OGS触摸屏的制备方法.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910243658.8 (22)申请日 2019.03.28 (71)申请人 信元光电有限公司 地址 516600 广东省汕尾市城区信利工业 城26栋4楼 (72)发明人 曾一鑫张佳衲 (74)专利代理机构 广州粤高专利商标代理有限 公司 44102 代理人 许青华廖苑滨 (51)Int.Cl. C23C 14/04(2006.01) C23C 14/35(2006.01) C23C 14/58(2006.01) G06F 3/041(2006.01) (54)发明名称 一。

2、种OGS触摸屏的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种OGS触摸屏的制备方法， 包括如下步骤： S1.在透明基板上形成图案化的 油墨层； S2.镀制复合膜， 所述复合膜包括依次层 叠于所述透明基板上的消影膜、 第一透明导电膜 和钼铝钼膜； S3.对所述钼铝钼膜进行图案化； S4.对所述第一透明导电膜进行图案化； S5.制作 第一OC层； S6.镀制第二透明导电膜； S7.对所述 第二透明导电膜进行图案化； S8.制作第二OC层。 本发明中， 创造性地将现有的消影膜/第一透明 导电膜镀膜、 和钼铝钼膜镀膜两次镀膜制程集成 为一次镀膜制程， 可以减少一次镀膜制程， 提高 制作效率， 降低制作成本。

3、， 同时， OGS触摸屏的性 能良好。 权利要求书1页 说明书4页 CN 109913806 A 2019.06.21 CN 109913806 A 1.一种OGS触摸屏的制备方法， 其特征在于， 其包括如下步骤： S1.在透明基板上形成图案化的油墨层； S2.镀制复合膜， 所述复合膜包括依次层叠于所述透明基板上的消影膜、 第一透明导电 膜和钼铝钼膜； S3.对所述钼铝钼膜进行图案化； S4.对所述第一透明导电膜进行图案化； S5.制作第一OC层； S6.镀制第二透明导电膜； S7.对所述第二透明导电膜进行图案化； S8.制作第二OC层。 2.如权利要求1所述的OGS触摸屏的制备方法， 其特征。

4、在于， 所述透明基板为玻璃基板。 3.如权利要求1所述的OGS触摸屏的制备方法， 其特征在于， 所述第一透明导电膜和第 二透明导电膜的材料均为ITO。 4.如权利要求1所述的OGS触摸屏的制备方法， 其特征在于， 所述透明基板包括视窗区 和非视窗区， 所述油墨层层叠于透明基板的非视窗区； 所述第一透明导电膜覆盖整个视窗 区和非视窗区； 所述第二透明导电膜覆盖整个视窗区和非视窗区； 所述第二透明导电膜完 全覆盖所述钼铝钼膜。 5.如权利要求1所述的OGS触摸屏的制备方法， 其特征在于， 采用黄光工艺形成图案化 的油墨层。 6.如权利要求1所述的OGS触摸屏的制备方法， 其特征在于， 对所述钼铝钼。

5、膜进行图案 化的方法为： 将钼铝钼膜依次经过涂胶、 曝光、 显影、 和蚀刻， 其中蚀刻中采用的蚀刻液为铝 蚀刻液。 7.如权利要求3所述的OGS触摸屏的制备方法， 其特征在于， 对所述第一透明导电膜进 行图案化的方法为： 在钼铝钼膜和第一透明导电膜上涂布正性感光胶， 将第一透明导电膜 依次经过涂胶、 曝光、 显影、 和蚀刻， 其中蚀刻中采用的蚀刻液为ITO蚀刻液。 8.如权利要求3所述的OGS触摸屏的制备方法， 其特征在于， 对所述第二透明导电膜进 行图案化的方法为： 在钼铝钼膜和第二透明导电膜上涂布正性感光胶， 将第二透明导电膜 依次经过涂胶、 曝光、 显影、 和蚀刻， 其中蚀刻中采用的蚀刻。

6、液为ITO蚀刻液。 9.如权利要求1所述的OGS触摸屏的制备方法， 其特征在于， 所述消影膜为单层或多层 结构， 采用氮氧化硅材料、 氧化硅材料、 氮化硅材料、 氧化铌材料中的至少一种形成。 10.如权利要求1所述的OGS触摸屏的制备方法， 其特征在于， 所述复合膜和第二透明导 电膜均是在真空镀膜设备中采用磁控溅射方式进行镀制成形。 权利要求书 1/1 页 2 CN 109913806 A 2 一种OGS触摸屏的制备方法 技术领域 0001 本发明涉及触摸屏技术领域， 特别是涉及了一种OGS触摸屏的制备方法。 背景技术 0002 触摸屏， 又称为触控面板、 触控屏等， 是可以接收触头 （包括手。

