封装结构及其制造方法与电子装置.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910162917.4 (22)申请日 2019.03.05 (71)申请人 启耀光电股份有限公司 地址 中国台湾台南市新市区丰华里堤塘港 路5号 (72)发明人 李晋棠 (74)专利代理机构 北京纪凯知识产权代理有限 公司 11245 代理人 徐东升赵蓉民 (51)Int.Cl. H01L 33/60(2010.01) H01L 33/58(2010.01) (54)发明名称 封装结构及其制造方法与电子装置 (57)摘要 本发明公开一种封装结构及其制造方法与 电子装置。 。

2、制造方法包括： 制备母基板， 母基板具 有导线层， 导线层包含多个图案化线路； 形成多 个视觉单元于母基板上， 各视觉单元的亮区设置 有光电元件， 光电元件与图案化线路的至少其中 之一呈对应设置且电性连接， 并使暗区沿亮区周 围定义； 设置多个封装件于母基板上， 各封装件 完全覆盖各亮区， 且部分覆盖对应的图案化线 路， 使各封装件内部的平均反射率大于其外部的 平均反射率； 以及， 沿各视觉单元周围进行切割。 权利要求书3页 说明书8页 附图14页 CN 111668361 A 2020.09.15 CN 111668361 A 1.一种封装结构的制造方法， 包括： 制备母基板， 其中所述母基。

3、板具有导线层， 所述导线层包含多个图案化线路； 形成多个视觉单元于所述母基板上， 其中各个所述视觉单元具有亮区与暗区， 所述亮 区设置有光电元件， 所述光电元件与所述图案化线路的至少其中之一呈对应设置且电性连 接， 并使所述暗区沿所述亮区周围定义； 设置多个封装件于所述母基板上， 其中各个所述封装件完全覆盖各个所述视觉单元的 所述亮区， 且部分覆盖对应的所述图案化线路， 使各个所述封装件内部的平均反射率大于 其外部的平均反射率； 以及 沿各个所述视觉单元周围对所述母基板进行切割。 2.如权利要求1所述的制造方法， 其中， 在形成多个视觉单元于所述母基板的步骤中还 包括： 形成多个光反射层于所述。

4、母基板上， 其中各个所述光反射层位于所述导线层之上或 下， 且使各个所述光反射层的至少一部分定义出各个所述视觉单元的所述亮区。 3.如权利要求1所述的制造方法， 其中， 在形成多个视觉单元于所述母基板的步骤中还 包括： 形成多个光吸收层于所述母基板上， 其中各个所述光吸收层沿各个所述视觉单元的所 述亮区周围设置， 且使各个所述光吸收层定义出各个所述视觉单元的所述暗区。 4.如权利要求1所述的制造方法， 其中， 在制备母基板的步骤中， 所述母基板为光反射 板或光吸收板。 5.如权利要求2所述的制造方法， 其中， 在形成多个光反射层于所述母基板的步骤中， 使所述导线层位于所述光反射层与所述母基板之。

5、间。 6.如权利要求2所述的制造方法， 其中， 在形成多个视觉单元于所述母基板的步骤中还 包括： 形成多个光吸收层于所述母基板上， 各个所述光吸收层沿各个所述视觉单元的所述亮 区周围设置， 且使各个所述光吸收层定义出各个所述视觉单元的所述暗区； 其中， 在形成多个光反射层于所述母基板的步骤中， 使所述导线层位于所述光反射层 与所述母基板之间、 或使所述光反射层位于所述导线层与所述母基板之间。 7.如权利要求1所述的制造方法， 其中， 在沿各个所述视觉单元周围对所述母基板进行 切割的步骤之前， 还包括： 形成多个第一电性连接垫于所述母基板上， 使各个所述视觉单元周围设置有至少一个 所述第一电性连。

6、接垫， 且所述第一电性连接垫对应所述导线层的所述图案化线路； 以及 形成多个第二电性连接垫于所述母基板的所述导线层上， 使各个所述视觉单元的所述 光电元件分别通过各个所述第二电性连接垫电性连接所述导线层。 8.如权利要求1所述的制造方法， 其中， 在沿各个所述视觉单元周围对所述母基板进行 切割的步骤之前， 还包括： 形成多个通孔于所述母基板上， 且使所述通孔对应所述导线层的所述图案化线路； 以 及 设置导电件于各个所述通孔， 且电性连接至对应的所述图案化线路， 其中所述导电件 通过各个所述图案化线路电性连接至各个所述视觉单元的所述光电元件。 权利要求书 1/3 页 2 CN 111668361。

