IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路.pdf

《IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路.pdf（7页完成版）》请在专利查询网上搜索。

1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201922197856.3 (22)申请日 2019.12.10 (73)专利权人 深圳市振瑞智能技术有限公司 地址 518000 广东省深圳市宝安区福永街 道新田社区凤塘大道50号鑫龙科技园 A栋204号 (72)发明人 孙士东 (51)Int.Cl. H02M 3/335(2006.01) H02M 1/14(2006.01) H02M 1/32(2007.01) A61N 5/06(2006.01) (54)实用新型名称 一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路 (57)摘要。

2、 本实用新型公开了一种IPL光子脱毛仪升压 充电驱动电路， 包括滤波模块、 RCD吸收模块、 变 压器、 脉冲开关、 整流模块、 储能模块。 滤波模块 接收低电压的直流电； 滤波模块、 RCD吸收模块、 变压器、 整流模块、 储能模块顺次连接； 脉冲开关 与变压器相连接。 通过滤波模块对接收的低压直 流电进行滤波， 消除毛刺信号的影响； 脉冲开关 通过脉冲驱动信号， 控制变压器的通断； RCD吸收 模块吸收变压器的自感电势， 有效保护脉冲开 关； 变压器将低压直流电转化为高压交流电， 经 过整流模块、 储能模块的整流和进一步升压， 从 而输出稳定、 可靠的高压直流电， 本实用新型实 现简单、 。

3、成本低， 易于批量生产。 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 CN 210898945 U 2020.06.30 CN 210898945 U 1.一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路， 其特征在于： 包括滤波模块(1)、 RCD吸收模块(2)、 变压器(3)、 脉冲开关(4)、 整流模块(5)、 储能模块 (6)； 滤波模块(1)接收低电压的直流电； 滤波模块(1)、 RCD吸收模块(2)、 变压器(3)、 整流模 块(5)、 储能模块(6)顺次连接； 脉冲开关(4)与变压器(3)相连接； 滤波模块(1)包含电容C3、 C26、 C28； RCD吸收模块(2)的输入端通过电容C3接地； 电。

4、容 C3、 C26和C28相并联； RCD吸收模块(2)包含电容C13、 二极管D1、 电阻R28； 电容C13并联在变压器(3)的初级绕 组上； 电阻R28与二极管D1串联后与电容C13并联； 整流模块(5)包含二极管D7； 变压器(3)的次级绕组与二极管D7的输入端相连接； 二极 管D7的输出端与储能模块(6)的输入端相连接； 储能模块(6)包含电容C8； 二极管D7的输出端通过电容C8接地。 2.根据权利要求1所述的IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路， 其特征在于： 脉冲开关(4)包含N型MOS管Q1、 功率因数校正芯片U5、 电容C7、 C11、 C12、 电阻R1、 R4、 R5、 R。

5、7、 R27、 R9、 R11、 R23、 R24、 R26； 功率因数校正芯片U5的型号为L6562D； 储能模块(6)顺次通过电阻R4、 R5、 R7、 R27接地； 电阻R7和电阻R27的公共节点与功率因 数校正芯片U5的反相误差放大输入引脚相连接； 变压器(3)的次级绕组顺次通过电阻R9、 R11、 R23与功率因数校正芯片U5的电流检测引 脚相连接； 电容C11接在功率因数校正芯片U5的反相误差放大输入引脚和误差放大输出引脚之 间； 滤波模块(1)顺次通过电阻R26、 R24接地； 电容C7与电阻R24相互并联； 电阻R26和电阻 R24的公共节点与功率因数校正芯片U5的乘法器输入引。

6、脚相连接； 滤波模块(1)还通过电容C12接地； 滤波模块(1)和电容C12的公共节点与功率因数校正 芯片U5的电源引脚相连接； N型MOS管Q1的漏极与变压器(3)的初级绕组相连接； N型MOS管Q1的源极通过电阻R1接 地； N型MOS管Q1的栅极与功率因数校正芯片U5的门驱动输出引脚相连接； N型MOS管Q1的源极与电阻R1的公共节点与功率因数校正芯片U5的回路比较引脚相连 接。 权利要求书 1/1 页 2 CN 210898945 U 2 一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路 技术领域 0001 本实用新型涉及电子技术领域， 尤其涉及一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路。 背景技术 0。

