指纹识别模组和指纹识别设备.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910320321.2 (22)申请日 2019.04.19 (71)申请人 广州新视界光电科技有限公司 地址 510700 广东省广州市高新技术产业 开发区科学城开源大道11号A1栋第 一、 二层 (72)发明人 陶洪周雷徐苗李洪濛陈禧 张琪 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 孟金喆 (51)Int.Cl. G06K 9/00(2006.01) (54)发明名称 一种指纹识别模组和指纹识别设备 (57)摘要 本发明公开了一种指纹识别模组和。

2、指纹识 别设备。 其中， 指纹识别模组包括： 透明基底； 至 少一个指纹识别单元， 位于透明基底的一侧， 且 指纹识别单元的感测面朝向透明基底设置； 其 中， 指纹识别单元包括薄膜晶体管和指纹感测电 极， 薄膜晶体管包括栅极、 掺杂有稀土氧化物的 金属氧化物半导体薄膜、 位于栅极和金属氧化物 半导体薄膜之间的栅绝缘层， 以及分别与金属氧 化物半导体薄膜连接的源极和漏极， 源极或漏极 与指纹感测电极电连接， 指纹感测电极、 栅极、 源 极和漏极均为透明电极。 本发明解决了指纹感测 电极受空间大小限制、 指纹识别模组的膜层结构 较为复杂以及制备指纹识别模组的工艺难度较 大的问题。 权利要求书1页 。

3、说明书7页 附图4页 CN 110008936 A 2019.07.12 CN 110008936 A 1.一种指纹识别模组， 其特征在于， 包括： 透明基底； 至少一个指纹识别单元， 位于所述透明基底的一侧， 且所述指纹识别单元的感测面朝 向所述透明基底设置； 其中， 所述指纹识别单元包括薄膜晶体管和指纹感测电极， 所述薄膜晶体管包括栅极、 掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜、 位于所述栅极和所述金属氧化物半导体薄膜 之间的栅绝缘层， 以及分别与所述金属氧化物半导体薄膜连接的源极和漏极， 所述源极或 所述漏极与所述指纹感测电极电连接， 所述指纹感测电极、 所述栅极、 所述源极和所述漏极 。

4、均为透明电极。 2.根据权利要求1所述的指纹识别模组， 其特征在于， 所述指纹感测电极与所述薄膜晶 体管中的一膜层位于同一层。 3.根据权利要求2所述的指纹识别模组， 其特征在于， 所述薄膜晶体管为底栅型结构， 所述指纹感测电极与所述栅极位于同一层； 或者， 所述薄膜晶体管为顶栅型结构， 所述指纹 感测电极与所述金属氧化物半导体薄膜位于同一层。 4.根据权利要求3所述的指纹识别模组， 其特征在于， 所述指纹感测电极和所述栅极在 同一工艺中制备。 5.根据权利要求1所述的指纹识别模组， 其特征在于， 所述薄膜晶体管和所述指纹感测 电极层叠设置。 6.根据权利要求5所述的指纹识别模组， 其特征在于。

5、， 所述指纹感测电极位于所述薄膜 晶体管靠近所述透明基底的一侧。 7.根据权利要求5所述的指纹识别模组， 其特征在于， 所述指纹感测电极在所述透明基 底上的垂直投影位于所述薄膜晶体管在所述透明基底上的垂直投影的范围内。 8.根据权利要求1所述的指纹识别模组， 其特征在于， 所述金属氧化物半导体薄膜的厚 度为5nm100nm。 9.根据权利要求1所述的指纹识别模组， 其特征在于， 所述指纹感测电极的厚度为50nm 500nm。 10.根据权利要求1所述的指纹识别模组， 其特征在于， 所述金属氧化物半导体薄膜为 金属氧化物MO和稀土氧化物RO形成的(MO)x(RO)y半导体薄膜， 其中， 0 x1。

