空穴注入薄膜及其制备方法和有机发光二极管及其制备方法.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910500021.2 (22)申请日 2019.06.11 (71)申请人 上海大学 地址 200072 上海市静安区延长路149号 (72)发明人 朱文清张沛殷正元万敏强 刘丹王梦狄张建华 (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 代理人 董大媛 (51)Int.Cl. H01L 51/50(2006.01) H01L 51/54(2006.01) H01L 51/56(2006.01) (54)发明名称 空穴注入薄膜及其制备方法和有机发光二 极管及其制备方。

2、法 (57)摘要 本发明涉及发光二极管技术领域， 尤其涉及 空穴注入薄膜及其制备方法和有机发光二极管 及其制备方法， 本发明提供的空穴注入薄膜， 包 括CuSCN和聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)： 聚(苯乙烯 磺酸)。 本发明所述的空穴注入薄膜可以提高发 光二极管的发光效率和使用寿命； 根据实施例的 记载， 本发明所述空穴注入薄膜制备得到的发光 二极管的最高发光效率可达56.6cdA-1， 最高 流明效率可达55.1mW-1。 本发明所述的空穴注 入薄膜的制备方法确保了在低温(100130) 条件下成功制备得到含有CuSCN和聚(3,4-亚乙 二氧基噻吩)： 聚(苯乙烯磺酸)的薄膜。 权利要求书。

3、1页 说明书7页 附图3页 CN 110190199 A 2019.08.30 CN 110190199 A 1.一种空穴注入薄膜， 其特征在于， 包括CuSCN和聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)： 聚(苯乙烯 磺酸)。 2.权利要求1所述的空穴注入薄膜的制备方法， 其特征在于， 包括以下步骤： 将氨水与聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)： 聚(苯乙烯磺酸)溶液混合， 得到第一混合液； 将所述第一混合液与CuSCN混合， 得到第二混合液； 将所述第二混合液涂覆至ITO基板表面， 热处理， 得到空穴注入薄膜层。 3.如权利要求2所述的制备方法， 其特征在于， 所述氨水与聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)： 聚(。

4、苯乙烯磺酸)溶液的体积比为1:1； 所述第二混合液中CuSCN的浓度为(1030)mg/ml。 4.如权利要求2所述的制备方法， 其特征在于， 所述涂覆的方式为旋涂； 所述旋涂的转速为25003500rpm； 所述旋涂的时间为2040s。 5.如权利要求2所述的制备方法， 其特征在于， 所述热处理的温度为100130， 所述 热处理的时间为1020min。 6.一种有机发光二极管， 其特征在于， 由下到上依次包括ITO基板、 空穴注入层、 空穴传 输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层和电极层； 所述空穴注入层为权利要求1所述的空穴注入薄膜或由权利要求25任一项所述制备 方法制备得到的空穴。

5、注入薄膜； 所述空穴传输层的材料为4,4,4-三(咔唑-9-基)三苯胺。 7.如权利要求6所述的有机发光二极管， 其特征在于， 所述发光层的材料为4,4-二(9- 咔唑)联苯(CBP)和三(2-苯基吡啶)合铱； 所述电子传输层的材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。 8.如权利要求6所述的有机发光二极管， 其特征在于， 所述电子注入层的材料为(8-羟 基喹啉)-锂； 所述电极层的材料为Al、 Ag和Au中的一种或几种。 9.权利要求68任一项所述的有机发光二极管的制备方法， 其特征在于， 包括以下步 骤： 在ITO基板上表面制备空穴注入薄膜， 得到空穴注入层； 在所述空穴。

6、注入层表面依次蒸镀空穴传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层和电极 层， 得到有机发光二极管； 所述制备空穴注入薄膜的制备方法为权利要求25任一项所述的制备方法。 10.如权利要求9所述的制备方法， 其特征在于， 所述蒸镀在真空的条件下进行； 所述真空的真空度10-4Pa。 权利要求书 1/1 页 2 CN 110190199 A 2 空穴注入薄膜及其制备方法和有机发光二极管及其制备方法 技术领域 0001 本发明涉及发光二极管技术领域， 尤其涉及空穴注入薄膜及其制备方法 和有机 发光二极管及其制备方法。 背景技术 0002 近年来， 有机发光二极管(OLED)已经普遍应用于实际生产生活。

