双面钝化晶体硅太阳能电池.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201922342665.1 (22)申请日 2019.12.24 (73)专利权人 浙江中晶新能源股份有限公司 地址 314300 浙江省嘉兴市海盐县西塘桥 街道 （海盐经济开发区） 银滩路383号1 幢， 2幢 (72)发明人 赵华飞 (74)专利代理机构 杭州中利知识产权代理事务 所(普通合伙) 33301 代理人 赖学能 (51)Int.Cl. H01L 31/0236(2006.01) H01L 31/0216(2014.01) H01L 31/0224(2006.01。

2、) (54)实用新型名称 一种双面钝化晶体硅太阳能电池 (57)摘要 本实用新型公开了一种双面钝化晶体硅太 阳能电池， 包括晶体硅衬底、 绒面结构层、 氮化硅 钝化层、 氧化硅层、 减反凹槽、 电极栅线， 所述晶 体硅衬底的上下两侧面设置有绒面结构层， 所述 绒面结构层的外侧面设置有氮化硅钝化层， 所述 氮化硅钝化层， 所述氮化硅钝化层外侧面设置有 氧化硅层， 所述氧化硅层上设置有若干减反凹 槽， 所述氧化硅层的外侧面设置有电极栅线。 本 实用新型能够有效提升太阳能电池的光电转换 效率， 结构合理， 性能稳定， 充分满足人们的需 求。 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 CN 2112951。

3、18 U 2020.08.18 CN 211295118 U 1.一种双面钝化晶体硅太阳能电池， 其特征在于： 包括晶体硅衬底(1)、 绒面结构层 (2)、 氮化硅钝化层(3)、 氧化硅层(4)、 减反凹槽(5)、 电极栅线(6)， 所述晶体硅衬底(1)的上 下两侧面设置有绒面结构层(2)， 所述绒面结构层(2)的外侧面设置有氮化硅钝化层(3)， 所 述氮化硅钝化层(3)， 所述氮化硅钝化层(3)外侧面设置有氧化硅层(4)， 所述氧化硅层(4) 上设置有若干减反凹槽(5)， 所述氧化硅层(4)的外侧面设置有电极栅线(6)。 2.如权利要求1所述的一种双面钝化晶体硅太阳能电池， 其特征在于： 所。

4、述绒面结构层 (2)的形状为均匀分布有波浪形曲线的凹凸面。 3.如权利要求1所述的一种双面钝化晶体硅太阳能电池， 其特征在于： 所述氮化硅钝化 层(3)的内侧面与绒面结构层(2)均匀贴合， 所述氮化硅钝化层(3)的外侧面为光滑平面。 4.如权利要求1所述的一种双面钝化晶体硅太阳能电池， 其特征在于： 所述减反凹槽 (5)的数量有多个， 所述减反凹槽(5)均匀分布在氧化硅层(4)上， 所述减反凹槽(5)的形状 为棱锥形， 所述减反凹槽(5)内设置有氧化铝膜层。 5.如权利要求1所述的一种双面钝化晶体硅太阳能电池， 其特征在于： 所述绒面结构层 (2)和晶体硅衬底(1)为一体式结构。 权利要求书 。

5、1/1 页 2 CN 211295118 U 2 一种双面钝化晶体硅太阳能电池 【技术领域】 0001 本实用新型涉及太阳能电池的技术领域， 特别是一种双面钝化晶体硅太阳能电池 的技术领域。 【背景技术】 0002 晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能， 利用光生伏打效应把光能转换成电 能的器件。 当太阳光照射在半导体P-N结上时， 会形成新的空穴-电子对， 在P-N结电场的作 用下， 空穴由N区流向P区， 电子由P区流向N区， 接通电路后就形成电流。 常规晶硅太阳能电 池一般只采用正面钝化技术， 在硅片的正面使用PECVD方式沉积一层氮化硅， 降低少子在前 表面的复合速率， 可以大幅度提升。

