等离子处理装置和等离子处理方法.pdf

《等离子处理装置和等离子处理方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《等离子处理装置和等离子处理方法.pdf（21页完成版）》请在专利查询网上搜索。

1、10申请公布号CN104094677A43申请公布日20141008CN104094677A21申请号201280068768122申请日20120217H05H1/46200601C23C16/509200601H01L21/205200601H01L21/306520060171申请人国立大学法人东北大学地址日本宫城县72发明人平山昌树74专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所普通合伙11277代理人刘新宇张会华54发明名称等离子处理装置和等离子处理方法57摘要本发明提供一种等离子处理装置，针对大尺寸的基板，能够改善用VHF频带那样的高频激励的等离子的密度的均匀性。等离子处理装置具有波导。

2、路构件401，其用于形成波导路WG；同轴管，其从波导路WG的长度方向A上的规定的馈电位置向该波导路内供给电磁能；电场形成用的第一电极460A和第二电极460B，其以面对等离子形成空间PS的方式配置；以及线圈构件410，其配置在波导路内，以利用由磁场所发挥的电磁感应作用产生电压，并且与第一电极460A和第二电极460B电连接。85PCT国际申请进入国家阶段日2014073186PCT国际申请的申请数据PCT/JP2012/0010722012021787PCT国际申请的公布数据WO2013/121467JA2013082251INTCL权利要求书2页说明书8页附图10页19中华人民共和国国家知识。

3、产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书8页附图10页10申请公布号CN104094677ACN104094677A1/2页21一种等离子处理装置，其特征在于，具有波导路构件，其用于形成波导路；传送路，其从上述波导路的长度方向上的规定的馈电位置向该波导路内供给电磁能；电场形成用的至少一个电极，其以面对等离子形成空间的方式配置；以及至少一个线圈构件，其配置在上述波导路内，以利用由磁场所发挥的电磁感应作用产生电压，并且与上述至少一个电极电连接。2根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，上述至少一个线圈构件包含多个线圈构件，上述多个线圈构件沿着上述长度方向排列。3根据权利要求1或2所述的等。

4、离子处理装置，其特征在于，该等离子处理装置还具有电介质，其沿着上述长度方向延伸，并贯穿上述至少一个线圈构件内。4根据权利要求13中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，上述至少一个线圈构件隔着电介质配置于上述波导路构件上。5根据权利要求13中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，上述至少一个电极包含第一电极和第二电极，上述至少一个线圈分别与上述第一电极和第二电极电连接。6根据权利要求14中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，上述波导路构件具有第一波导路构件，其以形成具有并联的第一隆起部和第二隆起部的波导路的方式形成；以及第二波导路构件，其与上述第一波导路构件配合来形成上述波导路，上述至。

5、少一个线圈构件包含配置在上述波导路的第一隆起部内的第一线圈构件和配置在上述波导路的第二隆起部内的第二线圈构件。7根据权利要求6所述的等离子处理装置，其特征在于，上述传送路包含同轴管，上述同轴管在上述波导路的第一隆起部和第二隆起部之间沿着上述第一隆起部和第二隆起部的高度方向延伸并连接于上述第一波导路构件和第二波导路构件。8根据权利要求17中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，上述至少一个线圈构件以两端部面对的方式形成为筒状。9根据权利要求18中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，上述规定的馈电位置位于上述波导路的上述长度方向上的大致中央位置。10根据权利要求19中任一项所述的等离子处理装。

6、置，其特征在于，以从上述传送路供给的规定的等离子激励频率的高频共振的方式构成上述波导路。11一种等离子处理方法，其特征在于，具有将被处理体设置于在内部设有等离子发生机构的容器内的与上述等离子形成空间面对的位置处的步骤；以及利用上述等离子发生机构激励等离子以对上述被处理体进行等离子处理的步骤，该等离子发生机构具有波导路构件，其用于形成波导路；传送路，其从上述波导路的长度方向上的规定的馈电位置向该波导路内供给电磁能；电场形成用的至少一个电极，其权利要求书CN104094677A2/2页3以面对等离子形成空间的方式配置；以及至少一个线圈构件，其配置在上述波导路内，以利用由磁场所发挥的电磁感应作用产生。

