电致发光化合物、热激活延迟荧光材料及其应用.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201911063213.8 (22)申请日 2019.10.31 (71)申请人 武汉天马微电子有限公司 地址 430205 湖北省武汉市东湖新技术开 发区东一产业园流芳园路8号 (72)发明人 汪奎 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 巩克栋 (51)Int.Cl. C09K 11/06(2006.01) C07F 5/02(2006.01) H01L 51/50(2006.01) H01L 51/54(2006.01) (54)发明名称 一种。

2、电致发光化合物、 热激活延迟荧光材料 及其应用 (57)摘要 本发明提供一种电致发光化合物、 热激活延 迟荧光材料及其应用， 所述电致发光化合物具有 如式I所示结构， 是一种含硼杂环的小分子化合 物。 所述电致发光化合物具有TADF特性， 可作为 热激活延迟荧光材料应用于OLED器件的发光层 中， 所述OLED器件包括阳极、 阴极和位于阳极和 阴极之间的至少一层有机薄膜层， 所述有机薄膜 层中的发光层中包括所述热激活延迟荧光材料。 本发明提供的电致发光化合物通过分子结构的 特殊设计有效降低了HOMO和LUMO间的重叠， 使 EST降低到0.25eV以下， 满足三线态能量向单线 态逆向窜越， 有。

3、效提高了两种载流子的传输能 力、 改善载流子平衡， 从而显著提升了OLED器件 的发光效率。 权利要求书8页 说明书21页 附图1页 CN 110684524 A 2020.01.14 CN 110684524 A 1.一种电致发光化合物， 其特征在于， 所述电致发光化合物具有如式I所示结构： 其中， R、 R1、 R2、 R3各自独立地选自取代或未取代的C6C40芳基、 取代或未取代的C3 C40杂芳基、 取代或未取代的C6C30芳基氨基中的任意一种， 且R、 R1、 R2、 R3为供电子基团； 当上述基团存在取代基时， 所述取代基选自C1C10直链或支链烷基、 C1C10烷氧基 或C1C1。

4、0硫代烷氧基中的至少一种； L为C6C30亚芳基或C3C30亚杂芳基； n1为03的整数； n2为04的整数； n3为02的整数。 2.根据权利要求1所述的电致发光化合物， 其特征在于， 所述R、 R1、 R2、 R3各自独立地选 自如下基团的任意一种， 或被取代基取代的如下基团的任意一种： 权利要求书 1/8 页 2 CN 110684524 A 2 其中， 虚线表示基团的连接位点； Z1-Z7各自独立地选自O、 S或N-RN1中的任意一种； U1、 U2各自独立地选自O、 S、 N-RN2或RC1-C-RC2中的任意一种； RN1、 RN2、 RC1、 RC2选自氢、 C1C10直链或支链。

5、烷基、 C1C10烷氧基、 C6C20芳基、 C3 C20杂芳基中的任意一种； 所述取代基选自C1C10直链或支链烷基、 C1C10烷氧基或C1C10硫代烷氧基中的 至少一种。 3.根据权利要求1所述的电致发光化合物， 其特征在于， 所述电致发光化合物具有如式 II所示结构： 其中， R1、 R2、 R3各自独立地具有与权力要求1相同的限定范围； L为C6C30亚芳基或C3C30亚杂芳基； 权利要求书 2/8 页 3 CN 110684524 A 3 n1为03的整数； n2为04的整数； n3为02的整数。 4.根据权利要求1所述的电致发光化合物， 其特征在于， 所述电致发光化合物具有如式 。

6、III所示结构： 其中， U选自O、 S、 N-RU1或RU2-C-RU3中的任意一种， RU1、 RU2、 RU3各自独立地选自氢、 C1 C10直链或支链烷基、 C1C10烷氧基、 C6C20芳基、 C3C20杂芳基中的任意一种； R1、 R2、 R3各自独立地具有与权力要求1相同的限定范围； L为C6C30亚芳基或C3C30亚杂芳基； n1为03的整数； n2为04的整数； n3为02的整数。 5.根据权利要求4所述的电致发光化合物， 其特征在于， 所述U选自O、 S、 N-RU1或 中的任意一种， RU1为C6C20芳基或C3C20杂芳基。 6.根据权利要求1所述的电致发光化合物， 其。

