带限流保护的线性恒流源电路.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201922347167.6 (22)申请日 2019.12.24 (73)专利权人 深圳市联明电源有限公司 地址 518125 广东省深圳市宝安区新桥街 道黄埔社区上南东路128号1号厂房十 一层、 2号厂房九层 (72)发明人 张学江黄汉绍万祖毅钟义 杨俊锋 (74)专利代理机构 深圳市韦恩肯知识产权代理 有限公司 44375 代理人 李华双 (51)Int.Cl. G05F 1/573(2006.01) (54)实用新型名称 一种带限流保护的线性恒流源电路 (57)摘要 本。

2、实用新型涉及恒流源电路技术领域， 具体 涉及一种带限流保护的线性恒流源电路， 包括用 于当采样电阻的电压大于或等于预设阈值时关 断的MOS管Q1、 处于恒流线性放大区的MOS管Q2和 用于对采样电阻的电流采样的采样模块， 所述 MOS管Q1的漏极连接电压正输入端， 所述MOS管Q1 的源极分别连接电压正输出端和电源负载正极， 所述MOS管Q1的栅极连接DRV1驱动信号端， 所述 MOS管Q2的漏极分别连接电压负输出端和电源负 载负极， 所述MOS管Q2的源极分别连接采样模块 的一端和电流采样CS端， 所述MOS管Q2的栅极连 接DRV2驱动信号端。 该带限流保护的线性恒流源 电路， 能够在输出。

3、电流过大时， 快速有效的关断 电路。 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 CN 210954770 U 2020.07.07 CN 210954770 U 1.一种带限流保护的线性恒流源电路， 其特征在于， 包括用于当采样电阻的电压大于 或等于预设阈值时关断的MOS管Q1、 处于恒流线性放大区的MOS管Q2和用于对采样电阻的电 流采样的采样模块， 所述MOS管Q1的漏极连接电压正输入端， 所述MOS管Q1的源极分别连接 电压正输出端和电源负载正极， 所述MOS管Q1的栅极连接DRV1驱动信号端， 所述MOS管Q2的 漏极分别连接电压负输出端和电源负载负极， 所述MOS管Q2的源极分别连接采样。

4、模块的一 端和电流采样CS端， 所述MOS管Q2的栅极连接DRV2驱动信号端， 所述采样模块的另一端接 地。 2.根据权利要求1所述的一种带限流保护的线性恒流源电路， 其特征在于， 所述MOS管 Q1的源极和栅极之间还通过电阻R1连接， 所述MOS管Q2的源极和栅极之间还通过电阻R2连 接。 3.根据权利要求1所述的一种带限流保护的线性恒流源电路， 其特征在于， 所述MOS管 Q1和所述MOS管Q2均为IRFS4310Z型的MOS管。 4.根据权利要求1所述的一种带限流保护的线性恒流源电路， 其特征在于， 所述电源负 载的等效电路为若干个依次串联的二极管， 所述采样模块包括采样电阻。 5.根据。

5、权利要求4所述的一种带限流保护的线性恒流源电路， 其特征在于， 所述二极管 为MUR3040PT型的二极管。 6.根据权利要求1所述的一种带限流保护的线性恒流源电路， 其特征在于， 所述采样模 块包括电阻R12、 电阻R17、 电容C17、 电阻R38、 电容C12、 OPA2376AID型的运算放大器U1B、 电 阻R15、 电阻R16、 电容C22、 电阻R11、 电阻R8、 电容C6、 电容C9、 电容C4、 OPA2376AD型的运算放 大器U1A、 电阻R5、 电阻R41、 MMBT4401型的三极管Q6和MMBT4401型的三极管Q5； 所述电阻R12 的一端连接电流采样CS端， 。

6、所述电阻R12的另一端的第一路连接电阻R38的一端， 所述电阻 R12的另一端的第二路连接电容C12的一端， 所述电阻R12的另一端的第三路连接运算放大 器U1B的正输入端， 所述电阻R12的另一端的第四路连接电容C17的一端， 所述电阻R38的另 一端和所述电容C12的另一端均接地， 所述运算放大器U1B的负输入端的第一路连接电容 C17的另一端， 所述运算放大器U1B的负输入端的第二路连接电阻R17的一端， 所述运算放大 器U1B的负输入端的第三路连接电容C22的一端， 所述运算放大器U1B的负输入端的第四路 连接电阻R16的一端， 所述电阻R17的另一端和所述电容C22的另一端均接地， 。

