可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010360243.1 (22)申请日 2020.04.30 (71)申请人 厦门乾照半导体科技有限公司 地址 361100 福建省厦门市火炬高新区 （翔 安） 产业区翔天路267号 (72)发明人 谈江乔柯志杰艾国齐刘鉴明 黄青青 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 李婷婷 (51)Int.Cl. G01R 31/26(2014.01) G01R 1/073(2006.01) (54)发明名称 可测试的微器件排列结构及其制作方法、 测。

2、 试方法 (57)摘要 本申请提供一种可测试的微器件排列结构 及其制作方法、 测试方法， 微器件排列结构， 包括 衬底、 位于衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片， 微LED芯片上第一电极和第二电极位于背离衬底 的一侧， 以及与微LED芯片的第一电极和/或第二 电极电性连接的扩展电极， 扩展电极的面积较 大， 且一个扩展电极同时电性连接2-4个微LED芯 片的电极。 由于扩展电极的面积较大， 使得微LED 芯片能够使用探针进行光电性能测试； 而扩展电 极同时连接2-4个微LED芯片的电极， 使得测试过 程中， 探针移动次数能够相对于逐个测试的探针 移动次数减少， 从而能够节约测试时间； 同时避 。

3、免因为串联或并联时， 由于坏点造成测试误差， 提高了测试的准确度。 权利要求书3页 说明书11页 附图12页 CN 111398773 A 2020.07.10 CN 111398773 A 1.一种可测试的微器件排列结构， 其特征在于， 包括： 衬底； 位于所述衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片， 每个所述微LED芯片包括第一电极和第 二电极， 所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬底的一侧； 位于所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧的扩展电极， 所述扩展电极用于 与所述第一电极和/或所述第二电极电性连接； 其中， 一个所述扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的。

4、电极， 且所述扩展电极的面积大 于与其连接的微LED芯片的电极面积之和， 以使得采用探针电连接两个扩展电极对微LED芯 片检测时， 每两个探针单独检测一个微LED芯片。 2.根据权利要求1所述的可测试的微器件排列结构， 其特征在于， 还包括： 平坦化层和 阻挡层； 所述平坦化层位于所述衬底表面， 且其厚度小于或等于所述微LED芯片的厚度； 所述阻挡层位于所述平坦化层和所述微LED芯片上， 且暴露出所述微LED芯片的所述第 一电极和所述第二电极。 3.根据权利要求2所述的可测试的微器件排列结构， 其特征在于， 所述扩展电极位于所 述阻挡层背离所述衬底的表面。 4.根据权利要求1-3任意一项所述的。

5、可测试的微器件排列结构， 其特征在于， 一个扩展 电极连接两个微LED芯片的电极。 5.根据权利要求4所述的可测试的微器件排列结构， 其特征在于， 呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括： 依次重复设置的第一微LED芯片和第二微 LED芯片； 同一列中， 所述第一微LED芯片的第一电极和位于其下方的第二微LED芯片的第一电极 连接同一扩展电极； 所述第二微LED芯片的第二电极和位于其下方的第一微LED芯片的第二电极连接同一 个扩展电极。 6.根据权利要求4所述的可测试的微器件排列结构， 其特征在于， 同一行中， 每个所述微LED芯片的第一电极和与其相邻的微LED芯片的第二电极连接同 一个扩展。

6、电极。 7.根据权利要求1-3任意一项所述的可测试的微器件排列结构， 其特征在于， 一个扩展 电极连接三个微LED芯片的电极； 呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括： 依次重复设置的第三微LED芯片、 第四微 LED芯片和第五微LED芯片； 其中， 第i列中的第三微LED芯片的第一电极和第i-1列的第三微LED芯片和第四微LED 芯片的第二电极连接同一个扩展电极； 第i列中的第三微LED芯片和第四微LED芯片的第二电极和第i+1列的第三微LED芯片的 第一电极连接同一个扩展电极； 第i列中的第四微LED芯片和第五微LED芯片的第一电极与第i-1列的第五微LED芯片的 第二电极连接同一个扩展。

7、电极； 第i列中的第五微LED芯片的第二电极与第i+1列的第四微LED芯片和第五微LED芯片的 权利要求书 1/3 页 2 CN 111398773 A 2 第一电极连接同一个扩展电极。 8.根据权利要求1-3任意一项所述的可测试的微器件排列结构， 其特征在于， 一个扩展 电极连接四个微LED芯片的电极； 呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括： 依次重复设置的第六微LED芯片和第七微 LED芯片； 其中， 第i列中的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第一电极和第i-1列 的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极； 第i列中的第六微LED芯片。