6、， 0.0001y 0.2， x+y1。 11.根据权利要求10所述的指纹识别模组， 其特征在于， M为In、 Zn、 Ga、 Sn、 Si、 Al、 Mg、 Zr、 Hf和Ta中的一种或至少两种的任意组合。 12.根据权利要求10所述的指纹识别模组， 其特征在于， R为Pr、 Tb、 Dy和Yb中的一种或 至少两种的任意组合。 13.一种指纹识别设备， 其特征在于， 包括如权利要求1-12任一项所述的指纹识别模 组。 权利要求书 1/1 页 2 CN 110008936 A 2 一种指纹识别模组和指纹识别设备 技术领域 0001 本发明实施例涉及指纹识别技术领域， 尤其涉及一种指纹识别模组和。

7、指纹识别设 备。 背景技术 0002 随着显示技术的飞速发展， 具有指纹识别功能的显示面板已经逐渐普及。 0003 现有的指纹识别单元通常包括薄膜晶体管和指纹感测电极， 由于现有的薄膜晶体 管中的电极以及指纹感测电极一般为金属电极， 为避免降低显示面板的开口率， 指纹识别 单元需设置于像素单元之间的间隙区， 限定了指纹识别单元的位置， 进而增加了工艺难度； 且间隙区的面积很小， 指纹感测电极受限于间隙区的大小无法具有足够大的面积， 影响指 纹识别单元的性能。 0004 另外， 由于薄膜晶体管在受到光照影响时， 会产生电流， 可能会影响其开关功能或 其特性曲线， 因此在现有指纹识别模组(尤其是光。

8、学式指纹识别模组)中， 需要在指纹识别 单元靠近显示面板发光器件的一侧设置遮光层， 以避免显示面板出射的光线照射到薄膜晶 体管上而影响薄膜晶体管。 其中， 遮光层需与指纹识别单元一一对应设置， 需完全覆盖住指 纹识别单元且不应影响图像显示， 导致指纹识别模组的结构比较复杂， 且进一步增加了制 备指纹识别模组的工艺难度。 发明内容 0005 有鉴于此， 本发明的目的是提出一种指纹识别模组和指纹识别设备， 以解决指纹 感测电极受空间大小限制、 指纹识别模组的膜层结构较为复杂以及制备指纹识别模组的工 艺难度较大的问题。 0006 为实现上述目的， 本发明采用如下技术方案： 0007 一方面， 本发明。

9、实施例提供了一种指纹识别模组， 包括： 0008 透明基底； 0009 至少一个指纹识别单元， 位于所述透明基底的一侧， 且所述指纹识别单元的感测 面朝向所述透明基底设置； 0010 其中， 所述指纹识别单元包括薄膜晶体管和指纹感测电极， 所述薄膜晶体管包括 栅极、 掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜、 位于所述栅极和所述金属氧化物半导 体薄膜之间的栅绝缘层， 以及分别与所述金属氧化物半导体薄膜连接的源极和漏极， 所述 源极或所述漏极与所述指纹感测电极电连接， 所述指纹感测电极、 所述栅极、 所述源极和所 述漏极均为透明电极。 0011 可选的， 所述指纹感测电极与所述薄膜晶体管中的一膜层。

10、位于同一层。 0012 可选的， 所述薄膜晶体管为底栅型结构， 所述指纹感测电极与所述栅极位于同一 层； 或者， 所述薄膜晶体管为顶栅型结构， 所述指纹感测电极与所述金属氧化物半导体薄膜 位于同一层。 说明书 1/7 页 3 CN 110008936 A 3 0013 可选的， 所述指纹感测电极和所述栅极在同一工艺中制备。 0014 可选的， 所述薄膜晶体管和所述指纹感测电极层叠设置。 0015 可选的， 所述指纹感测电极位于所述薄膜晶体管靠近所述透明基底的一侧。 0016 可选的， 所述指纹感测电极在所述透明基底上的垂直投影位于所述薄膜晶体管在 所述透明基底上的垂直投影的范围内。 0017 。