7、中， 尤其是在折叠 屏显示领域已然大放异彩， 相较于传统的无机电致发光器件， 其研究、 制备和应用已成为 当今最为活跃的研究领域之一。 对于OLED来说， 选择性能优异的材料是提高OLED器件发光 效率的途径之一， 例如： 采用载 流子迁移率高的电子传输材料或者空穴传输材料。 0003 常用空穴传输层的材料主要为聚(3 ,4-亚乙二氧基噻吩)： 聚(苯乙烯磺 酸) (PEDOT:PSS)、 过渡金属氧化物、 石墨烯氧化物和CuSCN； PEDOT:PSS 是一种新型的导电高分 子材料， 其水溶液具有良好的成膜性， 利用溶液法加 工便利， 制备得到的薄膜具有良好的 电导率和可见光透过率， 在发光。

8、二极管、 太阳能电池等领域受到广泛关注。 PEDOT:PSS的功 函数约为5.1eV， 其功函 数能够与ITO的能级匹配， 但由于LOMO能级较低无法有效地阻挡电 子， 同时酸性会腐蚀ITO电极以及在空气中热稳定性差， 易吸水等因素限制了它 在OLED器 件中的应用。 0004 过渡金属氧化物如MoO3， NiO和V2O5等， 具有非常优秀的光电特性， 包括有在可见 光范围内的高透明度， 相对较好的电导率， 性能稳定不易氧化， 高功函数和较深的电子态 等等， 因此在OLED中被广泛用来作为界面修饰 层来提高器件的效率和使用寿命。 1996年日 本Tokito课题组(Tokito S,Noda 。

9、K,Taga Y.Metal oxides as a hole-injecting layer for an organic electroluminescent deviceJ.Journal of Physics D:Applied Physics,1996, 29(11):2750)首次将MoO3作为阳极缓冲层引进有机发光器件中， 结果使得 器件的发光效率得以增强。 随后， 大量的类似过渡氧化物的报道相继出现。 然而过渡金属 氧化物也存在许多不足的地方， 金属氧化物薄膜通常需要在 300以上的温度下进行退 火， ITO基板难以承受如此高的温度； 同时金属 氧化物薄膜其电阻性相比于PEDO。

10、T:PSS更 强， 不利于电极到发光层之间的 载流子注入。 0005 石墨烯氧化物主要是指氧化石墨烯(GO)、 氧化石墨烯量子点(GOQD)。 这类材料通 过氧化引入大量的羟基与羧基等亲水官能团， 来提高材料的润湿 性从而保证之后的有机 发光层能够在其表面均匀成膜， 以达到减小界面势垒 的作用。 但是， 由于氧化的原因它们 的电导率很低， 并且GO在水溶液中无 法连续存在， 所以GO膜的连续性和平整性不好， 通常 需要多次旋涂来保证 ITO基板能够被完全覆盖。 除了上述这些材料， 具有半导体性质的无 机物也 被用作界面修饰层出现在OPV、 TFT以及OLED当中。 0006 CuSCN是宽禁带。

11、的半导体材料， 具有合适的能带位置、 良好的形貌可 控性、 制备工 艺简单、 成本低廉等优点。 同时还可以提高器件的使用寿命； 同时， CuSCN的制备不需要高 温退火， 制得的薄膜平整连续， 但CuSCN的 电导率较低与ITO之间存在较大的势垒， 导致发 光效率差。 说明书 1/7 页 3 CN 110190199 A 3 0007 由此可见， 上述空穴传输层的材料均存在不能同时具有较好发光效率和 使用寿 命的问题。 发明内容 0008 本发明的目的在于提供一种可以提高有机发光二极管的发光效率和使 用寿命的 空穴注入薄膜及其制备方法和有机发光二极管及其制备方法。 0009 为了实现上述发明目。

12、的， 本发明提供以下技术方案： 0010 本发明提供了一种空穴注入薄膜， 包括CuSCN和聚(3,4-亚乙二氧基噻 吩)： 聚(苯 乙烯磺酸)。 0011 本发明还提供了上述技术方案所述的空穴注入薄膜的制备方法， 包括以 下步骤： 0012 将氨水与聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)： 聚(苯乙烯磺酸)溶液混合， 得到 第一混合 液； 0013 将所述第一混合液与CuSCN混合， 得到第二混合液； 0014 将所述第二混合液涂覆至ITO基板表面， 热处理， 得到空穴注入薄膜层。 0015 优选的， 所述氨水与聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)： 聚(苯乙烯磺酸)溶液 的体积比为 1:1； 0016 所述第。

