消费类电子的纳米双疏材料， 在实验时物料受热、 薄膜分布均匀， 减少薄膜气泡， 有效提高实验的结果。 0008 为达到上述目的， 本实用新型的技术方案是这样实现的： 0009 一种制作纳米双疏材料的装置包括控制器、 二路混气系统、 生成器、 RF 射频电源、 真空泵和温控系统， 生成器包括第一支架、 第二支架、 磁力架、 电机、 第一盖板、 发生装置外 壳、 第二盖板和套箍， 二路混气系统上端分别设置RF射频电源、 第一支架和第二支架， 磁力 说明书 1/6 页 4 CN 211999910 U 4 架通过电机固定连接至第一支架。

15、一侧， 电机一端固定连接至第一盖板的第一端， 电机线路 连接至第一盖板， 发生装置外壳一端固定连接至第一盖板的第二端， 另一端通过套箍固定 连接至第二盖板， 第一盖板信号连接至温控系统， 管路连接至二路混气系统， 第二盖板管路 连接至真空泵， 发生装置外壳外围套接RF射频电源， 二路混气系统、 RF射频电源、 真空泵、 温 控系统均信号连接至控制器， 控制器外接电源。 0010 进一步的， 所述生成器还包括第一胶垫、 支撑环、 轴承、 轴套、 物料架、 加热管和第 二胶垫， 轴套一端固定连接至第一盖板， 另一端固定连接至加热管， 轴套外围依次套接轴 承、 支撑环和第一胶垫， 支撑环一侧设置若干。

16、物料架， 加热管、 轴套、 轴承、 支撑环和物料架 均位于发生装置外壳内部， 第一胶垫位于第一盖板与发生装置外壳连接端口之间， 第一胶 垫、 第一盖板和发生装置外壳构成密封装置， 第二胶垫位于第二盖板与发生装置外壳连接 端口之间， 第二胶垫、 第二盖板和发生装置外壳构成密封装置。 0011 进一步的， 所述第一胶垫和第二胶垫材质均为氟橡胶246。 0012 进一步的， 所述支撑环、 轴承和物料架的材质均为陶瓷。 0013 进一步的， 所述支撑环包括支撑环本体和第二磁铁， 轴承外围套接支撑环本体， 支 撑环本体外围安装第二磁铁， 支撑环本体上设有若干通孔， 每个物料架通过穿过一个通孔 卡接至支撑。

17、环本体上。 0014 进一步的， 所述磁力架包括磁力架本体和第一磁铁， 磁力架本体的横截面是V行结 构， 磁力架本体一端套接至电机， 另一端安装第一磁铁。 0015 进一步的， 所述第一盖板包括第一圆板、 螺环、 电机座、 线路管和第一气管， 电机通 过电机座固定连接至第一圆板的第一侧， 第一圆板的第二侧设置螺环， 螺环的横截面是圆 环结构， 螺环内圈套接轴套， 螺环外圈套接发生装置外壳， 第一圆板第一侧还设置第一气管 和线路管， 第一气管管路连接至二路混气系统， 线路管信号连接至温控系统。 0016 进一步的， 所述发生装置外壳包括外壳本体和滑轨， 外壳本体两端分别固定连接 至第一盖板和第二。

18、盖板， 外壳本体外围套接滑轨， 滑轨横截面是凹槽结构， 第一磁铁卡接至 滑轨凹槽内。 0017 进一步的， 所述外壳本体和滑轨的材质均为石英玻璃。 0018 进一步的， 所述第二盖板包括第二气管、 支撑板和第二圆板， 第二气管一端通过支 撑板固定连接至第二圆板， 另一端固定连接至真空泵， 支撑板外围卡接至第二支架， 第二圆 板外围设置外螺纹， 第二圆板通过套箍固定连接至外壳本体。 0019 相对于现有技术， 本实用新型所述的制作纳米双疏材料的装置具有以下优势： 0020 (1)本实用新型所述的制作纳米双疏材料的装置设置磁力旋转装置， 在实验过程 中通过电机带动磁力旋转装置使待试验物料在生成室内。