7、所述运算放大 器U1B的输出端的第一路连接电阻R15的一端， 所述运算放大器U1B的输出端的第二路连接 电阻R11的一端， 所述电阻R16的另一端和所述电阻R15的另一端连接， 所述电阻R11的另一 端的第一路连接电容C9的一端， 所述电阻R11的另一端的第二路连接电阻R8的一端， 所述电 阻R11的另一端的第三路连接所述运算放大器U1A的负输入端， 所述运算放大器U1A的正输 入端分别连接所述MOS管Q1的栅极和D/A控制信号输入端， 所述运算放大器U1A的电压输入 正极接地， 所述运算放大器U1A的电压输入负极的第一路连接+6V输入端， 所述运算放大器 U1A的电压输入负极的第二路连接电容。

8、C4的一端， 所述电容C4的另一端接地， 所述运算放大 器U1A的输出端的第一路连接电容C6的一端， 所述运算放大器U1A的输出端的第二路连接电 容C9的另一端， 所述电阻R8的另一端和所述电容C6的另一端连接， 所述运算放大器U1A的输 出端的第三路连接所述电阻R5的一端， 所述电阻R5的另一端的第一路连接所述三极管Q6的 基极， 所述电阻R5的另一端的第二路连接所述三极管Q5的基极， 所述三极管Q6的集电极连 接所述电阻R41的一端， 所述电阻R41的另一端连接+6.5V输入端， 所述三极管Q5的集电极连 权利要求书 1/2 页 2 CN 210954770 U 2 接电流采样CS端， 所。

9、述三极管Q5的发射极和所述三极管Q6的发射极均通过所述DRV2驱动信 号端连接所述MOS管Q2的栅极。 权利要求书 2/2 页 3 CN 210954770 U 3 一种带限流保护的线性恒流源电路 技术领域 0001 本实用新型涉及恒流源电路技术领域， 具体涉及一种带限流保护的线性恒流源电 路。 背景技术 0002 激光被称为 “最快的刀” 、“最准的尺” 、“最亮的光” 和 “奇异的激光” 。 目前中国激光 加工设备市场占据激光市场最大市场份额， 占激光产业链市场的42。 激光技术作为当今 世界范围内最先进的制造加工技术之一， 现在已广泛应用于工业生产、 通讯、 信息处理、 医 疗美容、 3。

10、D传感、 军事、 文化教育以及科研等方面。 线性恒流源应用于激光产业链， 搭配激光 电源后端可以对激光器泵源负载进行控制。 为了激光器泵源的持续稳定工作， 线性恒流源 通常会采用将MOS管控制于恒流线性放大区进行工作的方案， 以保证输出一个稳定的电流。 不过因为种种原因的异常失效， 线性恒流源有时还是会输出异常电流， 该异常电流会对与 之连接的激光器泵源造成损害， 甚至烧毁激光器泵源。 实用新型内容 0003 为克服现有技术存在的上述不足， 本实用新型提供一种带限流保护的线性恒流源 电路， 能够在输出电流过大时快速有效的关断电路， 对后端连接的电器件进行保护。 0004 本实用新型通过以下技术。

11、方案实现： 一种带限流保护的线性恒流源电路， 包括用 于当采样电阻的电压大于或等于预设阈值时关断的MOS管Q1、 处于恒流线性放大区的MOS管 Q2和用于对采样电阻的电流采样的采样模块， 所述MOS管Q1的漏极连接电压正输入端， 所述 MOS管Q1的源极分别连接电压正输出端和电源负载正极， 所述MOS管Q1的栅极连接DRV1驱动 信号端， 所述MOS管Q2的漏极分别连接电压负输出端和电源负载负极， 所述MOS管Q2的源极 分别连接采样模块的一端和电流采样CS端， 所述MOS管Q2的栅极连接DRV2驱动信号端， 所述 采样模块的另一端接地。 0005 优选的， 所述MOS管Q1的源极和栅极之间还。

