新型高频半导体栅极的制作方法.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910677856.5 (22)申请日 2019.07.25 (71)申请人 西安电子科技大学 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号 (72)发明人 张鹏孙保全马晓华宓珉翰 (74)专利代理机构 西安嘉思特知识产权代理事 务所(普通合伙) 61230 代理人 张捷 (51)Int.Cl. H01L 21/28(2006.01) (54)发明名称 一种新型高频半导体栅极的制作方法 (57)摘要 本发明公开了一种新型高频半导体栅极的 制作方法， 包括： 选取势垒层； 在。

2、势垒层上形成夹 层结构， 其中， 夹层结构自下而上依次包括： 第一 光刻胶层、 第一金属层、 第二光刻胶层和第二金 属层； 光刻夹层结构后形成第一结构； 对第一结 构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构； 在T形凹槽结构的表面淀积栅金属层后形成第二 结构； 对第二结构进行剥离后形成浮空T形栅。 本 发明通过第一金属层来避免两种光刻胶之间互 溶层的形成， 从而将栅脚与栅头分离， 第二金属 层作为阻挡层， 易于栅金属的剥离， 且第一金属 层、 第二金属层释放电子束光刻中剩余的电荷， 对曝光图形不影响， 由此得到形貌规整的T形栅， 可以更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截 止频率fT。 权利要求。

3、书2页 说明书6页 附图3页 CN 110571143 A 2019.12.13 CN 110571143 A 1.一种新型高频半导体栅极的制作方法， 其特征在于， 包括： 选取势垒层(1)； 在所述势垒层(1)上形成夹层结构， 其中， 所述夹层结构自下而上依次包括： 第一光刻 胶层(2)、 第一金属层(3)、 第二光刻胶层(4)和第二金属层(5)； 光刻所述夹层结构后形成第一结构； 对所述第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构； 在所述T形凹槽结构的表面淀积栅金属层(6)后形成第二结构； 对所述第二结构进行剥离后形成浮空T形栅。 2.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 所述第。

4、一光刻胶层(2)的敏感度低于所述 第二光刻胶层(4)的敏感度。 3.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 在所述势垒层(1)上形成夹层结构， 包括： 在所述势垒层(1)表面涂覆第一光刻胶层(2)； 在所述第一光刻胶层(2)表面淀积第一金属层(3)； 在所述第一金属层(3)表面涂覆第二光刻胶层(4)； 在所述第二光刻胶层(4)表面淀积第二金属层(5)。 4.根据权利要求3所述的方法， 其特征在于， 在所述第一光刻胶层(2)表面淀积第一金 属层(3)， 包括： 利用磁控溅射或蒸镀的方法在所述第一光刻胶层(2)表面淀积第一金属层(3)。 5.根据权利要求3所述的方法， 其特征在于， 在所述第二光。

5、刻胶层(4)表面淀积第二金 属层(5)， 包括： 利用磁控溅射或蒸镀的方法在所述第二光刻胶层(4)表面淀积第二金属层(5)。 6.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 光刻所述夹层结构后形成第一结构， 包括： 利用电子束光刻方法光刻所述夹层结构， 设置所述浮空T形栅的中间栅脚光刻剂量为 第一剂量， 利用所述第一剂量光刻所述夹层结构至所述势垒层(1)的表面， 设置所述浮空T 形栅的中间栅脚的两侧栅头光刻剂量为第二剂量， 利用所述第二剂量光刻所述夹层结构至 所述第一金属层(3)的表面， 形成所述第一结构， 其中， 所述第一剂量的浓度大于所述第二 剂量的浓度。 7.根据权利要求1所述的方法， 其。

6、特征在于， 对所述第一结构进行显影后形成具有T形 凹槽的T形凹槽结构， 包括： 利用显影液对所述第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构。 8.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 在所述T形凹槽结构的表面淀积栅金属层 (6)后形成第二结构， 包括： 利用电子束蒸镀的方法在所述T形凹槽结构的表面淀积栅金属层(6)后形成第二结构， 其中， 所述栅金属层(6)包括第一栅金属层部分(61)、 第二栅金属层部分(62)和第三栅金属 层部分(63)， 所述第一栅金属层部分(61)、 所述第二栅金属层部分(62)分别位于所述第二 金属层(5)的表面， 所述第三栅金属层部分(63)位于所述T形凹。

