信号端子压接结构.pdf

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1、(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 202223153352.X (22)申请日 2022.11.25 (73)专利权人 深圳芯能半导体技术有限公司 地址 518000 广东省深圳市龙岗区龙岗街 道南约社区华丰数码科技园八栋二楼 (72)发明人 金宇航刘杰 (74)专利代理机构 深圳众鼎专利商标代理事务 所(普通合伙) 44325 专利代理师 张小燕 (51)Int.Cl. H01R 13/02(2006.01) H01R 43/048(2006.01) (54)实用新型名称 一种信号端子压接结构 (57)摘要 本实用新型公开了。

2、一种信号端子压接结构， 涉及信号端子技术领域， 该结构包括： 外壳、 端子 座和预设数量的信号端子， 其中， 所述信号端子 为倒弓形， 各个所述信号端子安装于所述端子座 内， 使各个所述信号端子的一端露出所述端子座 的下表面； 所述端子座安装于所述外壳内， 所述 外壳固定于半导体元器件的预设位置， 使各个倒 弓形信号端子露出所述端子座下表面的一端与 所述半导体元器件的基板连接； 通过信号端子形 变， 使倒弓形的信号端子的一端与半导体的基板 产生一定压力， 与半导体的基板紧密连接； 该信 号端子压接结构的制作难度较低， 结构简单， 可 靠性高， 能够有效的提高IGBT产品良率。 权利要求书1页 。

3、说明书5页 附图2页 CN 218896840 U 2023.04.21 CN 218896840 U 1.一种信号端子压接结构， 其特征在于， 包括： 外壳、 端子座和预设数量的信号端子， 其中， 所述信号端子为倒弓形， 各个所述信号端 子安装于所述端子座内， 使各个所述信号端子的一端露出所述端子座的下表面； 所述端子座安装于所述外壳内， 所述外壳固定于半导体元器件的预设位置， 使各个倒 弓形信号端子露出所述端子座下表面的一端与所述半导体元器件的基板连接。 2.根据权利要求1所述的信号端子压接结构， 其特征在于， 所述信号端子包括： 第一端部、 第一弯曲部、 中间部、 第二弯曲部和第二端部，。

4、 所述第一弯曲部和所述第二 弯曲部为S形， 所述第一端部、 所述第一弯曲部、 所述中间部、 所述第二弯曲部和所述第二端 部依次连接构成所述倒弓形的信号端子。 3.根据权利要求2所述的信号端子压接结构， 其特征在于， 所述第一端部设置有所述信 号端子的第一限位结构， 所述第一限位结构用于将所述第一端部卡接固定于所述端子座 上； 所述第二端部设置有所述信号端子的第二限位结构， 所述第二限位结构用于将所述第 二端部卡接固定于所述端子座上。 4.根据权利要求3所述的信号端子压接结构， 其特征在于， 所述第一端部包括： 一体连接的第一分支和第二分支， 其中， 所述第一分支和所述第二分支均为矩形结构， 所。

5、述第一分支的宽度小于所述第二分支的宽度， 所述第一分支的端面与所述第二分支的端 面垂直连接处形成所述第一限位结构。 5.根据权利要求3所述的信号端子压接结构， 其特征在于， 所述第二端部包括： 一体连接的第三分支和第四分支， 其中， 所述第三分支的宽度大于所述第四分支的宽 度， 所述第三分支的端面与所述第四分支的端面垂直连接处形成所述第二限位结构。 6.根据权利要求2所述的信号端子压接结构， 其特征在于， 所述端子座内设置有所述预 设数量的信号端子槽， 各个所述信号端子分别安装于对应各个所述信号端子槽内。 7.根据权利要求6所述的信号端子压接结构， 其特征在于， 所述信号端子槽包括： 槽底， 。

6、所述槽底两端分别设置有第一限位面和第二限位面， 所述第一限位面和所述第 二限位面之间形成放置空间， 用于放置所述第一弯曲部、 所述中间部和所述第二弯曲部。 8.根据权利要求7所述的信号端子压接结构， 其特征在于， 所述信号端子槽的槽底开设 有第一开口， 所述信号端子槽的顶部开设有第二开口， 所述第一端部从所述第二开口穿出， 所述第二端部从所述第一开口穿出； 所述第一弯曲部、 所述中间部和所述第二弯曲部依次连接形成凹形结构， 所述凹形结 构的凸起面与所述第二限位面贴合。 9.根据权利要求1所述的信号端子压接结构， 其特征在于， 所述端子座还包括： 用于通过所述外壳固定所述端子座的第一固定槽、 第。