12、通过电阻R1连接， 所述MOS管Q2的源极 和栅极之间还通过电阻R2连接。 0006 优选的， 所述MOS管Q1和所述MOS管Q2均为IRFS4310Z型的MOS管。 0007 优选的， 所述电源负载的等效电路为若干个依次串联的二极管， 所述采样模块包 括采样电阻。 0008 优选的， 所述二极管为MUR3040PT型的二极管。 0009 优选的， 所述采样模块包括电阻R12、 电阻R17、 电容C17、 电阻R38、 电容C12、 OPA2376AID型的运算放大器U1B、 电阻R15、 电阻R16、 电容C22、 电阻R11、 电阻R8、 电容C6、 电 容C9、 电容C4、 OPA237。

13、6AD型的运算放大器U1A、 电阻R5、 电阻R41、 MMBT4401型的三极管Q6和 MMBT4401型的三极管Q5； 所述电阻R12的一端连接电流采样CS端， 所述电阻R12的另一端的 第一路连接电阻R38的一端， 所述电阻R12的另一端的第二路连接电容C12的一端， 所述电阻 R12的另一端的第三路连接运算放大器U1B的正输入端， 所述电阻R12的另一端的第四路连 说明书 1/6 页 4 CN 210954770 U 4 接电容C17的一端， 所述电阻R38的另一端和所述电容C12的另一端均接地， 所述运算放大器 U1B的负输入端的第一路连接电容C17的另一端， 所述运算放大器U1B的。

14、负输入端的第二路 连接电阻R17的一端， 所述运算放大器U1B的负输入端的第三路连接电容C22的一端， 所述运 算放大器U1B的负输入端的第四路连接电阻R16的一端， 所述电阻R17的另一端和所述电容 C22的另一端均接地， 所述运算放大器U1B的输出端的第一路连接电阻R15的一端， 所述运算 放大器U1B的输出端的第二路连接电阻R11的一端， 所述电阻R16的另一端和所述电阻R15的 另一端连接， 所述电阻R11的另一端的第一路连接电容C9的一端， 所述电阻R11的另一端的 第二路连接电阻R8的一端， 所述电阻R11的另一端的第三路连接所述运算放大器U1A的负输 入端， 所述运算放大器U1A。

15、的正输入端分别连接所述MOS管Q1的栅极和D/A控制信号输入端， 所述运算放大器U1A的电压输入正极接地， 所述运算放大器U1A的电压输入负极的第一路连 接+6V输入端， 所述运算放大器U1A的电压输入负极的第二路连接电容C4的一端， 所述电容 C4的另一端接地， 所述运算放大器U1A的输出端的第一路连接电容C6的一端， 所述运算放大 器U1A的输出端的第二路连接电容C9的另一端， 所述电阻R8的另一端和所述电容C6的另一 端连接， 所述运算放大器U1A的输出端的第三路连接所述电阻R5的一端， 所述电阻R5的另一 端的第一路连接所述三极管Q6的基极， 所述电阻R5的另一端的第二路连接所述三极管。

16、Q5的 基极， 所述三极管Q6的集电极连接所述电阻R41的一端， 所述电阻R41的另一端连接+6.5V输 入端， 所述三极管Q5的集电极连接电流采样CS端， 所述三极管Q5的发射极和所述三极管Q6 的发射极均通过所述DRV2驱动信号端连接所述MOS管Q2的栅极。 0010 本实用新型的有益效果是： 一种带限流保护的线性恒流源电路， 包括用于当采样 电阻的电压大于或等于预设阈值时关断的MOS管Q1、 处于恒流线性放大区的MOS管Q2和用于 对采样电阻的电流采样的采样模块， 所述MOS管Q1的漏极连接电压正输入端， 所述MOS管Q1 的源极分别连接电压正输出端和电源负载正极， 所述MOS管Q1的栅。

17、极连接DRV1驱动信号端， 所述MOS管Q2的漏极分别连接电压负输出端和电源负载负极， 所述MOS管Q2的源极分别连接 采样模块的一端和电流采样CS端， 所述MOS管Q2的栅极连接DRV2驱动信号端， 所述采样模块 的另一端接地。 该带限流保护的线性恒流源电路， 如果外部给定模拟量的电压发生异常过 高时， 对应的输出电流也会随之增大， 采集到的采样电阻两端的压降也随之升高。 该压降升 高至设定值时能够快速有效的拉低DRV1驱动信号端的网络电平， 将MOS管Q1关断， 进而关断 电路， 对后端连接的电器件进行保护。 附图说明 0011 附图用来提供对本实用新型的进一步理解， 并且构成说明书的一部。