11、可选的， 所述金属氧化物半导体薄膜的厚度为5nm100nm。 0018 可选的， 所述指纹感测电极的厚度为50nm500nm。 0019 可选的， 所述金属氧化物半导体薄膜为金属氧化物MO和稀土氧化物RO形成的 (MO)x(RO)y半导体薄膜， 其中， 0 x1， 0.0001y0.2， x+y1。 0020 可选的， M为In、 Zn、 Ga、 Sn、 Si、 Al、 Mg、 Zr、 Hf和Ta中的一种或至少两种的任意组合。 0021 可选的， R为Pr、 Tb、 Dy和Yb中的一种或至少两种的任意组合。 0022 另一方面， 本发明实施例提供了一种指纹识别设备， 包括本发明实施例提供的指 。

12、纹识别模组。 0023 本发明的有益效果是： 本发明的技术方案通过在透明基底上制备指纹识别单元， 并采用透明电极形成指纹识别单元中的指纹感测电极以及薄膜晶体管的的栅极、 源极和漏 极； 同时薄膜晶体管的有源层采用掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜， 而其中的 稀土氧化物作为光稳定剂， 提高了有源层的光稳定性， 从而使得薄膜晶体管不受光照影响， 由此可避免遮光层的设置， 简化指纹识别模组的膜层结构； 掺杂有稀土氧化物的金属氧化 物半导体薄膜配合透明的指纹识别单元使得显示面板的开口率完全不受指纹识别模组的 影响， 相应的， 指纹识别单元在显示面板内可以任意排布， 不受显示面板像素排布的限制， 。

13、进而降低了工艺难度， 且指纹感测电极的面积可以做的足够大， 提高指纹识别单元的性能。 另外， 在透明基底上形成指纹识别单元， 且指纹识别单元的感测面朝向透明基底设置， 使得 透明基底直接作为指纹识别单元的保护层， 进而不需要额外的盖板保护层， 减少了指纹识 别模组的厚度。 因此， 本发明的技术方案可增大指纹感测电极的(感测)面积， 不受显示面板 空间大小的限制， 避免设置遮光层， 简化了指纹识别模组的膜层结构， 且大大降低了制备指 纹识别模组的工艺难度。 附图说明 0024 下面将通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例， 使本领域的普通技术人员 更清楚本发明的上述及其他特征和优点， 附图中：。

14、 0025 图1是本发明实施例提供的指纹识别模组的结构示意图； 0026 图2是本发明实施例提供的另一种指纹识别模组的结构示意图； 0027 图3是本发明实施例提供的又一种指纹识别模组的结构示意图； 0028 图4是本发明实施例提供的又一种指纹识别模组的结构示意图； 0029 图5是本发明实施例提供的又一种指纹识别模组的结构示意图； 0030 图6是本发明实施例提供的又一种指纹识别模组的结构示意图； 0031 图7是本发明实施例提供的显示装置的结构示意图； 0032 图8是本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。 说明书 2/7 页 4 CN 110008936 A 4 具体实施方式 0。

15、033 下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。 可以理解的 是， 此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明， 而非对本发明的限定。 另外还需要说明 的是， 为了便于描述， 附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。 0034 图1是本发明实施例提供的指纹识别模组的结构示意图， 该指纹识别模组可应用 于具有指纹识别功能的指纹识别设备中， 可实现指纹识别设备的轻薄化。 如图1所示， 本实 施例提供的指纹识别模组包括： 0035 透明基底10； 0036 至少一个指纹识别单元100(图中示意性地示出了一个指纹识别单元100)， 位于透 明基底10的一侧， 且指纹识别单元10。

16、0的感测面朝向透明基底10设置； 0037 其中， 指纹识别单元100包括薄膜晶体管20和指纹感测电极30， 薄膜晶体管20包括 栅极21、 掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜22、 位于栅极21和金属氧化物半导体 薄膜22之间的栅绝缘层23， 以及分别与金属氧化物半导体薄膜22连接的源极24和漏极25， 源极24或漏极25与指纹感测电极30电连接(本实施例中漏极25与指纹感测电极30电连接)， 指纹感测电极30、 栅极21、 源极24和漏极25均为透明电极。 另外， 在指纹识别单元100远离透 明基底10的一侧覆盖有绝缘层40。 0038 本实施例中， 透明基底10的远离指纹识别单元10。