7、 A 2 9.如权利要求1所述的制造方法， 其中， 在设置多个封装件于所述母基板的步骤中， 各 个所述封装件在所对应的各个所述视觉单元内进一步覆盖至所述暗区。 10.一种封装结构， 包括： 基板； 导线层， 设置于所述基板上， 所述导线层包含多个图案化线路； 视觉单元， 设置于所述基板上， 其中所述视觉单元具有亮区与沿所述亮区周围定义的 暗区， 所述亮区设置有光电元件， 所述光电元件与所述图案化线路的至少其中之一呈对应 设置且电性连接； 以及 封装件， 设置于所述基板上， 其中所述封装件完全覆盖所述视觉单元的所述亮区， 且部 分覆盖对应的所述图案化线路， 且所述封装件内部的平均反射率大于其外部。

8、的平均反射 率。 11.如权利要求10所述的封装结构， 其中所述基板为软板。 12.如权利要求10所述的封装结构， 其中所述基板为光吸收板或光反射板。 13.如权利要求10所述的封装结构， 还包括： 光反射层， 设置于所述基板上， 所述光反射层位于所述导线层之上或之下， 所述光反射 层的至少一部分定义为所述视觉单元的所述亮区。 14.如权利要求10所述的封装结构， 还包括： 光吸收层， 设置于所述基板上， 其中所述光吸收层沿所述视觉单元的所述亮区周围设 置， 且所述光吸收层定义为所述视觉单元的所述暗区。 15.如权利要求13所述的封装结构， 还包括： 光吸收层， 设置于所述基板或所述光反射层上。

9、， 其中所述光吸收层沿所述视觉单元的 所述亮区周围设置， 且所述光吸收层定义为所述视觉单元的所述暗区。 16.如权利要求13所述的封装结构， 其中所述导线层位于所述光反射层与所述基板之 间。 17.如权利要求15所述的封装结构， 其中所述导线层位于所述光反射层与所述基板之 间、 或所述光反射层位于所述导线层与所述基板之间。 18.如权利要求10所述的封装结构， 还包括： 多个第一电性连接垫， 设置于所述基板上， 其中各个所述第一电性连接垫设置于所述 视觉单元周围， 且对应所述导线层的所述图案化线路； 以及 多个第二电性连接垫， 设置于所述基板上， 其中各个所述第二电性连接垫设置于所述 导线层上。

10、， 且所述视觉单元的所述光电元件分别通过各个所述第二电性连接垫电性连接所 述导线层。 19.如权利要求10所述的封装结构， 还包括： 多个通孔， 设置于所述基板， 且所述通孔对应所述导线层的所述图案化线路； 以及 导电件， 设置于各个所述通孔， 且电性连接至对应的所述图案化线路， 其中所述导电件 通过对应的所述图案化线路电性连接至所述视觉单元的所述光电元件。 20.一种电子装置， 包括： 驱动电路板， 包含导电层； 多个如权利要求10至19中任一项所述的封装结构， 设置于所述驱动电路板上； 以及 权利要求书 2/3 页 3 CN 111668361 A 3 多个导电材料， 设置于所述导电层上；。

11、 其中， 各个所述封装结构的所述光电元件通过所述图案化线路、 所述导电材料电性连 接至所述驱动电路板的所述导电层。 权利要求书 3/3 页 4 CN 111668361 A 4 封装结构及其制造方法与电子装置 技术领域 0001 本发明涉及一种封装结构及其制造方法与电子装置， 特别涉及一种具有高对比度 特点的封装结构及其制造方法与电子装置。 背景技术 0002 发光二极管是由半导体材料所制成的发光元件， 元件具有两个电极端子， 在端子 间施加电压， 通入极小的电压， 经由电子空穴的结合， 则可将剩余能量以光的形式激发释 出。 不同于一般白炽灯泡， 发光二极管属于冷发光， 具有耗电量低、 元件寿。

12、命长、 无须暖灯时 间、 反应速度快等优点； 再加上其体积小、 耐震动、 适合量产， 容易配合应用上的需求而制成 极小或阵列式的模块， 故可广泛应用于照明设备、 信息、 通讯、 消费性电子产品的指示器、 显 示设备的背光模块上及显示器本身， 俨然成为日常生活中不可或缺的重要元件之一。 发明内容 0003 本发明的目的是提供一种具有高对比度特点的封装结构及其制造方法与电子装 置。 0004 为达上述目的， 依据本发明的一种封装结构的制造方法包括： 制备母基板， 其中母 基板具有导线层， 导线层包含多个图案化线路； 形成多个视觉单元于母基板上， 其中各视觉 单元具有亮区与暗区， 亮区设置有光电元件。