7、002 随着经济的发展， 人民生活水平的提高， 人们开始越来越关注自身的美丽。 尤其对 于女性而言， 她们比较关注自身皮肤的光泽， 这是因为女性天性爱美， 而皮肤的光泽常常是 美丽的重要标准之一。 在生活中， 很多人通常都会选择褪去皮肤中的毛发以使自己的皮肤 白皙、 靓丽、 富有光泽。 0003 IPL(Intense Pulsed Light)被称为强脉冲光， 也称为彩光、 复合光、 强光， 是一种 有特殊波长的宽谱可视光， IPL是强脉冲光的缩写， 光子脱毛能够穿透表皮， 在真皮内被毛 囊吸收， 产生热能， 将毛囊破坏， 光子脱毛得到永久脱毛的效果。 同时它能使真皮层的胶原 纤维和弹力纤维。

8、内部产生分子结构的化学变化， 促进皮肤胶原再生及重新排列。 IPL光子脱 毛的技术是在光子脱毛的同时可恢复皮肤原有弹性、 消除或减轻皱纹、 缩小毛孔。 改善肤 质， 肤色， 收紧皮肤。 有解决如轻度毛周角化， 肤色不均等较轻的皮肤问题的作用。 IPL光子 脱毛的一大优点是光斑大， 达5平方厘米， 故脱毛速度很快， 轻微疼痛。 IPL光子脱毛轻松去 除体毛和单一波长的激光脱毛术相比， 强脉冲光热脱毛术是采用特定的多波长光波进行照 射治疗， 经过光热强脉冲光照射之后， 毛发在短期时间内生长延缓甚至完全停止， 从而获得 永久性脱毛的目的。 0004 然而， 如何将低直流电压转化成高直流电压， 为IP。

9、L光子脱毛仪提供稳定的高直流 电压是本领域亟需解决的问题。 实用新型内容 0005 针对现有技术的不足， 本实用新型提出了一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路。 0006 为了实现上述目的， 本实用新型技术方案如下： 0007 一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路， 包括滤波模块、 RCD吸收模块、 变压器、 脉 冲开关、 整流模块、 储能模块。 0008 滤波模块接收低电压的直流电； 滤波模块、 RCD吸收模块、 变压器、 整流模块、 储能 模块顺次连接； 脉冲开关与变压器相连接。 0009 滤波模块包含电容C3、 C26、 C28； RCD吸收模块的输入端通过电容C3接地； 电容C3、 C。

10、26和C28相并联。 0010 RCD吸收模块包含电容C13、 二极管D1、 电阻R28； 电容C13并联在变压器的初级绕组 上； 电阻R28与二极管D1串联后与电容C13并联。 0011 整流模块包含二极管D7； 变压器的次级绕组与二极管D7的输入端相连接； 二极管 D7的输出端与储能模块的输入端相连接。 0012 储能模块包含电容C8； 二极管D7的输出端通过电容C8接地。 0013 可选地， 脉冲开关包含N型MOS管Q1、 功率因数校正芯片U5、 电容C7、 C11、 C12、 电阻 说明书 1/4 页 3 CN 210898945 U 3 R1、 R4、 R5、 R7、 R27、 R9。

11、、 R11、 R23、 R24、 R26。 功率因数校正芯片U5的型号为L6562D。 储能模块 顺次通过电阻R4、 R5、 R7、 R27接地； 电阻R7和电阻R27的公共节点与功率因数校正芯片U5的 反相误差放大输入引脚相连接。 变压器的次级绕组顺次通过电阻R9、 R11、 R23与功率因数校 正芯片U5的电流检测引脚相连接。 电容C11接在功率因数校正芯片U5的反相误差放大输入 引脚和误差放大输出引脚之间。 滤波模块顺次通过电阻R26、 R24接地； 电容C7与电阻R24相 互并联； 电阻R26和电阻R24的公共节点与功率因数校正芯片U5的乘法器输入引脚相连接。 滤波模块还通过电容C12。