7、电压，并且与上述至少一个电极电连接。权利要求书CN104094677A1/8页4等离子处理装置和等离子处理方法技术领域0001本发明涉及在基板上实施等离子处理的等离子处理装置和等离子处理方法。背景技术0002在平板显示器、太阳能电池、半导体装置等的制造工序中，在薄膜的形成、蚀刻等中使用有等离子。等离子是例如通过将气体导入到真空腔内，并向设置在真空腔内的电极施加数MHZ数百MHZ的高频而生成的。为了提高生产率，平板显示器、太阳能电池用的玻璃基板的尺寸年年增大，目前用超过2M四方形的玻璃基板进行批量生产。0003在等离子CVDCHEMICALVAPORDEPOSITION等的成膜工艺中，为了提高成。

8、膜速度，要求更高密度的等离子。此外，为了将向基板表面入射的离子能量抑制得较低来降低离子照射伤害并抑制气体分子的过剩离解，要求电子温度较低的等离子。通常，当提高等离子激励频率时，等离子密度增加且电子温度下降。因而，为了利用较高的总生产能力成膜高品质的薄膜，需要提高等离子激励频率。因此，在等离子处理中使用比通常的高频电源的频率1356MHZ高的、30MHZ300MHZ的VHFVERYHIGHFREQUENCY带的高频率来进行生产例如，参照专利文献1、2。0004现有技术文献0005专利文献0006专利文献1日本特开平9312268号公报0007专利文献2日本特开2009021256号公报发明内容0。

9、008发明要解决的问题0009但是，当要处理的玻璃基板的尺寸例如像2M四方形那样大时，在利用上述那样的VHF带的等离子激励频率进行等离子处理的情况下，由于在被施加了高频的电极内所产生的表面波的驻波，导致等离子密度的均匀性下降。通常，当被施加了高频的电极的尺寸比自由空间的波长的1/20大时，在不进行任何对策的情况下，不能激励均匀的等离子。0010本发明提供一种等离子处理装置，针对比超过2M四方形那样更大尺寸的基板，能够改善利用VHF频带那样的高频所激励的等离子的密度的均匀性。0011用于解决问题的方案0012本发明的等离子处理装置的特征在于，其具有波导路构件，其用于形成波导路；传送路，其从上述波。

10、导路的波导方向上的规定的馈电位置向该波导路内供给电磁能；电场形成用的至少一个电极，其以面对等离子形成空间的方式配置；以及至少一个线圈构件，其配置在上述波导路内，以利用由磁场所发挥的电磁感应作用产生电压，并且与上述至少一个电极电连接。0013发明的效果0014根据本发明，针对更大尺寸的被处理体基板，能够在波导路的长度方向上改善说明书CN104094677A2/8页5利用VHF频带所激励的等离子的等离子密度的均匀性。附图说明0015图1是表示等离子处理装置的一例的剖视图。0016图2是图1的等离子处理装置的IIII剖视图。0017图3A是表示处于截止状态的波导管的立体剖视图。0018图3B是与图3。

11、A的波导管处于等价关系的波导路的立体剖视图。0019图4是表示图1的等离子处理装置中的基本类型的等离子发生机构的构造的立体剖视图。0020图5是表示本发明的第一实施方式的等离子发生机构的构造的立体剖视图。0021图6是表示图5的波导路与同轴管之间的连接关系的剖视立体图。0022图7是表示使用了图5的波导路构造的情况下和使用了图3的波导路构造的情况下的、电极间电压的长度方向上的分布的图表。0023图8是表示本发明的第二实施方式的等离子发生机构的构造的立体剖视图。0024图9是图8的等离子发生机构的外观立体图。具体实施方式0025以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。另外，在本说明书和附图中，针。

12、对实质上具有相同功能结构的结构要素，通过标注相同的附图标记来省略重复说明。0026等离子处理装置的基本结构0027首先，参照图1和图2对本发明可应用的类型的等离子处理装置的一例进行说明。图1是图2的II剖视图，图2是图1的IIII剖视图。图1及图2所示的等离子处理装置10具有如下结构利用以被供给的电磁波共振的方式设计的波导路向电极供给电磁能，从而能够沿着波导路的长度方向激励均匀密度的等离子。0028在此，对波导路的共振进行说明。首先，如图3A所示，考虑矩形波导管GT的管内波长，该波导管GT具有长边长度为A、短边长度为B的截面。管内波长G由式1表示。0029式100300031在此，是自由空间的。