8、和位于其上方的第七微LED芯片的第二电极， 与第i+1列中的 第六微LED芯片和位于其上方的第七微LED芯片的第一电极连接同一个扩展电极。 9.根据权利要求2所述的可测试的微器件排列结构， 其特征在于， 所述阻挡层的材料为 光刻胶、 二氧化硅、 氮化硅或聚酰亚胺。 10.一种可测试的微器件排列结构制作方法， 其特征在于， 所述微器件排列结构制作方 法包括： 提供衬底； 在所述衬底上制作形成呈阵列排布的多个微LED芯片， 每个所述微LED芯片包括第一电 极和第二电极， 所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬底的 一侧； 形成多个扩展电极， 其中， 所述扩展电极位于所述微L。

9、ED芯片背离所述衬底的一侧， 且 所述扩展电极用于与所述第一电极和/或所述第二电极电性连接； 其中， 所述扩展电极的面积大于一个所述第一电极和一个所述第二电极的面积之和， 且一个扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极。 11.根据权利要求10所述的可测试的微器件排列结构制作方法， 其特征在于， 在形成多 个扩展电极之前还包括： 形成平坦化层， 所述平坦化层位于多个所述微LED芯片之间， 所述平坦化层的厚度小于 或等于所述微LED芯片的厚度； 在所述平坦化层上形成阻挡层， 所述阻挡层上设置有通孔， 暴露出所述微LED芯片的第 一电极和第二电极。 12.一种可测试的微器件排列结构的测试方法， 。

10、其特征在于， 所述测试方法包括： 提供第一探针和第二探针； 沿所述微器件排列结构的列方向， 将所述第一探针施加在一个微LED芯片的第一电极 连接的扩展电极上， 将所述第二探针施加在所述微LED芯片的第二电极连接的扩展电极上； 对所述微LED芯片进行光电参数测试； 沿所述列方向， 移动所述第一探针至另一个扩展电极上， 所述另一个扩展电极与所述 第二探针所在的扩展电极形成回路， 用于对另一个微LED芯片进行光电参数测试； 再沿所述列方向， 移动所述第二探针至再一个扩展电极上， 所述再一个扩展电极与所 述第二探针所在的扩展电极形成回路， 用于对再一个微LED芯片进行光电参数测试； 依次重复移动所述第。

11、一探针至另一个扩展电极上， 移动所述第二探针至再一个扩展电 极上， 完成微器件排列结构的测试。 13.一种可测试的微器件排列结构的测试方法， 其特征在于， 所述测试方法包括： 权利要求书 2/3 页 3 CN 111398773 A 3 提供第三探针和第四探针； 沿所述微器件排列结构的列方向， 将所述第三探针施加在一个第三微LED芯片的第一 电极连接的扩展电极上， 将所述第四探针施加在所述第三微LED芯片的第二电极连接的扩 展电极上； 对所述第三微LED芯片进行光电参数测试； 沿所述列方向， 移动所述第三探针至位于所述第三微LED芯片下方的第四微LED芯片的 第一电极连接的扩展电极上， 所述第。

12、三探针所在的扩展电极与所述第四探针所在的扩展电 极形成回路， 用于对所述第四微LED芯片进行光电参数测试； 继续沿所述列方向， 移动所述第四探针至位于所述第四微LED芯片下方的第五微LED芯 片的第二电极连接的扩展电极上， 所述第四探针所在的扩展电极与所述第三探针所在的扩 展电极形成回路， 用于对所述第五微LED芯片进行光电参数测试； 依次重复上述步骤， 完成微器件排列结构的测试。 权利要求书 3/3 页 4 CN 111398773 A 4 可测试的微器件排列结构及其制作方法、 测试方法 技术领域 0001 本发明涉及半导体器件制作技术领域， 尤其涉及一种可测试的微器件排列结构及 其制作方法。

13、、 测试方法。 背景技术 0002 LED(Light-Emitting Diode， 发光二极管)芯片作为半导体照明的核心元器件， 保 证其基本的光电性能和外观要求是后续加工的基础， 在LED芯片的生产加工完成后， 需要对 芯片进行光电性能测试， 以便根据其光电参数对LED芯片进行等级分类。 0003 在现有LED芯片中， 一般用自动测试机进行测试， 但是现有技术中的点测技术通常 适用于普通尺寸的LED芯片。 随着LED的发展， MiniLED和MicroLED作为新一代显示技术， 通 过将LED芯片微小化使用， 作为显示面板使用， 但是现有技术中的自动测试机上探针无法对 Mini LED和。

