硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910807485.8 (22)申请日 2019.08.29 (71)申请人 国家电投集团科学技术研究院有限 公司 地址 102209 北京市昌平区未来科技城国 家电投集团科学技术研究院有限公司 院内A座8层至11层 申请人 国家电投集团新能源科技有限公司 (72)发明人 王伟田宏波赵晓霞周永谋 宫元波宗军 (74)专利代理机构 北京清亦华知识产权代理事 务所(普通合伙) 11201 代理人 宋合成 (51)Int.Cl. H01L 31/18(2006.01) H01L 。

2、31/0224(2006.01) H01L 31/04(2014.01) (54)发明名称 硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法 (57)摘要 本发明提供了硅异质结太阳电池的ITO薄膜 的制备方法。 硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制 备方法包括： 提供基底， 所述基底包括晶硅衬底 和形成在晶硅衬底两个相对的表面上的非晶硅 薄膜； 在基底远离晶硅衬底的至少一个表面上溅 射沉积缓冲ITO薄膜； 在缓冲ITO薄膜远离晶硅衬 底的表面上溅射沉积导电ITO薄膜； 沉积导电ITO 薄膜的功率密度和靶电压两参数中至少一个高 于沉积缓冲ITO薄膜的对应参数。 由此， 上述方法 可以制备性能良好的硅异质结太阳。

3、电池的ITO薄 膜。 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 CN 110634990 A 2019.12.31 CN 110634990 A 1.一种硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法， 其特征在于， 包括： 提供基底， 所述基底包括晶硅衬底和形成在所述晶硅衬底两个相对的表面上的非晶硅 薄膜； 在所述基底的至少一个表面上溅射沉积缓冲ITO薄膜， 形成所述缓冲ITO薄膜的过程中 的功率密度为第一功率密度， 靶电压为第一靶电压； 在所述缓冲ITO薄膜远离所述晶硅衬底的表面上溅射沉积导电ITO薄膜， 形成所述导电 ITO薄膜的过程中的功率密度为第二功率密度， 靶电压为第二靶电压， 其中， 所述第。

4、一功率密度、 所述第一靶电压、 所述第二功率密度和所述第二靶电压满足 以下条件的至少之一： 所述第一功率密度小于所述第二功率密度； 所述第一靶电压小于所述第二靶电压。 2.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 溅射沉积所述缓冲ITO薄膜的条件包括： 所述第一功率密度为0.737.33W/cm； 第一靶电压为150250V； 氩气气压为0.1mT40mT； 氧气流量为030sccm； 沉积温度为50200。 3.根据权利要求1或2所述的方法， 其特征在于， 溅射沉积所述导电ITO薄膜的条件包 括： 所述第二功率密度为3.6673.26W/cm； 第二靶电压为200500V； 氩气气压为0.1。

5、mT40mT； 氧气流量为030sccm； 沉积温度为150260。 4.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 所述缓冲ITO薄膜的厚度为515nm， 所述 导电ITO薄膜的厚度为70100nm。 5.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 还包括： 在形成所述导电ITO薄膜之前， 对 所述缓冲ITO薄膜进行第一热处理， 第一热处理温度为50260。 6.根据权利要求1或5所述的方法， 其特征在于， 还包括： 在形成所述导电ITO薄膜之后， 对所述缓冲ITO薄膜和所述导电ITO薄膜进行第二热处理， 所述第二热处理的温度为150 260， 时间为2060min， 所述第二热处理是在真空、 。

6、空气、 氮气或氩气的气氛中进行的。 7.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 溅射沉积形成所述缓冲ITO薄膜和所述导 电ITO薄膜的ITO靶材中SnO2的质量占比为15。 8.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 所述ITO薄膜的方阻为30150/。 9.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 所述缓冲ITO薄膜和所述导电ITO薄膜的沉 积是在同一腔室或者两个不同腔室进行的。 10.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 所述基底的形成步骤包括： 在所述晶硅衬底的表面形成金字塔绒面结构； 在形成所述绒面结构的所述晶硅衬底的两个相对的表面上分别形成本征非晶硅薄膜； 权利要求书 1/2。