19、旋转， 可以有效的促使物料受热、 薄膜分布均匀， 减少薄膜气泡， 有效提高实验结果。 0021 (2)本实用新型所述的制作纳米双疏材料的装置的沉积薄膜， 适用于手机、 音响等 消费类电子的应用。 0022 (3)本实用新型所述的制作纳米双疏材料的装置的结构简单， 设备单价低， 实验效 用高， 易于推广。 0023 (4)本实用新型所述的制作纳米双疏材料的装置的磁力旋转结构， 采用陶瓷制品， 再工作过程中不会削减磁场效应， 同时陶瓷材料耐腐蚀、 受热胀冷缩的影响比钢小， 适宜于 说明书 2/6 页 5 CN 211999910 U 5 温度差较高的腐蚀性介质环境下作业， 而且陶瓷轴承重量更要轻得。

20、多， 因此转动时对外圈 的离心作用可降低40， 进而使用寿命大大延长。 附图说明 0024 构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解， 本实用新 型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型， 并不构成对本实用新型的不当限定。 在 附图中： 0025 图1为本实用新型制作纳米双疏材料的装置结构示意图； 0026 图2为本实用新型生成器结构示意图； 0027 图3为本实用新型生成器爆炸结构示意图； 0028 图4为本实用新型磁力架结构示意图； 0029 图5为本实用新型第一盖板结构示意图； 0030 图6为本实用新型发生装置外壳结构示意图； 0031 图7为本实用新型第二盖板结。

21、构示意图； 0032 图8为本实用新型支撑环、 轴承和一个物料架配合的结构示意图。 0033 附图标记说明： 0034 1-控制器； 2-二路混气系统； 3-生成器； 31-第一支架； 32-第二支架； 33-磁力架； 331-磁力架本体； 332-第一磁铁； 34-电机； 35-第一盖板； 351- 第一圆板； 352-螺环； 353-电 机座； 354-线路管； 355-第一气管； 36-第一胶垫； 37-支撑环； 371-支撑环本体； 372-通孔； 373-第二磁铁； 38-轴承； 39-轴套； 310-物料架； 311-加热管； 312-发生装置外壳； 3121-外 壳本体； 312。

22、2-滑轨； 313-第二胶垫； 314-第二盖板； 3141-第二气管； 3142-支撑板； 3143- 第二圆板； 315-套箍； 4-RF射频电源； 5-真空泵； 6-温控系统。 具体实施方式 0035 需要说明的是， 在不冲突的情况下， 本实用新型中的实施例及实施例中的特征可 以相互组合。 0036 在本实用新型的描述中， 需要理解的是， 术语 “中心” 、“纵向” 、“横向” 、“上” 、“下” 、 “前” 、“后” 、“左” 、“右” 、“竖直” 、“水平” 、“顶” 、“底” 、“内” 、“外” 等指示的方位或位置关系为 基于附图所示的方位或位置关系， 仅是为了便于描述本实用新型和。

23、简化描述， 而不是指示 或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、 以特定的方位构造和操作， 因此不能理解 为对本实用新型的限制。 此外， 术语 “第一” 、“第二” 等仅用于描述目的， 而不能理解为指示 或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。 由此， 限定有 “第一” 、“第二” 等 的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。 在本实用新型的描述中， 除非另 有说明，“多个” 的含义是两个或两个以上。 0037 在本实用新型的描述中， 需要说明的是， 除非另有明确的规定和限定， 术语 “安 装” 、“相连” 、“连接” 应做广义理解， 例如， 可以是固定连接， 也可以是。

24、可拆卸连接， 或一体地 连接； 可以是机械连接， 也可以是电连接； 可以是直接相连， 也可以通过中间媒介间接相连， 可以是两个元件内部的连通。 对于本领域的普通技术人员而言， 可以通过具体情况理解上 述术语在本实用新型中的具体含义。 说明书 3/6 页 6 CN 211999910 U 6 0038 下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。 0039 如图1-3所示， 制作纳米双疏材料的装置包括控制器1、 二路混气系统 2、 生成器3、 RF射频电源4、 真空泵5和温控系统6， 生成器3包括第一支架31、 第二支架32、 磁力架33、 电机 34、 第一盖板35、 发生装置外壳312、。

25、 第二盖板314和套箍315， 二路混气系统2上端分别设置 RF射频电源4、 第一支架31和第二支架32， 磁力架33通过电机34固定连接至第一支架31 一 侧， 电机34一端固定连接至第一盖板35的第一端， 电机34线路连接至第一盖板35， 发生装置 外壳312一端固定连接至第一盖板35的第二端， 另一端通过套箍315固定连接至第二盖板 314， 第一盖板35信号连接至温控系统6， 管路连接至二路混气系统2， 第二盖板314管路连接 至真空泵5， 发生装置外壳312外围套接RF射频电源4， 二路混气系统2、 RF射频电源4、 真空泵 5、 温控系统6均信号连接至控制器1， 控制器1外接电源，。