7、特征在于， 所述电致发光化合物具有如式 IV所示结构： 其中， R1、 R2、 R3各自独立地具有与权力要求1相同的限定范围； L为C6C30亚芳基或C3C30亚杂芳基； n1为03的整数； 权利要求书 3/8 页 4 CN 110684524 A 4 n2为04的整数； n3为02的整数。 7.根据权利要求16任一项所述的电致发光化合物， 其特征在于， 所述L选自C6C24 亚芳基、 C3C20含N亚杂芳基或C3C20含O亚杂芳基。 8.根据权利要求7所述的电致发光化合物， 其特征在于， 所述L选自如下基团的任意一 种： 其中， 虚线表示基团的连接位点。 9.根据权利要求1所述的电致发光化合。

8、物， 其特征在于， 所述R1、 R2、 R3各自独立地选自 如下基团的任意一种， 或被取代基取代的如下基团的任意一种： 其中， 虚线表示基团的连接位点； 所述取代基选自C1C10直链或支链烷基、 C1C10烷氧基或C1C10硫代烷氧基中的 至少一种。 10.根据权利要求1所述的电致发光化合物， 其特征在于， 所述电致发光化合物选自如 下化合物M1M50中的任意一种： 权利要求书 4/8 页 5 CN 110684524 A 5 权利要求书 5/8 页 6 CN 110684524 A 6 权利要求书 6/8 页 7 CN 110684524 A 7 权利要求书 7/8 页 8 CN 11068。

9、4524 A 8 11.一种热激活延迟荧光材料， 其特征在于， 所述热激活延迟荧光材料包括权利要求1 10任一项所述的电致发光化合物中的任意一种或至少两种组合。 12.根据权利要求11所述的热激活延迟荧光材料， 其特征在于， 所述热激活延迟荧光材 料的最低单重态S1与最低三重态T1态之间的能极差ESTES1-ET10.30eV。 13.一种显示面板， 其特征在于， 所述显示面板包括OLED器件， 所述OLED器件包括阳极、 阴极以及位于所述阳极和阴极之间的至少1层有机薄膜层， 所述有机薄膜层包括发光层； 所述发光层包括如权利要求11或12所述的热激活延迟荧光材料， 且所述热激活延迟荧 光材料用。

10、作主体材料、 客体材料或共同掺杂材料中的任意一种。 14.根据权利要求13所述的显示面板， 其特征在于， 所述有机薄膜层还包括空穴传输 层、 空穴注入层、 电子阻挡层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 电子注入层中的任意一种或至少两 种的组合。 15.一种电子设备， 其特征在于， 所述电子设备包括如权利要求13或14所述的显示面 板。 权利要求书 8/8 页 9 CN 110684524 A 9 一种电致发光化合物、 热激活延迟荧光材料及其应用 技术领域 0001 本发明属于有机电致发光材料技术领域， 具体涉及一种电致发光化合物、 热激活 延迟荧光材料及其应用。 背景技术 0002 有机电致发光器。

11、件(Organic Light Emitting Display， OLED)是一种新型的平板 显示技术， 与液晶显示器(Liquid Crystal Display， LCD)相比， OLED具有主动发光、 响应速 度快、 能耗小、 驱动电压低、 轻薄、 视角宽、 发光颜色连续可调、 成本低、 生产工艺简单、 发光 效率高及可柔性显示等优点， 得到了产业界和科学界的极大关注， 已广泛应用于柔性显示、 平板显示、 固态照明和车载显示等行业。 目前， OLED已经进入产业化阶段， 高性能有机光电 材料的开发依然是本领域的焦点课题。 0003 研究表明， 用于OLED的发光层材料根据其发光机制可分。

12、为以下四种： 荧光材料、 磷 光材料、 三线态-三线态湮灭(TTA)材料和热激活延迟荧光(TADF)材料。 其中， 荧光材料的单 线激发态S1通过辐射跃迁回到基态S0， 根据自旋统计， 激子中单线态和三线态激子的比例为 1:3， 所以荧光材料最大内量子产率不大于25； 依据朗伯发光模式， 光取出效率约为20， 因此基于荧光材料的OLED器件的外量子效率EQE一般不高于5。 磷光材料的三线激发态T1 直接辐射衰减到基态S0， 由于重原子效应， 可以通过自旋偶合作用加强分子内部系间窜越， 可以直接利用75的三线态激子， 从而实现在室温下S1和T1共同参与的发射， 理论最大内量 子产率可达100； 。

13、依据朗伯发光模式， 光取出效率约为20， 故基于磷光材料的OLED器件 的EQE可以达到20； 但是磷光材料多为Ir、 Pt、 Os、 Re、 Ru等重金属配合物， 生产成本较高， 不利于大规模生产； 且在高电流密度下， 磷光材料存在严重的效率滚降现象， 导致磷光发光 OLED器件的稳定性欠佳。 TTA材料的两个三线态激子相互作用， 复合生成一个更高能级的单 线激发态分子和一个基态分子； 但是两个三线态激子产生一个单线态激子， 所以理论最大 内量子产率只能达到62.5； 为了防止产生较大的效率滚降现象， 在这个过程中三线态激 子的浓度需要调控。 0004 TADF材料中， 当S1态和T1态的能。