6、晶硅太阳能电池的开路电压和短路电流， 从而提升晶硅 太阳电池的光电转换效率。 随着当前对晶硅太阳能电池光电转换效率的要求越来越高， 单 面钝化太阳电池结构已经无法满足人们的需求。 【实用新型内容】 0003 本实用新型的目的就是解决现有技术中的问题， 提出一种双面钝化晶体硅太阳能 电池， 能够有效提升太阳能电池的光电转换效率， 结构合理， 性能稳定， 充分满足人们的需 求。 0004 为实现上述目的， 本实用新型提出了一种双面钝化晶体硅太阳能电池， 包括晶体 硅衬底、 绒面结构层、 氮化硅钝化层、 氧化硅层、 减反凹槽、 电极栅线， 所述晶体硅衬底的上 下两侧面设置有绒面结构层， 所述绒面结构。

7、层的外侧面设置有氮化硅钝化层， 所述氮化硅 钝化层， 所述氮化硅钝化层外侧面设置有氧化硅层， 所述氧化硅层上设置有若干减反凹槽， 所述氧化硅层的外侧面设置有电极栅线。 0005 作为优选， 所述绒面结构层的形状为均匀分布有波浪形曲线的凹凸面。 0006 作为优选， 所述氮化硅钝化层的内侧面与绒面结构层均匀贴合， 所述氮化硅钝化 层的外侧面为光滑平面。 0007 作为优选， 所述减反凹槽的数量有多个， 所述减反凹槽均匀分布在氧化硅层上， 所 述减反凹槽的形状为棱锥形， 所述减反凹槽内设置有氧化铝膜层。 0008 作为优选， 所述绒面结构层和晶体硅衬底为一体式结构。 0009 本实用新型的有益效果。

8、： 本实用新型通过将晶体硅衬底、 绒面结构层、 氮化硅钝化 层、 氧化硅层、 减反凹槽、 电极栅线结合在一起， 经过试验优化， 能够有效提升太阳能电池的 光电转换效率， 结构合理， 性能稳定， 充分满足人们的需求。 0010 本实用新型的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。 【附图说明】 0011 图1是本实用新型一种双面钝化晶体硅太阳能电池的结构示意图。 0012 图中： 1-晶体硅衬底、 2-绒面结构层、 3-氮化硅钝化层、 4-氧化硅层、 5-减反凹槽、 说明书 1/2 页 3 CN 211295118 U 3 6-电极栅线。 【具体实施方式】 0013 参阅图1， 本实用新型一。

9、种双面钝化晶体硅太阳能电池， 包括晶体硅衬底1、 绒面结 构层2、 氮化硅钝化层3、 氧化硅层4、 减反凹槽5、 电极栅线6， 所述晶体硅衬底1的上下两侧面 设置有绒面结构层2， 所述绒面结构层2的外侧面设置有氮化硅钝化层3， 所述氮化硅钝化层 3， 所述氮化硅钝化层3外侧面设置有氧化硅层4， 所述氧化硅层4上设置有若干减反凹槽5， 所述氧化硅层4的外侧面设置有电极栅线6， 所述绒面结构层2的形状为均匀分布有波浪形 曲线的凹凸面， 所述氮化硅钝化层3的内侧面与绒面结构层2均匀贴合， 所述氮化硅钝化层3 的外侧面为光滑平面， 所述减反凹槽5的数量有多个， 所述减反凹槽5均匀分布在氧化硅层4 上，。

10、 所述减反凹槽5的形状为棱锥形， 所述减反凹槽5内设置有氧化铝膜层， 所述绒面结构层 2和晶体硅衬底1为一体式结构。 0014 本实用新型通过将晶体硅衬底1、 绒面结构层2、 氮化硅钝化层3、 氧化硅层4、 减反 凹槽5、 电极栅线6结合在一起， 经过试验优化， 能够有效提升太阳能电池的光电转换效率， 结构合理， 性能稳定， 充分满足人们的需求。 0015 上述实施例是对本实用新型的说明， 不是对本实用新型的限定， 任何对本实用新 型简单变换后的方案均属于本实用新型的保护范围。 说明书 2/2 页 4 CN 211295118 U 4 图1 说明书附图 1/1 页 5 CN 211295118 U 5 。