18、分， 与本实用 新型的实施例一起用于解释本实用新型， 并不构成对本实用新型的限制， 在附图中： 0012 图1示出了本实用新型的实施例的带限流保护的线性恒流源电路的原理框图； 0013 图2示出了本实用新型的实施例的带限流保护的线性恒流源电路的原理电路图； 0014 图3示出了本实用新型的实施例的MOS管Q2的输出特性曲线图； 0015 图4示出了本实用新型的实施例的带限流保护的线性恒流源电路的电路结构图。 具体实施方式 0016 下面将结合本实用新型实施例中的附图， 对本实用新型实施例中的技术方案进行 说明书 2/6 页 5 CN 210954770 U 5 清楚、 完整地描述， 显然， 所。

19、描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例， 而不是全部的 实施例。 基于本实用新型中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例， 都属于本实用新型保护的范围。 0017 参阅附图1-4， 作为一种示例， 本实施例的一种带限流保护的线性恒流源电路， 包 括用于当采样电阻的电压大于或等于预设阈值时关断的MOS管Q1、 处于恒流线性放大区的 MOS管Q2和用于对采样电阻的电流采样的采样模块， 所述MOS管Q1的漏极连接电压正输入 端， 所述MOS管Q1的源极分别连接电压正输出端和电源负载正极， 所述MOS管Q1的栅极连接 DRV1驱动信号端， 所述MOS管Q2的。

20、漏极分别连接电压负输出端和电源负载负极， 所述MOS管 Q2的源极分别连接采样模块的一端和电流采样CS端， 所述MOS管Q2的栅极连接DRV2驱动信 号端， 所述采样模块的另一端接地。 0018 本实用新型的实施例中的带限流保护的线性恒流源电路， 如果外部给定模拟量的 电压发生异常过高时， 对应的输出电流也会随之增大， 采集到的采样电阻两端的压降也随 之升高。 该压降升高至设定值时能够快速有效的拉低DRV1驱动信号端的网络电平， 将MOS管 Q1关断， 进而关断电路， 对后端连接的电器件进行保护。 0019 具体地， 预设阈值对应上述设定值， 具体大小可根据后端连接的电器件的参数进 行设置。 。

21、本实用新型的实施例中的带限流保护的线性恒流源电路， MOS管Q1在电压正输入端 与电压正输出端之间作为ON/OFF开关或起限流保护的作用， MOS管Q2控制在恒流线性放大 区工作， 以实现线性恒流源的电流大小及其它控制。 0020 恒流线性放大区(也称恒流区、 饱和区、 放大区、 有源区)位于图3中预夹断轨迹右 边和击穿区左边之间的尚未击穿的区域。 在该区域内， 当VGs(栅极相对于源极的电压)一定 时， Ib(基极电流)几乎不随VDs(漏极相对于源极的电压)而变化， 呈恒流特性。 I仅受VGs控 制， 这时MOS管的D(漏极)、 S(源极)之间相当于一个受电压VGs控制的电流源。 MOS管用。

22、于放 大电路时， 一般就工作在该区域。 0021 进一步地， 所述MOS管Q1的源极和栅极之间还通过电阻R1连接， 所述MOS管Q2的源 极和栅极之间还通过电阻R2连接。 0022 具体地， 电阻R并联在MOS管的栅极与源极之间， 是考虑到源极与栅极之间电阻很 大， 他们之间会有一定的电容量(二极管也称PN节电容， 所以高频信号时要考虑到PN节电 容)， 并联上电阻之后， 当信号由大电压变小时他们之间通过电阻放电， 当信号由小电压变 大时就不会与极间电容的电压叠加(因为极间电容的电已经通过电阻放掉了)， 信号电压就 不足于击穿MOS管， 起到保护MOS管的作用。 0023 进一步地， 所述MO。

23、S管Q1和所述MOS管Q2均为IRFS4310Z型的MOS管。 0024 具体地， IRFS4310Z型的MOS管是N沟道MOS管。 本实用新型的实施例中的带限流保 护的线性恒流源电路， 应用于激光产业链， 搭配激光电源后端可以控制激光器泵源负载的 电流大小、 脉冲频率、 以及占空比大小。 该带限流保护的线性恒流源电路的工作状态， 可以 满足激光器泵源的实际工作状态要求， 通过外部给定电压高低、 脉冲频率、 以及占空比大 小， 来控制输出电流的大小、 频率、 以及占空比大小。 比如外部给定多少伏电压对应输出电 流多少安培电流； 外部给定多少脉冲频率对应输出电流工作在多少脉冲频率阶段； 外部给 。