13、波长，R是波导管内的相对介电常数，R是波导管内的相对磁导率。根据式1，得知在RR1时波导管GT的管内波长G始终比自由空间的波长长。当2A时，在长边长度A变短时管内波长G变长。当2A时，即当长边长度A等于自由空间的波长的1/2时，分母为0，管内波长G变为无限大。此时，波导管GT变为截止状态，在波导管GT内传送的电磁波的相位速度变为无限大，群速度变为0。而且，当2A时，虽然电磁波不能在波导管内传送，但能够进入某程度的距离。另外，虽然一般该状态也称作截止状态，但在此处，将2A时设为截止状态。例如，在等离子激励频率为60MHZ时，在中空波导管内，A变为250CM，在氧化铝波导管内，A变为81CM。00。

14、32图3B表示等离子处理装置10所使用的基本类型的波导路。形成该波导路WG的说明书CN104094677A3/8页6波导路构件GM由导电性构件形成，并具有在波导方向长度方向A、宽度方向B上相互面对的侧壁部W1、W2和在侧壁部W1、W2的高度方向H的下端部呈法兰状延伸的第一电极部EL1、第二电极部EL2。此外，在侧壁部W1和W2之间所形成的间隙内插入有板状的电介质DI。该电介质DI发挥防止在波导路WG内激励等离子的作用。图3B所示的波导路WG的宽度W被设定为与波导路的短边长度B相等的值，高度H被设定为比/4A/2小的最佳值，以使与处于截止状态的波导管GT电等效。在波导路WG内，形成由L电感和C电。

15、容构成的LC共振电路，通过变成截止状态，所供给的电磁波共振。如果将在波导路WG中沿波导方向A传播的高频波长设为无限大，则沿着电极EL1及电极EL2的长度方向形成均匀的高频电场，并在长度方向上激励密度均匀的等离子。另外，当将从波导路WG观察等离子侧而得到的阻抗假设为无限大时，波导路WG能够当作在长度方向上将矩形波导管恰好二等分的传送路。因而，当波导路WG的高度H为/4时，管内波长G变得无限大。然而，实际上从波导路WG观察等离子侧而得到的阻抗是电容性的，因此使管内波长G为无限大的波导路WG的高度H比/4小。0033等离子处理装置10具有用于在内部载置基板G的真空容器100，在内部对玻璃基板以下称作。

16、基板G进行等离子处理。真空容器100的截面为矩形，由铝合金等金属形成并接地。真空容器100的上部开口被顶棚部105覆盖。基板G被载置在载置台115上。另外，基板G是被处理体的一例，并不限定于此，也可以是硅晶圆等。0034在真空容器100的底部，设置有用于载置基板G的载置台115。在载置台115的上方，隔着等离子形成空间PS设置有多个两个等离子发生机构200。等离子发生机构200被固定在真空容器100的顶棚部105。0035各个等离子发生机构200具有由铝合金形成的同尺寸的两个波导路构件201A、201B；同轴管225；以及插入到在两个面对的波导路构件201A、201B之间所形成的波导路WG内的。

17、电介质板220。0036波导路构件201A、201B分别具有为了形成波导路WG而彼此以规定间隙面对的平板部201W；以及在该平板部201W的下端部被形成为法兰状的、用于激励等离子的电场形成用的电极部201EA、201EB。波导路构件201A、201B的上端部与由导电性材料形成的顶棚部105连接，波导路构件201A、201B的上端部彼此电连接。0037电介质板220由氧化铝或石英等电介质形成，从波导路WG的下端朝向上方并延伸至该波导路WG的中途。由于波导路WG的上部短路，因此波导路WG的上侧电场比下侧电场弱。因而，如果利用电介质板220堵塞电场较强的波导路WG的下侧，则波导路WG的上部也可以是空。

18、的。不言而喻，也可以利用电介质板220填充至波导路WG的上部。0038如图2所示，同轴管225被连接到波导路WG的长度方向A的大致中央位置上，该位置变为馈电位置。同轴管225的外部导体225B由波导路构件201B的一部分构成，内部导体225A1穿过外部导体225B的中心部。内部导体225A1的下端部与相对于该内部导体225A1垂直配置的内部导体225A2电连接。内部导体225A2贯穿在电介质板220上开的孔，与波导路构件201A侧的电极部201EA电连接。0039同轴管225的内部导体225A1、225A2与等离子发生机构200的一个电极部201EA电连接，同轴管225的外部导体225B与等离。