17、0一侧的表面(图示结构的下表 面)作为整个指纹识别模组的感测面， 即用户的手指触碰到透明基底10的下表面时可进行 指纹识别。 指纹识别单元100形成于透明基底10的上表面， 此时， 透明基底10直接作为指纹 识别单元100的保护层， 进而不需要额外的盖板保护层， 减少了指纹识别模组的厚度。 其中， 透明基底10可包括层叠的透明衬底11和缓冲层12， 指纹识别单元100位于缓冲层12的远离 透明衬底11一侧的表面。 可选的， 透明衬底11的材料为高铝强化玻璃、 无碱玻璃、 PEN塑料、 聚酰亚胺和COP等透明材料， 透明衬底11的厚度为10 m700 m； 缓冲层12的材料可以为 SiO2、 S。

18、iNx、 AlOx和TiOx等氧化物绝缘材料， 缓冲层12的厚度为50nm500nm。 0039 上述指纹感测电极30、 栅极21、 源极24和漏极25可以为ITO薄膜、 IZO薄膜、 Ag纳米 线、 超薄Ag膜和AZO薄膜等透明导电膜中的任一种， 厚度为50nm500nm， 由此形成的指纹感 测电极30、 栅极21、 源极24和漏极25均为透明电极， 形成全透明的指纹识别单元100， 进而在 本实施例的指纹识别模组设置于显示面板的出光侧时， 指纹识别单元100可透过显示面板 出射的光线， 即指纹识别单元100不会影响显示面板的出光， 因而该指纹识别单元100不影 响显示面板的开口率。 004。

19、0 同时， 考虑到现有的指纹识别模组需要在指纹识别单元100一侧设置遮光层， 以避 免薄膜晶体管因受光照影响而影响开关功能， 而该遮光层同样会影响显示面板的开口率， 进而导致指纹识别模组整体上影响显示面板的开口率。 基于此， 本发明实施例同时对薄膜 晶体管的有源层进行改进， 提高薄膜晶体管的光稳定性， 从而避免设置遮光层， 使整个指纹 识别模组不影响显示面板的开口率。 0041 具体的， 现有的薄膜晶体管的有源层多采用氧化物半导体薄膜， 氧化物半导体薄 膜由于氧空位的存在， 使得禁带中产生相应的带隙态。 该带隙态受到特定能量的光照射后， 会激发出相应的电子空穴对， 其在栅场的作用下导致器件阈值。

20、电压的偏移， 导致薄膜晶体 管的性能改变， 影响开关功能。 基于该技术问题， 发明人发现， 当稀土氧化物掺杂到金属氧 说明书 3/7 页 5 CN 110008936 A 5 化物半导体中时， 稀土金属原子替代了原金属原子而导致原来的M-M相互作用减弱， 致使价 带顶位移， 使原金属氧化物半导体材料能带结构由直接带隙向间接带隙转变。 在入射光照 射时， 价带电子需要与声子相互作用才能跃迁到导带， 对输运特性产生贡献。 因此， 利用掺 杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜形成薄膜晶体管的有源层， 可以大大减少薄膜晶 体管工作时的光生载流子。 也即， 在入射光照射时， 薄膜晶体管的阈值电压和未受光。

21、照时相 比几乎不发生偏移， 同时其他性能参数亦不受光照影响。 因此， 使用该薄膜晶体管作为指纹 识别单元100的开关管， 可避免在指纹识别模组中设置遮光层， 不仅降低制备遮光层时的工 艺难度， 节约了工艺流程， 而且与全透明的指纹识别单元100相配合， 可以是整个指纹识别 模组不影响显示面板的开口率。 由此， 基于本实施例的技术方案， 指纹识别单元100可不必 限制于像素单元之间的间隙区， 其可在显示面板上任意排布， 降低工艺难度， 指纹感测电极 受空间大小限制， 可以将指纹感测电极的感测面积做的足够大， 提高指纹识别单元的性能； 同时可避免遮光层的设置， 可简化指纹识别模组的膜层结构， 并进。

