在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910010353.2 (22)申请日 2019.01.07 (71)申请人 聚灿光电科技 （宿迁） 有限公司 地址 223800 江苏省宿迁市宿迁经济技术 开发区东吴路南侧 (72)发明人 王帅程叶杨猛王利明 凌华山 (51)Int.Cl. H01L 33/00(2010.01) H01L 33/46(2010.01) (54)发明名称 一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光 效的方法 (57)摘要 本发明涉及LED技术领域， 具体涉及一种在 金属电极侧向包覆高反射膜提高光。

2、效的方法， 该 方法的工艺流程包括MSA、 CBL、 TCL、 PAD、 NDBR、 PSV， 具体步骤为1） MSA： 在GAN上定义出LED芯片 图形大小； 2） CBL： 沉积一层SiO2电流阻挡层； 3） TCL： 再沉积一层导电层； 4） PAD： 在镀上金属电极 用于导电作业； 5） NDBR： 在金属电极侧面镀上一 层高反射DBR层； 6） PSV： 最后镀上一层SiO2， 作为 芯片保护层， 本发明打破常规思路， 通过在金属 电极侧面镀上一层高反射DBR层， 增加了侧向光 于金属电极上的反射， 进而实现光效的最大化； 且本发明的制备工艺简单， 满足了LED芯片的制 作要求， 可。

3、在实际的工业生产中进行推广应用。 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 CN 111416023 A 2020.07.14 CN 111416023 A 1.一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法， 其特征在于， 该方法的工艺流 程包括MSA、 CBL、 TCL、 PAD、 NDBR、 PSV， 具体步骤如下： 1） MSA： 在GAN上定义出LED芯片图形大小； 2） CBL： 沉积一层SiO2电流阻挡层； 3） TCL： 再沉积一层导电层； 4） PAD： 在镀上金属电极用于导电作业； 5） NDBR： 在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层； 6） PSV： 最后镀上一层SiO2， 。

4、作为芯片保护层。 2.如权利要求1所述的一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法， 其特征在 于： 步骤5） 中所述高反射DBR层由SiO2与Ti3O5交替镀膜而成， 且所述高反射DBR层的厚度为 3.0-6.0um。 3.如权利要求2所述的一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法， 其特征在 于： 所述高反射DBR层的厚度为3.5um。 4.如权利要求2或3所述的一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法， 其特征 在于： 所述高反射DBR层中SiO2与Ti3O5的厚度比为1： 1。 5.如权利要求1所述的一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法， 其特征在 于： 步骤4） 中。

5、所述金属电极选用金电极、 银电极或铜电极中的任意一种。 6.如权利要求1所述的一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法， 其特征在 于： 步骤3） 中所述导电层为铟锡氧化物沉积层。 权利要求书 1/1 页 2 CN 111416023 A 2 一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法 技术领域 0001 本发明涉及LED技术领域， 具体涉及一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效 的方法。 背景技术 0002 目前第三代光源LED以其具体节能环保的优越性已逐步取代传统光源。 LED光源的 发光核心在于芯片的制作以及光效的提取。 目前业内LED芯片制作主要为正装结构芯片， 即 利用一系列透。

6、过、 反射等原理将外延GAN发出的光最大限度的从芯片正面发出来， 减小芯片 背面以及侧壁等方面对光造成的吸收， 从而实现光效最大化。 0003 目前芯片中游芯片端未将外延出光效益达到100%， 其中一部分被金属电极遮挡， 虽然金属电极下会有一定厚度的Al层， 金属电极的厚度相对也会遮光。 发明内容 0004 针对现有技术的不足， 本发明提供了一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效 的方法， 通过在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层， 增加侧向光于金属电极上的反射， 达 到亮度最大化效益。 0005 为实现以上目的， 本发明通过以下技术方案予以实现： 一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法。