14、Micro LED微器件进行光电测试。 0004 现有技术采用将芯片电极采用电极条整体引出， 使得多个LED芯片并联或串联， 批 量测试、 收集阵列芯片的光电数据， 但是这样的检测准确性较低。 而逐一引出大电极使用探 针按照传统的方法逐一对芯片进行测试， 则会占据较多晶圆有效面积， 且由于一片晶圆上 芯片的数量非常大， 这无疑会耗费大量的时间。 0005 因此， 如何提供一种检测准确度与测试耗时能够折中， 且占用有效面积较小的适 用于微器件光电性能检测的结构和测试方法成为亟待解决的问题。 发明内容 0006 有鉴于此， 本发明提供一种可测试的微器件排列结构及其制作方法、 测试方法， 以 解决现。

15、有技术中批量测试微器件效率高但准确度低、 逐个测试微器件准确度高但效率低且 占用有效面积较大的问题。 0007 为实现上述目的， 本发明提供如下技术方案： 0008 一种可测试的微器件排列结构， 包括： 0009 衬底； 0010 位于所述衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片， 每个所述微LED芯片包括第一电极 和第二电极， 所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬底的一 侧； 0011 位于所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧的扩展电极， 所述扩展电极 用于与所述第一电极和/或所述第二电极电性连接； 0012 其中， 一个所述扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电。

16、极， 且所述扩展电极的面 积大于与其连接的微LED芯片的电极面积之和， 以使得采用探针电连接两个扩展电极对微 LED芯片检测时， 每两个探针单独检测一个微LED芯片。 0013 优选地， 还包括： 平坦化层和阻挡层； 0014 所述平坦化层位于所述衬底表面， 且其厚度小于或等于所述微LED芯片的厚度； 说明书 1/11 页 5 CN 111398773 A 5 0015 所述阻挡层位于所述平坦化层和所述微LED芯片上， 且暴露出所述微LED芯片的所 述第一电极和所述第二电极。 0016 优选地， 所述扩展电极位于所述阻挡层背离所述衬底的表面。 0017 优选地， 一个扩展电极连接两个微LED芯。

17、片的电极。 0018 优选地， 呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括： 依次重复设置的第一微LED 芯片和第二微LED芯片； 0019 同一列中， 所述第一微LED芯片的第一电极和位于其下方的第二微LED芯片的第一 电极连接同一扩展电极； 0020 所述第二微LED芯片的第二电极和位于其下方的第一微LED芯片的第二电极连接 同一个扩展电极。 0021 优选地， 同一行中， 每个所述微LED芯片的第一电极和与其相邻的微LED芯片的第 二电极连接同一个扩展电极。 0022 优选地， 一个扩展电极连接三个微LED芯片的电极； 0023 呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括： 依次重复设置的第。

18、三微LED芯片、 第 四微LED芯片和第五微LED芯片； 0024 其中， 第i列中的第三微LED芯片的第一电极和第i-1列的第三微LED芯片和第四微 LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极； 0025 第i列中的第三微LED芯片和第四微LED芯片的第二电极和第i+1列的第三微LED芯 片的第一电极连接同一个扩展电极； 0026 第i列中的第四微LED芯片和第五微LED芯片的第一电极与第i-1列的第五微LED芯 片的第二电极连接同一个扩展电极； 0027 第i列中的第五微LED芯片的第二电极与第i+1列的第四微LED芯片和第五微LED芯 片的第一电极连接同一个扩展电极。 0028 优选地， 一。

19、个扩展电极连接四个微LED芯片的电极； 0029 呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括： 依次重复设置的第六微LED芯片和第 七微LED芯片； 0030 其中， 第i列中的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第一电极和第 i-1列的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第二电极连接同一个扩展电极； 0031 第i列中的第六微LED芯片和位于其上方的第七微LED芯片的第二电极， 与第i+1列 中的第六微LED芯片和位于其上方的第七微LED芯片的第一电极连接同一个扩展电极。 0032 优选地， 所述阻挡层的材料为光刻胶、 二氧化硅、 氮化硅或聚酰亚胺。 0033 本发明还。