22、一步降低工艺难度。 0042 可选的， 本实施例中， 金属氧化物半导体薄膜的厚度为5nm100nm。 金属氧化物半 导体薄膜为金属氧化物MO和稀土氧化物RO形成的(MO)x(RO)y半导体薄膜， 其中， 0 x1， 0.0001y0.2， x+y1。 其中， M可以为In、 Zn、 Ga、 Sn、 Si、 Al、 Mg、 Zr、 Hf和Ta中的一种或至 少两种的任意组合。 R可以为Pr、 Tb、 Dy和Yb中的一种或至少两种的任意组合。 示例性的， 上 述金属氧化物半导体薄膜可以为IZO掺杂Pr6O11。 0043 综上可知， 本实施例提供指纹识别模组通过在透明基底上制备指纹识别单元， 并 采。

23、用透明电极形成指纹识别单元中的指纹感测电极以及薄膜晶体管的的栅极、 源极和漏 极； 同时薄膜晶体管的有源层采用掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜， 而其中的 稀土氧化物作为光稳定剂， 提高了有源层的光稳定性， 从而使得薄膜晶体管不受光照影响， 由此可避免遮光层的设置， 简化指纹识别模组的膜层结构； 掺杂有稀土氧化物的金属氧化 物半导体薄膜配合透明的指纹识别单元使得显示面板的开口率完全不受指纹识别模组的 影响， 相应的， 指纹识别单元在显示面板内可以任意排布， 不受显示面板像素排布的限制， 进而降低了工艺难度， 且指纹感测电极的面积可以做的足够大， 提高指纹识别单元的性能。 另外， 在透明基。

24、底上形成指纹识别单元， 且指纹识别单元的感测面朝向透明基底设置， 使得 透明基底直接作为指纹识别单元的保护层， 进而不需要额外的盖板保护层， 减少了指纹识 别模组的厚度。 因此， 本实施例的技术方案可增大指纹感测电极的(感测)面积， 不受显示面 板空间大小的限制， 避免设置遮光层， 简化了指纹识别模组的膜层结构， 且大大降低了制备 指纹识别模组的工艺难度。 0044 需要说明的是， 本发明实施例提供的指纹识别模组可以为光学式指纹识别模组， 也可以是电容式指纹识别模组。 对于光学式指纹识别模组， 其中的指纹感测电极为光敏感 测电极， 通过接收经用户手指反射的光线来识别指纹； 对于电容式指纹识别模。

25、组， 其中的指 纹感测电极为电容感测电极， 基于电容感测电极与导电的皮下电解液形成电场， 通过检测 指纹的脊与谷分别与电容感测电极之间的电容值的变化来识别指纹。 优选的， 本发明提供 的指纹识别模块采用电容式指纹识别模块， 与光学式指纹识别模块相比， 电容式指纹识别 模块中的电容感测电极不受光照的影响， 因而可避免显示面板出射的光线对指纹识别单元 的干扰， 提高指纹识别的准确性。 0045 可选的， 指纹感测电极与薄膜晶体管中的一膜层位于同一层。 由此， 通过将指纹感 说明书 4/7 页 6 CN 110008936 A 6 测电极与薄膜晶体管中的一膜层同层设置， 可以避免指纹感测电极单独一层。

26、设置， 进而减 少指纹感测电极带来的厚度的影响， 进一步减少了指纹识别模组的厚度。 0046 可选的， 薄膜晶体管为底栅型结构， 指纹感测电极与栅极位于同一层； 或者， 薄膜 晶体管为顶栅型结构， 指纹感测电极与金属氧化物半导体薄膜位于同一层。 0047 示例性的， 继续参考图1， 薄膜晶体管为底栅型结构， 具体为背沟道刻蚀型结构。 指 纹识别模组包括透明基底10， 沉积于透明基底10表面的栅极21和指纹感测电极30， 覆盖栅 极21和指纹感测电极30的第一绝缘层， 该第一绝缘层复用为栅绝缘层23， 位于栅极21之上 且形成于栅极绝缘层23表面的金属氧化物半导体薄膜22， 分别与金属氧化物半导。

