底发射白光有机发光二极管(WOLED)及其制作方法、显示装置.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910144112.7 (22)申请日 2019.02.27 (71)申请人 深圳市华星光电半导体显示技术有 限公司 地址 518132 广东省深圳市光明新区公明 街道塘明大道9-2号 (72)发明人 吴元均袁伟矫士博 (74)专利代理机构 深圳翼盛智成知识产权事务 所(普通合伙) 44300 代理人 黄威 (51)Int.Cl. H01L 51/50(2006.01) H01L 51/52(2006.01) H01L 51/56(2006.01) H01L 27/32(2。

2、006.01) (54)发明名称 底发射白光有机发光二极管(WOLED)及其制 作方法、 显示装置 (57)摘要 一种底发射白光有机发光二极管(WOLED)显 示面板及其制作方法、 显示装置， 其中所述底发 射WOLED显示面板包括基板、 薄膜晶体管、 WOLED 彩膜层、 量子点光致转换层、 第一电极、 WOLED电 致发光功能层及第二电极。 所述WOLED彩膜层依 次设置红绿蓝白(RGBW)像素。 所述量子点光致转 换层包括对应所述红绿(RG)像素设置的量子点 红绿(QD-R&G)发光材料。 WOLED电致发光功能层 设置在所述第一电极上。 第二电极设置在所述 WOLED电致发光功能层上，。

3、 通过所述量子点光致 转换层的所述量子点红绿发光材料将所述WOLED 电致发光功能层的蓝光或黄光转换成红光和绿 光， 从而提升所述红色像素和所述绿色像素的亮 度， 达到提升底发射WOLED显示面板的色域表现。 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 CN 109873085 A 2019.06.11 CN 109873085 A 1.一种底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板， 包括: 基板； 薄膜晶体管， 设置在所述基板上， 在所述薄膜晶体管上设置第一保护层以保护所述薄 膜晶体管内结构； WOLED彩膜层(WOLED-CF)， 设置在所述第一保护层上， 所述WOLED彩膜层依次设置红绿。

4、 蓝白(RGBW)像素并在所述WOLED彩膜层上设置第二保护层； 量子点光致转换层， 设置在所述第二保护层上， 所述量子点光致转换层包括对应所述 红绿(RG)像素设置的量子点红绿(QD-R&G)发光材料， 在所述量子点光致转换层上设置树脂 层或平坦层； 第一电极， 设置在所述树脂层或所述平坦层上， 并在所述第一电极上定义出红绿蓝白 (RGBW)像素区域； WOLED电致发光功能层， 设置在所述第一电极上并对应所述量子点光致转换层设置； 及 第二电极， 设置在所述WOLED电致发光功能层上， 其中通过所述量子点光致转换层的所 述量子点红绿(QD-R&G)发光材料将所述WOLED电致发光功能层的蓝。

5、光或黄光转换成红光和 绿光， 从而提升所述红色像素和所述绿色像素的亮度。 2.如权利要求1所述的底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板， 其特征在于， 所 述量子点红绿(QD-R&G)发光材料对应所述WOLED彩膜层的所述红绿(RG)像素设置， 而所述 WOLED彩膜层的所述蓝白(BW)像素对应所述量子点光致转换层为空白， 其中所述量子点光 致转换层为量子点增强薄膜(QD-EF)。 3.如权利要求1所述的底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板， 其特征在于， 所 述WOLED电致发光功能层包含蓝光+黄光、 蓝光+红光+黄光、 蓝光+红光+黄光+绿光或蓝光+ 红光+绿光光色中任一。

6、组合， 所述WOLED电致发光功能层包含2叠层或3叠层结构， 且为正置 或倒置结构。 4.如权利要求1所述的底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板， 其特征在于， 所 述WOLED电致发光功能层包括空穴注入层(HIL:HATCN)、 空穴传输层(HTL:NPB)、 蓝色发光层 (B-EML:FIrpic)、 电荷传输层(TPBi)、 电荷产生层(BPhen:Li)、 空穴产生层(HATCN)、 黄光发 光层(Y-EML:PO-48)和电荷注入层(Liq)。 5.如权利要求1所述的底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板， 其特征在于， 还 包括防护玻璃(CG)及封装材料， 所述防。

