半导体器件制作方法及半导体器件.pdf

《半导体器件制作方法及半导体器件.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体器件制作方法及半导体器件.pdf（7页完成版）》请在专利查询网上搜索。

1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910175443.7 (22)申请日 2019.03.08 (71)申请人 福建省福联集成电路有限公司 地址 351117 福建省莆田市涵江区江口镇 赤港涵新路3688号 (72)发明人 林豪王潮斌陈东仰詹智梅 肖俊鹏郑育新林张鸿林伟铭 (74)专利代理机构 福州市景弘专利代理事务所 (普通合伙) 35219 代理人 林祥翔徐剑兵 (51)Int.Cl. H01L 21/28(2006.01) H01L 29/423(2006.01) (54)发明名称 一种半导体器件制作。

2、方法及半导体器件 (57)摘要 本发明公开一种半导体器件制作方法及半 导体器件， 其中方法包括如下步骤： 在半导体器 件的基片上覆盖第一层氮化物； 在待开口处定义 出蚀刻窗口； 对第一层氮化物进行蚀刻， 在待开 口处形成凹槽； 在第一层氮化物和凹槽上覆盖第 二层氮化物； 采用干蚀刻将覆盖在第一层氮化物 和凹槽底部之上的第二层氮化物蚀刻移除， 留下 凹槽侧壁的第二层氮化物。 上述技术方案通过在 第一层氮化物先形成较大的开口， 而后再通过沉 积第二层氮化物对开口进行填充， 从而实现小宽 度开口。 由于氮化物层的沉积厚度精度可控， 且 设备价格较低， 以及在氮化物上形成较大开口的 设备价格也相对较低。

3、， 这可以利用价格较低的设 备实现在氮化物上形成较小开口， 降低了设备要 求和成本。 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 CN 110047742 A 2019.07.23 CN 110047742 A 1.一种半导体器件制作方法， 其特征在于， 包括如下步骤： 在半导体器件的基片上覆盖第一层氮化物； 在待开口处定义出蚀刻窗口； 对第一层氮化物进行蚀刻， 在待开口处形成凹槽； 在第一层氮化物和凹槽上覆盖第二层氮化物； 采用干蚀刻将覆盖在第一层氮化物和凹槽底部之上的第二层氮化物蚀刻移除， 留下凹 槽侧壁的第二层氮化物。 2.根据权利要求1所述的一种半导体器件制作方法， 其特征在于， 还包括步骤。

4、： 涂布第一层光刻胶， 在凹槽上方形成底部开口； 涂布第二层光刻胶， 在凹槽上方形成顶部开口； 进行金属沉积， 在凹槽处形成栅极， 去除第一层光刻胶和第二层光刻胶。 3.根据权利要求1所述的一种半导体器件制作方法， 其特征在于： 所述半导体器件的基片为源漏极金属的晶片。 4.根据权利要求1所述的一种半导体器件制作方法， 其特征在于： 所述待开口处为T型栅极处。 5.根据权利要求4所述的一种半导体器件制作方法， 其特征在于： 所述待开口处为0.15umT型栅极处。 6.根据权利要求1所述的一种半导体器件制作方法， 其特征在于： 在待开口处定义出蚀刻窗口包括步骤： 在待开口处利用I-line对准设。

5、备定义蚀刻窗口。 7.半导体器件， 其特征在于： 所述半导体器件根据权利要求1到6任意一项所述方法制 得。 权利要求书 1/1 页 2 CN 110047742 A 2 一种半导体器件制作方法及半导体器件 技术领域 0001 本发明涉及半导体制作技术领域， 尤其涉及一种半导体器件制作方法及半导体器 件。 背景技术 0002 目前GaAs(砷化镓)化合物半导体的制程中小宽度T型栅极(如0.15um)的生产工艺 中， 是以E-Beam电子束和DUV对准设备对光刻胶进行曝光， 直接达到T型栅极底部结构 0.15um的线宽， 而后再进行T型栅极顶部结构凹槽的形成及蒸镀金属， 形成0.15umT型栅极 。

6、的金属接触。 0003 上述所提到的利用E-Beam电子束对光刻胶进行曝光的方式， 存在如下缺点： 0004 缺点1： 因为T-Gate的外形结构是上宽下窄， 所以此方案必须先对T型栅极顶部光 刻胶曝光显影后再对底部光刻胶进行曝光， 并且两次的曝光皆是使用E-Beam设备， 其所需 要的光刻胶材料由于其物理性特殊， 导致光刻胶材料价格高昂， 所以此方案的成本较高； 0005 缺点2： 由于E-beam设备是利用所产生的电子束对光刻胶进行曝光反应， 所需要的 制程时间漫长， 导致生产效率低下； 0006 上述所提到的利用E-Beam设备和DUV设备制作0.15umT型栅极的方式所使用的E- Be。