13、二混合液中CuSCN的浓度为(1030)mg/ml。 0017 优选的， 所述涂覆的方式为旋涂； 0018 所述旋涂的转速为25003500rpm； 0019 所述旋涂的时间为2040s。 0020 优选的， 所述热处理的温度为100130， 所述热处理的时间为 1020min。 0021 本发明还提供了一种有机发光二极管， 由下到上依次包括ITO基板、 空 穴注入层、 空穴传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层和电极层； 0022 所述空穴注入层为上述技术方案所述的空穴注入薄膜或由上述技术方 案所述制 备方法制备得到的空穴注入薄膜； 0023 所述空穴传输层的材料为4,4,4-三(咔唑。

14、-9-基)三苯胺。 0024 优选的， 所述发光层的材料为4,4-二(9-咔唑)联苯(CBP)和三(2-苯基 吡啶)合 铱； 0025 所述电子传输层的材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。 0026 优选的， 所述电子注入层的材料为(8-羟基喹啉)-锂； 0027 所述电极层的材料为Al、 Ag和Au中的一种或几种。 0028 本发明还提供了上述技术方案所述的有机发光二极管的制备方法， 包括 以下步 骤： 0029 在ITO基板上表面制备空穴注入薄膜， 得到空穴注入层； 0030 在所述空穴注入层表面依次蒸镀空穴传输层、 发光层、 电子传输层、 电 子注入层 和电极层，。

15、 得到有机发光二极管； 0031 所述制备空穴注入薄膜的制备方法为上述技术方案所述的制备方法。 0032 优选的， 所述蒸镀在真空的条件下进行； 0033 所述真空的真空度10-4Pa。 说明书 2/7 页 4 CN 110190199 A 4 0034 本发明提供了一种空穴注入薄膜， 包括CuSCN和聚(3,4-亚乙二氧基噻 吩)： 聚(苯 乙烯磺酸)。 本发明所述的空穴注入薄膜采用CuSCN和 PEDOT:PSS的混合结构可以使所述空 穴注入薄膜的能级在-5.1-5.5eV的范 围内可调， 进而使载流子能够在较为合理、 跨度较 小的功函数梯度基础上注 入， 进而提高发光二极管的发光效率和使。

16、用效率； 0035 本发明还提供了所述空穴注入薄膜的制备方法， 由于CuSCN在450 的条件下会 分解， 本发明所述的制备方法确保了在低温(100130)条件 下成功制备得到含有CuSCN 和聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)： 聚(苯乙烯磺酸) 的薄膜； 0036 本发明还提供了发光二极管及其制备方法， 根据实施例的记载， 本发明 所述的发 光二极管的最高发光效率可达56.6cdA-1， 最高流明效率可达 55.1mW-1， 且使用寿命较 PEDOT:PSS单层结够得到了改善。 附图说明 0037 图1为实施例13和对比例12所述的有机发光二极管的电流密度-电 压-亮度 (J-V-L)曲线图； 。

17、0038 图2为实施例13和对比例12所述的有机发光二极管的电流效率-发 光亮度 (CE-L)曲线图； 0039 图3为实施例13和对比例12所述的有机发光二极管的功率效率-电 流密度 (PE-L)曲线图； 0040 图4为实施例13和对比例12所述的有机发光二极管在6V时的EL 光谱； 0041 图5为实施例2和对比例12所述的有机发光二极管的寿命。 具体实施方式 0042 本发明提供了本发明提供了一种空穴注入薄膜， 包括CuSCN和 PEDOT:PSS。 0043 在本发明中， 所述空穴注入薄膜的厚度优选为3545nm， 更优选为 3842nm， 最 优选为40nm； 本发明对所述CuSC。

18、N和PEDOT:PSS的质量比 没有具体的限定， 按照CuSCN和 PEDOT:PSS溶液以(515)mg： 1mL的 配比制备得到即可。 0044 本发明还提供了上述技术方案所述的空穴注入薄膜的制备方法， 包括以 下步骤： 0045 将氨水与PEDOT:PSS溶液混合， 得到第一混合液； 0046 将所述第一混合液与CuSCN混合， 得到第二混合液； 0047 将所述第二混合液涂覆至ITO基板表面， 热处理， 得到空穴注入薄膜层。 0048 本发明将氨水与PEDOT:PSS溶液混合， 得到第一混合液； 在本发明中， 所述氨水与 PEDOT:PSS溶液的体积比优选为1:1； 所述氨水的体积浓度。