7、护玻璃盖设在所述第二电极上方， 所述封装材料贴 合并封装所述基板和所述防护玻璃， 所述封装材料与所述WOLED电致发光功能层、 所述量子 点光致转换层和所述防护玻璃垂直， 所述薄膜晶体管还包括栅极、 层叠在所述栅极上的栅 极绝缘层、 有源层、 绝缘遮蔽层以及源漏极， 所述第一保护层设置在所述源漏极上， 其中所 述第一保护层为树脂材料， 及所述薄膜晶体管为底栅(BG)TFT结构。 6.如权利要求1所述的底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板， 其特征在于， 所 述薄膜晶体管还包括设置在所述基板上的遮蔽层、 缓冲层、 有源层、 栅极绝缘层、 栅极、 层间 绝缘层以及源漏极， 其中所述第一保。

8、护层设置于所述层间绝缘层上且以氧化硅(SiOx)作为 钝化层， 及所述薄膜晶体管为双栅(DG)TFT结构。 7.如权利要求1所述的底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板， 其特征在于， 所 述第一电极上还设置有空白层或像素限定层， 所述空白层或所述像素限定层邻接所述 权利要求书 1/2 页 2 CN 109873085 A 2 WOLED电致发光功能层。 8.一种显示装置， 包括如权利要求1至7任一项中的所述底发射白光有机发光二极管 (WOLED)显示面板,及偏光层设置在所述基板的另一侧面上。 9.一种底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板的制作方法， 包括以下步骤： S10、。

9、 提供基板； S20、 在基板上制作形成所述薄膜晶体管， 以及在所述薄膜晶体管上形成第一保护层； S30、 在所述第一保护层上形成WOLED彩膜层(WOLED-CF)， 所述WOLED彩膜层依次形成红 绿蓝白(RGBW)像素并在所述WOLED彩膜层上形成第二保护层； S40、 在所述第二保护层上形成量子点光致转换层(QD-PL conversion layer)， 所述量 子点光致转换层包括对应所述红绿(RG)像素填充的量子点红绿(QD-R&G)发光材料， 在所述 量子点光致转换层上形成树脂层或平坦层； S50、 在所述树脂层或平坦层上形成第一电极， 并在所述第一电极上定义出红绿蓝白 (RGB。

10、W)像素区域； S60、 在所述第一电极上形成WOLED电致发光功能层并对应所述量子点光致转换层设 置； 及 S70、 在所述WOLED电致发光功能层上形成第二电极， 其中通过所述量子点光致转换层 的所述量子点红绿(QD-R&G)发光材料将所述WOLED电致发光功能层的蓝光或黄光转换成红 光和绿光， 从而提升所述红色像素和所述绿色像素的亮度。 10.如权利要求9所述的底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板的制作方法， 其 特征在于， 在步骤S40中， 所述量子点光致转换层通过喷墨打印、 喷嘴印刷或转移成型工艺 制成， 所述量子点光致转换层还将量子点红绿(QD-R&G)发光材料填充在相应。

11、的红绿(RG)像 素区域中， 所述量子点红绿发光材料则不填充于蓝白(BW)像素区域中， 所述量子点光致转 换层为量子点增强薄膜(QD-EF， 且厚度为10-200奈米(nm)。 11.如权利要求9所述的底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板的制作方法， 其 特征在于， 在步骤S60中， 所述WOLED电致发光功能层包含蓝光+黄光、 蓝光+红光+黄光、 蓝光 +红光+黄光+绿光或蓝光+红光+绿光光色中任一组合。 12.如权利要求9所述的底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板的制作方法， 其 特征在于， 在步骤S60后， 在所述第一电极上还形成有空白层或像素限定层， 所述空白层或 。