7、槽结构的T形凹槽内。 9.根据权利要求8所述的方法， 其特征在于， 对所述第二结构进行剥离后形成浮空T形 栅， 包括： 利用剥离工艺去掉所述第一光刻胶层(2)、 所述第一金属层(3)、 所述第二光刻胶层 权利要求书 1/2 页 2 CN 110571143 A 2 (4)、 所述第二金属层(5)、 所述第一栅金属层部分(61)及所述第二栅金属层部分(62)， 形成 所述浮空T形栅。 10.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 所述栅金属层(6)的厚度大于所述第一光刻胶层(2)的厚度和所述第一金属层(3)的厚 度总和， 且小于所述第二光刻胶层(4)的厚度。 权利要求书 2/2 页 3 CN 。

8、110571143 A 3 一种新型高频半导体栅极的制作方法 技术领域 0001 本发明属于微电子技术领域， 具体涉及一种新型高频半导体栅极的制作方法。 背景技术 0002 随着微波无线技术的发展， 微波器件在军事和人们生活中的应用越来越广泛， 因 而提高微波器件的性能就显得越来越重要， 其中高频性能更是微波器件性能的重要表现之 一。 0003 高频器件的两个重要指标是饱和电流截止频率fT和最大增益截止频率fmax， 提高fT 和fmax的栅极结构主要有T型栅和Y型栅等， 传统T形栅的制作方法采用涂覆两层光刻胶或三 层光刻胶， 通过两次曝光两次显影得到T形栅结构， 此外由于光刻胶具有流动性， 。

9、所以不可 避免的会使两层光刻胶之间形成互溶层， 一般T形栅的电子束光刻制作方法中， 下层光刻胶 为低灵敏度， 而需要高剂量的电子束流； 上层光刻胶为高灵敏度， 采用低剂量的电子束流， 而互溶层会导致稿灵敏度和低灵敏度的光刻胶混合在一块， 使曝光过程中上层与下层不能 明确的区分开， 即栅脚与栅头之间不能形成明确界线。 0004 一般T形栅的制作方法中， 通过两次曝光两次显影得到T形栅结构， 且栅脚与栅头 之间不能形成明确界线， 从而无法得到形貌规整的T形栅， 这将会增加栅极寄生电容， 不能 有效的提高饱和电流截止频率fT。 发明内容 0005 为了解决现有技术中存在的上述问题， 本发明提供了一种。

10、新型高频半导体栅极的 制作方法。 本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现： 0006 本发明提供了一种新型高频半导体栅极的制作方法， 包括： 0007 选取势垒层； 0008 在所述势垒层上形成夹层结构， 其中， 所述夹层结构自下而上依次包括： 第一光刻 胶层、 第一金属层、 第二光刻胶层和第二金属层； 0009 光刻所述夹层结构后形成第一结构； 0010 对所述第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构； 0011 在所述T形凹槽结构的表面淀积栅金属层后形成第二结构； 0012 对所述第二结构进行剥离后形成浮空T形栅。 0013 在本发明的一个实施例中， 所述第一光刻胶层的敏感度低。

11、于所述第二光刻胶层的 敏感度。 0014 在本发明的一个实施例中， 在所述势垒层上形成夹层结构， 包括： 0015 在所述势垒层表面涂覆第一光刻胶层； 0016 在所述第一光刻胶层表面淀积第一金属层； 0017 在所述第一金属层表面涂覆第二光刻胶层； 0018 在所述第二光刻胶层表面淀积第二金属层。 说明书 1/6 页 4 CN 110571143 A 4 0019 在本发明的一个实施例中， 在所述第一光刻胶层表面淀积第一金属层， 包括： 0020 利用磁控溅射或蒸镀的方法在所述第一光刻胶层表面淀积第一金属层。 0021 在本发明的一个实施例中， 在所述第二光刻胶层表面淀积第二金属层， 包括：。