7、指或者胶笔头） 等输 入信号的感应式液晶显示或者薄屏显示设备， 用户通过触碰显示屏上的图案或文字就能实 现对主机的操作。 触摸屏具有坚固耐用、 反应速度快、 节省空间、 易于交流等优点。 0003 OGS （One Glass Solution， 即一体化触控） 触摸屏， 是指在触摸屏的面板玻璃内表 面直接印刷触控传感电路层， 一块玻璃同时起到保 护玻璃和触控传感器的双重作用。 相比 于传统的GG(Glass-Glass)结构触摸屏， OGS触摸屏具有厚度薄、 质量轻、 透光率高、 利于降 低生产成本等优点， 将是未来触摸屏的主要发展方向。 0004 传统的OGS触摸屏的制备方法为： S1.在。

8、透明基板上形成图案化的油墨层； S2.镀 制复合膜， 所述复合膜包括依次层叠于所述透明基板上的消影膜和第一透明导电膜； S3. 对所述第一透明导电膜进行图案化； S4. 制作第一OC层； S5. 镀制第二透明导电膜； S6. 对 所述第二透明导电膜进行图案化； S7.镀制钼铝钼膜； S8.对所述钼铝钼膜进行图案化； S9. 制作第二OC层。 传统的OGS触摸屏的制备方法中需要单独做3次镀膜制程， 即消影膜/第一透 明导电膜镀膜、 第二透明导电膜镀膜和钼铝钼膜镀膜， 操作流程复杂， 加工周期长， 成本高。 发明内容 0005 为了弥补已有技术的缺陷， 本发明提供一种OGS触摸屏的制备方法。 00。

9、06 本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现： 一种OGS触摸屏的制备方法， 包括如下步骤： S1.在透明基板上形成图案化的油墨层； S2.镀制复合膜， 所述复合膜包括依次层叠于所述透明基板上的消影膜、 第一透明导电 膜和钼铝钼膜； S3.对所述钼铝钼膜进行图案化； S4.对所述第一透明导电膜进行图案化； S5.制作第一OC层； S6.镀制第二透明导电膜； S7.对所述第二透明导电膜进行图案化； S8.制作第二OC层。 0007 进一步地， 所述透明基板为玻璃基板。 0008 进一步地， 所述第一透明导电膜和第二透明导电膜的材料为ITO。 0009 进一步地， 所述透明基板包括视窗区。

10、和非视窗区， 所述油墨层层叠于透明基板的 非视窗区； 所述第一透明导电膜覆盖整个视窗区和非视窗区； 所述第二透明导电膜覆盖整 个视窗区和非视窗区； 所述第二透明导电膜完全覆盖所述钼铝钼膜。 说明书 1/4 页 3 CN 109913806 A 3 0010 进一步地， 采用黄光工艺形成图案化的油墨层。 0011 进一步地， 对所述钼铝钼膜进行图案化的方法为： 将钼铝钼膜依次经过涂胶、 曝 光、 显影、 和蚀刻， 其中蚀刻中采用的蚀刻液为铝蚀刻液。 0012 进一步地， 对所述第一透明导电膜进行图案化的方法为： 在钼铝钼膜和第一透明 导电膜上涂布正性感光胶， 将第一透明导电膜依次经过涂胶、 曝光。

11、、 显影、 和蚀刻， 其中蚀刻 中采用的蚀刻液为ITO蚀刻液。 0013 进一步地， 对所述第二透明导电膜进行图案化的方法为： 在钼铝钼膜和第二透明 导电膜上涂布正性感光胶， 将第二透明导电膜依次经过涂胶、 曝光、 显影、 和蚀刻， 其中蚀刻 中采用的蚀刻液为ITO蚀刻液。 0014 进一步地， 所述消影膜为单层或多层结构， 采用氮氧化硅材料、 氧化硅材料、 氮化 硅材料、 氧化铌材料中的至少一种形成。 0015 进一步地， 所述复合膜和第二透明导电膜均是在真空镀膜设备中采用磁控溅射方 式进行镀制成形。 0016 本发明具有如下有益效果： 本发明中， 创造性地将现有的消影膜/第一透明导电膜镀膜。