7、， 该方法的工艺流程包括MSA、 CBL、 TCL、 PAD、 NDBR、 PSV， 具体步骤如下： 1） MSA： 在GAN上定义出LED芯片图形大小； 2） CBL： 沉积一层SiO2电流阻挡层； 3） TCL： 再沉积一层导电层； 4） PAD： 在镀上金属电极用于导电作业； 5） NDBR： 在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层； 6） PSV： 最后镀上一层SiO2， 作为芯片保护层。 0006 优选地， 步骤5） 中所述高反射DBR层由SiO2与Ti3O5交替镀膜而成， 且所述高反射 DBR层的厚度为3.0-6.0um。 0007 优选地， 所述高反射DBR层的厚度为3.5um。 。

8、0008 优选地， 所述高反射DBR层中SiO2与Ti3O5的厚度比为1： 1。 0009 优选地， 步骤4） 中所述金属电极选用金电极、 银电极或铜电极中的任意一种。 0010 优选地， 步骤3） 中所述导电层为铟锡氧化物沉积层。 0011 有益效果： 本发明打破常规思路， 通过在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层， 增加了侧向光于金 属电极上的反射， 进而实现光效的最大化； 且本发明的制备工艺简单， 满足了LED芯片的制 作要求， 可在实际的工业生产中进行推广应用。 说明书 1/4 页 3 CN 111416023 A 3 附图说明 0012 图1为本发明技术方案制备的LED芯片的结构示意。

9、图； 图2为现有技术方案制备的LED芯片的结构示意图； 图3为不同条件下采用本发明技术方案与现有技术方案制得的LED芯片的亮度对比图； 图4为不同条件下采用本发明技术方案与现有技术方案制得的LED芯片的电压对比图。 0013 附图1与2中标记如下： 1、 P-PAD， 2、 PSV， 3、 TCL， 4、 CBL， 5、 P-GAN， 6、 MQW， 7、 N-GAN， 8、 基板， 9、 压板， 10、 DBR， 11、 高反射DBR层。 具体实施方式 0014 为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本发明的实施 例， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完整地描述。

10、， 显然， 所描述的实施例是本发明 一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有 作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。 0015 实施例1： 一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法， 其特征在于， 该方法的工艺流程 包括MSA、 CBL、 TCL、 PAD、 NDBR、 PSV， 具体步骤如下： 1） MSA： 在GAN上定义出LED芯片图形大小； 2） CBL： 沉积一层SiO2电流阻挡层； 3） TCL： 再沉积一层导电层； 4） PAD： 在镀上金属电极用于导电作业； 5） NDBR： 在金属电极侧面镀上一。

11、层高反射DBR层； 6） PSV： 最后镀上一层SiO2， 作为芯片保护层。 0016 步骤5） 中高反射DBR层由SiO2与Ti3O5交替镀膜而成， 且所述高反射DBR层的厚度为 3.5um。 0017 高反射DBR层中SiO2与Ti3O5的厚度比为1： 1。 0018 步骤4） 中金属电极选用金电极、 银电极或铜电极中的任意一种。 0019 步骤3） 中导电层为铟锡氧化物沉积层。 0020 实施例2： 一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法， 其特征在于， 该方法的工艺流程 包括MSA、 CBL、 TCL、 PAD、 NDBR、 PSV， 具体步骤如下： 1） MSA： 在GAN上定。

12、义出LED芯片图形大小； 2） CBL： 沉积一层SiO2电流阻挡层； 3） TCL： 再沉积一层导电层； 4） PAD： 在镀上金属电极用于导电作业； 5） NDBR： 在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层； 6） PSV： 最后镀上一层SiO2， 作为芯片保护层。 0021 步骤5） 中高反射DBR层由SiO2与Ti3O5交替镀膜而成， 且所述高反射DBR层的厚度为 6.0um。 0022 高反射DBR层中SiO2与Ti3O5的厚度比为1： 1。 说明书 2/4 页 4 CN 111416023 A 4 0023 步骤4） 中金属电极选用金电极、 银电极或铜电极中的任意一种。 0024 步。