13、， 光电元件与这些图案化线路的至少其中之一 呈对应设置且电性连接， 并使暗区沿亮区周围定义； 设置多个封装件于母基板上， 其中各封 装件完全覆盖各视觉单元的亮区， 且部分覆盖对应的图案化线路， 使各封装件内部的平均 反射率大于其外部的平均反射率； 以及沿各视觉单元周围对母基板进行切割。 0005 在一个实施例中， 在形成多个视觉单元于母基板的步骤中， 还包括： 形成多个光反 射层于母基板上， 其中各光反射层位于导线层之上或之下， 且使各光反射层的至少一部分 定义出各视觉单元的亮区。 0006 在一个实施例中， 在形成多个视觉单元于母基板的步骤中， 还包括： 形成多个光吸 收层于母基板上， 其中。

14、各光吸收层沿各视觉单元的亮区周围设置， 且使各光吸收层定义出 各视觉单元的暗区。 0007 在一个实施例中， 在制备母基板的步骤中， 母基板为光反射板或光吸收板。 0008 在一个实施例中， 在形成多个光反射层于母基板的步骤中， 使导线层位于光反射 层与母基板之间。 0009 在一个实施例中， 在形成多个视觉单元于母基板的步骤中， 还包括： 形成多个光吸 收层于母基板上， 各光吸收层沿各视觉单元的亮区周围设置， 且使各光吸收层定义出各视 觉单元的暗区； 在形成多个光反射层于母基板的步骤中， 使导线层位于光反射层与母基板 之间、 或使光反射层位于导线层与母基板之间。 0010 在一个实施例中， 。

15、在沿各视觉单元周围对母基板进行切割的步骤之前， 还包括： 形 成多个第一电性连接垫于母基板上， 使各视觉单元周围设置有至少一个所述第一电性连接 说明书 1/8 页 5 CN 111668361 A 5 垫， 且这些第一电性连接垫对应导线层的所述图案化线路； 以及形成多个第二电性连接垫 于母基板的导线层上， 使各视觉单元的光电元件分别通过各第二电性连接垫电性连接导线 层。 0011 在一个实施例中， 在沿各视觉单元周围对母基板进行切割的步骤之前， 还包括： 形 成多个通孔于母基板上， 且使这些通孔对应导线层的所述图案化线路； 以及设置导电件于 各通孔， 且电性连接至对应的图案化线路， 其中导电件。

16、通过各图案化线路电性连接至各视 觉单元的光电元件。 0012 在一个实施例中， 在设置多个封装件于母基板的步骤中， 各封装件在所对应的各 视觉单元内进一步覆盖至暗区。 0013 为达上述目的， 依据本发明的一种封装结构包括基板、 导线层、 视觉单元以及封装 件。 导线层设置于基板上， 导线层包含多个图案化线路。 视觉单元设置于基板上， 其中视觉 单元具有亮区与沿亮区周围定义的暗区， 亮区设置有光电元件， 光电元件与这些图案化线 路的至少其中之一呈对应设置且电性连接。 封装件设置于基板上， 其中封装件完全覆盖视 觉单元的亮区， 且部分覆盖对应的图案化线路， 且封装件内部的平均反射率大于其外部的 。

17、平均反射率。 0014 在一个实施例中， 基板为软板。 0015 在一个实施例中， 基板为光吸收板或光反射板。 0016 在一个实施例中， 封装结构还包括光反射层， 其设置于基板上， 光反射层位于导线 层之上或之下， 光反射层的至少一部分定义为视觉单元的亮区。 0017 在一个实施例中， 封装结构还包括光吸收层， 其设置于基板上， 其中光吸收层沿视 觉单元的亮区周围设置， 且光吸收层定义为视觉单元的暗区。 0018 在一个实施例中， 封装结构还包括光吸收层， 其设置于基板或光反射层上， 其中光 吸收层沿视觉单元的亮区周围设置， 且光吸收层定义为视觉单元的暗区。 0019 在一个实施例中， 导线。

18、层位于光反射层与基板之间。 0020 在一个实施例中， 导线层位于光反射层与基板之间、 或光反射层位于导线层与基 板之间。 0021 在一个实施例中， 封装结构还包括多个第一电性连接垫及多个第二电性连接垫， 多个第一电性连接垫设置于基板上， 其中各第一电性连接垫设于视觉单元周围， 且对应导 线层的所述图案化线路； 多个第二电性连接垫设置于基板上， 其中各第二电性连接垫设于 导线层上， 且通过导线层所对应的各图案化线路电性连接至各视觉单元的光电元件。 0022 在一个实施例中， 封装结构还包括多个通孔及导电件。 多个通孔设置于基板， 且这 些通孔对应导线层的所述图案化线路； 导电件设置于各通孔，。