12、 0022 利用磁控溅射或蒸镀的方法在所述第二光刻胶层表面淀积第二金属层。 0023 在本发明的一个实施例中， 光刻所述夹层结构后形成第一结构， 包括： 0024 利用电子束光刻方法光刻所述夹层结构， 设置所述浮空T形栅的中间栅脚光刻剂 量为第一剂量， 利用所述第一剂量光刻所述夹层结构至所述势垒层的表面， 设置所述浮空T 形栅的中间栅脚的两侧栅头光刻剂量为第二剂量， 利用所述第二剂量光刻所述夹层结构至 所述第一金属层的表面， 形成所述第一结构， 其中， 所述第一剂量的浓度大于所述第二剂量 的浓度。 0025 在本发明的一个实施例中， 对所述第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹 槽结构， 。

13、包括： 0026 利用显影液对所述第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构。 0027 在本发明的一个实施例中， 在所述T形凹槽结构的表面淀积栅金属层后形成第二 结构， 包括： 0028 利用电子束蒸镀的方法在所述T形凹槽结构的表面淀积栅金属层后形成第二结 构， 其中， 所述栅金属层包括第一栅金属层部分、 第二栅金属层部分和第三栅金属层部分， 所述第一栅金属层部分、 所述第二栅金属层部分分别位于所述第二金属层的表面， 所述第 三栅金属层部分位于所述T形凹槽结构的T形凹槽内。 0029 在本发明的一个实施例中， 对所述第二结构进行剥离后形成浮空T形栅， 包括： 0030 利用剥离工艺去掉。

14、所述第一光刻胶层、 所述第一金属层、 所述第二光刻胶层、 所述 第二金属层、 所述第一栅金属层部分及所述第二栅金属层部分， 形成所述浮空T形栅。 0031 在本发明的一个实施例中， 所述栅金属层的厚度大于所述第一光刻胶层的厚度和 所述第一金属层的厚度总和， 且小于所述第二光刻胶层的厚度。 0032 本发明的有益效果： 0033 本发明通过所述夹层结构中的第一金属层来避免两种光刻胶之间互溶层的形成， 从而可以明确的将栅脚层与栅头层分离开来， 另外， 所述夹层结构中的第二金属层作为阻 挡层， 形成undercut结构， 此结构易于栅金属层的剥离， 并且所述第一金属层、 所述第二金 属层可以释放电子。

15、束光刻中剩余的电荷， 对曝光的图形不影响， 由此得到形貌规整的T形 栅， 可以更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT。 0034 以下将结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。 附图说明 0035 图1是本发明实施例提供的一种新型高频半导体栅极的制作方法流程示意图； 0036 图2a2h是本发明实施例提供的一种新型高频半导体栅极的制作方法的工艺流 程示意图。 具体实施方式 0037 下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述， 但本发明的实施方式不限于 说明书 2/6 页 5 CN 110571143 A 5 此。 0038 实施例一 0039 请参见图1， 图1是本发明实施例提供。

16、的一种新型高频半导体栅极的制作方法流程 示意图， 该制备方法包括如下步骤： 0040 步骤1、 选取势垒层1； 0041 具体地， 所述势垒层1为AlGaN、 InAlN等。 0042 步骤2、 在所述势垒层1上形成夹层结构； 0043 具体地， 所述夹层结构自下而上依次包括第一光刻胶层2、 第一金属层3、 第二光刻 胶层4和第二金属层5。 0044 进一步地， 在所述势垒层1上形成夹层结构包括： 0045 步骤2.1、 在所述势垒层1表面涂覆第一光刻胶层2； 0046 请参见图2a， 图2a2h是本发明实施例提供的一种浮空T形栅的制备工艺流程示 意图。 0047 具体地， 在所述势垒层1表面。

17、涂覆所述第一光刻胶层2， 并对此结构进行烘烤， 其烘 烤温度为180-210， 烘烤时间为10min。 0048 其中， 所述第一光刻胶层2的厚度等于所述浮空T形栅的栅脚高度， 所述第一光刻 胶层2的厚度可以根据需要的浮空T形栅的栅脚高度来确定， 例如： 需要制备的浮空T形栅的 栅脚高度为100nm， 则所述第一光刻胶层2的厚度为100nm。 0049 优选地， 所述第一光刻胶层2采用PMMA(poly(methyl methacrylate)， 聚甲基丙烯 酸甲酯)。 0050 其中， 所述PMMA敏感度低， 需要高剂量曝光， 具体的剂量设置与采用的电子束光刻 机型号和设置有关， 例如： 采。