7、 页 2 CN 110634990 A 2 在所述本征非晶硅薄膜远离所述晶硅衬底的表面上形成掺杂非晶硅薄膜。 权利要求书 2/2 页 3 CN 110634990 A 3 硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法 技术领域 0001 本发明涉及硅异质结太阳电池技术领域， 具体的， 涉及硅异质结太阳电池的ITO薄 膜的制备方法。 背景技术 0002 近年来硅异质结太阳电池技术发展迅速， 引起了产业界的高度关注， 硅异质结太 阳电池中的一项关键技术在于TCO(透明导电氧化物)薄膜的材料及制备方法。 常用的TCO材 料主要包括SnO2体系、 In2O3体系和ZnO体系， 其中， 在硅异质结太阳电池中最。

8、常用的TCO材料 是锡金属掺杂的In2O3， 即氧化铟锡(ITO)， 比较成熟的沉积ITO的技术为PVD(物理气相沉积) 法(主要为磁控溅射)， 磁控溅射技术成熟、 工艺稳定， 设备更经济、 产能较大， 所以目前为大 多数厂家所采用。 0003 但是在PVD沉积时粒子对非晶硅表面有轰击损伤， 所以ITO薄膜的制备工艺不仅要 考虑ITO本身膜层的质量， 即光学和电学特性的平衡， 还需要考虑溅射工艺对非晶硅薄膜的 损伤， 以获得高质量的掺杂非晶硅/ITO界面。 0004 因此， 关于硅异质结太阳电池ITO薄膜的研究有待深入。 发明内容 0005 本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之。

9、一。 为此， 本发明的 一个目的在于提出一种具有ITO薄膜导电性佳、 对基底损伤低且非晶硅薄膜与ITO薄膜界面 性能良好的硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。 0006 在本发明的一个方面， 本发明提供了一种硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方 法。 根据本发明的实施例， 制备硅异质结太阳电池的方法包括： 提供基底， 所述基底包括晶 硅衬底和形成在所述晶硅衬底两个相对的表面上的非晶硅薄膜； 在所述基底的至少一个表 面上溅射沉积缓冲ITO薄膜， 形成所述缓冲ITO薄膜的过程中的功率密度为第一功率密度， 靶电压为第一靶电压； 在所述缓冲ITO薄膜远离所述晶硅衬底的表面上溅射沉积导电ITO薄 膜。

10、， 形成所述导电ITO薄膜的过程中的功率密度为第二功率密度， 靶电压为第二靶电压， 其 中， 所述第一功率密度、 所述第一靶电压、 所述第二功率密度和所述第二靶电压满足以下条 件的至少之一： 所述第一功率密度小于所述第二功率密度； 所述第一靶电压小于所述第二 靶电压。 由此， 在制备导电ITO薄膜之前， 先在非晶硅薄膜的表面上形成缓冲ITO薄膜， 由于 形成缓冲ITO薄膜的第一功率密度和/或第一靶电压较低， 沉积形成缓冲ITO薄膜时对非晶 硅薄膜的损伤非常小， 甚至不会对非晶硅薄膜造成损伤， 之后在制备导电ITO薄膜时， 制备 的缓冲ITO薄膜作为保护层， 使得较高的第二功率密度和/或第二靶电。

11、压不会对非晶硅薄膜 造成损伤， 从而可以有效改善非晶硅薄膜和ITO薄膜之间的界面性能； 而且， 较高的第二功 率密度和/或第二靶电压条件可进一步提升导电ITO薄膜平整均匀度、 附着力以及导电性 能； 另外， 上述制备方法简单易操作， 便于工业化生产和自动化控制。 0007 根据本发明的实施例， 溅射沉积所述缓冲ITO薄膜的条件包括： 所述第一功率密度 说明书 1/6 页 4 CN 110634990 A 4 为0.737.33W/cm； 第一靶电压为150250V； 氩气气压为0.1mT40mT； 氧气流量为0 30sccm； 沉积温度为50200。 0008 根据本发明的实施例， 溅射沉积所。