7、二固定槽和第三固定槽， 其中， 所 述第一固定槽和所述第二固定槽位于所述端子座的中部， 所述第一固定槽位于所述端子座 的左侧， 所述第二固定槽位于所述端子座的右侧， 所述第三固定槽位于所述第一固定槽和 所述第二固定槽的外侧。 10.根据权利要求1所述的信号端子压接结构， 其特征在于， 所述外壳包括： 第一固定孔和第二固定孔， 所述第一固定孔位于所述外壳的左侧， 所述第二固定孔位 于所述外壳的右侧， 所述第一固定孔和所述第二固定孔用于通过铆钉与所述半导体元器件 连接。 权利要求书 1/1 页 2 CN 218896840 U 2 一种信号端子压接结构 技术领域 0001 本实用新型涉及信号端子技。

8、术领域， 特别涉及一种信号端子压接结构。 背景技术 0002 绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT)在新能源领 域中发挥着至关重要的作用， 是新能源领域的电机控制器、 逆变器、 车载空调、 充电桩等设 备的核心元器件。 0003 IGBT模块包含与铜排连接的金属端子， 金属端子连接IGBT模块上的直接覆铜陶瓷 基板(Direct Bonding Copper， DBC)， 形成有效电路； 目前， IGBT的金属端子与DBC的连接主 要是通过焊料烧结焊以及超声波摩擦焊的方式进行， 由于烧结焊的工艺精度有限， 焊接时 会出现虚焊、 端子。

9、焊接不平整的问题； 由于金属端子与DBC垂直且紧密排列， 使用超声波摩 擦焊进行焊接需要对金属端子进行设计开模， 工艺难度较大， 因此， 上述两种焊接方法会导 致IGBT产品良率较低的问题。 实用新型内容 0004 基于此， 有必要针对上述技术问题， 提供一种信号端子压接结构， 以解决现有技术 中采用烧结焊或超声波摩擦焊焊接信号端子， 导致IGBT产品良率较低的问题。 0005 基于上述技术问题， 本实用新型实施例提供一种信号端子压接结构， 包括： 0006 外壳、 端子座和预设数量的信号端子， 其中， 所述信号端子为倒弓形， 各个所述信 号端子安装于所述端子座内， 使各个所述信号端子的一端露。

10、出所述端子座的下表面； 0007 所述端子座安装于所述外壳内， 所述外壳固定于半导体元器件的预设位置， 使各 个倒弓形信号端子露出所述端子座下表面的一端与所述半导体元器件的基板连接。 0008 上述方案具有以下有益效果： 0009 本实用新型的信号端子压接结构， 将倒弓形的信号端子安装于端子座内， 再将端 子座安装于外壳内， 外壳与半导体元器件固定连接， 通过信号端子形变， 使倒弓形的信号端 子的一端与半导体的基板产生一定压力， 与半导体的基板紧密连接； 该信号端子压接结构 的制作难度较低， 结构简单， 可靠性高， 能够有效的提高IGBT产品良率。 0010 可选的， 所述信号端子包括： 00。

11、11 第一端部、 第一弯曲部、 中间部、 第二弯曲部和第二端部， 所述第一弯曲部和所述 第二弯曲部为S形， 所述第一端部、 所述第一弯曲部、 所述中间部、 所述第二弯曲部和所述第 二端部依次连接构成所述倒弓形的信号端子。 0012 可选的， 所述第一端部设置有所述信号端子的第一限位结构， 所述第一限位结构 用于将所述第一端部卡接固定于所述端子座上； 所述第二端部设置有所述信号端子的第二 限位结构， 所述第二限位结构用于将所述第二端部卡接固定于所述端子座上。 0013 可选的， 所述第一端部包括： 0014 一体连接的第一分支和第二分支， 其中， 所述第一分支和所述第二分支均为矩形 说明书 1/。

12、5 页 3 CN 218896840 U 3 结构， 所述第一分支的宽度小于所述第二分支的宽度， 所述第一分支的端面与所述第二分 支的端面垂直连接处形成所述第一限位结构。 0015 可选的， 所述第二端部包括： 0016 一体连接的第三分支和第四分支， 其中， 所述第三分支的宽度大于所述第四分支 的宽度， 所述第三分支的端面与所述第四分支的端面垂直连接处形成所述第二限位结构。 0017 可选的， 所述端子座内设置有所述预设数量的信号端子槽， 各个所述信号端子分 别安装于对应各个所述信号端子槽内。 0018 可选的， 所述信号端子槽包括： 0019 槽底， 所述槽底两端分别设置有第一限位面和第二。