12、接地； 滤波模块和电容C12的公共节点与功率因数校正芯片U5的电 源引脚相连接。 N型MOS管Q1的漏极D与变压器的初级绕组相连接； N型MOS管Q1的源极S通过 电阻R1接地； N型MOS管Q1的栅极G与功率因数校正芯片U5的门驱动输出引脚相连接。 N型MOS 管Q1的源极S与电阻R1的公共节点与功率因数校正芯片U5的回路比较引脚相连接。 0014 本实用新型的有益效果： 0015 本实用新型通过滤波模块对接收的低压直流电进行滤波， 消除毛刺信号的影响； 脉冲开关通过脉冲驱动信号， 控制变压器的通断； RCD吸收模块吸收变压器的自感电势， 有 效保护脉冲开关； 变压器将低压直流电转化为高压交。

13、流电， 经过整流模块、 储能模块的整流 和进一步升压， 从而输出稳定、 可靠的高压直流电， 本实用新型实现简单、 成本低， 易于批量 生产。 附图说明 0016 图1为本实用新型的电路原理图。 0017 其中， 图1中的附图标记为： 滤波模块1、 RCD吸收模块2、 变压器3、 脉冲开关4、 整流 模块5、 储能模块6。 具体实施方式 0018 下面结合附图和实施例， 进一步阐述本实用新型。 0019 如图1所示， 一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路， 包括滤波模块1、 RCD吸收模块 2、 变压器3、 脉冲开关4、 整流模块5、 储能模块6。 0020 滤波模块1、 RCD吸收模块2、 变。

14、压器3、 整流模块5、 储能模块6顺次连接。 脉冲开关4 与变压器3相连接。 0021 滤波模块1从直流电源处接收低压的直流电， 并对接收的直流电进行滤波。 脉冲开 关4用于控制变压器3的通、 断， 使得滤波模块1输出的直流电从变压器3的初级绕组耦合至 变压器3的次级绕组。 RCD吸收模块2用于吸收变压器3的初级绕组的自感电势， 抑制过电压， 避免脉冲开关4在截至的瞬间出现过高的反峰高压损坏脉冲开关4。 变压器3对滤波模块1输 出的直流电进行升压并转化成交流电。 整流模块5对变压器3输出的交流电进行整流， 得到 高压直流电。 储能模块6对整流模块5输出的高压直流电进行滤波， 并为IPL光子脱毛。

15、仪存储 提供稳定的高压直流电。 0022 进一步地， 滤波模块1包含电容C3、 C26、 C28。 RCD吸收模块2的输入端通过电容C3接 地。 电容C3、 C26和C28相并联。 电容C3、 C26、 C28分别采用电解电容， 用于滤除所接收的直流 电中的交流成分， 使直流电平滑稳定。 0023 进一步地， 脉冲开关4包含N型MOS管Q1、 功率因数校正(PFC)芯片U5、 电容C7、 C11、 说明书 2/4 页 4 CN 210898945 U 4 C12、 电阻R1、 R4、 R5、 R7、 R27、 R9、 R11、 R23、 R24、 R26。 0024 功率因数校正(PFC)芯片。

16、U5的型号为L6562D。 0025 储能模块6顺次通过电阻R4、 R5、 R7、 R27接地； 电阻R7和电阻R27的公共节点与功率 因数校正(PFC)芯片U5的反相误差放大输入引脚(INV)相连接。 0026 变压器3的次级绕组顺次通过电阻R9、 R11、 R23与功率因数校正(PFC)芯片U5的电 流检测(ZCD)引脚相连接。 0027 电容C11接在功率因数校正(PFC)芯片U5的反相误差放大输入引脚和误差放大输 出引脚(COMP)之间。 0028 滤波模块1顺次通过电阻R26、 R24接地； 电容C7与电阻R24相互并联； 电阻R26和电 阻R24的公共节点与功率因数校正(PFC)芯。

17、片U5的乘法器输入引脚(MULT)相连接。 0029 滤波模块1还通过电容C12接地； 滤波模块1和电容C12的公共节点与功率因数校正 (PFC)芯片U5的电源 （VCC） 引脚相连接。 0030 N型MOS管Q1的漏极D与变压器3的初级绕组相连接； N型MOS管Q1的源极S通过电阻 R1接地； N型MOS管Q1的栅极G与功率因数校正(PFC)芯片U5的门驱动输出引脚(GD)相连接。 0031 N型MOS管Q1的源极S与电阻R1的公共节点与功率因数校正(PFC)芯片U5的回路比 较引脚(CS)相连接。 0032 电阻R4、 R5、 R7、 R27以及功率因数校正(PFC)芯片U5的反相误差放大。