19、 且电性连接至对应的图案化 线路， 其中导电件通过对应的图案化线路电性连接至视觉单元的光电元件。 0023 为达上述目的， 依据本发明的一种电子装置包括驱动电路板、 多个前述的封装结 构的其中之一， 以及多个导电材料。 驱动电路板包含导电层； 多个封装结构设置于驱动电路 板上； 多个导电材料设置于导电层上。 其中， 各封装结构的光电元件通过这些图案化线路、 这些导电材料电性连接至驱动电路板的导电层。 0024 承上所述， 在本发明的封装结构及其制造方法与电子装置中， 通过视觉单元具有 光电元件的亮区与沿亮区周围定义的暗区的结构设计， 使得封装件完全覆盖在视觉单元的 说明书 2/8 页 6 CN。

20、 111668361 A 6 亮区时， 封装件内部的平均反射率可大于其外部的平均反射率， 由此， 可使封装结构与电子 装置具有高对比度的特点而可提升产品竞争力。 附图说明 0025 图1为本发明优选实施例的一种封装结构的制造方法的流程示意图。 0026 图2A至图2H分别为本发明的一个实施例的封装结构的制造过程示意图。 0027 图3A、 图4A、 图5A与图6A分别为本发明不同实施例的封装结构的俯视示意图。 0028 图3B为图3A的封装结构沿3B-3B剖面线的剖视示意图。 0029 图4B为图4A的封装结构沿4B-4B剖面线的剖视示意图。 0030 图5B为图5A的封装结构沿5B-5B剖面。

21、线的剖视示意图。 0031 图6B为图6A的封装结构沿6B-6B剖面线的剖视示意图。 0032 图7为本发明的一个实施例的电子装置的示意图。 具体实施方式 0033 以下将参照相关附图， 说明依据本发明优选实施例的封装结构及其制造方法与电 子装置， 其中相同的元件将以相同的附图标记加以说明。 0034 图1为本发明优选实施例的一种封装结构制造方法的流程示意图。 0035 如图1所示， 封装结构的制造方法可包括： 制备母基板， 其中该母基板具有导线层， 该导线层包含多个图案化线路(步骤S01)； 形成多个视觉单元于该母基板上， 其中各视觉单 元具有亮区与暗区， 该亮区设置有光电元件， 该光电元件。

22、与这些图案化线路的至少其中之 一呈对应设置且电性连接， 并使该暗区沿该亮区周围定义(步骤S02)； 设置多个封装件于该 母基板上， 其中各封装件完全覆盖各视觉单元的该亮区， 且部分覆盖对应的图案化线路， 使 各封装件内部的平均反射率大于其外部的平均反射率(步骤S03)； 以及， 沿各视觉单元周围 对该母基板进行切割(步骤S04)。 其中， 母基板可包含硬性基材或软性基材。 在一些实施例 中， 若母基板包含软性基材， 为了使后续的线路或元件可通过后续工艺顺利地形成在软性 基材上， 并方便对于此软性基材操作， 需先将软性基材形成于刚性载板上， 并且， 在之后的 步骤中再移除此刚性载板即可。 不过，。

23、 若母基板包含硬性基材的话， 则不需要此工艺。 0036 请参照图1并配合图2A至图2H， 以详细说明上述的每个步骤。 其中， 图2A至图2H分 别为本发明的一个实施例的封装结构1的制造过程示意图。 0037 首先， 先制备母基板11(步骤S01)。 其中， 母基板11可包含绝缘基材， 绝缘基材的材 质可为玻璃、 树脂、 金属或陶瓷、 或是复合材质。 树脂材质具有可挠性， 并可包含有机高分子 材料， 有机高分子材料的玻璃转换温度(Glass Transition Temperature,Tg)例如可介于 摄氏250度至摄氏600度之间， 优选的温度范围例如可介于摄氏300度至摄氏500度之间。。

24、 通 过如此高的玻璃转换温度， 可在后续进行的工艺中直接在软性基材上形成元件或线路。 在 此， 有机高分子材料可为热塑性材料， 例如为聚酰亚胺(PI)、 聚乙烯(Polyethylene,PE)、 聚 氯乙烯(Polyvinylchloride,PVC)、 聚苯乙烯(PS)、 压克力(丙烯， acrylic)、 氟化聚合物 (Fluoropolymer)、 聚酯纤维(polyester)或尼龙(nylon)。 0038 如图2A所示， 本实施例的母基板11包含有软性的基板111(材料例如为PI)， 并例如 以胶合或涂布方式设置于刚性载板10上。 另外， 如图2B所示， 母基板11还具有导线层(。

