半导体激光器装置及使用该半导体激光器装置的拾光设备.pdf

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一种具有用于注射载流子的条带结构的半导体激光器装置，包括：在基底上形成的第一导电型包覆层、有源层、和第二导电型包覆层。所述条带宽度沿谐振器方向变化，L1和Lt之间的差值在200微米以内，并且RfRr，其中L1为从前端面到所述条带宽度最小处之间的距离，L为所述半导体激光器装置的谐振器的长度，Rf为所述前端面的反射率，Rr为后端面的反射率，Lt为由式LLoge (Rf)/Loge (RfRr)所表示的。

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内容关键字: 半导体激光器 装置 使用 设备
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