19、子发生机构200的另一个电极部201EB电连接。高频电源250经由匹配器245被连接在同轴管225的上端。从高频电源250供给的高频电说明书CN104094677A4/8页7力经由同轴管225从长度方向A的中央位置朝向波导路WG的两端部传递。0040内部导体225A2贯穿电介质板220。分别被设于相邻的等离子发生机构200的内部导体225A2贯穿各个等离子发生机构200的电介质板220的朝向为相互反向。在此，当分别向两个等离子发生机构200的同轴管225馈电同振幅、同相位的高频时，如图4所示，在两个等离子发生机构200的电极部201EA、201EB分别施加有振幅相等且反相位的高频。另外，在本说。

20、明书中，高频是指10MHZ3000MHZ的频带，是电磁波的一例。此外，同轴管225是供给高频的传送路的一例，替代同轴管225，也可以使用同轴电缆、矩形波导管等。0041如图1所示，为了防止在电极部201EA、201EB的侧面放电以及等离子向上部侵入，电极部201EA、201EB的在宽度方向B上的侧面被第一电介质罩221覆盖。如图2所示，将波导路WG的长度方向A的端面设为开放状态，并且为了防止在两侧面的放电，平板部201W的长度方向A的两侧面被第二电介质罩215覆盖。0042电极部201EA、201EB的下表面形成为与电介质板220的下端面位于大致同一面，但电介质板220的下端面也可以相对于电极。

21、部201EA、201EB的下表面突出或凹陷。电极部201EA、201EB兼作喷淋板。具体而言，在电极部201EA、201EB的下表面形成凹陷，喷淋板用的电极盖270嵌入到该凹陷内。在电极盖270上设置有多个气体放出孔，穿过气体流路的气体从该气体放出孔向基板G侧放出。在气体流路的下端设置有由氧化铝等的电绝缘体构成的气体喷嘴参照图4。0043为了进行均匀的处理，仅等离子的密度均匀是不够的。由于气体压力、原料气体的密度、反应生成气体的密度、气体的停滞时间、基板温度等对处理带来影响，因此这些在基板G上必须均匀。在通常的等离子处理装置中，在与基板G面对的部分上设置有喷淋板，用于朝向基板供给气体。气体从基。

22、板G的中央部朝向外周部流动，并从基板的周围排气。基板中央部的压力必然比外周部的压力高，基板外周部的停滞时间必然比中央部的停滞时间长。当基板尺寸变大时，因该压力和停滞时间的均匀性恶化，不能进行均匀的处理。为了对大面积基板进行均匀的处理，需要从基板G的正上方供给气体，同时从基板正上方排气。0044在等离子处理装置10中，在相邻的等离子发生机构200之间设置有排气狭缝C。即，从气体供给器290输出的气体经由在等离子发生机构200内形成的气体流路而从等离子发生机构200的下表面向处理室内供给，并从设于基板G的正上方的排气狭缝C向上方排气。穿过排气狭缝C的气体在利用相邻的等离子发生机构200而在排气狭缝。

23、C的上部形成的第一排气通路281内流动，并被引导至设于第二电介质罩215和真空容器100之间的第二排气通路283。而且，在设于真空容器100的侧壁的第三排气通路285内向下方流动，并利用设于第三排气通路285下方的真空泵未图示排出。0045在顶棚部105形成有制冷剂流路295A。从制冷剂供给器295输出的制冷剂在制冷剂流路295A中流动，由此，经由等离子发生机构200，将从等离子流入的热向顶棚部105侧传递。0046在等离子处理装置10内，为了电气性改变波导路WG的有效高度H，设置有阻抗变换电路380。除了设置在电极长度方向中央部的、供给高频的同轴管225之外，在电极长度方向两端附近，设置有分。

24、别与两个阻抗变换电路380连接的两个同轴管385。为了不妨碍第一气体排气通路281的气体流动，同轴管385的内部导体385A2设置在比同轴管225的内部导体225A2靠上方的位置。说明书CN104094677A5/8页80047作为阻抗变换电路380的结构例，可以考虑仅为可变电容器的结构、将可变电容器和线圈并联连接的结构、将可变电容器和线圈串联连接的结构等。0048在等离子处理装置10中，以当变为截止状态时从同轴管225观察到的反射变为最小的方式调节波导路WG的有效高度。此外，优选的是，即使在处理中，也可以调节波导路的有效高度。因此，在等离子处理装置10中，将反射计300安装在匹配器245和同。