18、输入引脚 (INV)组成稳压反馈回路， 以保证储能模块6的电压的稳定性和连续性。 电阻R9、 R11、 R23与 功率因数校正(PFC)芯片U5的电流检测(ZCD)引脚组成恒流反馈回路， 以保证储能模块6的 电流的稳定性和连续性。 功率因数校正(PFC)芯片U5的电源 （VCC） 根据反馈的电压和电流调 整驱动输出引脚(GD)输出的脉冲驱动信号(PWM)， 从而调整N型MOS管Q1的导通和截止， 进而 控制变压器3的充电和放电。 预先设置变压器3的初级绕组与次级绕组的线圈匝数比， 变压 器3的初级绕组接收较低电压的直流电， 变压器3的次级绕组输出较高电压的交流电。 0033 可选地， 脉冲开关。

19、4还包含NPN型三极管Q5。 NPN型三极管Q5的集电极连接+5V的直 流电源， NPN型三极管Q5的发射极连接功率因数校正(PFC)芯片U5的反相误差放大输入引脚 (INV)， NPN型三极管Q5的基极接收51单片机输出的控制信号MCU_CON。 当控制信号MCU_CON 为高电平时， NPN型三极管Q5导通， +5V的直流电源流过NPN型三极管Q5， 功率因数校正(PFC) 芯片U5启动工作； 当控制信号MCU_CON为低电平时， NPN型三极管Q5截止， 功率因数校正 (PFC)芯片U5停止工作。 0034 L6562芯片由ST （意法半导体） 公司设计， L6562芯片可以实现高速PW。

20、M转换， 对 MOSFET抗冲击要求低， EMC余量大， 可为N型MOS管Q1输出稳定可靠的高驱动能力的脉冲驱动 信号， L6562芯片属于现有技术， 在此不再赘述。 0035 进一步地， RCD吸收模块2包含电容C13、 二极管D1、 电阻R28。 电容C13并联在变压器 3的初级绕组上。 电阻R28与二极管D1串联后与电容C13并联。 0036 脉冲开关4断开时， 蓄积在其寄生电感中的能量通过脉冲开关4的寄生电容充电， 脉冲开关4电压上升。 脉冲开关4的电压上升到电容C13的电压时， 二极管D1导通， 脉冲开关4 的电压从而被二极管D1所嵌位在预设范围内。 脉冲开关4的寄生电感中蓄积的能量。

21、也对电 容C13充电。 脉冲开关4接通期间， 电容C13通过电阻R28放电。 0037 进一步地， 整流模块5包含二极管D7。 变压器3的次级绕组与二极管D7的输入端相 说明书 3/4 页 5 CN 210898945 U 5 连接； 二极管D7的输出端与储能模块6的输入端相连接。 二极管D7接收变压器3输出的交流 电压， 并对交流电进行整流， 得到直流电。 0038 进一步地， 储能模块6包含电容C8。 二极管D7的输出端通过电容C8接地。 电容C8对 二极管D7输出的直流电进行滤波和进一步升压， 得到平滑的高压直流电。 电容C8存储高压 直流电， 为IPL光子脱毛仪提供工作电源。 0039。

22、 本实用新型通过滤波模块1对接收的低压直流电进行滤波， 消除毛刺信号的影响； 脉冲开关4通过脉冲驱动信号， 控制变压器3的通断； RCD吸收模块2吸收变压器3的自感电 势， 有效保护脉冲开关4； 变压器3将低压直流电转化为高压交流电， 经过整流模块5、 储能模 块6的整流和进一步升压， 从而输出稳定、 可靠的高压直流电， 本实用新型实现简单、 成本 低， 易于批量生产。 0040 以上所述的仅是本实用新型的可选实施方式， 本实用新型不限于以上实施例。 可 以理解， 本领域技术人员在不脱离本实用新型的基本构思的前提下直接导出或联想到的其 它改进和变化均应认为包含在本实用新型的保护范围之内。 说明书 4/4 页 6 CN 210898945 U 6 图1 说明书附图 1/1 页 7 CN 210898945 U 7 。