12、述导电ITO薄膜的条件包括： 所述第二功率密度 为3.6673.26W/cm； 第二靶电压为200V500V； 氩气气压为0.1mT40mT； 氧气流量为0 30sccm； 沉积温度为150260。 0009 根据本发明的实施例， 所述缓冲ITO薄膜的厚度为515nm， 所述导电ITO薄膜的厚 度为70100nm。 0010 根据本发明的实施例， 制备所述硅异质结太阳电池的方法还包括： 在形成所述导 电ITO薄膜之前， 对所述缓冲ITO薄膜进行第一热处理， 所述第一热处理的温度为50260 。 0011 根据本发明的实施例， 制备所述硅异质结太阳电池的方法还包括： 在形成所述导 电ITO薄膜之。

13、后， 对所述缓冲ITO薄膜和所述导电ITO薄膜进行第二热处理， 所述第二热处理 的温度为150260， 时间为2060分钟， 所述第二热处理是在真空、 空气、 氮气或氩气 的气氛中进行的。 0012 根据本发明的实施例， 溅射沉积形成所述缓冲ITO薄膜和所述导电ITO薄膜的ITO 靶材中SnO2的质量占比为15。 0013 根据本发明的实施例， 所述ITO薄膜的方阻为30150/。 0014 根据本发明的实施例， 所述缓冲ITO薄膜和所述导电ITO薄膜的沉积是在同一腔室 或者两个不同腔室进行的。 0015 根据本发明的实施例， 所述基底的形成步骤包括： 在所述晶硅衬底的表面形成金 字塔绒面结构。

14、； 在形成所述绒面结构的所述晶硅衬底的两个相对的表面上分别形成本征非 晶硅薄膜； 在所述本征非晶硅薄膜远离所述晶硅衬底的表面上形成掺杂非晶硅薄膜。 附图说明 0016 图1是本发明一个实施例中硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法的流程图。 0017 图2是本发明另一个实施例中硅异质结太阳电池的ITO薄膜的结构示意图。 0018 图3是本发明又一个实施例中硅异质结太阳电池的ITO薄膜基底的制备方法的流 程图。 0019 图4是本发明又一个实施例中硅异质结太阳电池的ITO薄膜的结构示意图。 0020 图5是本发明又一个实施例中硅异质结太阳电池的ITO薄膜的结构示意图。 0021 图6是本发明又一。

15、个实施例中硅异质结太阳电池的ITO薄膜的结构示意图。 具体实施方式 0022 下面详细描述本发明的实施例。 下面描述的实施例是示例性的， 仅用于解释本发 明， 而不能理解为对本发明的限制。 实施例中未注明具体技术或条件的， 按照本领域内的文 献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。 0023 在本发明的一个方面， 本发明提供了一种硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方 法。 根据本发明的实施例， 参照图1， 硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括： 0024 S100： 提供基底， 基底包括晶硅衬底10和形成在晶硅衬底两个相对的表面上的非 说明书 2/6 页 5 CN 110634990。

16、 A 5 晶硅薄膜20， 结构示意图参照图2。 0025 其中， 晶硅衬底的导电类型没有特殊要求， 本领域技术人员根据实际需求灵活选 择即可， 比如， 晶硅衬底为N型单晶硅片； 更进一步的， 晶硅衬底可以为形成有金字塔绒面结 构的N型单晶硅片。 如此， 可以更进一步的提升硅异质结太阳电池的使用性能。 根据本发明 的实施例， 参照图3和图4， 为了实现硅异质结太阳电池的良好使用性能， 所述基底的形成步 骤包括： 0026 S110： 在晶硅衬底的表面形成金字塔绒面结构(图中未示出)； 0027 S120： 在形成绒面结构的晶硅衬底10的两个相对的表面上分别形成本征晶硅薄膜 21； 0028 S1。

17、30： 在本征非晶硅薄膜21远离晶硅衬底10的表面上形成掺杂非晶硅薄膜22。 0029 根据本发明的实施例， 形成本征非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜的方法和厚度没有 特殊限制， 本领域技术人员根据实际需求灵活选择常规技术手段即可， 在此不再过多赘述。 其中， 在本征非晶硅薄膜的表面上形成的两层掺杂非晶硅薄膜， 一层为N型掺杂非晶硅薄 膜， 另一个为P型掺杂非晶硅薄膜。 0030 S200： 在基底的至少一个表面上溅射沉积缓冲ITO薄膜30， 即在至少一个非晶硅薄 膜20(或掺杂非晶硅薄膜22)远离晶硅衬底10的表面上溅射沉积缓冲ITO薄膜30， 结构示意 图参照图5， 在形成缓冲ITO薄膜30的过。