25、轴管225之间，监控从同轴管225观察到的反射状态。向控制部305发送由反射计300得到的检测值。控制部305根据检测值进行指示，以调整阻抗变换电路380。由此，调整波导路WG的有效高度，使从同轴管225观察到的反射最小。另外，如果进行以上控制，由于能够将反射系数抑制得相当小，因此也能够省略匹配器245的设置。0049如果向相邻的两个等离子发生机构200供给反相位的高频，则如图4所示，在相邻的两个电极部201EA、201EA施加有同相位的高频。在该状态下，由于不向等离子发生机构200之间的排气狭缝C施加高频电场，因此在该部分不产生等离子。0050为了不在排气狭缝C处产生电场，将分别向相邻的等离。

26、子发生机构200的波导路WG传递的高频的相位错开180，使高频的电场反向地施加。0051如图1所示，配置于左侧的等离子发生机构200的同轴管的内部导体225A2和配置于右侧的等离子发生机构200的同轴管的内部导体225A2反向地配置。由此，从高频电源250供给的同相位的高频经由同轴管被传递至波导路WG时变为反相。0052另外，在将内部导体225A2配置为相同朝向的情况下，通过从高频电源250向相邻的电极对分别施加反相的高频，能够使在等离子发生机构200的所有的电极部201EA、201EB的下表面形成的高频电场成为相同朝向，能够使排气狭缝C中的高频电场变为0。0053第一实施方式0054在上述结。

27、构的等离子处理装置10中，通过将波导路WG设为截止状态，能够在例如长度2M以上的电极上激励均匀的等离子。然而，在某种条件下，储存在波导路WG内的电磁能的一部分被含有等离子的载荷的电阻成分所消耗，该电磁能随着离开上述规定的馈电位置同轴管225和波导路WG之间的连接部而逐渐衰减。特别是在等离子的电阻成分较大的条件下，电磁能的衰减较大，导致等离子的密度在波导路WG的长度方向A上呈不均匀的分布。在本实施方式中，针对即使在如上所述的等离子的电阻成分较大的条件下、也能够抑制波导路WG的长度方向A上的等离子密度的均匀性的下降的等离子发生机构进行说明。0055图5是本实施方式的等离子发生机构400的立体剖视图。

28、。图6是表示图5的等离子发生机构400中的波导路和同轴管之间的连接关系的剖视立体图。另外，等离子发生机构400分别对应于图1和图4所示的两个等离子发生机构200。即，本实施方式的等离子处理装置是利用图5所示的等离子发生机构400分别替换图1和图4所示的两个等离子发生机构200、200而成的装置。本实施方式的等离子处理装置设有即使载荷变化也始终将波导路设为截止状态用的调整机构，即，上述两个阻抗变换电路380和分别与两个阻抗变换电路380连接的两个同轴管385。0056等离子发生机构400具有波导路构件401，其用于形成波导路WG；多个线圈构件410，其配置在波导路WG内；电介质板420，其贯穿多。

29、个线圈构件410；电介质板421、422，其配置在电介质板420两侧；以及电介质板450，其使第一电极460A和第二电极460B之间第一电极460A和第二电极460B之间电分离，并且使波导路构件401与第一电极460A之间、说明书CN104094677A6/8页9以及波导路构件401与第二电极460B之间电分离。0057波导路构件401由铝合金等导电性材料沿着长度方向A形成为管状，形成与长度方向A正交的方向上的截面呈矩形的波导路WG。具体而言，波导路构件401具有上壁部401T；侧壁部401W1、401W2，其从该上壁部401T的宽度方向B上的两端部朝向下方延伸；以及底壁部401B，其以连结该。

30、侧壁部401W1、401W2的下端部且一部分向侧壁部401W1、401W2的外侧呈法兰状地突出的方式形成。0058多个线圈构件410以隔着沿着长度方向A延伸的两个电介质板421、422并沿着长度方向A隔开规定间隔的方式排列于波导路WG内的底壁部401B上。电介质板421、422由氟树脂等电介质形成。多个线圈构件410与波导路构件401电分离。线圈构件410由铝合金等导电性材料形成，与长度方向A正交的方向上的截面形成为矩形，配置在两个电介质板421、422上的端部410E1、410E2以具有规定间隙的方式彼此面对。线圈构件410是约一匝的线圈，其配置在该波导路WG内，以利用由波导路WG内的磁场所。