25、未标 说明书 3/8 页 7 CN 111668361 A 7 示)， 导线层可包含多个图案化线路112。 图2B显示的图案化线路112的数量为四个。 图案化 线路112可为薄膜工艺制作的薄膜导电线路， 薄膜工艺可为半导体工艺， 并可为低温多晶硅 (LTPS)工艺、 非晶硅( -Si)工艺或金属氧化物(如IGZO)半导体工艺； 或者， 图案化线路112 也可以是铜箔或其他导电材料所形成的导电线路， 本发明并不限制。 在一些实施例中， 若后 续要拼接成有源矩阵式电子装置时， 还可在基板111上形成薄膜元件、 导电线路或膜层， 例 如形成薄膜晶体管、 薄膜电阻、 电容、 导电层、 金属层、 绝缘层。

26、、 扫描信号与数据信号的传输 线路等等。 0039 接着， 在沿各视觉单元周围对母基板进行切割的步骤S04之前， 如图2B所示， 本实 施例的制造方法还可包括： 形成多个第一电性连接垫16于母基板11上， 其中， 这些第一电性 连接垫16对应导线层的这些图案化线路112。 第一电性连接垫16的材料例如但不限于为铜、 银或金， 或其组合， 或其他适合的导电材料。 在此， 可利用例如印刷工艺或其他适合的方式 制作第一电性连接垫16。 本实施例的这些第一电性连接垫16分别形成于这些图案化线路 112上(都为四个)， 而且是直接接触且彼此电性连接。 0040 另外， 在形成多个视觉单元于母基板的步骤S。

27、02之前， 如图2C所示， 本实施例的制 造方法还可包括： 直接或间接形成多个光反射层12于母基板11上。 在此， 光反射层12例如但 不限于为白色光阻， 并可利用例如涂布或印刷或其他适当的方式， 将光反射层12形成于母 基板11或图案化线路112上、 或如本实施例同时形成于图案化线路112与基板111的适当位 置上。 其中， 光反射层12可将射向基板111的光线再反射向上射出， 以提高出光效率与对比 度。 值得提醒的是， 形成多个光反射层12的步骤可在形成导线层的工艺之后进行， 使各光反 射层12可位于导线层(图案化线路112)之上(如本实施例的图2C)； 或者， 也可在形成导线层 的工艺之。

28、前进行， 使光反射层12可位于导线层(图案化线路112)之下(未图示)， 本发明并不 限制。 0041 此外， 在形成多个视觉单元于母基板的步骤S02之前， 如图2D所示， 本实施例的制 造方法还可包括： 直接或间接形成多个光吸收层15于母基板11上。 在此， 光吸收层15例如但 不限于为黑色光阻， 并可利用例如涂布或印刷， 或其他适当的方式形成。 本实施例是将光吸 收层15形成于光反射层12上， 并位于第一电性连接垫16的旁边。 在不同的实施例中， 形成多 个光吸收层15或多个第一电性连接垫16于母基板11上的工艺也可在形成多个视觉单元于 母基板的步骤S02之前或之后， 本发明不限制。 00。

29、42 之后， 如图2E所示， 再进行步骤S02： 形成多个视觉单元13于母基板11上， 其中， 各 视觉单元13定义有亮区LA与暗区DA， 在亮区LA直接或间接设置有至少一个光电元件131于 母基板11上， 光电元件131与这些图案化线路112的至少其中之一呈对应设置且电性连接， 并使暗区DA沿亮区LA周围定义。 顾名思义， 暗区DA就是至少涵盖有光吸收层15的区域， 以通 过光吸收层15吸收光线而呈现暗区， 而亮区LA就是设置有光电元件131与光反射层12的区 域， 以通过光电元件131发出光线， 或通过光反射层12反射光线而呈现亮区， 由此可提高对 比性。 在一些实施例， 视觉单元13可包。

30、含例如但不限于三个光电元件131以构成三个次像 素。 0043 在本实施例中， 光电元件131可为覆晶(flip chip)型式的光电元件， 例如但不限 于LED(发光二极管)、 Mini LED或Micro LED， 并可包含至少一个电极。 本实施例的光电元件 131是以包含两个电极(未图示)为例。 另外， 为了与光电元件131的电极电性连接， 在形成多 说明书 4/8 页 8 CN 111668361 A 8 个视觉单元13于母基板11上的步骤S02之前， 本实施例的制造方法还可包括： 形成多个第二 电性连接垫17于母基板11的导线层(图案化线路112)上， 使各视觉单元13的光电元件13。

31、1可 分别通过各第二电性连接垫17电性连接导线层(图案化线路112)。 在此， 第二电性连接垫17 的材料例如但不限于为铜、 银或金， 或其组合， 或其他适合的导电材料。 其中， 可利用例如印 刷工艺或其他适合的方式制作多个第二电性连接垫17， 使得各光电元件131可分别通过两 个第二电性连接垫17与对应的图案化线路112电性连接。 在一些实施例中， 例如可通过加热 方式熔化材料为锡球或金凸块(Au bump)等导电材料， 或者利用铜胶、 银胶、 或各向异性导 电胶(ACP)等材料， 使光电元件131的两电极可分别与第二电性连接垫17电性连接。 在不同 的实施例中， 光电元件131也可以引线键。