13、限位面， 所述第一限位面和所 述第二限位面之间形成放置空间， 用于放置所述第一弯曲部、 所述中间部和所述第二弯曲 部。 0020 可选的， 所述信号端子槽的槽底开设有第一开口， 所述信号端子槽的顶部开设有 第二开口， 所述第一端部从所述第二开口穿出， 所述第二端部从所述第一开口穿出； 0021 所述第一弯曲部、 所述中间部和所述第二弯曲部依次连接形成凹形结构， 所述凹 形结构的凸起面与所述第二限位面贴合。 0022 可选的， 所述端子座还包括： 0023 用于通过所述外壳固定所述端子座的第一固定槽、 第二固定槽和第三固定槽， 其 中， 所述第一固定槽和所述第二固定槽位于所述端子座的中部， 所述。

14、第一固定槽位于所述 端子座的左侧， 所述第二固定槽位于所述端子座的右侧， 所述第三固定槽位于所述第一固 定槽和所述第二固定槽的外侧。 0024 可选的， 所述外壳包括： 0025 第一固定孔和第二固定孔， 所述第一固定孔位于所述外壳的左侧， 所述第二固定 孔位于所述外壳的右侧， 所述第一固定孔和所述第二固定孔用于通过铆钉与所述半导体元 器件连接。 附图说明 0026 为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案， 下面将对本实用新型实施例的 描述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本实用新 型的一些实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动性的前。

15、提下， 还可以 根据这些附图获得其他的附图。 0027 图1是本实用新型一实施例中提供的一种信号端子压接结构示意图； 0028 图2是本实用新型一实施例中提供的一种信号端子结构示意图； 0029 图3是本实用新型一实施例中提供的一种信号端子安装于端子座的结构示意图； 0030 图4是本实用新型一实施例中提供的一种端子座结构示意图； 0031 符号说明如下： 0032 1、 外壳； 11、 第一固定孔； 12、 第二固定孔； 2、 端子座； 21、 信号端子槽； 211、 第一限 位面； 212、 第二限位面； 213、 第一开口； 214、 第二开口； 215、 槽底； 216、 顶部； 22。

16、、 第一固定 槽； 23、 第二固定槽； 24、 第三固定槽； 3、 信号端子； 31、 第一端部； 311、 第一分支； 312、 第二分 支； 313、 第一限位结构； 32、 第一弯曲部； 33、 中间部； 34、 第二弯曲部； 35、 第二端部； 351、 第 说明书 2/5 页 4 CN 218896840 U 4 三分支； 352、 第四分支； 353、 第二限位结构。 具体实施方式 0033 为了使本实用新型所解决的技术问题、 技术方案及有益效果更加清楚明白， 以下 结合附图及实施例， 对本实用新型进行进一步的详细说明。 0034 应当理解， 下面阐述的实施例代表了使本领域技术人。

17、员能够实施实施例并说明实 施实施例的最佳模式的必要信息。 在根据附图阅读以下描述后， 本领域技术人员将理解本 公开的概念并且将认识到这些概念在本文中未特别提及的应用。 应当理解， 这些概念和应 用落入本公开和所附权利要求的范围内。 0035 还应当理解， 尽管本文中可以使用术语第一、 第二等来描述各种元素， 但是这些元 素不应受这些术语的限制。 这些术语仅用于区分一个元素与另一个元素。 例如， 可以将第一 元件称为第二元件， 并且类似地， 可以将第二元件称为第一元件， 而不脱离本公开的范围。 如本文所用， 术语 “和/或” 包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。 0036 还应当理解，。

18、 当一个元件被称为 “连接” 或 “耦合” 到另一个元件时， 它可以直接连 接或耦合到另一个元件， 或者可以存在中间元件。 相反， 当一个元素被称为 “直接连接” 或 “直接耦合” 到另一个元素时， 不存在中间元素。 0037 还应当理解， 术语 “上” 、“下” 、“左” 、“右” 、“前” 、“后” 、“底部” 、“中间” 、“中间” 、“顶 部” 等可以在本文中用于描述各种元素， 指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或 位置关系， 仅是为了便于描述本实用新型和简化描述， 而不是指示或暗示所指的装置或元 件必须具有特定的方位、 以特定的方位构造和操作， 因此这些元素不应受这些条款的限制。