18、程中的功率密度为第一功率密度， 靶电压为第一靶 电压。 0031 根据本发明的实施例， 制备硅异质结太阳电池的方法还包括： 在形成导电ITO薄膜 之前， 对缓冲ITO薄膜进行第一热处理。 由此， 通过热处理可进一步提升缓冲ITO薄膜的结晶 性和晶体尺寸， 进而提升缓冲ITO薄膜的导电性。 在一些实施例中， 第一热处理的温度为50 260， 比如50、 80、 100、 120、 140、 160、 180、 200、 220、 250、 260。 由此， 上述温度的热处理可以有效提升缓冲ITO薄膜的导电性， 而且不会对晶硅衬底、 非晶 硅薄膜以及缓冲ITO薄膜等结构造成不良影响。 0032 S。

19、300： 在缓冲ITO薄膜30远离晶硅衬底10的表面上溅射沉积导电ITO薄膜40， 结构 示意图参照图6， 在形成导电ITO薄膜40的过程中的功率密度为第二功率密度， 靶电压为第 二靶电压， 其中， 第一功率密度、 第一靶电压、 第二功率密度和第二靶电压满足以下条件的 至少之一： 第一功率密度小于第二功率密度； 第一靶电压小于第二靶电压。 0033 根据本发明的实施例， 制备硅异质结太阳电池的方法还包括： 在形成导电ITO薄膜 之后， 对缓冲ITO薄膜和导电ITO薄膜进行第二热处理。 由此， 通过第二热处理可进一步提升 缓冲ITO薄膜和导电ITO薄膜的结晶性和晶体尺寸， 进而提升缓冲ITO薄膜。

20、和导电ITO薄膜的 导电性。 在一些实施例中， 第二热处理的温度为150260(150、 160、 170、 180、 190、 200、 210、 220、 230、 240、 250、 260)， 时间为2060分钟(比如20分钟、 30分钟、 40分钟、 50分钟或60分钟)， 第二热处理是在真空、 空气、 氮气或氩气的气氛中进行 的。 由此， 上述条件下的热处理可以有效提升缓冲ITO薄膜和导电ITO薄膜的导电性， 而且不 会对晶硅衬底、 非晶硅薄膜、 缓冲ITO薄膜以及导电ITO薄膜等结构造成不良影响。 0034 根据本发明的实施例， 在上述制备的过程中， 先在非晶硅薄膜的表面上形成缓。

21、冲 ITO薄膜， 由于形成缓冲ITO薄膜的第一功率密度和/或第一靶电压较低， 沉积形成缓冲ITO 薄膜时对非晶硅薄膜的损伤非常小， 甚至不会对非晶硅薄膜造成损伤， 之后在制备导电ITO 说明书 3/6 页 6 CN 110634990 A 6 薄膜时， 由于缓冲ITO薄膜作为保护层， 使得较高的第二功率密度和/或第二靶电压不会对 非晶硅薄膜造成损伤， 从而可以有效改善非晶硅薄膜和ITO薄膜(包括缓冲ITO薄膜和导电 ITO薄膜)之间的界面性能； 而且， 较高的第二功率密度和/或第二靶电压条件可进一步提升 导电ITO薄膜平整均匀度、 附着力以及导电性能； 另外， 上述制备方法简单易操作， 便于工。

22、业 化生产和自动化控制。 0035 根据本发明的实施例， 溅射沉积(比如磁控溅射)缓冲ITO薄膜的条件包括： 第一功 率密度为0.737.33W/cm(比如0.73W/cm、 1.43W/cm、 2.55W/cm、 3.46W/cm、 4.82W/cm、 5.95W/cm、 6.44W/cm、 7.00W/cm、 7.33W/cm)； 第一靶电压为150250V(比如150V、 170V、 190V、 210V、 230V、 250V)； 氩气气压为0.1mT40mT(比如0.1mT、 1mT、 5mT、 10mT、 15mT、 20mT、 25mT、 30mT、 35mT、 40mT)； 氧。