20、提供一种可测试的微器件排列结构制作方法， 所述微器件排列结构制作 方法包括： 0034 提供衬底； 0035 在所述衬底上制作形成呈阵列排布的多个微LED芯片， 每个所述微LED芯片包括第 一电极和第二电极， 所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬 底的一侧； 0036 形成多个扩展电极， 其中， 所述扩展电极位于所述微LED芯片背离所述衬底的一 侧， 且所述扩展电极用于与所述第一电极和/或所述第二电极电性连接； 说明书 2/11 页 6 CN 111398773 A 6 0037 其中， 所述扩展电极的面积大于一个所述第一电极和一个所述第二电极的面积之 和， 且一个扩。

21、展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极。 0038 优选地， 在形成多个扩展电极之前还包括： 0039 形成平坦化层， 所述平坦化层位于多个所述微LED芯片之间， 所述平坦化层的厚度 小于或等于所述微LED芯片的厚度； 0040 在所述平坦化层上形成阻挡层， 所述阻挡层上设置有通孔， 暴露出所述微LED芯片 的第一电极和第二电极。 0041 另外， 本发明还提供一种可测试的微器件排列结构的测试方法， 基于上面几项扩 展电极连接两个或四个电极的可测试的微器件排列结构， 所述测试方法包括： 0042 提供第一探针和第二探针； 0043 沿所述微器件排列结构的列方向， 将所述第一探针施加在一个微L。

22、ED芯片的第一 电极连接的扩展电极上， 将所述第二探针施加在所述微LED芯片的第二电极连接的扩展电 极上； 0044 对所述微LED芯片进行光电参数测试； 0045 沿所述列方向， 移动所述第一探针至另一个扩展电极上， 所述另一个扩展电极与 所述第二探针所在的扩展电极形成回路， 用于对另一个微LED芯片进行光电参数测试； 0046 再沿所述列方向， 移动所述第二探针至再一个扩展电极上， 所述再一个扩展电极 与所述第二探针所在的扩展电极形成回路， 用于对再一个微LED芯片进行光电参数测试； 0047 依次重复移动所述第一探针至另一个扩展电极上， 移动所述第二探针至再一个扩 展电极上， 完成微器件。

23、排列结构的测试。 0048 对于扩展电极同时连接三个电极的可测试的微器件排列结构的测试方法， 包括： 0049 提供第三探针和第四探针； 0050 沿所述微器件排列结构的列方向， 将所述第三探针施加在一个第三微LED芯片的 第一电极连接的扩展电极上， 将所述第四探针施加在所述第三微LED芯片的第二电极连接 的扩展电极上； 0051 对所述第三微LED芯片进行光电参数测试； 0052 沿所述列方向， 移动所述第三探针至位于所述第三微LED芯片下方的第四微LED芯 片的第一电极连接的扩展电极上， 所述第三探针所在的扩展电极与所述第四探针所在的扩 展电极形成回路， 用于对所述第四微LED芯片进行光电。

24、参数测试； 0053 继续沿所述列方向， 移动所述第四探针至位于所述第四微LED芯片下方的第五微 LED芯片的第二电极连接的扩展电极上， 所述第四探针所在的扩展电极与所述第三探针所 在的扩展电极形成回路， 用于对所述第五微LED芯片进行光电参数测试； 0054 依次重复上述步骤， 完成微器件排列结构的测试。 0055 经由上述的技术方案可知， 本发明提供的可测试的微器件排列结构， 包括衬底、 位 于衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片， 微LED芯片上第一电极和第二电极位于背离衬底的 一侧， 以及与微LED芯片的第一电极和/或第二电极电性连接的扩展电极， 所述扩展电极的 面积较大， 且一个扩展电。

25、极同时电性连接2-4个微LED芯片的电极。 由于扩展电极的面积较 大， 使得微LED芯片能够使用现有测试机台的探针进行光电性能测试； 而扩展电极同时连接 2-4个微LED芯片的电极， 使得测试过程中， 探针移动次数能够相对于逐个测试的探针移动 说明书 3/11 页 7 CN 111398773 A 7 次数减少， 从而能够节约测试时间； 同时， 由于扩展电极并没有将所有微LED芯片串联或并 联， 所以测试过程中， 对微LED实现的还是逐一测试， 避免因为使用串联或并联测试方法时， 由于坏点造成测试误差， 从而提高了测试精度， 得到全部微LED的光电数据。 附图说明 0056 为了更清楚地说明本。

26、发明实施例或现有技术中的技术方案， 下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本 发明的实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据 提供的附图获得其他的附图。 0057 图1为本发明实施例提供的一种可测试的微器件排列结构俯视示意图； 0058 图2为沿图1中的AA线的剖视图； 0059 图3为本发明实施例提供的一种可测试的微器件排列结构俯视图； 0060 图4-图6为本发明实施例提供的一种可测试的微器件光电性能测试过程示意图； 0061 图7为本发明实施例提供的另一种可测试的微器件排列结构俯视图； 。