12、所述像素限定层邻接所述WOLED电致发光功能层， 并定义所述红绿蓝白(RGBW)像素区域。 13.如权利要求9所述的底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板的制作方法， 其 特征在于， 在步骤S30中， 包括在所述薄膜晶体管上涂布树脂材料或沉积氧化硅并通过显 影、 曝光形成图案化， 以形成所述第一保护层。 14.如权利要求9所述的底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板的制作方法， 其 特征在于， 在步骤S70后， 还包括盖设在所述第二电极上方的防护玻璃(CG)以及贴合并封装 所述基板和所述防护玻璃的封装材料， 所述封装材料通过阻塞封装、 阻塞填入封装、 熔块封 装、 面密封封装或。

13、薄膜封装。 权利要求书 2/2 页 3 CN 109873085 A 3 底发射白光有机发光二极管(WOLED)及其制作方法、 显示装置 技术领域 0001 本发明涉及一种显示技术领域， 尤其是涉及一种底发射白光有机发光二极管 (WOLED)显示面板及其制作方法、 显示装置。 背景技术 0002 有机电致发光二极管(OLED)是一种新型显示技术， 与LCD显示技术相比， 具有主动 发光， 色彩真实， 无限对比度， 零延迟， 透明显示、 柔性显示、 自由形态显示(Free-Form D绝 缘遮蔽play)等特性， 是可以替代液晶显示技术的下一代显示技术。 OLED显示技术由于不需 要背光源， 结。

14、构较LCD更为简单， 显示产品体积可以做到更轻薄。 在大尺寸面板显示技术中 主要应用的是白光有机发光二极管(WOLED)， WOLED技术区别于广泛应用于小尺寸的并排 (side-by-side)RGB技术， 最大优势是在制程中不需要精细金属掩膜板(FMM， fine metal mask)， 因此可以大幅降低设备成本。 0003 然而现有的WOLED主要利用蓝色+黄色(BY)或蓝色+红色+绿色(BGR)等两叠层或三 叠层结构实现白光。 由于白光光谱较宽， 利用彩色滤光片(CF)将白光分离成RGB三基色时， RG光谱通常较宽， 色纯度较低， 面板色域表现难以突破NTSC(美国电视标准委员会)制。

15、定的 100标准。 此外， 白光分离成RG光谱时， 仅能利用白光光谱中较少的红光或绿光部分， 蓝光 及黄光部分能量损失较大。 因此现有的WOLED由于能量利用率较低， 将造成面板工作时功耗 较高的问题。 发明内容 0004 本发明提供一种底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板及其制作方法、 显 示装置， 利用量子点光致转换层内的光致发光特性将WOLED电致发光功能层中的蓝白光转 换成红光或绿光， 以增强显示面板对WOLED电致发光功能层的能量利用效率， 同时提高显示 面板的色域表现， 并降低显示面板的功耗。 0005 为达成本发明的前述目的， 本发明提供一种底发射白光有机发光二极管(W。

16、OLED) 显示面板， 包括基板、 薄膜晶体管、 WOLED彩膜层(WOLED-CF)、 量子点光致转换层、 第一电极、 WOLED电致发光功能层及第二电极。 薄膜晶体管设置在所述基板上， 在所述薄膜晶体管上设 置第一保护层以保护所述薄膜晶体管内结构。 WOLED彩膜层(WOLED-CF)设置在所述第一保 护层上， 所述WOLED彩膜层依次设置红绿蓝白(RGBW)像素并在所述WOLED彩膜层上设置第二 保护层。 量子点光致转换层， 设置在所述第二保护层上。 所述量子点光致转换层包括对应所 述红绿(RG)像素设置的量子点红绿(QD-R&G)发光材料， 在所述量子点光致转换层上设置树 脂层或平坦层。

17、。 第一电极设置在所述树脂层或所述平坦层薄膜晶体管上， 并在所述第一电 极上定义出红绿蓝白(RGBW)像素区域。 WOLED电致发光功能层设置在所述第一电极上并对 应所述量子点光致转换层设置。 第二电极设置在所述WOLED电致发光功能层上， 其中通过所 述量子点光致转换层的所述量子点红绿(QD-R&G)发光材料将所述WOLED电致发光功能层的 蓝光或黄光转换成红光和绿光， 从而提升所述红色像素和所述绿色像素的亮度。 说明书 1/6 页 4 CN 109873085 A 4 0006 根据本发明一实施例， 所述量子点红绿(QD-R&G)发光材料对应所述WOLED彩膜层 的所述红绿(RG)像素设置。