18、用NB5电子束光刻机时， PMMA的最佳剂量为7.5C/m2。 0051 步骤2.2、 在所述第一光刻胶层2表面淀积第一金属层3； 0052 具体地， 请参见图2b， 在所述第一光刻胶层2表面淀积第一金属层3。 0053 进一步地， 利用磁控溅射(magnetron sputtering)或蒸镀的方法在所述第一光刻 胶层2表面淀积第一金属层3。 0054 所述第一金属层3为Al、 Ti、 W、 Au、 Pt等， 其厚度范围为1-6nm。 0055 优选地， 所述第一金属层3为Al， 其厚度为1.5nm。 0056 步骤2.3、 在所述第一金属层3表面涂覆第二光刻胶层4； 0057 具体地， 请。

19、参见图2c， 在所述第一金属层3表面涂覆第二光刻胶层4。 0058 进一步地， 在所述第一金属层3表面涂覆所述第二光刻胶层4， 并对此结构进行烘 烤， 其烘烤温度为180-210， 烘烤时间为10min。 0059 其中， 所述第二光刻胶层4的厚度大于所述浮空T形栅的栅头高度。 0060 优选地， 所述第二光刻胶层4采用PMMA-MAA(甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸的共聚 物)。 0061 其中， 所述PMMA-MAA敏感度高， 需要低剂量曝光， 具体的剂量设置与采用的电子束 光刻机型号和设置有关， 例如： 采用NB5电子束光刻机时， PMMA-MAA的最佳剂量为2.3C/m2。 0062 其中。

20、， 所述第一光刻胶层2的敏感度低于所述第二光刻胶层4的敏感度， 由于所述 第一光刻胶层2的敏感度低， 所述浮空T形栅的中间栅脚采用高剂量曝光， 所述第二光刻胶 说明书 3/6 页 6 CN 110571143 A 6 层4的敏感度高， 所述浮空T形栅的中间栅脚的两侧栅头采用低剂量曝光， 因此， 可以形成中 间凹陷的凹槽结构。 0063 进一步地， 所述第一金属层3可以避免所述第一光刻胶层2和所述第二光刻胶层4 形成互溶层， 从而可以明确的将高剂量的栅脚层与低剂量的栅头层分离开来， 用这种方法 制作的T形栅形貌规整， 可以更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT。 0064 步骤2.4、 。

21、在所述第二光刻胶层4表面淀积第二金属层5。 0065 具体地， 请参见图2d， 在所述第二光刻胶层4表面淀积第二金属层5。 0066 进一步地， 利用磁控溅射或蒸镀的方法在所述第二光刻胶层4表面淀积第二金属 层5。 0067 进一步地， 所述第二金属层5为Al、 Ti、 W、 Au、 Pt等， 其中， 所述第二金属层5的厚度 大于所述第一金属层3的厚度， 且小于6nm。 0068 优选地， 所述第二金属层5为Al， 其厚度为3nm。 0069 步骤3、 光刻所述夹层结构后形成第一结构； 0070 请参见图2e， 具体地， 光刻所述夹层结构后形成第一结构。 0071 进一步地， 利用电子束光刻方。

22、法光刻所述夹层结构， 设置所述浮空T形栅的中间栅 脚光刻剂量为第一剂量， 利用所述第一剂量光刻所述夹层结构至所述势垒层1的表面， 设置 所述浮空T形栅的中间栅脚的两侧栅头光刻剂量为第二剂量， 利用所述第二剂量光刻所述 夹层结构至所述第一金属层3的表面， 形成所述第一结构， 其中， 所述第一剂量的浓度大于 所述第二剂量的浓度。 0072 进一步地， 所述第一剂量为适合于所述第一光刻胶层2的低敏感度的剂量， 所述第 二剂量为适合于所述第二光刻胶层4的高敏感度的剂量。 0073 优选地， 所述第一剂量为7.5C/m2， 所述第二剂量为2.3C/m2。 0074 进一步地， 利用电子束光刻方法， 设置。