23、气流量为030sccm(比如0sccm、 0.1sccm、 5sccm、 10sccm、 15sccm、 20sccm、 25sccm、 30sccm)； 沉积温度为50200(比如50、 80、 100、 120、 140、 160、 180、 200)。 由于第一功率密度、 沉积温度和第一靶电压相对较低， 沉积形 成缓冲ITO薄膜时对非晶硅薄膜的损伤非常小， 甚至不会对非晶硅薄膜造成损伤， 之后在制 备导电ITO薄膜时， 制备的缓冲ITO薄膜作为非晶硅薄膜的保护层， 使得较高的第二功率密 度和/或第二靶电压不会对非晶硅薄膜造成损伤， 从而可以有效改善非晶硅薄膜和ITO薄膜 之间的界面性能。。

24、 0036 根据本发明的实施例， 溅射沉积(比如磁控溅射)所述导电ITO薄膜的条件包括： 所 述第二功率密度为3.6673.26W/cm(比如3.66W/cm、 7.33W/cm、 9.89W/cm、 15.82W/cm、 20.54W/cm、 30.25W/cm、 40.37W/cm、 50.85W/cm、 60.57W/cm或73.26W/cm)； 第二靶电压为 200V500V(比如200V、 230V、 250V、 300V、 350V、 400V、 450V或500V)； 氩气气压为0.1mT 40mT(比如0.1mT、 1mT、 5mT、 10mT、 15mT、 20mT、 25m。

25、T、 30mT、 35mT、 40mT)； 氧气流量为0 30sccm(比如0sccm、 0.1sccm、 5sccm、 10sccm、 15sccm、 20sccm、 25sccm、 30sccm)； 沉积温度为 150260(比如150、 180、 200、 220、 240、 260)。 由此， 较高的第二功率密度可 进一步提升导电ITO薄膜平整均匀度、 附着力以及导电性能， 较高的第二靶电压也可进一步 的提升ITO薄膜的使用性能； 而且， 缓冲ITO薄膜可以作为保护层， 使得导电ITO薄膜制备时 的较高第二功率密度和/或第二靶电压以及沉积温度不会对非晶硅薄膜造成损伤， 从而可 以有效改。

26、善非晶硅薄膜和ITO薄膜之间的界面性能。 0037 根据本发明的实施例， 由于较高的沉积功率密度可以提升ITO薄膜的均匀性、 导电 性以及附着力， 所以在本申请中由于缓冲ITO薄膜的设置， 相比现有技术不设置缓冲ITO薄 膜的技术方案(即直接在非晶硅薄膜上设置导电ITO薄膜作为TCO层)， 本发明可以适当的提 高制备导电ITO薄膜的沉积功率密度， 如此， 既不会对非晶硅薄膜造成较大的损伤， 而且还 可以制备性能优异的ITO薄膜。 0038 根据本发明的实施例， 缓冲ITO薄膜的厚度为515纳米(比如5纳米、 7纳米、 9纳 米、 11纳米、 13纳米或15纳米)， 如此， 在沉积制备导电ITO。

27、薄膜时， 该厚度范围内的缓冲ITO 薄膜可以有效保护非晶硅薄膜， 进而大大降低导电ITO薄膜制备中的较高的第二功率密度 和/或第二靶电压对非晶硅薄膜造成的损伤； 导电ITO薄膜的厚度为70100纳米(比如70纳 米、 75纳米、 80纳米、 85纳米、 90纳米、 95纳米或100纳米)， 如此， 上述厚度范围内的导电ITO 薄膜具有良好的光电性能， 可以提升硅异质结太阳电池的性能。 0039 根据本发明的实施例， 溅射沉积形成所述缓冲ITO薄膜和所述导电ITO薄膜的ITO 说明书 4/6 页 7 CN 110634990 A 7 靶材中SnO2的质量占比为15， 比如1、 2、 3、 4、 。