14、级差较小、 且T1态激子寿命较长时， 在一定温度条 件下， T1态激子可以逆向系间窜越(RISC)， 实现T1态转换到S1态的过程， 再由S1态辐射衰减 至基态S0。 因此， TADF材料可同时利用75的三线态激子和25的单线态激子， 理论最大内 量子产率可达100； 更为重要的是， TADF材料主要为有机化合物， 不需要稀有金属元素， 生 产成本低， 并且可通过多种方法进行化学修饰， 实现性能的进一步优化。 0005 CN109134520A、 CN109503508A、 CN108530357A等公开了TADF材料及其应用， 但目前 已发现的TADF材料较少， 且性能难以满足人们对高性能O。

15、LED器件的要求。 0006 因此， 开发更多种类、 高性能的新型TADF材料， 是本领域亟待解决的问题。 发明内容 0007 为了开发更多种类、 更高性能的TADF材料， 本发明的目的之一在于提供一种电致 说明书 1/21 页 10 CN 110684524 A 10 发光化合物， 所述电致发光化合物具有如式I所示结构： 0008 0009 式I中， R、 R1、 R2、 R3各自独立地选自取代或未取代的C6C40芳基、 取代或未取代的 C3C40杂芳基、 取代或未取代的C6C30芳基氨基中的任意一种， 且R、 R1、 R2、 R3为供电子基 团。 0010 所述C6C40可以是C7、 C8。

16、、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C28、 C30、 C33、 C35、 C37或C39等。 0011 所述C3C40可以是C4、 C5、 C6、 C8、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C28、 C30、 C33、 C35、 C37或C39等。 0012 所述C6C30可以是C7、 C8、 C9、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C27或C29等。 0013 所述 “供电子基团” 意指能提高苯环上电子云密度的基团， 示例性地包括但不限于 咔唑基、 芳胺基、 吖啶基、 吩噻嗪基或。

17、吩恶嗪基等。 0014 当上述基团存在取代基时， 所述取代基选自C1C10直链或支链烷基、 C1C10烷 氧基或C1C10硫代烷氧基中的至少一种。 0015 所述C1C10可以是C1、 C2、 C3、 C4、 C5、 C6、 C7、 C8、 C9或C10。 0016 式I中， L为C6C30亚芳基或C3C30亚杂芳基。 0017 所述C6C30可以是C7、 C8、 C9、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C27或C29等。 0018 所述C3C30可以是C4、 C5、 C6、 C8、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C。

18、27或C29等。 0019 式I中， n1为03的整数， 例如0、 1、 2或3。 0020 式I中， n2为04的整数， 例如0、 1、 2、 3或4。 0021 式I中， n3为02的整数， 例如0、 1或2。 0022 本发明的目的之二在于提供一种热激活延迟荧光材料， 所述热激活延迟荧光材料 包括上述电致发光化合物中的任意一种或至少两种组合。 0023 本发明的目的之三在于提供一种显示面板， 所述显示面板包括OLED器件， 所述 OLED器件包括阳极、 阴极以及位于所述阳极和阴极之间的至少1层有机薄膜层， 所述有机薄 膜层包括发光层。 0024 所述发光层包括如上所述的热激活延迟荧光材料。

19、， 且所述热激活延迟荧光材料用 作主体材料、 客体材料或共同掺杂材料中的任意一种。 0025 本发明的目的之四在于提供一种电子设备， 所述电子设备包括如上所述的显示面 板。 0026 相对于现有技术， 本发明具有以下有益效果： 0027 (1)本发明提供的电致发光化合物是一种含硼杂环的小分子化合物， 通过大位阻 基团的接入避免了化合物的聚集， 避免共轭平面的直接堆积形成 聚集或激基缔合物， 从而 提高了发光效率。 说明书 2/21 页 11 CN 110684524 A 11 0028 (2)基于本发明所述电致发光化合物的热激活延迟荧光材料具有TADF特性， 分子 中大刚性扭曲的结构有效降低了。