18、， 而所述WOLED彩膜层的所述蓝白(BW)像素对应所述量子点光致 转换层为空白， 其中所述量子点光致转换层为量子点增强薄膜(QD-EF)。 0007 根据本发明一实施例， 所述WOLED电致发光功能层包含蓝光+黄光、 蓝光+红光+黄 光、 蓝光+红光+黄光+绿光或蓝光+红光+绿光光色中任一组合， 所述WOLED电致发光功能层 包含2叠层或3叠层结构， 且为正置或倒置结构。 0008 根据本发明一实施例， 所述WOLED电致发光功能层包括空穴注入层(HIL:HATCN)、 空穴传输层(HTL:NPB)、 蓝色发光层(B-EML:FIrpic)、 电荷传输层(TPBi)、 电荷产生层 (BPhe。

19、n:Li)、 空穴产生层(HATCN)、 黄光发光层(Y-EML:PO-48)和电荷注入层(Liq)。 0009 根据本发明一实施例， 还包括防护玻璃(CG)及封装材料， 所述防护玻璃盖设在所 述第二电极上方， 所述封装材料贴合并封装所述基板和所述防护玻璃， 所述封装材料与所 述WOLED电致发光功能层、 所述量子点光致转换层和所述防护玻璃垂直， 所述薄膜晶体管还 包括栅极、 层叠在所述栅极上的栅极绝缘层、 有源层、 绝缘遮蔽层以及源漏极， 所述第一保 护层设置在所述源漏极上， 其中所述第一保护层为树脂材料， 及所述薄膜晶体管为底栅 (BG)TFT结构。 0010 根据本发明一实施例， 所述薄。

20、膜晶体管还包括设置在所述基板上的遮蔽层、 缓冲 层、 有源层、 栅极绝缘层、 栅极、 层间绝缘层以及源漏极， 所述第一保护层设置于所述层间绝 缘层上且以氧化硅(SiOx)作为钝化层， 及所述薄膜晶体管为双栅(DG)TFT结构。 0011 根据本发明一实施例， 所述第一电极上还设置有空白层或像素限定层， 所述空白 层或所述像素限定层邻接所述WOLED电致发光功能层。 0012 本发明还提供一种显示装置， 包括如上述实施例的所述底发射白光有机发光二极 管(WOLED)显示面板， 及偏光层设置在所述基板的另一侧面上。 0013 再者， 本发明还提供底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板的制作。

21、方法， 包 括以下步骤： 0014 S10、 提供基板； 0015 S20、 在基板上制作形成所述薄膜晶体管， 以及在所述薄膜晶体管上形成第一保护 层； 0016 S30、 在所述第一保护层上形成WOLED彩膜层(WOLED-CF)， 所述WOLED彩膜层依次形 成红绿蓝白(RGBW)像素并在所述WOLED彩膜层上形成第二保护层； 0017 S40、 在所述第二保护层上形成量子点光致转换层(QD-PL conversion layer)， 所 述量子点光致转换层包括对应所述红绿(RG)像素填充的量子点红绿(QD-R&G)发光材料， 在 所述量子点光致转换层上形成树脂层或平坦层； 0018 S5。

22、0、 在所述树脂层或平坦层上形成第一电极， 并在所述第一电极上定义出红绿蓝 白(RGBW)像素区域； 0019 S60、 在所述第一电极上形成WOLED电致发光功能层并对应所述量子点光致转换层 设置； 及 0020 S70、 在所述WOLED电致发光功能层上形成第二电极， 其中通过所述量子点光致转 换层的所述量子点红绿(QD-R&G)发光材料将所述WOLED电致发光功能层的蓝光或黄光转换 成红光和绿光， 从而提升所述红色像素和所述绿色像素的亮度。 说明书 2/6 页 5 CN 109873085 A 5 0021 根据本发明一实施例， 在步骤S40中， 所述量子点光致转换层通过喷墨打印、 喷嘴。