31、发挥的电磁感应作用产生电压。0059第一电极460A和第二电极460B由铝合金等的金属板形成，分别沿着长度方向A延伸，并且被电介质板450的沿着长度方向A延伸的突起部451彼此电分离。第一电极460A和第二电极460B是以面对上述等离子形成空间PS的方式配置的电场形成用的电极。第一电极460A和多个连接销430与多个线圈构件410的底部410B1电连接。第二电极460B利用多个连接销430与多个线圈构件410的底部410B2电连接。另外，多个连接销430分别贯穿两个电介质板421、422，并且与波导路构件401的底壁部401B之间分别借助氧化铝等的电介质440电分离。此外，多个连接销430沿着。

32、长度方向A排列。另外，也可以在底壁部401B形成有用于将的温度设为恒定的制冷剂流路。0060电介质板420由氟树脂等电介质形成，以贯穿多个线圈构件410的内部的方式沿着长度方向A配置。该电介质板420的下端部穿过线圈构件410的彼此面对的端部410E1、410E2之间的间隙。0061如图6所示，在等离子发生机构400的波导路WG的长度方向A的大致中央位置连接有同轴管225。同轴管225的内部导体具有沿着高度方向H延伸的内部导体225A1和与该内部导体225A1连接并沿着宽度方向B延伸的内部导体225A2。内部导体225A2与一侧壁部401W1电连接。同轴管225的外部导体也同样，具有沿着高度方。

33、向H延伸的外部导体225B1和与该外部导体225B1连接的沿着宽度方向B延伸的外部导体225B2。外部导体225B2与另一侧壁部401W1电连接。0062在本实施方式的等离子发生机构400中，从同轴管225经由多个线圈构件410向第一电极460A和第二电极460B供给电磁能。因此，与不经由多个线圈构件410直接向第一电极460A和第二电极460B供给电磁能的情况相比，能够缩小第一电极460A和第二电极460B间的电压。如果第一电极460A和第二电极460B间的电压相对较小，则被含有等离子的载荷的电阻成分所消耗的电磁能相对较小，储存在波导路WG内的电磁能的衰减被抑制。0063图7是表示计算供给恒。

34、定电力时的第一电极460A和第二电极460B间的电压的结果的图表。实线是经由线圈构件410进行馈电的情况，虚线作为比较例，表示使用图3B所示的类型的波导路进行直接馈电的情况。将等离子的激励条件设为相同。等离子激励频率为60MHZ。两者均将波导路WG的截面尺寸最佳化，以使波导路WG的长度方向上的均匀性形说明书CN104094677A7/8页10成为最佳。0064在直接馈电的情况下的长度方向A上的电压分布中，如虚线所示，位于波导路WG的长度方向的中央的馈电位置附近的电压变化变得非常大。另一方面，如实线所示，在经由线圈构件进行馈电的情况下的长度方向A上的电压的分布中，波导路WG的长度方向的中央附近的。

35、电压变化与比较例相比相当小，可知长度方向A上的电压的分布的均匀性被显著地改善。由于本发明和比较例所供给的电力均相同，因此被含有等离子的载荷的电阻成分所消耗的能量也相同。因而，由于借助线圈构件410进行馈电的一者储存在波导路内的电磁能较大，因此即使所消耗的能量相同，电磁能也难以衰减，分布更加均匀。0065在本实施方式中，沿着长度方向A配置有多个线圈构件410。当多个线圈构件410连接成一个时，存在如下情况根据条件，在线圈构件410内沿着长度方向A传递的模式而使等离子密度的均匀性在长度方向A上下降的情况。在本实施方式中，通过将线圈构件分割成多个，能够抑制这种模式的产生。另外，根据条件，线圈构件也可。