27、0062 图8-图11为本发明实施例提供的图1所示可测试的微器件光电性能测试过程示意 图； 0063 图12为本发明实施例提供的检测完毕后的可测试的微器件排列结构示意图； 0064 图13为本发明实施例提供的一种可测试的微器件排列结构制作方法流程图； 0065 图14为本发明实施例提供的一种可测试的微器件排列结构的其中一个步骤对应 剖面结构示意图。 具体实施方式 0066 正如背景技术部分所述， 现有技术中的自动测试机上的探针对微LED芯片进行光 电测试时， 要么存在检测准确性较低的问题， 要么存在测试耗时较大且占用有效面积较大 的问题。 0067 发明人发现出现上述问题的根本原因为： 006。

28、8 对于微电子器件， 由于电极较小， 采用电极条将多个LED芯片串联或者并联， 从而 实现批量测试， 但是当其中存在一个坏点时， 可能导致整个电极条连接的LED芯片均无法被 点亮， 造成整条LED芯片都无法被测试， 但实际上可能只有一个LED芯片是坏的， 而且， 采用 对整列或整行芯片测试时， 单一某颗微LED的光学数据较高或较低都使得整列微LED的光学 数据偏高或偏低， 这样导致检测的准确性较低。 0069 而由于微LED芯片在晶圆上排列紧密， 可以称之为巨量， 即使探针能够按照传统的 方法逐一对芯片进行测试， 一方面， 数量较多， 每次移动探针， 对移动的精度要求极高， 导致 探针移动对准。

29、， 耗时较多； 另一方面， 每次都需要移动两个正负极连接的探针， 导致移动探 针的次数较多， 同样耗时较多。 再一方面， 由于微LED芯片的电极较小， 通常需要设置扩展电 极， 但是每个电极均设置一个电极条， 为了得到单颗芯片光电数据将扩大芯片间距给电极 条留位置， 这样显著降低了晶圆有效利用率。 0070 基于此， 本发明提供一种可测试的微器件排列结构， 包括： 0071 衬底； 说明书 4/11 页 8 CN 111398773 A 8 0072 位于所述衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片， 每个所述微LED芯片包括第一电极 和第二电极， 所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结。

30、构背离所述衬底的一 侧； 0073 位于所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧的扩展电极， 所述扩展电极 用于与所述第一电极和/或所述第二电极电性连接； 0074 其中， 一个所述扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极， 且所述扩展电极的面 积大于与其连接的微LED芯片的电极面积之和， 以使得采用探针电连接两个扩展电极对微 LED芯片检测时， 每两个探针单独检测一个微LED芯片。 0075 本发明提供的可测试的微器件排列结构， 包括衬底、 位于衬底上呈阵列排布的多 个微LED芯片， 微LED芯片上第一电极和第二电极位于背离衬底的一侧， 以及与微LED芯片的 第一电极和/或第二电极电性连。

31、接的扩展电极， 所述扩展电极的面积较大， 且一个扩展电极 同时电性连接2-4个微LED芯片的电极。 由于扩展电极的面积较大， 使得微LED芯片能够使用 现有测试机台的探针进行光电性能测试； 而扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极， 使 得测试过程中， 探针移动次数能够相对于逐个测试的探针移动次数减少， 从而能够节约测 试时间； 同时， 由于扩展电极并没有将所有微LED芯片串联或并联， 所以测试过程中， 对微 LED实现的还是逐一测试， 避免因为串联或并联时， 由于坏点造成测试误差， 从而提高了测 试精度。 0076 下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 。

32、完 整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于 本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例， 都属于本发明保护的范围。 0077 请参见图1和图2， 其中， 图1为本发明实施例提供的可测试的微器件排列结构俯视 示意图； 图2为沿图1中的AA线的剖视图， 所述可测试的微器件排列结构包括： 衬底201； 于衬 底201上呈阵列排布的多个微LED芯片202， 每个微LED芯片包括第一电极2031和第二电极 2032， 第一电极2031和第二电极2032均位于微LED芯片结构背离衬底201的一侧； 位于第一 电。