13、骤3） 中导电层为铟锡氧化物沉积层。 0025 实施例3： 一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法， 其特征在于， 该方法的工艺流程 包括MSA、 CBL、 TCL、 PAD、 NDBR、 PSV， 具体步骤如下： 1） MSA： 在GAN上定义出LED芯片图形大小； 2） CBL： 沉积一层SiO2电流阻挡层； 3） TCL： 再沉积一层导电层； 4） PAD： 在镀上金属电极用于导电作业； 5） NDBR： 在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层； 6） PSV： 最后镀上一层SiO2， 作为芯片保护层。 0026 步骤5） 中高反射DBR层由SiO2与Ti3O5交替镀膜而成， 且所述。

14、高反射DBR层的厚度为 3.0um。 0027 高反射DBR层中SiO2与Ti3O5的厚度比为1： 1。 0028 步骤4） 中金属电极选用金电极、 银电极或铜电极中的任意一种。 0029 步骤3） 中导电层为铟锡氧化物沉积层。 0030 实施例4： 一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法， 其特征在于， 该方法的工艺流程 包括MSA、 CBL、 TCL、 PAD、 NDBR、 PSV， 具体步骤如下： 1） MSA： 在GAN上定义出LED芯片图形大小； 2） CBL： 沉积一层SiO2电流阻挡层； 3） TCL： 再沉积一层导电层； 4） PAD： 在镀上金属电极用于导电作业； 5）。

15、 NDBR： 在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层； 6） PSV： 最后镀上一层SiO2， 作为芯片保护层。 0031 步骤5） 中高反射DBR层由SiO2与Ti3O5交替镀膜而成， 且所述高反射DBR层的厚度为 5.0um。 0032 高反射DBR层中SiO2与Ti3O5的厚度比为1： 1。 0033 步骤4） 中金属电极选用金电极、 银电极或铜电极中的任意一种。 0034 步骤3） 中导电层为铟锡氧化物沉积层。 0035 性能测试 在K070491条件下， 使用实施例1中技术方案制得的LED芯片记为K070491_06GV， 使用现 有技术方案制得的LED芯片记为K070491_08GV。

16、。 0036 在K220276条件下， 使用实施例2中技术方案制得的LED芯片分别记为K220276_ 29ZV、 K220276_31ZV， 使用现有技术方案制得的LED芯片记分别为K220276_24ZV、 K220276_ 30ZV。 0037 在K390106条件下， 使用实施例3中技术方案制得的LED芯片记为K390106_02GA， 使 用现有技术方案制得的LED芯片记为K220276_01GA。 0038 在K400099条件下， 使用实施例3中技术方案制得的LED芯片记为K400099_26GA， 使 说明书 3/4 页 5 CN 111416023 A 5 用现有技术方案制得。

17、的LED芯片记为K400099_24GA。 0039 分别对上述制得的LED芯片进行电压与亮度检测， 检测结果如图3与图4。 0040 其中 “POR” 为现有技术方案 （现有技术方案的工艺流程为： MSACBLTCLPAD PSV） ；“实验” 为本发明技术方案。 0041 不同条件下， 使用本发明技术方案制得的LED芯片与使用现有技术方案制得的LED 芯片测得的电压与亮度的平均值如下表： 测试结果显示： 通过本技术方案进行芯片制作后， 测试VF无差异， 亮度比现有技术平均 偏高约1.2%以上。 0042 以上实施例仅用以说明本发明的技术方案， 而非对其限制； 尽管参照前述实施例 对本发明进行了详细的说明， 本领域的普通技术人员应当理解： 其依然可以对前述各实施 例所记载的技术方案进行修改， 或者对其中部分技术特征进行等同替换； 而这些修改或者 替换， 并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。 说明书 4/4 页 6 CN 111416023 A 6 图1 图2 说明书附图 1/2 页 7 CN 111416023 A 7 图3 图4 说明书附图 2/2 页 8 CN 111416023 A 8 。