19、。 0038 这些术语仅用于区分一个元素与另一个元素。 例如， 第一元件可以被称为 “上” 元 件， 并且类似地， 第二元件可以根据这些元件的相对取向被称为 “上” 元件， 而不脱离本公开 的范围。 0039 进一步理解， 术语 “包括” 、“包含” 、“包括” 和/或 “包含” 在本文中使用时指定了所 述特征、 整数、 步骤、 操作、 元件和/或组件的存在， 但是不排除存在或添加一个或多个其他 特征、 整数、 步骤、 操作、 元素、 组件和/或它们的组。 0040 除非另有定义， 本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领 域的普通技术人员通常理解的相同含义。 将进一步理解，。

20、 本文使用的术语应被解释为具有 与其在本说明书和相关技术的上下文中的含义一致的含义， 并且除非本文明确如此定义， 否则不会以理想化或过于正式的意义进行解释。 0041 在一实施例中， 提供一种如图1所示的信号端子压接结构， 该信号端子压接结构包 括： 外壳1、 端子座2和4个信号端子3， 其中， 信号端子3为倒弓形， 4个信号端子3安装于端子 座2内， 使4个信号端子3的一端露出端子座2的下表面。 0042 端子座2安装于外壳1内， 外壳1固定于半导体元器件的预设位置， 例如， IGBT固定 信号端子压接结构的位置， 使4个倒弓形信号端子3露出端子座2下表面的一端与半导体元 器件的基板连接， 。

21、从而通过4个信号端子与半导体元器件的电极相连接。 0043 在一示例中， 信号端子3的数量为N， 其中， N为大于0的整数， 各个信号端子安装于 端子座2内， 端子座2安装于外壳1内， 使各个信号端子3与半导体元器件的基板连接。 0044 本实施例的信号端子压接结构， 将倒弓形的信号端子安装于端子座内， 再将端子 说明书 3/5 页 5 CN 218896840 U 5 座安装于外壳内， 外壳与半导体元器件固定连接， 通过信号端子形变， 使倒弓形的信号端子 的一端与半导体的基板产生一定压力， 与半导体的基板紧密连接； 该信号端子压接结构的 制作难度较低， 结构简单， 可靠性高， 能够有效的提高。

22、IGBT产品良率。 0045 在一实施例中， 提供一种信号端子压接结构， 该信号端子压接结构包括图1中的外 壳1、 端子座2和4个信号端子3， 其中， 信号端子3为倒弓形， 4个信号端子3安装于端子座2内， 使4个信号端子3的一端露出端子座2的下表面。 0046 端子座2安装于外壳1内， 外壳1固定于半导体元器件的预设位置， 例如， IGBT固定 信号端子压接结构的位置， 使4个倒弓形信号端子3露出端子座2下表面的一端与半导体元 器件的基板连接。 0047 本实施例中， 参见图2， 信号端子3包括： 第一端部31、 第一弯曲部32、 中间部33、 第 二弯曲部34和第二端部35， 其中， 第一。

23、弯曲部31和第二弯曲部34为S形， 中间部33为矩形平 面结构， S形的第一弯曲部31和第二弯曲部34能够为倒弓形的信号端子3提供一定的弹力， 使信号端子3通过形变紧密的压接基板； 第一端部31、 第一弯曲部32、 中间部33、 第二弯曲部 34和第二端部35依次连接构成倒弓形的信号端子3。 0048 在一示例中， 第一弯曲部32和第二弯曲部34也可以为矩形平面结构， 也可以为倒 弓形的信号端子3提供一定的弹力。 0049 本实施例中， 第一端部31设置有信号端子的第一限位结构313， 该第一限位结构 313用于将第一端部31卡接固定于端子座2上， 通过第一弯曲部32、 中间部33和第二弯曲部。

24、 34连接形成的结构所产生的弹力， 将第一端部31卡接固定于端子座内， 防止第一端部31上 下移动； 第二端部35设置有信号端子的第二限位结构353， 第二限位结构353用于将第二端 部35卡接固定于所述端子座上， 通过第一弯曲部32、 中间部33和第二弯曲部34连接形成的 结构所产生的弹力， 将第二端部35卡接固定于端子座内， 防止第二端部35上下移动。 0050 本实施例中， 第一端部31包括一体连接的第一分支311和第二分支312， 其中， 第一 分支311和第二分支312均为矩形结构， 第一分支311的宽度小于第二分支312的宽度， 第一 分支311的端面与第二分支312的端面垂直连接。