33、极2031和第二电极2032背离衬底201一侧的扩展电极(207和208所示)， 扩展电极用于与 第一电极2031和/或第二电极2032电性连接； 其中， 扩展电极的面积大于一个第一电极2031 和一个第二电极2032的面积之和， 且一个扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极。 0078 本实施例中衬底201为生长衬底， 所述生长衬底的材质不作限定， 材质可以包括蓝 宝石、 硅片、 碳化硅， 砷化镓等。 微LED芯片202可以是Micro-LED或Mini-LED芯片， 第一电极 2031和第二电极2032为金属电极。 0079 需要说明的是， 本实施例中不限定扩展电极如何制作形成在微LE。

34、D芯片上的， 只要 能够实现， 一个扩展电极同时连接2-4个金属电极即可。 可选的， 如图2所示， 所述可测试的 微器件排列结构还可以包括平坦化层204和阻挡层205， 其中， 平坦化层204的厚度小于或等 于微LED芯片202的厚度， 本实施例中平坦化层204的作用是为后续功能层打底， 避免因高度 差造成扩展电极断裂。 本实施例中阻挡层205位于平坦化层204上， 通过涂布方式形成， 所述 阻挡层205为可光刻材料， 可以是正性光刻胶、 负性光刻胶、 二氧化硅、 氮化硅或者PI(聚酰 亚胺)类材料等。 通过光刻， 形成通孔， 暴露出微LED芯片202的第一电极2031和第二电极 2032。 。

35、本实施例中阻挡层205起到绝缘隔离的作用。 说明书 5/11 页 9 CN 111398773 A 9 0080 需要说明的是， 本实施例中不限定扩展电极的具体材质和制作方法， 可选的， 可以 采用传统蒸镀工艺方法形成扩展电极， 根据实际微LED芯片之间的间距， 充分利用微LED芯 片之间的间距， 沉积铝、 铟等碱性金属材料， 形成扩展电极， 本实施例中不限定扩展电极的 具体面积， 可选的， 扩展电极的面积可以是微LED芯片的第一电极或第二电极面积的6-8倍， 从而适用于现有技术中的测试机台上的探针大小， 进而降低探针移动时， 对测试机台的精 度要求。 0081 需要说明的是， 本实施例中不限。

36、定扩展电极(207和208)的分布方式， 扩展电极的 分布能够在测试过程中， 起到将微LED芯片的电极扩展， 使得面积增加， 以便于探针进行测 试， 且在测试过程中， 探针连接两个扩展电极对微LED芯片检测时， 每两个探针仅仅单独检 测一个微LED芯片， 也即， 一正探针和一负探针， 虽然均连接在扩展电极上， 一个扩展电极又 同时连接多个微LED芯片的电极， 但是每次仅导通一个微LED芯片的正负极， 使得每次仅能 检测一个微LED芯片。 0082 由于扩展电极同时电性连接2、 3或4个金属电极， 相对于现有技术中心的单个电极 扩展电极条而言， 无需为每个扩展电极与其他相邻扩展电极之间设置较大间。

37、隙， 从而能够 相对减少对晶圆有效面积的占用， 提高了晶圆的利用率。 0083 需要说明的是， 本实施例中扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极是指： 扩展 电极同时连接2个、 或3个、 或4个微LED芯片的单个电极， 也即， 能够同时连接两个微LED芯片 的第一电极， 或者同时连接两个微LED芯片的第二电极， 或者同时连接一个微LED芯片的第 一电极和一个微LED芯片的第二电极， 或者同时连接两个微LED芯片的第一电极和一个微 LED芯片的第二电极， 或者同时连接四个微LED芯片的第一电极、 或同时连接四个微LED芯片 的第二电极。 0084 为了方便说明本发明实施例中提供的扩展电极分布。

38、方式， 本发明实施例结合附图 进行说明， 请参见图3， 图3为本发明实施例提供的一种微器件排列结构俯视图； 本实施例中 一个扩展电极同时连接两个微LED芯片的电极， 呈阵列排布的多个微LED芯片为重复排布， 每个微LED芯片和其他微LED芯片均采用相同的工艺， 在同一个制程中制作形成。 为了区分 每个微LED芯片的位置以及与其他微LED芯片的连接关系， 本实施例中以图3中的B列微LED 芯片为例进行说明， 其他列的微LED芯片连接关系和排布方式与B列微LED芯片相同， 本实施 例中对此不做详细赘述。 0085 请参见图3， 同一列中包括依次重复设置的第一微LED芯片2021和第二微LED芯片 。