23、 印刷或转移成型工艺制成， 所述量子点光致转换层还将量子点红绿(QD-R&G)发光材料填充 在相应的红绿(RG)像素区域中， 所述量子点红绿发光材料则不填充于蓝白(BW)像素区域 中， 所述量子点光致转换层为量子点增强薄膜， 且厚度为10-200奈米(nm)。 0022 根据本发明一实施例， 在步骤S60中， 所述WOLED电致发光功能层包含蓝光+黄光、 蓝光+红光+黄光、 蓝光+红光+黄光+绿光或蓝光+红光+绿光光色中任一组合。 0023 根据本发明一实施例， 在步骤S60后， 在所述第一电极上还形成有空白层或像素限 定层， 所述空白层或所述像素限定层邻接所述WOLED电致发光功能层， 并定。

24、义所述红绿蓝白 (RGBW)像素区域。 0024 根据本发明一实施例， 在步骤S30中， 包括在所述薄膜晶体管上涂布树脂材料或沉 积氧化硅并通过显影、 曝光形成图案化， 以形成所述第一保护层。 0025 根据本发明一实施例， 在步骤S70后， 还包括盖设在所述第二电极上方的防护玻璃 (CG)以及贴合并封装所述基板和所述防护玻璃的封装材料， ， 所述封装材料通过阻塞封装、 阻塞填入封装、 熔块封装、 面密封封装或薄膜封装。 0026 本发明还具有以下有益效果： 本发明在WOLED电致发光功能层和WOLED彩膜层之间 增加一层量子点光致转换层， 其中量子点光致转换层包含有机材料基质， 不影响WOL。

25、ED透明 显示、 柔性显示、 显示形态自由等特性。 量子点光致转换层能够将WOLED电致发光功能层中 短波长部分的蓝光利用量子点发光材料的光致发光特性转换成红光或绿光， 以增加显示面 板对WOLED电致发光功能层的能量利用效率， 同时提高显示面板的色域表现， 并降低显示面 板的功耗。 附图说明 0027 为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案， 下面将对实施例或现有技术 描述中所需要使用的附图作简单介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是发明的一些 实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附 图获得其他的附图。 0028 图1为底发射白光有。

26、机发光二极管(WOLED)显示面板的横截面示意图； 0029 图2为本发明底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板的另一横截面示意图； 及 0030 图3为本发明底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板的制作方法的方块图。 具体实施方式 0031 在具体实施方式中提及 “实施例” 意指结合实施例描述的特定特征、 结构或特性可 以包含在本发明的至少一个实施例中。 在说明书中的不同位置出现的相同用语并非必然被 限制为相同的实施方式， 而应当理解为与其它实施例互为独立的或备选的实施方式。 在本 发明提供的实施例所公开的技术方案启示下， 本领域的普通技术人员应理解本发明所描述 的实施例可具。

27、有其他符合本发明构思的技术方案结合或变化。 0032 以下各实施例的说明是参考附加的图式， 用以例示本发明可用以实施的特定实施 例。 本发明所提到的方向用语， 例如上、 下、 前、 后、 左、 右、 内、 外、 侧面、 说明书 3/6 页 6 CN 109873085 A 6 竖直、 水平等， 仅是参考附加图式的方向。 因此， 使用的方向用语是用以说明及理解本 发明， 而非用以限制本发明。 在图中， 结构相似的单元是用以相同标号表示。 0033 请参照图1所示， 为本发明第一较佳具体实施例示意图。 本发明提供一种底发射白 光有机发光二极管(WOLED)显示面板， 包括基板1、 薄膜晶体管2、 。