23、所述浮空T形栅的中间栅脚的两侧栅头光刻 剂量为低剂量， 所述浮空T形栅的中间栅脚光刻剂量为高剂量， 光刻后形成第一结构。 0075 其中， 所述第一结构同图2d， 实质区别在于， 图2e中的中间第一光刻胶层23、 中间 第二光刻胶层43的光刻胶性质发生变化， 中间第一金属层33和中间第二金属层53的金属薄 膜发生变化。 0076 具体地， 电子束光刻时， 电子枪发射的电子束流使所述中间第一光刻胶层23、 所述 中间第二光刻胶层43曝光后， 所述中间第一光刻胶层23、 中间第二光刻胶层43的光刻胶的 性质发生变化， 所述电子束流还使所述中间第一金属层33和所述中间第二金属层53的金属 薄膜打成不。

24、连续的碎片。 0077 具体地， 所述势垒层1与所述夹层结构组成的基片放入电子束光刻机中进行光刻， 所述电子束光刻采用不同的剂量一次曝光完成， 曝光时所述浮空T形栅的中间栅脚的两侧 栅头图形的光刻剂量设置为适合所述第二光刻胶层4的低剂量， 光刻至所述第一金属层3停 止， 所述浮空T形栅的中间栅脚图形的光刻剂量设置为适合所述第一光刻胶层2的高剂量， 光刻至所述势垒层1停止。 0078 具体地， 由于所述栅头与所述栅脚的光刻剂量不同， 在电子束光刻过程中设计光 刻版图时， 将栅脚与栅头的图形分开设计。 0079 进一步地， 将所述夹层结构根据设计的光刻版图进行电子束光刻后形成第一结 说明书 4/6。

25、 页 7 CN 110571143 A 7 构， 其中， 所述电子束光刻使所述中间第一光刻胶层23、 所述中间第二光刻胶层43的光刻胶 性质发生变化后可溶于显影液， 所述中间第一金属层33和所述中间第二金属层53被电子束 流打成不连续的碎片后也可溶于显影液。 0080 进一步地， 在电子束光刻过程中光刻版图部分分别将所述第一光刻胶层2、 所述第 一金属层3、 所述第二光刻胶层4、 所述第二金属层5分成三部分， 其中， 所述第一光刻胶层2 包括： 左边第一光刻胶层21、 中间第一光刻胶层23、 右边第一光刻胶层22， 所述第二光刻胶 层4包括： 左边第二光刻胶层41、 中间第二光刻胶层43、 右。

26、边第二光刻胶层42， 所述第一金属 层3包括： 左边第一金属层31、 中间第一金属层33、 右边第一金属层32， 所述第二金属层5包 括： 左边第二金属层51、 中间第二金属层53、 右边第二金属层52。 0081 具体地， 由于所述左边第二光刻胶层41、 所述右边第二光刻胶层42在电子束光刻 的散射电子和背散射电子的作用下向四周形成微小的扩散， 所述左边第一金属层31和所述 右边第一金属层32分别作为所述左边第一光刻胶层21和所述右边第一光刻胶层22的抗刻 蚀层使所述左边第一光刻胶层21和所述右边第一光刻胶层22不受电子束影响， 所述中间第 一光刻胶层23和所述中间第二光刻胶层43的光刻胶性。

27、质发生变化， 所述电子束流还将所述 中间第一金属层33和所述中间第二金属层53的金属薄膜打成不连续的碎片， 因此， 形成如 图2e的结构。 0082 步骤4、 对所述第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构； 0083 具体地， 请参见图2f， 利用显影液对所述第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的 T形凹槽结构。 0084 具体地， 将所述第一结构放入显影液中进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结 构。 0085 优选地， 所述显影液采用MIBK(甲基异丁基(甲)酮， 甲基异丁酮， 4-甲基-2-戊酮) 与异丙醇比例为1:3的溶液， 其中， 显影速率一般为3nm/s。 0086 具体地。

28、， 显影时间可根据所述光刻胶的厚度和显影速率计算得到， 例如： 光刻胶的 厚度为30nm， 显影速率为3nm/s， 则显影时间为10s。 0087 进一步地， 由于电子束光刻机的电子束流可以将致密的金属薄膜打成不连续的碎 片， 即所述中间第一金属层33、 所述中间第二金属层53的金属薄膜会被电子束光刻机的电 子束流打成不连续的碎片， 所述碎片在显影时会随着光刻胶混合在显影液中， 所以整个制 作工艺采用一次曝光一次显影的方法， 可以极大地减小工艺复杂度。 0088 进一步地， 所述第一金属层3、 所述第二金属层5在电子束光刻中可以将电子枪发 射的电子束流在对光刻胶作用后剩余的电荷释放掉， 从而不。