32、合(wire bonding)而与对应的图案化线路112电性 连接， 本发明并不限制。 0044 在本实施例中， 如图2E所示， 有一部分的光反射层12是位于视觉单元13的光电元 件131之下， 以反射由光电元件131的下方且射向基板111的光线， 由此可提高出光效率。 另 外， 本实施例的各光吸收层15是沿各视觉单元13的亮区LA周围设置， 使各光吸收层15可定 义出各视觉单元13的暗区DA， 且各光反射层12的一部分可定义出各视觉单元13的亮区LA。 换言之， 在本实施例中， 没有设置有光吸收层15的区域可视为前述的亮区LA， 有设置光吸收 层15的区域可视为前述的暗区DA， 而且， 是沿。

33、着亮区LA的外围定义出暗区DA(即暗区DA包围 亮区LA)。 此外， 在前述形成多个第一电性连接垫16的工艺中， 各视觉单元13的周围设置有 至少一个第一电性连接垫16。 在此， 是以各视觉单元13的周围设置有多个(图2E显示有二 个)第一电性连接垫16为例， 使得多个第一电性连接垫16可通过对应的图案化线路112与第 二电性连接垫17与对应的光电元件131电性连接。 0045 接着， 如图2F所示， 设置多个封装件14于母基板11上， 其中， 各封装件14完全覆盖 各视觉单元13的亮区LA， 且部分覆盖对应的图案化线路112， 使各封装件14内部的平均反射 率大于其外部的平均反射率(步骤S0。

34、3)。 由于本实施例的各封装件14完全覆盖各视觉单元 13的亮区LA， 因此， 封装件14覆盖的区域可视为前述的亮区LA， 而封装件14未覆盖的区域因 包含有光吸收层15， 因此可视为前述的暗区DA。 封装件14可为单纯且透光的封装胶材经固 化后形成， 以完整覆盖在光电元件131与部分的光反射层12与图案化线路112上， 由此保护 光电元件131、 光反射层12与图案化线路112免于水气或异物的入侵而破坏其特性。 0046 在一些实施例中， 更可视设计需要， 通过封装件14调配封装结构的出光颜色。 例 如， 封装件14若为添加荧光粉的封装胶， 则可搭配光电元件131的颜色而控制封装结构的出 光。

35、颜色。 举例来说， 蓝色的光电元件131可搭配能被蓝光激发的黄色荧光粉， 以形成白光。 此 外， 本实施例的封装件14的侧边位于光吸收层15与光电元件131之间， 封装件14并没有覆盖 光吸收层15。 但是， 在不同的实施例中， 各封装件14在所对应的视觉单元13内可进一步覆盖 (部分)的光吸收层15， 本发明并不限制。 0047 最后， 再沿各视觉单元13周围对母基板11进行切割(步骤S04)。 在此， 是沿各视觉 单元13周围， 通常沿相邻的两个第一电性连接垫16之间进行母基板11的切割， 以得到如图 2H所示的多个封装结构1。 不过， 在进行步骤S04的切割工艺之前， 本实施例的制造方法。

36、还可 包括： 移除刚性载板10(图2G)。 当然， 在不同的实施例中， 也可在切割步骤S04之后， 再移除 刚性载板10即可， 本发明不限制。 0048 承上， 在图2H实施例的封装结构1中， 包括基板111、 导线层(未标示)、 视觉单元13 说明书 5/8 页 9 CN 111668361 A 9 以及封装件14。 基板111为软板(不同实施例可为硬板)； 导线层设置于基板111上， 且导线层 可包含有多个图案化线路112； 视觉单元13设置于基板111上， 其中， 视觉单元13具有亮区LA 与沿亮区LA周围定义的暗区DA， 亮区LA设置有光电元件131， 光电元件131与图案化线路112。

37、 对应设置且电性连接； 封装件14设置于基板111上， 其中， 封装件14完全覆盖视觉单元13的 亮区LA， 且部分覆盖对应的图案化线路112， 使得封装件14内部的平均反射率大于其外部的 平均反射率， 以形成高对比度的封装结构1。 0049 另外， 本实施例的封装结构1还可包括光反射层12与光吸收层15， 光反射层12与光 吸收层15分别设置于基板111上。 其中， 光反射层12位于图案化线路112之上， 使得导线层 (图案化线路112)位于基板111与光反射层12之间， 而光反射层12的一部分(即没有被光吸 收层15覆盖的部分)可定义为视觉单元13的亮区LA； 另外， 光吸收层15沿视觉单。