26、 通过控制器1来实现对二路混气系 统2、 RF射频电源4、 真空泵5、 温控系统6的操作， 简化操作步骤。 0040 如图3所示， 生成器3还包括第一胶垫36、 支撑环37、 轴承38、 轴套 39、 物料架310、 加热管311和第二胶垫313， 轴套39一端固定连接至第一盖板35， 另一端固定连接至加热管 311， 轴套39外围依次套接轴承38、 支撑环37和第一胶垫36， 支撑环37一侧设置若干物料架 310， 加热管311、 轴套39、 轴承38、 支撑环37和物料架310均位于发生装置外壳312内部， 第一 胶垫36位于第一盖板35与发生装置外壳312连接端口之间， 第一胶垫 36、。

27、 第一盖板35和发 生装置外壳312构成密封装置， 第二胶垫313位于第二盖板314与发生装置外壳312连接端口 之间， 第二胶垫313、 第二盖板314 和发生装置外壳312构成密封装置， 确保此部分密封防止 漏气， 一方面防止空气进入造成对实验的破坏， 另一方面防止实验气体排出， 避免实验事 故。 0041 如图4所示， 磁力架33包括磁力架本体331和第一磁铁332， 磁力架本体331的横截 面是V行结构， 磁力架本体331一端套接至电机34， 另一端安装第一磁铁332， 通过机械传导 转， 使电机34带动第一磁铁332旋转。 0042 如图5所示， 第一盖板35包括第一圆板351、 螺。

28、环352、 电机座353、 线路管354和第一 气管355， 电机34通过电机座353固定连接至第一圆板 351的第一侧， 第一圆板351的第二侧 设置螺环352， 螺环352的横截面是圆环结构， 螺环352内圈套接轴套39， 螺环352外圈套接发 生装置外壳312， 第一圆板351第一侧还设置第一气管355和线路管354， 第一气管355管路连 接至二路混气系统2， 线路管354信号连接至温控系统6。 0043 如图6所示， 发生装置外壳312包括外壳本体3121和滑轨3122， 外壳本体3121两端 分别固定连接至第一盖板35和第二盖板314， 外壳本体3121 外围套接滑轨3122， 滑。

29、轨3122 横截面是凹槽结构， 第一磁铁332卡接至滑轨3122凹槽内， 第一磁铁332延滑轨3122凹槽进 行旋转， 避免错位工作。 0044 如图7所示， 第二盖板314包括第二气管3141、 支撑板3142和第二圆板3143， 第二气 管3141一端通过支撑板3142固定连接至第二圆板3143， 另一端固定连接至真空泵5， 支撑板 3142外围卡接至第二支架32， 第二圆板3143外围设置外螺纹， 第二圆板3143通过套箍315固 定连接至外壳本体 3121。 0045 如图8所示， 支撑环37包括支撑环本体371和第二磁铁373， 轴承38 外围套接支撑 环本体371， 支撑环本体37。

30、1外围安装第二磁铁373， 支撑环本体371上设有若干通孔372， 每 个物料架310通过穿过一个通孔372卡接至支撑环本体371上， 第一磁铁332与第二磁铁373 说明书 4/6 页 7 CN 211999910 U 7 通过磁场， 保持相对位置， 当第一磁铁332因电机带动旋转时， 第二磁铁373带动支撑环37旋 转， 从而带动物料架310旋转， 这样可以有效的将实验物料受热均匀， 保证实验结果。 0046 外壳本体3121和滑轨3122的材质均为石英玻璃， 耐热性很高， 经常使用温度为 11001200摄氏度， 短期使用温度可达1400摄氏度， 适用于实验环境。 0047 第一胶垫36。