12、、 和钼铝钼膜镀膜两次镀膜 制程集成为一次镀膜制程， 可以减少一次镀膜制程， 提高制作效率， 降低制作成本， 同时， OGS触摸屏的性能良好。 具体实施方式 0017 下面结合实施例对本发明进行详细的说明， 实施例仅是本发明的优选实施方式， 不是对本发明的限定。 0018 一种OGS触摸屏的制备方法， 包括如下步骤： S1.在透明基板上形成图案化的油墨层； S2.镀制复合膜， 所述复合膜包括依次层叠于所述透明基板上的消影膜、 第一透明导电 膜和钼铝钼膜； S3.对所述钼铝钼膜进行图案化； S4.对所述第一透明导电膜进行图案化； S5.制作第一OC层； S6.镀制第二透明导电膜； S7.对所述第。

13、二透明导电膜进行图案化； S8.制作第二OC层。 0019 其中， 所述透明基板为玻璃基板。 所述玻璃基板为钠钙硅玻璃或高硼硅玻璃或高 铝硅玻璃。 0020 本发明中， 所述第一透明导电膜和第二透明导电膜的材料为高分子透明导电材 料， 包括ITO、 AZO、 BZO、 GZO、 石墨烯的一种或多种。 作为优选， 所述第一透明导电膜和第二透 明导电膜的材料为ITO。 0021 所述透明基板包括视窗区和非视窗区， 所述油墨层层叠于透明基板的非视窗区； 所述第一透明导电膜覆盖整个视窗区和非视窗区； 所述第二透明导电膜覆盖整个视窗区和 非视窗区； 所述第二透明导电膜完全覆盖所述钼铝钼膜。 说明书 2/。

14、4 页 4 CN 109913806 A 4 0022 本发明中， 所述OGS触摸屏视窗区的结构为： 第二OC层/第二透明导电膜/第一OC 层/第一透明导电膜/消影膜/透明基板， 非视窗区的结构为： 第二OC层/第二透明导电膜/钼 铝钼膜/第一透明导电膜/消影膜/油墨层/透明基板。 0023 步骤S1中， 通过黄光工艺在透明基板上形成图案化的油墨层。 具体地， 利用刮涂或 旋涂的方法在透明基板的表面制作均匀的油墨层； 对油墨层通过涂胶、 曝光、 显影、 热固化 等工艺将附于透明基板的视窗区的油墨层去除， 形成图案化的油墨层。 0024 所述油墨层为黑色油墨层， 所述油墨层层叠于透明基板的非视窗。

15、区， 具有高遮盖 性， 平整性， 绝缘性等特性。 其主要起的作用有两点： 一是遮光性， 防止从触摸屏的正面看到 金属等反光性强的电极引线； 二是触摸屏产品的外观形状定型性， 即油墨层的形 状确定了 触摸屏的外观形状。 0025 步骤S2中， 利用磁控溅射镀膜机镀膜， 已形成油墨层的透明基板依次进入消影膜 的靶位、 第一透明导电膜的靶位和钼铝钼膜的靶位， 将消影膜、 第一透明导电膜和钼铝钼膜 一次性镀制出来， 不会影响后续的图案化工序， 就可以实现将常规方案中的三次镀膜制程 减少为两次镀膜制程。 0026 本发明中所采用的所述消影膜为单层或多层结构， 采用氮氧化硅材料、 氧化硅材 料、 氮化硅材。

16、料、 氧化铌材料中的至少一种形成。 优选地， 所述消影膜包括层叠设置的氧化 铌膜层和氧化硅膜层。 通过设置消影膜使得视窗区内可见光下导电膜层蚀刻阴影不可见， 可见光透过率提高0.5%-2%， 肉眼可视效果更佳。 0027 步骤S3中， 采用黄光刻蚀工艺对所述钼铝钼膜进行图案化。 所述黄光刻蚀工艺为： 将钼铝钼膜依次经过涂胶、 曝光、 显影、 和蚀刻， 其中蚀刻中采用的蚀刻液为铝蚀刻液。 具体 地， 对所述钼铝钼膜进行图案化的方法为：（1） 涂胶： 将感光胶均匀涂布在钼铝钼膜上， 通过 热板预烘将感光胶稀释剂挥发， 粘附在钼铝钼膜上；（2） 曝光： 用紫外光通过预先制作好的 铬板， 照射到感光胶。