38、元13的亮区 LA周围设置， 且光吸收层15可定义为视觉单元13的暗区DA。 在此， 光吸收层15设置于光反射 层12上， 使得部分的光反射层12可位于光吸收层15与图案化线路112之间。 0050 此外， 本实施例的封装结构1还可包括多个第一电性连接垫16与多个第二电性连 接垫17， 多个第一电性连接垫16与多个第二电性连接垫17分别设置于基板111上。 其中， 第 一电性连接垫16设置于视觉单元13的周围， 且对应于图案化线路112， 并与对应的图案化线 路112直接接触且电性连接； 第二电性连接垫17设置于导线层上， 且视觉单元13的光电元件 131分别通过第二电性连接垫17电性连接导线。

39、层所对应的图案化线路112。 在此， 第一电性 连接垫16邻接光反射层12与光吸收层15， 并设置于图案化线路112上且接触图案化线路 112， 使得第一电性连接垫16可通过对应的图案化线路112、 第二电性连接垫17与光电元件 131电性连接。 0051 因此， 在本实施例的封装结构1中， 通过视觉单元13具有光电元件131的亮区LA与 沿亮区LA周围定义的暗区DA的结构设计， 使得封装件14完全覆盖在视觉单元13的亮区LA 时， 封装件14内部的平均反射率可大于其外部的平均反射率， 由此， 可使封装结构1具有高 对比度的特点而提升产品竞争力。 0052 请参照图3A至图6B， 以说明本发明。

40、不同实施例的封装结构。 其中， 图3A、 图4A、 图5A 与图6A分别为本发明不同实施例的封装结构的俯视示意图， 图3B为图3A的封装结构沿3B- 3B剖面线的剖视示意图， 图4B为图4A的封装结构沿4B-4B剖面线的剖视示意图， 图5B为图5A 的封装结构沿5B-5B剖面线的剖视示意图， 而图6B为图6A的封装结构沿6B-6B剖面线的剖视 示意图。 先说明的是， 图3B与图2H的图示内容相同。 不过， 为了方便说明， 仍将图3B标示为封 装结构1a。 0053 在图3A与图3B的实施例中， 封装结构1a的视觉单元13可例如包含三个光电元件 131， 以构成三个次像素， 三个次像素中的三个光。

41、电元件131可分别为红色、 蓝色与绿色的 LED、 Mini LED或Micro LED， 以形成全彩的像素单元， 使得多个封装结构1a(视觉单元13)可 构成全彩的LED、 Mini LED或Micro LED显示器。 图3A显示的三个光电元件131可为共阳极或 共阴极设计， 因此， 封装结构1a共有四个第一电性连接垫16， 各第一电性连接垫16分别通过 对应的图案化线路112与三个光电元件131电性连接。 0054 另外， 如图4A与图4B所示， 本实施例的封装结构1b的制造方法、 结构与前述实施例 的封装结构1(或1a)的制造方法与结构大致相同。 不同之处在于， 本实施例的封装结构1b不。

42、 具有第一电性连接垫16， 而且， 在沿各视觉单元13周围对母基板11进行切割的步骤S04之 说明书 6/8 页 10 CN 111668361 A 10 前， 本实施例的封装结构1b的制造方法还可包括： 形成多个通孔H于母基板11(基板111)上， 且使这些通孔H对应导线层的这些图案化线路112； 以及， 设置导电件18于各通孔H， 且电性 连接至对应的图案化线路112， 其中， 导电件18可通过各图案化线路112电性连接至各视觉 单元13的光电元件131。 在此， 可通过例如激光(例如雷射)照射基板111， 以形成贯通上、 下 表面的多个通孔H， 再填入导电件18于这些通孔H后， 可经由通。

43、孔H的导电件18使基板111的 上表面可电性导通至基板111的下表面， 并使导电件18可通过图案化线路112电性连接至第 二电性连接垫17与视觉单元13的光电元件131。 导电件18例如但不限于铜胶、 银胶、 锡膏或 各向异性导电胶(ACP)等材料经固化而成。 特别一提的是， 在此工艺中， 若基板111是软性材 料(例如PI)、 而且要由基板111的下表面往上照射激光而形成通孔H的话， 则需在形成通孔H 之前先将前述的刚性载板10移除， 才能进行此工艺。 0055 另外， 如图5A与图5B所示， 本实施例的封装结构1c的制造方法、 结构与前述实施例 的封装结构1(或1a)的制造方法与结构大致相。