7、am设备和DUV设备在当今国际上具有一定的先进性， 使得这两种设备价格昂贵， 造成投资 成本加大。 发明内容 0007 为此， 需要提供一种半导体器件制作方法及半导体器件， 解决现有使用E-Beam设 备和DUV设备制作小宽度开口半导体器件成本高的问题。 0008 为实现上述目的， 发明人提供了一种半导体器件制作方法， 包括如下步骤： 0009 在半导体器件的基片上覆盖第一层氮化物； 0010 在待开口处定义出蚀刻窗口； 0011 对第一层氮化物进行蚀刻， 在待开口处形成凹槽； 0012 在第一层氮化物和凹槽上覆盖第二层氮化物； 0013 采用干蚀刻将覆盖在第一层氮化物和凹槽底部之上的第二层氮。

8、化物蚀刻移除， 留 下凹槽侧壁的第二层氮化物。 0014 进一步地， 还包括步骤： 0015 涂布第一层光刻胶， 在凹槽上方形成底部开口； 0016 涂布第二层光刻胶， 在凹槽上方形成顶部开口； 0017 进行金属沉积， 在凹槽处形成栅极， 去除第一层光刻胶和第二层光刻胶。 0018 进一步地， 所述半导体器件的基片为源漏极金属的晶片。 0019 进一步地， 所述待开口处为T型栅极处。 0020 进一步地， 所述待开口处为0.15umT型栅极处。 说明书 1/3 页 3 CN 110047742 A 3 0021 进一步地， 在待开口处定义出蚀刻窗口包括步骤： 0022 在待开口处利用I-li。

9、ne对准设备定义蚀刻窗口。 0023 本发明提供半导体器件， 所述半导体器件根据上述任意一项所述方法制得。 0024 区别于现有技术， 上述技术方案通过在第一层氮化物先形成较大的开口， 而后再 通过沉积第二层氮化物对开口进行填充， 从而实现小宽度开口。 由于氮化物层的沉积厚度 精度可控， 且设备价格较低， 以及在氮化物上形成较大开口的设备价格也相对较低， 这可以 利用价格较低的设备实现在氮化物上形成较小开口， 降低了设备要求和成本。 附图说明 0025 图1为具体实施方式的晶体管制作的工艺流程图； 0026 图2为制作第一层氮化物后的半导体器件结构示意图； 0027 图3为制作第一层氮化物开口。

10、后的半导体器件结构示意图； 0028 图4为制作第二层氮化物后的半导体器件结构示意图； 0029 图5为干蚀刻去除第二层氮化物后的半导体器件结构示意图； 0030 图6为进行栅极金属沉积的半导体器件结构示意图。 具体实施方式 0031 为详细说明技术方案的技术内容、 构造特征、 所实现目的及效果， 以下结合具体实 施例并配合附图详予说明。 0032 请参阅图1到图6， 首先对本实施例和附图中可能出现的英文缩写进行解释说明： 0033 1.ND1： 1stNitrideDeposition： 第一层氮化物沉积 0034 2.NP1： 1stNitridePhoto： 第一层氮化物蚀刻窗口黄光光刻。

11、工艺 0035 3.NE1： 1stNitrideEtch： 第一层氮化物蚀刻 0036 4.ND2： 2ndNitrideDeposition： 第二层氮化物沉积 0037 5.NE2： 2ndNitrideEtch： 第一层氮化物蚀刻 0038 6.TGB:TGateBottomDevelop:T型栅底部光刻工艺 0039 7.TGT:TGateTopDevelop:T型栅顶部光刻工艺 0040 8.TGD:TGateDeposition:T型栅器件金属沉积工艺 0041 9.ND3： 3rdNitrideDeposition： 第三层氮化物沉积 0042 10.Gatemetal： 栅极。