29、对曝光的图形产生影响。 0089 步骤5、 在所述T形凹槽结构的表面淀积栅金属层6后形成第二结构； 0090 具体地， 请参见图2g， 利用电子束蒸镀的方法在所述T形凹槽结构的表面淀积栅金 属层6后形成第二结构， 其中， 所述栅金属层6包括第一栅金属层部分61、 第二栅金属层部分 62和第三栅金属层部分63， 所述第一栅金属层部分61、 所述第二栅金属层部分62分别位于 所述第二金属层5的表面， 所述第三栅金属层部分63位于所述T形凹槽结构的T形凹槽内。 0091 进一步地， 在淀积所述栅金属层6时， 所述第一栅金属层部分61、 所述第二栅金属 层部分62分别淀积于所述左边第二金属层51、 所。

30、述右边第二金属层52的表面， 由于所述T形 凹槽结构的T形凹槽部分有凹陷， 所述第三栅金属层部分63会因为所述T形凹槽结构的T形 说明书 5/6 页 8 CN 110571143 A 8 凹槽下沉淀积于所述T形凹槽结构的T形凹槽内， 形成所述第二结构。 0092 进一步地， 在淀积所述栅金属层6时， 所述左边第二金属层51、 所述右边第二金属 层52分别对所述左边第二光刻胶层41、 所述右边第二光刻胶层42形成阻挡层， 此结构即为 undercut结构， 所述undercut结构有利于所述栅金属层6的剥离， 从而得到形貌规整的T形 栅。 0093 其中， 所述栅金属层6的厚度大于所述第一光刻胶。

31、层2的厚度和所述第一金属层3 的厚度总和， 且小于所述第二光刻胶层4的厚度。 0094 进一步地， 如果所述栅金属层6的厚度小于所述第一光刻胶层2的厚度和所述第一 金属层3的厚度总和， 就无法形成浮空T形栅。 0095 另外， 所述栅金属层6的厚度小于所述第二光刻胶层4的厚度， 有利于所述栅金属 层6的成功剥离。 0096 步骤6、 对所述第二结构进行剥离后形成浮空T形栅； 0097 具体地， 请参见图2h， 对所述第二结构进行剥离后形成浮空T形栅。 0098 进一步地， 利用剥离工艺去掉所述第一光刻胶层2、 所述第一金属层3、 所述第二光 刻胶层4、 所述第二金属层5、 所述第一栅金属层部分。

32、61及所述第二栅金属层部分62， 形成所 述浮空T形栅。 0099 进一步地， 所述第三栅金属层部分63即所述浮空T形栅。 0100 具体地， 所述剥离工艺： 将所述第二结构浸泡在丙酮溶液中， 时间为24小时， 不使 用超声； 完成浸泡后捞出并放入温度为60的光刻剥离液水浴加热10min后捞出再在异丙 醇溶液中浸泡30min， 不使用超声； 最后用超纯水冲洗其结构2min， 再用氮气吹干。 0101 进一步地， 上述步骤中不使用超声， 可以避免所述栅金属层6脱落， 并且可以提高 成品率。 0102 本发明的有益效果： 0103 本发明通过所述夹层结构中的第一金属层来避免两种光刻胶之间互溶层的形。

33、成， 从而可以明确的将栅脚层与栅头层分离开来， 另外， 所述夹层结构中的第二金属层作为阻 挡层， 形成undercut结构， 此结构易于栅金属层的剥离， 并且所述第一金属层、 所述第二金 属层可以释放电子束光刻中剩余的电荷， 对曝光的图形不影响， 由此得到形貌规整的T形 栅， 可以更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT。 0104 以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明， 不能认定 本发明的具体实施只局限于这些说明。 对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说， 在 不脱离本发明构思的前提下， 还可以做出若干简单推演或替换， 都应当视为属于本发明的 保护范围。 说明书 6/6 页 9 CN 110571143 A 9 图1 图2a 图2b 图2c 说明书附图 1/3 页 10 CN 110571143 A 10 图2d 图2e 图2f 图2g 说明书附图 2/3 页 11 CN 110571143 A 11 图2h 说明书附图 3/3 页 12 CN 110571143 A 12 。