19、优选 为50。 所述PEDOT:PSS溶 液优选为市售产品； 本发明对所述混合没有任 何特殊的限定， 采用本领域技术人员熟知的 过程进行混合即可。 0049 得到第一混合液后， 本发明将所述第一混合液与CuSCN混合， 得到第 二混合液； 在 本发明中， 所述混合优选在搅拌的条件下进行， 本发明对所述 搅拌没有任何特殊的限定， 采用本领域技术人员熟知的过程进行搅拌并混合 均匀即可。 在本发明中， 所述第二混合液 中CuSCN的浓度优选为(1030) mg/ml， 更优选为(1525)mg/ml， 最优选为20mg/ml。 0050 得到第二混合液后， 本发明将所述第二混合液涂覆至ITO基板表面。

20、， 热 处理， 得到 说明书 3/7 页 5 CN 110190199 A 5 空穴注入薄膜层。 在本发明中， 所述ITO基板优选为ITO基底； 进行涂覆前， 本发明优选对所 述ITO基板进行预处理； 所述预处理优选为紫 外光照射； 所述紫外光照射的时间优选为10 20min， 更优选为1218min， 最优选为15min； 所述预处理优选在充满氮气的手套箱内进 行。 0051 在本发明中， 所述涂覆优选为旋涂， 所述旋涂的转速优选为 25003500rpm， 更优 选为28003200rpm； 所述旋涂的时间优选为2040s， 更优选为2535s， 最优选为28 32s。 在本发明中， 所述。

21、旋涂优选在充满氮 气的手套箱内进行。 0052 在本发明中， 所述热处理的温度优选为100130， 更优选为115125， 最优 选为118122； 所述热处理的时间优选为1020min， 更优选1218min， 最优选为14 16min。 在本发明中， 所述热处理优选在通风柜中的加热板上 进行。 0053 热处理完成后， 本发明优选对热处理后的薄膜进行冷却； 本发明对所述 冷却没有 任何特殊的限定， 能够将薄膜冷却至室温即可。 0054 本发明还提供了一种有机发光二极管， 由下到上依次包括ITO基板、 空 穴注入层、 空穴传输层、 发光层、 电子传输层、 电子注入层和电极层； 0055 所述。

22、空穴注入层为上述技术方案所述的空穴注入薄膜或由上述技术方 案所述制 备方法制备得到的空穴注入薄膜； 0056 所述空穴传输层的材料为4,4,4-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。 0057 在本发明中， 所述有机发光二极管包括ITO基板； 在本发明中， 所述ITO 基板的厚 度优选为140160nm， 更优选为145155nm， 最优选为148152nm。 0058 在本发明中， 所述有机发光二极管还包括空穴注入层； 所述空穴注入层 为上述技 术方案所述的空穴注入薄膜或由上述技术方案所述制备方法制备 得到的空穴注入薄膜。 0059 在本发明中， 所述有机发光二极管还包括空穴传输层； 所述空。

23、穴传输层 的材料为 4,4,4-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。 在本发明中， 所述空穴传输 层的厚度优选为5 15nm， 更优选为812nm， 最优选为10nm。 0060 在本发明中， 所述有机发光二极管还包括发光层； 所述发光层的材料优 选为4,4- 二(9-咔唑)联苯(CBP)和三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。 在本发 明中， 所述发光层的材 料可以具体的选择为CBP： 8Ir(ppy)3(所述8为 Ir(ppy)3占CBP的质量百分比)。 0061 在本发明中， 所述发光层的厚度优选为525nm， 更优选为1822nm， 最优选为 20nm。 0062 在本发明中，。

24、 所述有机发光二极管还包括电子传输层； 所述电子传输层 的材料优 选为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。 0063 在本发明中， 所述电子传输层的厚度优选为3040nm， 更优选为 3238nm， 最优 选为3436nm。 0064 在本发明中， 所述有机发光二极管还包括电子注入层； 所述电子注入层 的材料优 选为(8-羟基喹啉)-锂(Liq)。 在本发明中， 所述电子注入层的厚度 优选为15nm， 更优选 为23nm。 0065 在本发明中， 所述有机发光二极管还包括电极层； 所述电极层的材料优 选为Al、 Ag和Au中的一种或几种。 在本发明中， 所述电极层。

25、的材料可以 具体的选择为Al。 0066 本发明还提供了所述有机发光二极管的制备方法， 包括以下步骤： 说明书 4/7 页 6 CN 110190199 A 6 0067 在ITO基板上表面制备空穴注入薄膜， 得到空穴注入层； 0068 在所述空穴注入层表面依次蒸镀空穴传输层、 发光层、 电子传输层、 电 子注入层 和电极层， 得到有机发光二极管； 0069 所述制备空穴注入薄膜的制备方法为上述制备所述空穴注入薄膜的制 备方法。 0070 制备得到空穴注入层后， 本发明在所述空穴注入层表面依次蒸镀空穴传 输层、 发 光层、 电子传输层、 电子注入层和电极层， 得到有机发光二极管。 在本发明中，。