28、WOLED彩膜层(WOLED-CF)3、 量子点光致转换层4、 第一电极5、 WOLED电致发光功能层6及第二电极7。 所述基板1包含但不 限于刚性基板、 柔性基板或其他适合基板， 其中柔性基板例如玻璃基板、 聚酰亚胺基板等， 并不限定。 0034 薄膜晶体管2设置在所述基板1上， 在所述薄膜晶体管2上设置第一保护层11以保 护所述薄膜晶体管2内结构。 WOLED彩膜层3(WOLED-CF)设置在所述第一保护层11上， 所述 WOLED彩膜层3依次设置红绿蓝白(RGBW)像素并在所述WOLED彩膜层3上设置第二保护层12。 量子点光致转换层4(QD-PL conversion layer)， 。

29、设置在所述第二保护层12上。 0035 所述量子点光致转换层4包括对应所述红绿(RG)像素设置的量子点红绿(QD-R&G) 发光材料， 在所述量子点光致转换层4上设置树脂层或平坦层13。 第一电极5设置在所述树 脂层或所述平坦层13上， 并在所述第一电极5上定义出红绿蓝白(RGBW)像素区域。 WOLED电 致发光功能层6设置在所述第一电极5上并对应所述量子点光致转换层4设置。 第二电极7设 置在所述WOLED电致发光功能层6上， 其中通过所述量子点光致转换层4的所述量子点红绿 (QD-R&G)发光材料(图略)将所述WOLED电致发光功能层6的蓝光或黄光转换成红光和绿光， 从而提升所述红色像素。

30、和所述绿色像素的亮度， 达到提升底发射WOLED显示面板的色域表 现。 0036 所述量子点光致转换层4包含将所述量子点红绿(QD-R&G)发光材料对应所述 WOLED彩膜层3的所述红绿(RG)像素设置， 而所述WOLED彩膜层3的所述蓝白(BW)像素对应所 述量子点光致转换层4为空白， 即所述量子点红绿发光材料不填充于蓝白像素区域中。 本实 施例的所述量子点光致转换层4优选为量子点增强薄膜(QD-EF， Quantum Dot Enhancement Film)。 因此， 本发明利用量子点光致转换层4内的量子点红绿(QD-R&G)发光材料的光致发 光特性将WOLED电致发光功能层6中的蓝白光。

31、转换成红光或绿光， 以增强显示面板对WOLED 电致发光功能层6的能量利用效率， 同时提高显示面板的色域表现， 并降低显示面板的功 耗。 0037 所述WOLED电致发光功能层6包含蓝光+黄光、 蓝光+红光+黄光、 蓝光+红光+黄光+ 绿光或蓝光+红光+绿光光色中任一组合。 所述WOLED电致发光功能层6包含2叠层 (2stacks)、 3叠层(3stacks)或其它多叠层结构， 且可为正置或倒置结构， 均视需要而改变。 0038 所述WOLED电致发光功能层6还包括空穴注入层(HIL:HATCN)、 空穴传输层(HTL: NPB)、 蓝色发光层(B-EML:FIrpic)、 电荷传输层(TP。

32、Bi)、 电荷产生层(BPhen:Li)、 空穴产生 层(HATCN)、 黄光发光层(Y-EML:PO-48)和电荷注入层(Liq)。 0039 在如图1所示的实施例中， 还包括盖设在所述第二电极7上方的防护玻璃8(CG)以 及贴合并封装所述基板1和所述防护玻璃8的封装材料10(encapsulation material)。 所述 封装材料10与所述WOLED电致发光功能层6、 所述量子点光致转换层4和所述防护玻璃8垂 直。 0040 所述薄膜晶体管2还包括设置在所述基板1上的栅极21、 层叠在所述栅极21上的栅 极绝缘层22、 有源层23、 绝缘遮蔽层24以及源漏极25。 所述第一保护层1。

33、1设置在所述源漏极 说明书 4/6 页 7 CN 109873085 A 7 25上且所述第一保护层11优选为树脂层， 从而实现保护所述薄膜晶体管2各层的作用。 所述 第一电极5设置在所述树脂层上并与所述源漏极25电性连接。 如图1所示的所述薄膜晶体管 2例如为底栅(BG)TFT结构。 0041 请一并参照图2所示， 为本发明第二具体实施例示意图。 本实施例与上述实施例差 异在于所述薄膜晶体管2 例如为双栅(DG)TFT结构。 具体而言， 所述薄膜晶体管2 还包括设 置在所述基板1上的遮蔽层21 、 层叠在所述遮蔽层21 的缓冲层22 、 有源层23 、 栅极绝缘 层24 、 栅极25 、 层。

