平面化腐蚀半导体器件的方法.pdf

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本发明公开了一种平面化腐蚀半导体器件以使微痕发生频率最小化的方法,其中制备老化至少两小时的悬浮液以平面化腐蚀形成在半导体衬底上的层。在老化期间较重的悬浮颗粒聚集在容器的下部。除了重颗粒之外,容器上部的悬浮液可用于平面化腐蚀层。根据制造半导体器件的这种方法,至少老化悬浮液两个小时,由此在平面化腐蚀工艺期间使较重悬浮颗粒的微痕发生频率最小化,并且悬浮液的质量几乎不影响平面化腐蚀工艺。 。

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内容关键字: 平面化 腐蚀 半导体器件 方法
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