26、 蒸镀所述空 穴传输层、 发光层和电子传输层的蒸镀速率优选独 立为更优选为 蒸镀所述电 子注入层的蒸镀速率优选 独立为更优选为 蒸镀所述电极层的蒸镀速率优选独 立为更优选为在本 发明中， 所述蒸镀优选在真空条 件下进行； 所述真空的真空度优选10-4Pa。 0071 本发明对所述蒸镀的具体过程没有任何特殊的限定， 采用本领域技术人 员熟知 的蒸镀过程进行蒸镀即可。 0072 下面结合实施例对本发明提供的空穴注入薄膜及其制备方法和有机发 光二极管 及其制备方法进行详细的说明， 但是不能把它们理解为对本发明保 护范围的限定。 0073 实施例1 0074 将0.5mL体积浓度为50的氨水和0.5m。

27、LPEDOT:PSS混合， 得到第一 混合液； 0075 在搅拌的条件下， 将所述第一混合液和10mg硫氰酸铜混合， 得到第二 混合液； 0076 将150nm厚的ITO基板利用紫外光照处理15min后， 得到预处理后的 ITO基板； 0077 在充满氮气的手套箱中， 将所述第二混合液旋涂(转速为3000rpm， 时 间为30s)至 所述预处理后的ITO基板表面后， 在120的条件下热处理15min， 冷却， 得到空穴注入层 (40nm)； 0078以的蒸镀速率在所述空穴注入层表面依次蒸镀空穴传输层： TCTA层 (10nm)， 发光层： CBP： 8Ir(ppy)3层(20nm)， 电子传输。

28、层： TPBi 层(35nm)； 以的蒸 镀速率在TPBi层表面蒸镀电子注入层： Liq层 (1nm)； 以的蒸镀速率在Liq层表面 蒸镀电极层： Al层(100nm)， 得到有机发光二极管， 记为H10。 0079 实施例2 0080 将0.5mL体积浓度为50的氨水和0.5mLPEDOT:PSS混合， 得到第一 混合液； 0081 在搅拌的条件下， 将所述第一混合液和20mg硫氰酸铜混合， 得到第二 混合液； 0082 将150nm厚的ITO基板利用紫外光照处理15min后， 得到预处理后的 ITO基板； 0083 在充满氮气的手套箱中， 将所述第二混合液旋涂(转速为3000rpm， 时 。

29、间为30s)至 所述预处理后的ITO基板表面后， 在120的条件下热处理15min， 冷却， 得到空穴注入层 (40nm)； 0084以的蒸镀速率在所述空穴注入层表面依次蒸镀空穴传输层： TCTA层 (10nm)， 发光层： CBP： 8Ir(ppy)3层(20nm)， 电子传输层： TPBi 层(35nm)； 以的蒸 镀速率在TPBi层表面蒸镀电子注入层： Liq层 (1nm)； 以的蒸镀速率在Liq层表面 蒸镀电极层： Al层(100nm)， 得到有机发光二极管， 记为H20。 说明书 5/7 页 7 CN 110190199 A 7 0085 实施例3 0086 将0.5mL体积浓度为5。

30、0的氨水和0.5mLPEDOT:PSS混合， 得到第一 混合液； 0087 在搅拌的条件下， 将所述第一混合液和30mg硫氰酸铜混合， 得到第二 混合液； 0088 将150nm厚的ITO基板利用紫外光照处理15min后， 得到预处理后的 ITO基板； 0089 在充满氮气的手套箱中， 将所述第二混合液旋涂(转速为3000rpm， 时 间为30s)至 所述预处理后的ITO基板表面后， 在120的条件下热处理15min， 冷却， 得到空穴注入层 (40nm)； 0090以的蒸镀速率在所述空穴注入层表面依次蒸镀空穴传输层： TCTA层 (10nm)， 发光层： CBP： 8Ir(ppy)3层(20。