27、体薄膜22 的两端电连接的源极24和漏极25， 以及位于源极24和漏极25远离透明基底10一侧且整面覆 盖的第二绝缘层40。 其中， 漏极25通过过孔与指纹感测电极30电连接； 第一绝缘层可以为氮 化硅层和氧化硅层的叠层结构， 可采用化学气相沉积方式制备， 其中氮化硅层的厚度为 250nm， 氧化硅层的厚度为50nm； 第二绝缘层40的材料可以为氧化硅， 可采用化学气相沉积 方式制备， 厚度为300nm。 0048 在本发明另一实施例中， 如图2所示， 薄膜晶体管为底栅型结构， 具体为刻蚀阻挡 型结构。 指纹识别模组包括透明基底10， 沉积于透明基底10表面的栅极21和指纹感测电极 30， 覆。

28、盖栅极21和指纹感测电极30的第一绝缘层， 该第一绝缘层复用为栅绝缘层23， 位于栅 极21之上且形成于栅极绝缘层23表面的金属氧化物半导体薄膜22， 覆盖在金属氧化物半导 体薄膜22上并与栅极21的位置相对应的刻蚀阻挡层26， 分别与金属氧化物半导体薄膜22的 两端电连接的源极24和漏极25， 以及位于源极24和漏极25远离透明基底10一侧且整面覆盖 的第二绝缘层40。 其中， 漏极25通过过孔与指纹感测电极30电连接； 第一绝缘层可以为氮化 硅层和氧化硅层的叠层结构， 可采用化学气相沉积方式制备， 其中氮化硅层的厚度为 250nm， 氧化硅层的厚度为50nm； 刻蚀阻挡层26和第二绝缘层4。

29、0的材料均可以为氧化硅， 可 采用化学气相沉积方式制备， 厚度为300nm。 0049 在本发明又一实施例中， 如图3所示， 薄膜晶体管为顶栅型结构。 指纹识别模组包 括透明基底10， 沉积于透明基底10表面的指纹感测电极30和金属氧化物半导体薄膜22， 覆 盖金属氧化物半导体薄膜22的沟道部分且依次层叠的栅绝缘层23和栅极21， 覆盖栅极21和 指纹感测电极30的第一绝缘层50， 形成于第一绝缘层50表面的源极24和漏极25， 源极24和 漏极25通过过孔分别与金属氧化物半导体薄膜22的两端电连接， 以及位于源极24和漏极25 远离透明基底10一侧且整面覆盖的第二绝缘层40。 其中， 漏极2。

30、5通过过孔与指纹感测电极 30电连接； 栅绝缘层23的材料可以为氧化硅， 厚度为300nm； 第一绝缘层50的材料可以为氮 化硅， 厚度为200nm； 第二绝缘层40的材料均可以为氧化硅， 可采用化学气相沉积方式制备， 厚度为300nm。 0050 可选的， 上述实施例中， 指纹感测电极30和栅极21在同一工艺中制备， 即指纹感测 电极30和栅极21采用相同的材料同时制备， 并通过一步图案化形成， 进而节约工艺流程。 0051 另外， 薄膜晶体管中的源极或漏极可复用为指纹感测电极， 以图4和图5为例进行 简要说明。 参考图4， 漏极25完全置于栅绝缘层23之上， 漏极25复用为指纹感测电极30。

31、。 参考 图5， 漏极25通过过孔部分沉积至透明基底10的表面， 漏极25复用为指纹感测电极30。 图5所 示结构与图4所示结构相比， 图5所示结构中漏极25所形成的指纹感测电极30更靠近指纹识 别模组的感测面， 即与接触感测面的手指之间的距离更小， 进而感测到的电容值较大， 可提 说明书 5/7 页 7 CN 110008936 A 7 高指纹识别单元的感测能力。 0052 可选的， 薄膜晶体管和指纹感测电极层叠设置。 此时， 与上述实施例的指纹识别模 组的结构相比， 在指纹识别单元所占面积相同的情况下， 薄膜晶体管和指纹感测电极层叠 设置时， 由于薄膜晶体管不影响指纹感测电极所占的面积， 。