12、金属。 0043 本实施例提供一种半导体器件制作方法， 本发明的方法重点在于形成较小的开 口， 包括如下步骤： 首先在半导体器件的基片上覆盖第一层氮化物。 半导体器件的基片是要 在上面制作较小宽度开口的器件， 如可以是外延片或者源漏极(D： Drain漏极， S： Source源 极)金属的晶片。 本发明中的氮化物可以是氮化硅， 在某些实施例中， 氮化物可以替换成其 他化合物层(如光刻胶)， 只要能形成开口即可。 这个步骤在图1为ND1工艺步骤， 形成的半导 体器件截面如图2所示。 而后在待开口处定义出蚀刻窗口； 一般通过光刻工艺实现窗口定 义。 如图3所示， 可以在第一层氮化物上涂布光刻胶，。

13、 而后曝光显影， 蚀刻后在光刻胶上形成 开口， 即图1中的ED1工艺。 0044 定义出蚀刻窗口后， 对第一层氮化物进行蚀刻， 在待开口处形成凹槽。 如图3所示， 说明书 2/3 页 4 CN 110047742 A 4 第一层氮化物ND1在光刻胶PR的开口下形成凹槽。 如果是采用光刻工艺进行定义蚀刻窗口， 而后需要去除光刻胶。 然后在第一层氮化物和凹槽上覆盖第二层氮化物； 如图4所示。 采用 干蚀刻将覆盖在第一层氮化物和凹槽底部之上的第二层氮化物蚀刻移除， 留下凹槽侧壁的 第二层氮化物， 即进行图1中的ED2工艺， 形成如图5的结构。 在第一层氮化物上覆盖第二层 氮化物时， 则第二层氮化物在。

14、凹槽处会呈逐渐下凹趋势， 如图4所示。 这样第二层氮化物在 凹槽的侧壁的厚度最大。 在干蚀刻第二层氮化物的时候， 由于第二层氮化物在凹槽的侧壁 仍然会有部分第二层氮化物残留不被蚀刻， 则可通过部分残留的第二层氮化物将凹槽边缘 处部分填补。 这样通过制作不同的第二层氮化物厚度， 可以达到将凹槽的宽度进行不同程 度的缩小。 0045 上述实施例中， 在待开口处定义出蚀刻窗口包括步骤： 在待开口处利用I-line对 准设备定义蚀刻窗口。 由于现有的I-line对准设备价格相对较低， 而且也只能实现较大的 曝光精度， 采用直接曝光的方式无法达到在第一层氮化物上直接开出较小宽度的凹槽。 如 现有的I-l。

15、ine对准设备， 其曝光物理极限精度为0.4um， 使用传统直曝方法无法达到0.15um 的栅极线宽目标。 通过本发明， 就可以采用现有的较低价格的I-line对准设备来制作较小 宽度的凹槽， 降低了成本。 0046 本发明可以用于制作小宽度开口或者凹槽的半导体器件， 而后可以用于制作半导 体器件， 如可以沉积金属用于制作栅极。 如图1和图6所示， 还包括步骤： 涂布第一层光刻胶， 如图6下层的PR光刻胶， 在凹槽上方形成底部开口； 涂布第二层光刻胶， 在凹槽上方形成顶 部开口， 如图6上层的PR光刻胶， 进行金属沉积， 如可以采用金属蒸镀工艺， 在凹槽处形成栅 极， 即凹槽上的栅极， 而后去。

16、除第一层光刻胶和第二层光刻胶， 这样只留下具有栅极的半导 体结构。 而后如图1所示， 可以进行晶体管的后续工艺。 通过上述方法制得的晶体管， 无需采 用高精度的对准设备， 降低设备的投入资金， 减少生产成本。 0047 上述所有实施例中， 所述待开口处可以为T型栅极处。 如可以是宽度小于0.4um的T 型栅极， 如所述待开口处为0.15umT型栅极处。 从而可以通过现有设备实现小宽度栅极的制 作， 降低成本。 0048 本发明提供半导体器件， 所述半导体器件根据上述任意一项所述方法制得。 通过 上述方法制得的半导体器件， 无需采用高精度的对准设备， 降低设备的投入资金， 减少生产 成本。 0049 需要说明的是， 尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述， 但并非因此限制 本发明的专利保护范围。 因此， 基于本发明的创新理念， 对本文所述实施例进行的变更和修 改， 或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换， 直接或间接地将以 上技术方案运用在其他相关的技术领域， 均包括在本发明的专利保护范围之内。 说明书 3/3 页 5 CN 110047742 A 5 图1 图2 图3 图4 说明书附图 1/2 页 6 CN 110047742 A 6 图5 图6 说明书附图 2/2 页 7 CN 110047742 A 7 。