31、nm)， 电子传输层： TPBi 层(35nm)； 以的蒸 镀速率在TPBi层表面蒸镀电子注入层： Liq层 (1nm)； 以的蒸镀速率在Liq层表面 蒸镀电极层： Al层(100nm)， 得到有机发光二极管， 记为H30。 0091 对比例1 0092 将150nm厚的ITO基板利用紫外光照处理15min后， 得到预处理后的 ITO基板； 0093 在充满氮气的手套箱中， 将0.5mLPEDOT:PSS混合， 得到第一混合液旋 涂(转速为 3000rpm， 时间为30s)至所述预处理后的ITO基板表面后， 在 120的条件下热处理15min， 冷却， 得到空穴注入层(40nm)； 0094以。

32、的蒸镀速率在所述空穴注入层表面依次蒸镀空穴传输层： TCTA层 (10nm)， 发光层： CBP： 8Ir(ppy)3层(20nm)， 电子传输层： TPBi 层(35nm)； 以的蒸 镀速率在TPBi层表面蒸镀电子注入层： Liq层 (1nm)； 以的蒸镀速率在Liq层表面 蒸镀电极层： Al层(100nm)， 得到有机发光二极管。 0095 对比例2 0096 将150nm厚的ITO基板利用紫外光照处理15min后， 得到预处理后的 ITO基板； 0097 将0.5mL体积浓度为50的氨水与30mg硫氰酸铜混合， 得到第一混合 液； 0098 在充满氮气的手套箱中， 将所述第一混合液旋涂(。

33、转速为3000rpm， 时 间为30s)至 所述预处理后的ITO基板表面后， 在120的条件下热处理15min， 冷却， 得到空穴注入层 (40nm)； 0099以的蒸镀速率在所述空穴注入层表面依次蒸镀空穴传输层： TCTA层 (10nm)， 发光层： CBP： 8Ir(ppy)3层(20nm)， 电子传输层： TPBi 层(35nm)； 以的蒸 镀速率在TPBi层表面蒸镀电子注入层： Liq层 (1nm)； 以的蒸镀速率在Liq层表面 蒸镀电极层： Al层(100nm)， 得到有机发光二极管。 0100 测试例1 0101 图1为实施例13和对比例12所述的有机发光二极管的电流密度-电 压-。

34、亮度 (J-V-L)曲线图； 图2为实施例13和对比例12所述的有机发光 二极管的电流效率-发光 亮度(CE-L)曲线图； 图3为实施例13和对比例 12所述的有机发光二极管的功率效率- 电流密度(PE-L)曲线图； 图4为实 施例13和对比例12所述的有机发光二极管在6V时的 EL光谱； 将上述 性能参数进行总结如表1所示： 0102 表1实施例13所述的有机发光二极管和对比例12所述的有机发光 二极管的 说明书 6/7 页 8 CN 110190199 A 8 性能参数 0103 0104 结合图14和表1可知， 实施例2所述的有机发光二极管相比于对比例 2所述的有 机发光二极管的起亮电压。

35、低， 其作用原理在于， CuSCN相比于 PEDOT:PSS能够为空穴注入提 供更合适的能级。 0105 图5为实施例2和对比例12所述的有机发光二极管的寿命； 由图5可 知， 器件的 亮度随时间增加而下降， 其中下降速度最快的是对比例1所述的 有机发光二极管， 在20h后 器件亮度下降到初始亮度的一半， 而亮度下降最 慢的是对比例2所述的有机发光二极管， 经过28h后器件亮度下降到初始亮 度的一半， 而H20的寿命虽然较对比例1明显变长， 但仍 不如对比例2， 经 过23h器件亮度下降到初始亮度的一半。 0106 由以上实施例可知， 本发明提供的空穴注入薄膜采用CuSCN和 PEDOT:PS。

36、S的混合 结构可以使所述空穴注入薄膜的能级在-5.1-5.5eV的范 围内可调， 进而使载流子能够 在较为合理、 跨度较小的功函数梯度基础上有 效注入， 进而提高发光二极管的发光效率； 本发明提供的发光二极管， 根据 实施例的记载， 其最高发光效率可达56.6cdA-1， 最高流 明效率可达 55.1mW-1， 且使用寿命较PEDOT:PSS单层结够得到了改善。 0107 以上所述仅是本发明的优选实施方式， 应当指出， 对于本技术领域的普 通技术人 员来说， 在不脱离本发明原理的前提下， 还可以做出若干改进和润 饰， 这些改进和润饰也 应视为本发明的保护范围。 说明书 7/7 页 9 CN 110190199 A 9 图1 图2 说明书附图 1/3 页 10 CN 110190199 A 10 图3 图4 说明书附图 2/3 页 11 CN 110190199 A 11 图5 说明书附图 3/3 页 12 CN 110190199 A 12 。