32、因此指纹感测电极的感测面积 可以做的更大， 指纹识别单元的性能更好。 0053 可选的， 指纹感测电极位于薄膜晶体管靠近透明基底的一侧。 指纹感测电极在透 明基底上的垂直投影位于薄膜晶体管在透明基底上的垂直投影的范围内。 0054 示例性的， 如图6所示， 指纹识别模组包括透明基底10， 位于透明基底10之上且依 次层叠设置的指纹感测电极30、 第三绝缘层60和薄膜晶体管20， 其中， 薄膜晶体管20漏极通 过过孔与指纹感测电极30电连接， 薄膜晶体管20位于指纹感测电极30远离透明基底10的一 侧， 指纹感测电极30在透明基底10上的垂直投影位于薄膜晶体管20在透明基底10上的垂直 投影的范。

33、围内。 由此， 在指纹识别单元所占面积较小的情况下， 指纹感测电极30的感测面积 便可做的足够大， 以在不影响指纹感测性能的情况下减小指纹识别单元所占的面积。 0055 另外， 本发明实施例还提供了一种指纹识别设备， 该指纹识别设备包括本发明任 一实施例提供的指纹识别模组。 0056 其中， 指纹识别设备可以为显示装置、 考勤机和门禁等。 0057 本发明实施例所提供的指纹识别设备， 包括本发明实施例所提供的指纹识别模 组， 具备相应的功能和有益效果。 0058 示例性的， 指纹识别设备为显示装置， 该显示装置可以为液晶显示装置或有机发 光显示装置等。 在本发明一实施例中， 指纹识别设备为顶发。

34、射型的有机发光显示装置， 如图 7所示， 该显示装置包括显示面板1和指纹识别模组2(图中指纹识别模组2的薄膜晶体管仅 示例性地示出了底栅型结构)， 指纹识别模组2位于显示面板1的出光侧。 0059 可选的， 指纹识别模组2的透明基底复用为显示装置的盖板。 由此可减小显示装置 的厚度， 实现显示装置的轻薄化。 0060 在本发明另一实施例中， 指纹识别设备为底发射型的有机发光显示装置， 如图8所 示， 该显示装置包括显示面板1、 指纹识别模组2(图中指纹识别模组2的薄膜晶体管仅示例 性地示出了顶栅型结构)和封装层3， 其中， 显示面板1中的发光器件的薄膜晶体管4(图中仅 示例性地示出了一个薄膜晶。

35、体管)与指纹识别模组2的薄膜晶体管位于同一层， 优选地， 发 光器件的薄膜晶体管4与指纹识别模组2的薄膜晶体管采用相同工艺制备， 由此使得显示面 板1与指纹识别模组2一体化， 从而在全屏范围内均可进行指纹识别， 减少了具有指纹识别 功能的显示装置的厚度， 降低了该显示装置的成本。 此外封装层覆盖显示面板1的背光面， 可以包括薄膜封装或玻璃封装。 该实施例中的指纹识别模组2为电容式指纹识别模组， 此 时， 透明基底作为指纹识别模组2的介质层， 本实施例可通过扫描线同时打开发光器件和指 纹识别模组2的开关管， 指纹识别时， 通过透明基底， 指纹感测电极与手指的真皮层之间形 成指纹电容， 指纹电容上。

36、累积的电荷通过外围专用控制IC读出， 从而识别人体的指纹信息。 0061 需要说明的是， 上述实施例中的发光器件的像素驱动电路可以为2T1C或者具有补 偿功能的多T多C的电路结构， 指纹识别模块的指纹识别开关电路可以为1T1C或者具有放大 功能的多T多C的电路结构， 本实施例对此不作限制。 0062 注意， 上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。 本领域技术人员会理解， 说明书 6/7 页 8 CN 110008936 A 8 本发明不限于这里所述的特定实施例， 对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、 重新调整、 相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。 因此， 虽然通过以上实施例对本 发明进行了较为详细的说明， 但是本发明不仅仅限于以上实施例， 在不脱离本发明构思的 情况下， 还可以包括更多其他等效实施例， 而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。 说明书 7/7 页 9 CN 110008936 A 9 图1 图2 说明书附图 1/4 页 10 CN 110008936 A 10 图3 图4 说明书附图 2/4 页 11 CN 110008936 A 11 图5 图6 说明书附图 3/4 页 12 CN 110008936 A 12 图7 图8 说明书附图 4/4 页 13 CN 110008936 A 13 。