24、定多少占空比对应输出电流工作在多少占空比范围内。 0025 进一步地， 所述电源负载的等效电路为若干个依次串联的二极管， 所述采样模块 说明书 3/6 页 6 CN 210954770 U 6 包括采样电阻。 0026 具体地， 由于激光器泵源内部是由很多个发光二极管组成， 激光器泵源的特性与 二极管基本一致。 激光器泵源的功率很大， 出光的能量非常强。 为了不对人体产生不必要的 伤害， 可以采用二极管D1、 二极管D2、 二极管D3以及很多个二极管串联的方式来模拟激光器 泵源， 以进行模拟实验和测试老化。 多个二极管串联叠加的压降等效于激光器泵源实用的 电压， 输出电压控制在小于输入电压3V。

25、以内， 输出与输入压降越小效率越高。 串联后的二极 管的正极连接到电压正输出端， 串联后的二极管的负极连接到电压负输出端。 所述采样电 阻为5m欧的电阻R3。 对本实用新型的实施例中的带限流保护的线性恒流源电路进行模拟实 验时， 如果外部给定模拟量的电压发生异常过高时， 对应的输出电流也会随之增大， 采集到 采样电阻R3两端的压降也随之升高。 通过内部电路采样放大后达到设定值时能够快速有效 的拉低DRV1驱动信号端的网络电平， 将MOS管Q1关断， 以起到保护若干个依次串联的二极管 的作用。 0027 进一步地， 所述二极管为MUR3040PT型的二极管。 0028 具体地， MUR3040P。

26、T型的二极管是快恢复整流二极管， 双管共阴极(半桥)， 耐压 400V， 电流30A。 0029 进一步地， 所述采样模块包括电阻R12、 电阻R17、 电容C17、 电阻R38、 电容C12、 OPA2376AID型的运算放大器U1B、 电阻R15、 电阻R16、 电容C22、 电阻R11、 电阻R8、 电容C6、 电 容C9、 电容C4、 OPA2376AD型的运算放大器U1A、 电阻R5、 电阻R41、 MMBT4401型的三极管Q6和 MMBT4401型的三极管Q5； 所述电阻R12的一端连接电流采样CS端， 所述电阻R12的另一端的 第一路连接电阻R38的一端， 所述电阻R12的另一。

27、端的第二路连接电容C12的一端， 所述电阻 R12的另一端的第三路连接运算放大器U1B的正输入端， 所述电阻R12的另一端的第四路连 接电容C17的一端， 所述电阻R38的另一端和所述电容C12的另一端均接地， 所述运算放大器 U1B的负输入端的第一路连接电容C17的另一端， 所述运算放大器U1B的负输入端的第二路 连接电阻R17的一端， 所述运算放大器U1B的负输入端的第三路连接电容C22的一端， 所述运 算放大器U1B的负输入端的第四路连接电阻R16的一端， 所述电阻R17的另一端和所述电容 C22的另一端均接地， 所述运算放大器U1B的输出端的第一路连接电阻R15的一端， 所述运算 放大。

28、器U1B的输出端的第二路连接电阻R11的一端， 所述电阻R16的另一端和所述电阻R15的 另一端连接， 所述电阻R11的另一端的第一路连接电容C9的一端， 所述电阻R11的另一端的 第二路连接电阻R8的一端， 所述电阻R11的另一端的第三路连接所述运算放大器U1A的负输 入端， 所述运算放大器U1A的正输入端分别连接所述MOS管Q1的栅极和D/A控制信号输入端， 所述运算放大器U1A的电压输入正极接地， 所述运算放大器U1A的电压输入负极的第一路连 接+6V输入端， 所述运算放大器U1A的电压输入负极的第二路连接电容C4的一端， 所述电容 C4的另一端接地， 所述运算放大器U1A的输出端的第一。