28、5。 由此， 可以得到光电性能 良好的ITO薄膜。 0040 根据本发明的实施例， 所述缓冲ITO薄膜和所述导电ITO薄膜的形成是在同一腔室 或者两个不同腔室进行的。 由此， 本领域技术人员可以根据实际情况在同一腔室或不同腔 室沉积缓冲ITO薄膜和导电ITO薄膜， 即本发明的制备方法的条件较为宽容， 改善ITO薄膜制 备的灵活性。 0041 根据本发明的实施例， ITO薄膜的方阻为30150/， 比如30/、 50/、 70 /、 90/、 110/、 130/、 150/。 由此， ITO薄膜的导电性较佳， 进而进一步 的提升太阳电池的导电性。 本领域技术人员可以理解， 缓冲ITO的设置目的。

29、虽然是保护非晶 硅薄膜免受制备导电ITO薄膜时的损伤， 但是在形成导电ITO薄膜之后， 缓冲ITO薄膜和导电 ITO薄膜可以共同作为ITO薄膜， 充当TCO层， 所以此处的方阻即是指包括缓冲ITO薄膜和导 电ITO薄膜的整体ITO薄膜的方阻。 0042 在本发明的另一方面， 本发明提供一种硅异质结太阳电池的制备方法， 该硅异质 结太阳电池的制备方法包括前面所述的硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法的步骤。 由此， 可以制备的硅异质结太阳电池的电学性能较佳、 稳定性较好。 0043 根据本发明的实施例， 为保证硅异质结太阳电池的使用性能， 上述硅异质结太阳 电池的制备方法还包括： 在导电ITO。

30、薄膜远离晶硅衬底的表面上形成栅线电极层。 其中形成 栅线电极层的方法和材料没有特殊要求， 本领域技术人员根据实际情况灵活选择即可， 在 此不作过多的赘述。 0044 在本发明的另一个方面， 本发明提供了一种硅异质结太阳电池。 根据本发明的实 施例， 所述硅异质结太阳电池中的ITO薄膜是利用前面所述的硅异质结太阳电池的ITO薄膜 的制备方法制备得到的。 由此， 硅异质结太阳电池中的非晶硅薄膜和ITO薄膜(包括缓冲ITO 薄膜和导电ITO薄膜)之间的界面性能较佳， ITO薄膜无畸变， 而且ITO薄膜具有平整均匀、 附 着力强以及导电性能良好等优点， 从而有效提升硅异质结太阳电池的整体性能， 并延长。

31、其 使用寿命。 0045 术语 “第一” 、“第二” 仅用于描述目的， 而不能理解为指示或暗示相对重要性或者 隐含指明所指示的技术特征的数量。 由此， 限定有 “第一” 、“第二” 的特征可以明示或者隐含 地包括一个或者更多个该特征。 在本发明的描述中，“多个” 的含义是两个或两个以上， 除非 另有明确具体的限定。 0046 在本发明中， 除非另有明确的规定和限定， 第一特征在第二特征 “上” 或 “下” 可以 是第一和第二特征直接接触， 或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。 而且， 第一特征在 第二特征 “之上” 、“上方” 和 “上面” 可是第一特征在第二特征正上方或斜上方， 或仅仅表示。

32、 第一特征水平高度高于第二特征。 第一特征在第二特征 “之下” 、“下方” 和 “下面” 可以是第 一特征在第二特征正下方或斜下方， 或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。 0047 在本说明书的描述中， 参考术语 “一个实施例” 、“一些实施例” 、“示例” 、“具体示 例” 、 或 “一些示例” 等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、 结构、 材料或者特 点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。 在本说明书中， 对上述术语的示意性表述不 必须针对的是相同的实施例或示例。 而且， 描述的具体特征、 结构、 材料或者特点可以在任 一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。 此外， 在。

33、不相互矛盾的情况下， 本领域的技 说明书 5/6 页 8 CN 110634990 A 8 术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结 合和组合。 0048 尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例， 可以理解的是， 上述实施例是示例 性的， 不能理解为对本发明的限制， 本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述 实施例进行变化、 修改、 替换和变型。 说明书 6/6 页 9 CN 110634990 A 9 图1 图2 图3 说明书附图 1/2 页 10 CN 110634990 A 10 图4 图5 图6 说明书附图 2/2 页 11 CN 110634990 A 11 。