34、间绝缘层26 以及源漏极27。 所述第一保护层11设置于所述层间绝缘层 24 上且以氧化硅(SiOx)作为钝化层， 从而实现保护所述薄膜晶体管2 各层的作用。 所述第 一电极3设置在所述钝化层上并与所述源漏极25 电性连接。 0042 在第一和第二实施例中， 所述第一电极5上还设置有空白层14(图1)或像素限定层 14(图2)。 所述空白层14或所述像素限定层14邻接所述WOLED电致发光功能层6。 0043 本发明还提供一种显示装置， 包括设置在所述基板1另一侧面的偏光层9 (polarizing layer)， 及如上述实施例的所述底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面 板。 所述偏。

35、光层9能够实现高亮度、 高对比度的特性。 有关显示装置的相关结构， 请参上述实 施例所述， 在此不再赘述。 0044 请一并参照图3所示， 为本发明底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板的制 作方法的方块图。 如图所示， 本发明还提供底发射白光有机发光二极管(WOLED)显示面板的 制作方法， 包括以下步骤： S10、 提供基板1； S20、 在基板1上制作形成所述薄膜晶体管2、 2 ， 以及在所述薄膜晶体管2、 2 上形成第一保护层11； S30、 在所述第一保护层11上形成WOLED 彩膜层3(WOLED-CF)， 所述WOLED彩膜层3依次形成红绿蓝白(RGBW)像素并在所述WO。

36、LED彩膜 层3上形成第二保护层12； S40、 在所述第二保护层12上形成量子点光致转换层4(QD-PL conversion layer)， 所述量子点光致转换层4包括对应所述红绿(RG)像素填充的量子点红 绿(QD-R&G)发光材料， 在所述量子点光致转换层4上形成树脂层或平坦层13； S50、 在所述树 脂层或平坦层13上形成第一电极5， 并在所述第一电极5上定义出红绿蓝白(RGBW)像素区 域； S60、 在所述第一电极5上形成WOLED电致发光功能层6并对应所述量子点光致转换层4设 置； 及S70、 在所述WOLED电致发光功能层6上形成第二电极7， 其中通过所述量子点光致转换 层。

37、4的所述量子点红绿(QD-R&G)发光材料将所述WOLED电致发光功能层6的蓝光或黄光转换 成红光和绿光， 从而提升所述红光和所述绿光的亮度， 并降低显示面板的功耗。 0045 在步骤S60后， 在所述第一电极5上还形成有空白层14或像素限定层14。 所述空白 层14或所述像素限定层14邻接所述WOLED电致发光功能层6。 在步骤S60中， 所述WOLED电致 发光功能层6包含蓝光+黄光、 蓝光+红光+黄光、 蓝光+红光+黄光+绿光或蓝光+红光+绿光光 色中任一组合。 所述WOLED电致发光功能层6能够包含2叠层、 3叠层或多叠层结构， 且为正置 或倒置结构， 视需要而改变。 0046 在步骤。

38、S70中， 第二电极7的材料例如Ag， 且厚度为100-200奈米(nm)。 所述第二电 极5在可见光区域中具有良好的光透过性。 0047 在步骤S40中， 所述量子点光致转换层4通过喷墨打印(ink-jet printing)、 喷嘴 印刷(nozzle printing)或转移成型(transfer)制程工艺制成。 所述量子点光致转换层4还 将量子点红绿(QD-R&G)发光材料(图略)填充在相应的红绿(RG)像素区域中， 所述量子点红 绿发光材料则不填充于蓝白(BW)像素区域中， 即对应所述蓝白(BW)像素区域的所述量子点 说明书 5/6 页 8 CN 109873085 A 8 红绿发光。