25、处形成上述的第一限位结构313； 在第一分 支311的上部还设置有圆孔， 以便于与外部插接结构连接。 0051 本实施例中， 第二端部35包括一体连接的第三分支351和第四分支352， 其中， 第三 分支351的宽度大于第四分支352的宽度， 第三分支351的端面与第四分支352的端面垂直连 接处形成上述的第二限位结构353； 第四分支352为L形结构， 该L形结构能够使L形的下表面 与基板连接， 从而加大信号端子3与基板的导电面积， 提高导电性能。 0052 本实施例中， 参见图3， 端子座2内设置有4个信号端子槽21， 4个信号端子3分别安 装于对应的各个信号端子槽21内， 若信号端子的数。

26、量为N， 则相应的信号端子槽21的数量也 为N。 0053 本实施例中， 信号端子槽21包括： 槽底215， 其中， 槽底215的两端分别设置有第一 限位面211和第二限位面212， 第一限位面211和第二限位面212之间形成放置空间， 用于放 置第一弯曲部32、 中间部33和第二弯曲部34。 0054 本实时例中， 信号端子槽21的槽底215开设有第一开口213， 信号端子槽21的顶部 216开设有第二开口214， 第一端部31从第二开口214穿出， 第二端部35从第一开口213穿出； 第一弯曲部32、 中间部33和第二弯曲部34依次连接形成凹形结构， 凹形结构的凸起面与第 说明书 4/5 。

27、页 6 CN 218896840 U 6 二限位面212贴合； 第一限位面211和第二限位面212之间的距离等于或微小于信号端子3中 间部凸起的高度， 使得信号端子3安装于信号端子槽21内时， 凸起面能够与第二限位面212 紧密贴合， 从而产生一定的形变压力。 0055 本实施例中， 参见图4， 端子座2还包括： 用于通过外壳1固定端子座2的第一固定槽 22、 第二固定槽23和第三固定槽24， 其中， 第一固定槽22和第二固定槽23位于端子座2的中 部， 第一固定槽22位于端子座2的左侧， 第二固定槽23位于端子座2的右侧， 第三固定槽24位 于第一固定槽22和第二固定槽23的外侧； 三个固定。

28、槽具有预设的深度， 外壳上1设置有与三 个固定槽相匹配的插接结构， 插接结构向下插入固定槽， 以固定端子座2。 0056 本实施例中， 参见图1， 外壳1包括： 第一固定孔11和第二固定孔12， 第一固定孔11 位于外壳1的左侧， 第二固定孔12位于外壳1的右侧， 第一固定孔11和第二固定孔12用于通 过铆钉与半导体元器件连接， 从而将安装有信号端子3的端子座2压接于半导体元器件的基 板上， 使信号端子3与基板连接。 0057 本实施例的信号端子压接结构具有以下特点： 0058 (1)弓形的信号端子的一端与半导体的基板产生一定压力， 与半导体的基板紧密 连接； 该信号端子压接结构的制作难度较低。

29、， 结构简单， 可靠性高， 能够有效的提高IGBT产 品良率。 0059 (2)信号端子设置限位结构， 信号端子槽设置与限位结构匹配的开口， 将信号端子 的第一端部和第二端部通过开口穿出， 同时限位结构与开口卡接固定， 使信号端子能够牢 固的固定于端子座内。 0060 (3)外壳设置固定孔， 通过铆钉固定的方式安装信号端子压接结构， 安装过程简 单、 可靠。 0061 以上所述实施例仅用以说明本实用新型的技术方案， 而非对其限制； 尽管参照前 述实施例对本实用新型进行了详细的说明， 本领域的普通技术人员应当理解： 其依然可以 对前述各实施例所记载的技术方案进行修改， 或者对其中部分技术特征进行等同替换； 而 这些修改或者替换， 并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神 和范围， 均应包含在本实用新型的保护范围之内。 说明书 5/5 页 7 CN 218896840 U 7 图1 图2 说明书附图 1/2 页 8 CN 218896840 U 8 图3 图4 说明书附图 2/2 页 9 CN 218896840 U 9 。