39、2022， 也即同一列中， 相邻的两个第一微LED芯片2021之间为一个第二微LED芯片2022， 两个 第二微LED芯片2022之间包括一个第一微LED芯片2021。 而同一行中， 均为第一微LED芯片 2021或第二微LED芯片2022。 0086 本实施例中扩展电极包括在同一列中， 同时与相邻的第一微LED芯片2021和第二 微LED芯片2022的第一电极相连的第一扩展电极207， 以及同时与相邻的第二微LED芯片 2022和第一微LED芯片2021的第二电极相连的第二扩展电极208， 其中， 第一扩展电极207和 第二扩展电极208在列方向上， 相差一个微LED芯片。 结合图3所示， 。

40、第一扩展电极207与B列 第j行的第一微LED芯片2021和第j+1行的第二微LED芯片2022的第一电极相连； 第二扩展电 极208与B列的第j+1行的第二微LED芯片2022和第j+2行的第一微LED芯片2021的第二电极 同时相连， 依次类推， 形成多个重复单元， 将晶圆上的微LED芯片均与第一扩展电极和第二 说明书 6/11 页 10 CN 111398773 A 10 扩展电极相连。 0087 需要说明的是， 本实施例中不限定微LED芯片的第一电极和第二电极的极性， 可选 的， 下面实施例中， 以第一电极为正极， 第二电极为负极为例进行说明。 0088 在上述扩展电极连接两个微LED。

41、芯片的电极分布情况下， 本实施例中对微LED芯片 进行光电性能测试时， 将测试机台的正探针扎在一个第一扩展电极上， 测试机台的负探针 扎在与该第一扩展电极相连的金属电极共同的微LED芯片的另一个金属电极相连的第二扩 展电极上。 如图4中所示， 采用 “+” 、“-” 号代替探针位置； 从而对扎有正探针 “+” 的第一扩展 电极和扎有负探针 “-” 的第二扩展电极共同连接的微LED芯片进行测试， 如图4中所示， 对第 一微LED芯片进行光电性能测试。 0089 当测试完毕第一微LED芯片， 只需要沿着列方向， 如图5所示， 向扎有正探针 “+” 的 第一扩展电极连接的第二微LED芯片的方向移动负。

42、探针 “-” ， 此时， 负探针 “-” 扎在第二微 LED芯片第二电极连接的第二扩展电极上， 从而对第二微LED芯片的光电性能进行测试。 0090 然后测试完毕第二微LED芯片， 只需要沿着列方向， 如图6所示， 向扎有负探针 “-” 的第二扩展电极连接的第一微LED芯片的方向移动正探针 “+” ， 此时， 正探针 “+” 扎在第一微 LED芯片第一电极连接的第一扩展电极上， 从而对第一微LED芯片的光电性能进行测试。 0091 依次类推， 每次只需要移动一个探针， 就能够实现微LED芯片的替换， 无需像现有 技术中逐一测试微LED芯片时， 需要同时移动两个探针的方式， 对于测试一个晶圆上的。

43、微 LED芯片， 能够减少一半探针的移动时间， 从而能够节省探针移动的时间， 缩短测试的耗时。 0092 在本发明的另一实施例中， 一个扩展电极同时连接两个微LED芯片的电极， 还可以 是同一行中， 每个微LED芯片的第一电极和与其相邻的微LED芯片的第二电极连接同一个扩 展电极； 每个微LED芯片的第二电极和与其相邻的微LED芯片的第一电极连接同一个扩展电 极。 比如， 同一行中包括多个微LED芯片， 每个微LED芯片左侧为第一电极， 右侧为第二电极， 则每个微LED芯片的第一电极与其左侧的微LED芯片的第二电极同时连接一个扩展电极， 那 么该微LED芯片的第二电极与其右侧的微LED芯片的第。

44、一电极同时连接一个扩展电极。 在检 测时， 正负探针沿行方向移动， 同样也能减少探针的移动次数。 0093 在本发明的另一实施例中， 请参见图7， 图7为本发明实施例提供的一种微器件排 列结构俯视图； 图7中所示， 一个扩展电极同时连接三个微LED芯片的电极； 在同一列中， 包 括依次重复设置的第三微LED芯片2023、 第四微LED芯片2024和第五微LED芯片2025； 其中， 请继续参见图7， 第i列中的第三微LED芯片2023的第一电极和第i-1列的第三微LED芯片 2023和第四微LED芯片2024的第二电极连接同一个扩展电极207； 第i列中的第三微LED芯片 2023和第四微LE。