29、路连接电容C6的一端， 所述运算放大 器U1A的输出端的第二路连接电容C9的另一端， 所述电阻R8的另一端和所述电容C6的另一 端连接， 所述运算放大器U1A的输出端的第三路连接所述电阻R5的一端， 所述电阻R5的另一 端的第一路连接所述三极管Q6的基极， 所述电阻R5的另一端的第二路连接所述三极管Q5的 基极， 所述三极管Q6的集电极连接所述电阻R41的一端， 所述电阻R41的另一端连接+6.5V输 入端， 所述三极管Q5的集电极连接电流采样CS端， 所述三极管Q5的发射极和所述三极管Q6 的发射极均通过所述DRV2驱动信号端连接所述MOS管Q2的栅极。 说明书 4/6 页 7 CN 210。

30、954770 U 7 0030 具体地， 所述采样模块的元器件的参数可参考图4所示。 本实用新型的实施例中的 带限流保护的线性恒流源电路， R3为输出电流的采样电阻。 通过电阻R12和电阻R17差分采 样电阻R3两端的电压， 经过运算放大器U1B放大后到运算放大器U1A的2脚与外部给定的D/A 控制信号作比较， 使运算放大器U1A的1脚输出能量致三极管Q5和三极管Q6导通， 并通过 DRV2驱动信号端连接到MOS管Q2的栅极， 使MOS管Q2工作在恒流线性放大区的恒流区域内， 达到线性恒流的目的。 0031 具体地， 本实用新型的实施例中的带限流保护的线性恒流源电路， 具备有ON/OFF 开关。

31、和过流保护功能， 在OFF状态和过流保护的时候DRV1驱动信号端的网络电平为低电平， MOS管Q1不导通关闭输出起到后端保护的作用。 且该线性恒流源电路的D/A控制信号是由外 部给定， 可以控制输出电流大小， 频率和占空比。 0032 需要注意的是， 这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式， 而非意图限制根 据本申请的示例性实施方式。 如在这里所使用的， 除非上下文另外明确指出， 否则单数形式 也意图包括复数形式， 此外， 还应当理解的是， 当在本说明书中使用术语 “包含” 和/或 “包 括” 时， 其指明存在特征、 步骤、 操作、 器件、 组件和/或它们的组合。 0033 除非另外具体说明。

32、， 否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、 数字表 达式和数值不限制本申请的范围。 同时， 应当明白， 为了便于描述， 附图中所示出的各个部 分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。 对于相关领域普通技术人员已知的技术、 方 法和设备可能不作详细讨论， 但在适当情况下， 所述技术、 方法和设备应当被视为授权说明 书的一部分。 在这里示出和讨论的所有示例中， 任何具体值应被解释为仅仅是示例性的， 而 不是作为限制。 因此， 示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。 应注意到： 相似的标号 和字母在下面的附图中表示类似项， 因此， 一旦某一项在一个附图中被定义， 则在随后的附 图中不需要对。

33、其进行进一步讨论。 0034 在本申请的描述中， 需要理解的是， 方位词如 “前、 后、 上、 下、 左、 右” 、“横向、 竖向、 垂直、 水平” 和 “顶、 底” 等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关 系， 仅是为了便于描述本申请和简化描述， 在未作相反说明的情况下， 这些方位词并不指示 和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作， 因此不能理 解为对本申请保护范围的限制； 方位词 “内、 外” 是指相对于各部件本身的轮廓的内外。 0035 为了便于描述， 在这里可以使用空间相对术语， 如 “在之上” 、“在上方” 、 “在上表面” 、“上面的”。

34、 等， 用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特 征的空间位置关系。 应当理解的是， 空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位 之外的在使用或操作中的不同方位。 例如， 如果附图中的器件被倒置， 则描述为 “在其他器 件或构造上方” 或 “在其他器件或构造之上” 的器件之后将被定位为 “在其他器件或构造下 方” 或 “在其他器件或构造之下” 。 因而， 示例性术语 “在上方” 可以包括 “在上方” 和 “在下方” 两种方位。 该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)， 并 且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。 0036 此外， 需要说明的是， 使用 “第一。

35、” 、“第二” 等词语来限定零部件， 仅仅是为了便于 对相应零部件进行区别， 如没有另行声明， 上述词语并没有特殊含义， 因此不能理解为对本 申请保护范围的限制。 0037 尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例， 对于本领域的普通技术人员而言， 说明书 5/6 页 8 CN 210954770 U 8 可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、 修 改、 替换和变型， 本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。 说明书 6/6 页 9 CN 210954770 U 9 图1 图2 图3 说明书附图 1/2 页 10 CN 210954770 U 10 图4 说明书附图 2/2 页 11 CN 210954770 U 11 。