36、以不在长度方向A上分割成多个。线圈构件410的形态并不限定于本实施方式。例如，截面形状除了矩形之外，也可以采用圆形、椭圆等各种形状。此外，也可以不是约一匝的线圈，例如，也可以是半匝、或数匝的线圈。0066第二实施方式0067图8是第二实施方式的等离子发生机构500的立体剖视图。图9是图8的等离子发生机构500的立体外观图。另外，本实施方式的等离子发生机构500分别对应于图1和图4所示的两个等离子发生机构200、200。即，本实施方式的等离子处理装置是利用图8和图9所示的等离子发生机构500分别替换图1和图4所示的两个等离子发生机构200、200而成的装置。本实施方式的等离子处理装置设有即使载荷。

37、变化也始终将波导路设为截止状态的调整机构，即，上述两个阻抗变换电路380和分别与两个阻抗变换电路380连接的两个同轴管385。0068等离子发生机构500具有第一波导路构件501和第二波导路构件502。第一波导路构件501由铝合金等导电性材料形成，并具有并联的两个隆起部501RA、501RB；以及在两个隆起部501RA、501RB之间延伸的平坦部501F。第二波导路构件502由铝合金等导电性材料形成为平板状，且在该第二波导路构件502上配置有第一波导路构件501。在波导路构件501和波导路构件502之间形成有具有两个隆起部的波导路WG。0069在波导路WG的两个隆起部内分别配置有多个与上述线圈。

38、构件410的结构相同的第一线圈构件510A和第二线圈构件510B。在第一线圈构件510A与第二波导路构件502之间、以及第二线圈构件510B与第二波导路构件502之间设有由氟树脂等电介质材料形成的电介质板521、522、523。另外，也可以在第二波导路构件502形成有用于将电极的温度设为恒定的制冷剂流路。0070在第二波导路构件502下隔着由氟树脂等电介质材料形成的电介质板550配置有第一电极第三电极560A560C。第一电极第三电极560A560C被电介质板550的突出部551A、551B相互电分离。此外，第一电极560A利用与上述连接销430相同的多个连接销530与第一线圈构件的一端部电连。

39、接。第二电极560B利用多个连接销530与第一线圈构件510A的另一端部电连接，并且与第二线圈构件510B的一端部电连接。第三电极560C利用多个连接销530与第二线圈构件B的另一端部电连接。说明书CN104094677A108/8页110071如图8和图9所示，同轴管225与第一波导路构件501和第二波导路构件502电连接而分别向波导路WG内供给电磁能。具体而言，同轴管225设于第一隆起部和第二隆起部之间，以沿着波导路WG的高度方向的方式配置。而且，内部导体225A的下端部从高度方向H贯穿电介质板521并与平板状的第二波导路构件502电连接。外部导体225A的下端部与第一波导路构件502的平。

40、端部501F电连接。0072根据上述结构，与第一实施方式相比，能够将波导路的高度降至一半以下，并且能够将第一电极第三电极560A560C的宽度方向B上的尺寸设为第一实施方式的第一电极和第二电极的宽度方向B上的尺寸的大致2倍。其结果，能够削减等离子发生机构的制造成本。此外，根据本实施方式，由于能够以中途不弯曲的方式将同轴管225平直地连接于波导路构件，因此能够简化结构。0073在上述第一实施方式和第二实施方式中，将馈电位置设为波导路的长度方向的中央位置，但是并不限定于此，能够根据需要进行变更。0074在上述实施方式中，电极460A、460B、560A560C如图1中所说明的那样兼用作喷淋板，但是。

41、并不限定于此，也可以不兼用作喷淋板。0075以上，参照附图对本发明的实施方式进行了详细说明，但本发明并不限定于此例。不言而喻，只要是具有本发明所属技术领域的通常的知识的人员，在权利要求书记载的技术思想的范围内，能够想到各种变更例或修正例，这些当然也属于本发明的技术范围内。0076附图标记说明0077225、同轴管；400、500、等离子发生机构；410、510A、510B、线圈构件；401、501、502、波导路构件；WG、波导路；460A、460B、560A560C、电极；PS、等离子形成空间。说明书CN104094677A111/10页12图1说明书附图CN104094677A122/10页13图2说明书附图CN104094677A133/10页14图3A说明书附图CN104094677A144/10页15图3B说明书附图CN104094677A155/10页16图4说明书附图CN104094677A166/10页17图5说明书附图CN104094677A177/10页18图6说明书附图CN104094677A188/10页19图7说明书附图CN104094677A199/10页20图8说明书附图CN104094677A2010/10页21图9说明书附图CN104094677A21。