45、D芯片2024的第二电极和第i+1列的第三微LED芯片2023的第一电极连接同 一个扩展电极207； 第i列中的第四微LED芯片2024和第五微LED芯片2025的第一电极与第i- 1列的第五微LED芯片2025的第二电极连接同一个扩展电极208； 第i列中的第五微LED芯片 2025的第二电极与第i+1列的第四微LED芯片2024和第五微LED芯片2025的第一电极连接同 一个扩展电极。 0094 也即， 第三微LED芯片、 第四微LED芯片和第五微LED芯片的六个电极， 每三个电极 共同连接一个扩展电极， 从而使得扩展电极面积较大， 在测试过程中， 能够减小探针对准的 精度。 0095 参。

46、考上面两个电极共同连接一个扩展电极的测试方式， 本实施例中不再赘述三个 说明书 7/11 页 11 CN 111398773 A 11 电极共同连接一个扩展电极的测试方式， 如图7中所示， 当测试完第五微LED芯片后， 将负探 针 “-” 向上移动一个扩展电极， 从而能够对第四微LED芯片进行测试， 再将负探针 “-” 保持不 动， 将正探针 “+” 向上移动一个扩展电极， 对第三微LED芯片进行测试。 0096 需要说明的是， 与两个电极共同连接一个扩展电极的测试方法不同的是， 请继续 参见图7， 本发明实施例中， 在依次检测完成第五微LED芯片、 第四微LED芯片和第三微LED芯 片后， 。

47、并不是单独移动一个 “+” 探针或 “-” 探针， 而是需要同时移动 “+” 探针和 “-” 探针， 使得 两个探针继续组成回路。 虽然， 相对于两个电极共同连接一个扩展电极的测试方法， 可能多 一些探针的移动次数， 但是， 相对于现有技术中， 逐个测试三个微LED芯片需要移动四次探 针而言， 本发明实施例提供的测试方式只需要移动两次探针即可， 从而在一定程度上减少 了探针的移动次数， 节约了测试时间， 同时还能够保证测试精度。 在上述基础上， 一个扩展 电极连接三个电极， 相对于一个扩展电极连接一个电极而言， 扩展电极数量减少， 占用的晶 圆面积减少， 从而避免了占用较多晶圆的有效面积。 0。

48、097 在本发明的再一个实施例中， 一个扩展电极还可以连接四个微LED芯片的电极， 如 图1所示， 为本发明实施例提供的又一个微器件排列结构的俯视示意图； 呈阵列排布的多个 微LED芯片每一列中包括： 依次重复设置的第六微LED芯片2026和第七微LED芯片2027； 其 中， 第i列中的第六微LED芯片2026和位于其下方的第七微LED芯片2027的第一电极和第i-1 列的第六微LED芯片2026和位于其下方的第七微LED芯片2027的第二电极连接同一个扩展 电极207； 第i列中的第六微LED芯片2026和位于其上方的第七微LED芯片的第二电极2027， 与第i+1列中的第六微LED芯片2。

49、026和位于其上方的第七微LED芯片2027的第一电极连接同 一个扩展电极。 0098 与一个扩展电极连接两个微LED芯片的电极类似的， 区别是将相邻两列的扩展电 极合并为一个扩展电极， 从而进一步减少扩展电极数量， 相邻两个微LED芯片连接同一扩展 电极时， 该相邻两个微LED芯片之间的间距就无需设置扩展电极的间隙， 也即， 减少了相邻 扩展电极之间间隙设置时占据的有效面积， 从而在满足保证扩展电极的面积以施加探针的 基础上， 进一步减小扩展电极占用晶圆的面积， 从而提高晶圆有效面积的利用率。 0099 在测试过程中， 最初， 四探针位置如图8所示， 此时可同时收集两颗芯片的光电数 据， 然。

50、后只移动负电极探针一步， 如图9所示， 收集接下来两颗芯片的光电数据。 依次类推， 只移动正探针或负探针一步， 完成所有奇数列的芯片测试， 即完成50的芯片数据收集。 四 探针都向左走一步， 如图10所示， 开始测试偶数列芯片， 同样的， 依次移动正探针或负探针 一步， 如图11所示， 完成所有偶数列芯片的测试。 如此经过一个来回的测试， 完成整片晶圆 的测试。 0100 需要说明的是， 完成整片晶圆的测试之后， 本发明提供的可可测试的微器件排列 结构完成了它的使命。 扩展电极层可用碱液清洗掉。 平坦化层204和阻挡层205也可用有机 类清洗剂清洗掉， 由此平坦化层、 阻挡层、 导电层都可以清。