31、和第二胶垫313材质均为氟橡胶246， 氟橡胶246在350热空气老化16 小时之后保持良好弹性， 在400热空气老化110分钟之后保持良好弹性， 在400热空气老 化110分钟之后， 含有喷雾炭黑、 热裂法炭黑或碳纤维的胶料伸长率上升约1/21/3， 强度 下降1/2左右， 仍保持良好的弹性。 0048 支撑环37、 轴承38和物料架310的材质均为陶瓷， 陶瓷制品， 再工作过程中不会削 减磁场效应， 同时陶瓷材料耐腐蚀、 受热胀冷缩的影响比钢小， 适宜于温度差较高的腐蚀性 介质环境下作业， 而且陶瓷轴承重量更要轻得多， 因此转动时对外圈的离心作用可降低 40， 进而使用寿命大大延长。 00。

32、49 二路混气系统2型号是GSL-2Z-LCD-S， GSL-2Z-LCD-S是一款小型的两通道质子流 量计混气系统， 可与各种管式炉、 CVD、 PECVD、 镀膜仪等设备配套使用， 实现PVD、 CVD、 PECVD 以及热处理等实验的精确控制。 0050 RF射频电源4型号是Universal0613， 用于镀膜设备中旅， 通过该设备中的功放模 块产生高频电压、 电流， 将常规使用的220V电压和频率 50/60MHZ转换为可变的13.56MHZ电 压电流。 0051 真空泵5型号是PNKPP550H， 用于在实验过程中将生成器3内的空气抽出， 以免氧气 含量过高， 导致实验数据的差异。。

33、 0052 温控系统6型号是AL807， 可选择多种热电偶、 铂电阻温度传感器， 具有加热/冷却 控制功能及丰富的报警功能， 具有测控精度高， 抗干扰性能强， 操作简单， 性价比高等特点， 广泛适用于各种工业场合的高精度恒温控制。 0053 控制器1是PLC， 通过数字式的输入输出来控制实验过程， 简化实验操作。 0054 制作纳米双疏材料的装置的使用过程： 0055 如图1-8所示， 实验室人员首先将第一支架31和RF射频电源4放置在二路混气系统 2上端， 通过电机34将磁力架33固定连接至第一支架31一侧， 电机34一端固定连接至第一盖 板35的第一端， 电机34线路连接至第一盖板35然后。

34、将轴套39、 轴承38、 支撑环37和加热管 311依次组装至第一盖板35的螺环352上。 0056 工作人员将物料架310上放置实验物料， 然后穿过通孔372卡接至支撑环本体371 上， 将外壳本体3121外围套接至RF射频电源4， 外壳本体3121 一端放置第一胶垫36并连接 至第一盖板35， 将第一磁铁332放置在滑轨3122 凹槽内， 外壳本体3121另一端放置第一胶 垫36并通过套箍315固定连接至第二盖板314， 将第二盖板314卡接至第二支架32且将第二 支架32放置在二路混气系统2上端， 第一气管355管路连接至二路混气系统2， 线路管354 信 号连接至温控系统6， 第二气管。

35、3141连接至真空泵5， 然后将二路混气系统2、 RF射频电源4、 真空泵5、 温控系统6均信号连接至控制器1， 控制器 1外接电源。 0057 实验室人员打开控制器1开关， 控制真空泵5对生成器3内抽真空， 持续两分钟， 关 闭抽真空程序， 然后控制电机34进行旋转， 通过控制器1设定， 每分钟三圈的转速， 继续控制 温控系统6对生成器3内进行加温400， 持续十分钟， 然后打开二路混气系统2， 持续半小 说明书 5/6 页 8 CN 211999910 U 8 时， 随后关闭二路混气系统2和温控系统6， 冷却半小时后取出物料， 即完成此次试验。 0058 制作纳米双疏材料的装置设置磁力旋转。

36、装置， 在实验过程中通过电机34 带动第 一磁力架33旋转， 通过支撑环37使待试验物料在生成器内旋转， 可以有效的促使物料受热、 薄膜分布均匀， 减少薄膜气泡， 有效提高实验结果。 0059 以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已， 并不用以限制本实用新型， 凡在本 实用新型的精神和原则之内， 所作的任何修改、 等同替换、 改进等， 均应包含在本实用新型 的保护范围之内。 说明书 6/6 页 9 CN 211999910 U 9 图1 图2 说明书附图 1/4 页 10 CN 211999910 U 10 图3 图4 说明书附图 2/4 页 11 CN 211999910 U 11 图5 图6 说明书附图 3/4 页 12 CN 211999910 U 12 图7 图8 说明书附图 4/4 页 13 CN 211999910 U 13 。