17、表面；（3） 显影： 用显影液处理钼铝钼膜表面的感光胶， 将分解的感光胶 层除去， 显影后的钼铝钼膜表面的感光胶要经过一定温度的坚膜处理；（4） 蚀刻： 用铝蚀刻 液将钼铝钼膜无感光胶覆盖的钼铝钼膜腐蚀掉， 这样就得到了所需要的图案；（5） 脱膜： 用 高浓度碱液作脱膜液， 将钼铝钼膜上剩余的感光胶剥离掉。 0028 需要说明的是， 本发明对铝蚀刻液的组成不作具体限定， 可以采用现有技术中本 领域技术人员所熟知的铝蚀刻液。 作为举例， 所述铝蚀刻液包括磷酸、 硝酸和乙酸。 0029 步骤S4中， 采用黄光刻蚀工艺对所述第一透明导电膜进行图案化。 所述黄光刻蚀 工艺为： 在钼铝钼膜和第一透明导电。

18、膜上涂布正性感光胶， 将第一透明导电膜依次经过涂 胶、 曝光、 显影、 和蚀刻， 其中蚀刻中采用的蚀刻液为ITO蚀刻液。 具体地， 对所述第一透明导 电膜进行图案化的方法为：（1） 涂胶： 将正性感光胶均匀涂布在图案化后的钼铝钼膜和第一 透明导电膜上， 通过热板预烘将正性感光胶稀释剂挥发；（2） 曝光： 用紫外光通过预先制作 好的铬板， 照射到正性感光胶表面， 使被紫外光照射部分的正性感光胶发生反应， 在紫外光 灯下对正性感光胶进行选择性曝光；（3） 显影： 用显影液处理， 将经过光照分解的正性感光 胶除去， 保留未曝光部分的正性感光胶， 将分解的正性感光胶除去；（4） 蚀刻： 用ITO蚀刻液。

19、 将无感光胶覆盖的第一透明导电膜腐蚀掉， 这样就得到了所需要的图案；（5） 脱膜： 用高浓 度碱液作脱膜液， 将钼铝钼膜上剩余的正性感光胶剥离掉。 0030 本发明中， 在对钼铝钼膜进行图案化时采用的铝蚀刻液不会与第一透明导电膜发 说明书 3/4 页 5 CN 109913806 A 5 生反应， 所以对钼铝钼膜进行图案化时第一透明导电膜完好保留下来。 0031 本发明中， 在对透明导电膜进行图案化时采用的ITO蚀刻液会与钼铝钼膜发生反 应， 为了避免在对透明导电膜进行图案化时损伤图案化的钼铝钼膜， 本发明在对透明导电 膜进行图案化时同步在钼铝钼膜和透明导电膜上涂布正性感光胶， 而且所述第二透。

20、明导电 膜完全覆盖所述钼铝钼膜。 0032 需要说明的是， 本发明对ITO蚀刻液的组成不作具体限定， 可以采用现有技术中本 领域技术人员所熟知的ITO蚀刻液。 作为举例， 所述ITO蚀刻液为包括HNO3、 HCL和H2O的混合 液。 0033 可见， 本发明中， 将消影膜、 第一透明导电膜和钼铝钼膜一次性镀制出来， 不会影 响后续的图案化工序， 就可以实现将常规方案中的三次镀膜制程减少为两次镀膜制程。 0034 步骤S7中， 采用黄光刻蚀工艺对所述第二透明导电膜进行图案化。 对所述第二透 明导电膜进行图案化的方法为： 在钼铝钼膜和第二透明导电膜上涂布正性感光胶， 将第二 透明导电膜依次经过涂胶。

21、、 曝光、 显影、 和蚀刻， 其中蚀刻中采用的蚀刻液为ITO蚀刻液。 0035 步骤S8中， 在第二透明导电膜之上制作整面的第二OC层， 起到保护线路的作用。 0036 本发明中， 所述第一OC层和第二OC层均为OC绝缘层； 通过紫外线曝光、 显影， 制作 第一OC层和第二OC层。 0037 在发明中， 所述复合膜和第二透明导电膜均是在真空镀膜设备中采用磁控溅射方 式进行镀制成形。 0038 以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式， 其描述较为具体和详细， 但并不能 因此而理解为对本发明专利范围的限制， 但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技 术方案， 均应落在本发明的保护范围之内。 说明书 4/4 页 6 CN 109913806 A 6 。