44、同。 不同之处在于， 本实施例的封装结构1c不 具有光反射层12， 因此， 图案化线路112是位于光吸收层15与基板111 之间。 由于没有设置 光反射层12， 因此， 在制备母基板的步骤S01中， 本实施例的母基板(即基板111 )本身就是 具有高反射率的光反射板(可为软板或硬板)， 以直接反射光电元件131发出且射向基板 111 的光线， 由此提高出光效率。 在一些实施例中， 光反射板可例如为白色的PI膜， 且其反 射率可远大于光吸收层15的反射率。 0056 另外， 如图6A与图6B所示， 本实施例的封装结构1d的制造方法、 结构与前述实施例 的封装结构1(或1a)的制造方法与结构大致相。

45、同。 不同之处在于， 本实施例的封装结构1d的 光反射层12只设置在封装件14的内部， 且光吸收层15是直接设置在图案化线路112上， 并没 有设置在光反射层12上。 因此， 图案化线路112是位于光吸收层15与基板111” 之间。 另外， 在 制备母基板的步骤S01中， 本实施例的母基板(即基板111” )本身就是具有低反射率的光吸 收板(可为软板或硬板)， 以吸收光电元件131发出且射向基板111” 的光线， 由此提高对比 度。 在一些实施例中， 光吸收板可例如为黑色的PI膜， 且其反射率可远小于光反射层12的反 射率。 此外， 本实施例的封装结构1d并没有设置第一电性连接垫16， 而是使。

46、用封装结构1b的 通孔H与导电件18而使基板111” 的上、 下表面电性导通。 0057 再说明的是， 前述封装结构1c的基板111 为光反射板的设计也可应用于封装结构 1a、 1b中， 而前述封装结构1d的基板111” 为光吸收板的设计也可应用于封装结构1a、 1b中， 本发明都不限制。 0058 图7为本发明的一个实施例的电子装置的示意图。 如图7所示， 电子装置3可包括驱 动电路板2、 多个封装结构1e(图7只显示一个封装结构1e)以及多个导电材料31。 其中， 驱动 电路板2包含导电层21， 而封装结构1e设置于驱动电路板2上， 且多个导电材料31设置于导 电层21上。 在此， 导电材。

47、料31可为导电胶或导电膏， 例如但不限于包含铜胶、 银胶、 锡膏或各 向异性导电胶(ACP)等材料。 因此， 各封装结构1e的光电元件131可通过这些图案化线路 112、 这些第一电性连接垫16、 这些导电材料31电性连接至驱动电路板2的导电层21， 以通过 驱动电路板2驱动这些封装结构1e的这些光电元件131发光。 0059 封装结构1e可为前述的封装结构1、 1a1d的其中之一， 或其变化形式。 本实施例 的封装结构1e是以封装结构1的变化形式为例。 在封装结构1e中， 光反射层12是位于导线层 (图案化线路112)之下(光反射层12位于图案化线路112与基板111之间)， 使得光吸收层1。

48、5 说明书 7/8 页 11 CN 111668361 A 11 与第一电性连接垫16可直接设置在图案化线路112上， 且与图案化线路112直接接触。 另外， 本实施例的电子装置3还可包括光吸收件32， 光吸收件32设置于封装结构1e与驱动电路板2 之间， 且封装结构1e是通过黏着件33设置于光吸收件32上。 此外， 本实施例的电子装置3还 可包括另一光吸收层34， 光吸收层34设置于封装结构1e与导电材料31的周围， 并位于导电 层21上， 由此还可提高电子装置3的对比度。 0060 在一些实施例中， 多个封装结构1e可间隔设置于驱动电路板2上(可依客户端的需 求， 而排列成直行、 或横列、。

49、 或行与列的矩阵状， 或是排列成多边形或不规则状)， 且分别与 驱动电路板电性连接。 在一些实施例中， 多个封装结构1e可以组成行与列排列的矩阵状， 以 成为一个有源矩阵式(AM)电子装置， 例如但不限于为有源矩阵式LED、 Mini LED或Micro LED显示器。 0061 综上所述， 在本发明的封装结构及其制造方法与电子装置中， 通过视觉单元具有 光电元件的亮区与沿亮区周围定义的暗区的结构设计， 使得封装件完全覆盖在视觉单元的 亮区时， 封装件内部的平均反射率可大于其外部的平均反射率， 由此， 可使封装结构与电子 装置具有高对比度的特点而可提升产品竞争力。 0062 以上所述仅为举例性。

50、， 而非为限制性。 任何未脱离本发明的精神与范畴， 而对其进 行的等效修改或变更， 均应包含于随附的权利要求范围中。 说明书 8/8 页 12 CN 111668361 A 12 图1 说明书附图 1/14 页 13 CN 111668361 A 13 图2A 说明书附图 2/14 页 14 CN 111668361 A 14 图2B 说明书附图 3/14 页 15 CN 111668361 A 15 图2C 说明书附图 4/14 页 16 CN 111668361 A 16 图2D 说明书附图 5/14 页 17 CN 111668361 A 17 图2E 说明书附图 6/14 页 18 C。