39、材料为空白(blank)。 本实施例的量子点光致转换层4优选为量子点增强薄膜(QD- EF， Quantum Dot Enhancement Film)， 且厚度为10-200奈米(nm)。 0048 在步骤S70后， 还包括盖设在所述第二电极7上方的防护玻璃8(CG)以及贴合并封 装所述基板1和所述防护玻璃8的封装材料10(encapsulation material)。 所述封装材料10 通过阻塞封装(Dam package)、 阻塞填入封装(Dam&Fill package)、 熔块封装(Frit package)、 面密封封装(Face-seal package)或薄膜封装(TFE)等。

40、工艺将所述基板1和所述 防护玻璃8进行贴合和封装。 0049 在步骤S20的一实施例中(图1)， 所述薄膜晶体管2制备方式包括在基板1上依次沉 积Al/Mo金属层， 经由曝光、 显影、 刻蚀、 剥膜(stripe)等工艺对金属层进行图案化， 以形成 栅极21。 在栅极21上沉积SiOX作为栅极21的栅极绝缘层22(insulating gate layer)。 栅极 绝缘层22上沉积IGZO层(氧化铟镓锌， Indium Gallium Zinc Oxide)， 经由曝光、 显影、 刻 蚀、 剥膜等工艺对IGZO层进行图案化， 形成有源层23。 在有源层23之上沉积SiOX， 经由曝光、 显影。

41、、 刻蚀、 剥膜等工艺对SiOX进行图案化， 形成绝缘遮蔽层24并对有源层23进行保护。 在 绝缘遮蔽层24上依次沉积Mo/Al/Mo金属层， 经由曝光、 显影、 刻蚀、 剥膜等工艺对Mo/Al/Mo 金属层进行图案化， 形成源漏极25。 在源漏极25上涂布树脂， 再经由曝光、 显影等工艺对树 脂进行图案化， 形成树脂层的第一保护层11并对各层起到钝化保护作用。 0050 在步骤S20的另一实施例(图2)中， 在基板1上依次沉积Mo金属层， 经由曝光、 显影、 刻蚀、 剥膜等工艺对Mo金属层进行图案化， 形成遮蔽层15(shielding layer)。 在遮蔽层15 上沉积SiOX作为缓冲层。

42、16。 在缓冲层16上沉积IGZO， 经由曝光、 显影、 刻蚀、 剥膜等工艺对 IGZO层进行图案化， 形成有源层21 。 在有源层21 之上沉积SiOX， 形成栅极绝缘层22 并对 有源层21 进行保护。 在栅极绝缘层22 上依次沉积Mo/Al/Mo金属层， 经由曝光、 显影、 刻蚀、 剥膜等工艺对Mo/Al/Mo金属层进行图案化， 形成栅极23 。 在栅极23 上沉积SiOX为层间绝 缘层24 ， 再经由曝光、 显影、 刻蚀、 剥膜等工艺对层间绝缘层24 和缓冲层16进行图案化。 在 层间绝缘层24 上沉积Mo/Al/Mo金属层， 再经由曝光、 显影、 刻蚀、 剥膜等工艺对金属层进行 图案。

43、化， 形成源漏极25 以及电容。 在源漏极25 上沉积SiOX作为第一保护层11(即钝化层)， 再经由曝光、 显影、 刻蚀、 剥膜等工艺对钝化层进行图案化， 以对源漏极25 进行保护。 0051 因此， 本发明通过量子点光致转换层4能够将WOLED电致发光功能层5中短波长部 分的蓝光利用量子点发光材料的光致发光特性转换成红光或绿光， 以增加显示面板对 WOLED电致发光功能层5的能量利用效率， 同时提高显示面板的色域表现， 并降低显示面板 的功耗。 0052 综上所述， 虽然本发明已以优选实施例揭露如上， 但上述优选实施例并非用以限 制本发明， 本领域的普通技术人员， 在不脱离本发明的精神和范围内， 所衍生的各种更动与 变化， 皆涵盖于本发明以权利要求界定的保护范围内。 说明书 6/6 页 9 CN 109873085 A 9 图1 图2 说明书附图 1/2 页 10 CN 109873085 A 10 图3 说明书附图 2/2 页 11 CN 109873085 A 11 。