20、HOMO和LUMO之间的重叠， 使三重态和单重态之间的能级差 可以降低到0.25eV以下， 甚至低至0.10eV以下， 满足三线态能量向单线态逆向窜越， 提高器 件效率， 荧光寿命大幅度提高并达到 s级别， 具有明显的延迟荧光效应。 0029 (3)本发明提供的电致发光化合物HOMO和LUMO之间的差值比较大， 化合物的扭曲 程度较大， 通过取代基实现可见光内全波谱的发射， 可作为红光、 蓝光、 绿光等的发光层材 料应用于多种需求的发光层材料中。 0030 (4)本发明所述电致发光化合物的母体结构(硼代萘并喹啉)为干性， 热稳定性好， 不易发生分解， 玻璃态转化温度比较高、 可达到100以上，。

21、 在成膜过程中出现非晶态， 使膜 层的致密性较好、 器件的稳定性较高。 此外， 所述电致发光化合物的母体结构分子量相对较 小， 蒸镀温度较低， 材料的分解程度低， 能够应用于蒸镀工艺中得到高性能的OLED器件。 0031 (5)本发明提供的电致发光化合物本身具有双极性特性， 作为OLED器件的发光层 可以有效提高两种载流子的传输能力和改善载流子平衡， 提高器件的发光效率， 降低器件 电压， 使器件的外量子效率达到16.523.5， 电流效率达到19.061.3Cd/A， 能够充分满 足高性能OLED器件的应用需求。 附图说明 0032 图1为本发明提供的OLED器件的结构示意图， 其中101为。

22、阳极， 102为阴极， 103为发 光层， 104为第一有机薄膜层， 105为第二有机薄膜层； 0033 图2为本发明实施例1提供的电致发光化合物M1的HOMO轨道排布图； 0034 图3为本发明实施例1提供的电致发光化合物M1的LUMO轨道排布图。 具体实施方式 0035 下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。 本领域技术人员应该明 了， 所述实施例仅仅是帮助理解本发明， 不应视为对本发明的具体限制。 0036 本发明的目的之一在于提供一种电致发光化合物， 所述电致发光化合物具有如式 I所示结构： 0037 0038 式I中， R、 R1、 R2、 R3各自独立地选自取代或未取代。

23、的C6C40芳基、 取代或未取代的 C3C40杂芳基、 取代或未取代的C6C30芳基氨基中的任意一种， 且R、 R1、 R2、 R3为供电子基 团。 0039 所述C6C40可以是C7、 C8、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C28、 C30、 C33、 C35、 C37或C39等。 0040 所述C3C40可以是C4、 C5、 C6、 C8、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C28、 C30、 C33、 说明书 3/21 页 12 CN 110684524 A 12 C35、 C37或C39等。 0041 所述C6。

24、C30可以是C7、 C8、 C9、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C27或C29等。 0042 所述 “供电子基团” 意指能提高苯环上电子云密度的基团， 示例性地包括但不限于 咔唑基、 芳胺基、 吖啶基、 吩噻嗪基或吩恶嗪基等。 0043 当上述基团存在取代基时， 所述取代基选自C1C10直链或支链烷基、 C1C10烷 氧基或C1C10硫代烷氧基中的至少一种。 0044 所述C1C10可以是C1、 C2、 C3、 C4、 C5、 C6、 C7、 C8、 C9或C10。 0045 式I中， L为C6C30亚芳基或C3C30亚杂芳基。 0046 所述C6C3。

25、0可以是C7、 C8、 C9、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C27或C29等。 0047 所述C3C30可以是C4、 C5、 C6、 C8、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C27或C29等。 0048 式I中， n1为03的整数， 例如0、 1、 2或3。 0049 式I中， n2为04的整数， 例如0、 1、 2、 3或4。 0050 式I中， n3为02的整数， 例如0、 1或2。 0051 本发明提供的电致发光化合物以硼代萘并喹啉为核心并作为电子受体， 连接基团 R以及R1、 R2、 R3作为电子给体， 通。

26、过大位阻基团的接入避免了化合物的聚集， 避免共轭平面 的直接堆积形成 聚集或激基缔合物， 从而提高了发光效率。 基于所述电致发光化合物的热 激活延迟荧光材料具有TADF特性， 可以利用传统荧光分子跃迁禁阻的三线态激子来发光， 从而提高器件效率； 其根本原因在于所述电致发光化合物的分子中具有大的刚性扭曲， 降 低了HOMO和LUMO之间的重叠， 使三重态和单重态之间的能级差可以降低到0.25eV以下， 满 足三线态能量向单线态逆向窜越， 提高器件效率； 并通过取代基的特殊设计实现可见光内 全波谱的发射。 所述电致发光化合物本身具有双极性特性， 作为OLED器件的发光层可以有 效提高两种载流子的传。

27、输能力和改善载流子平衡， 提高器件的荧光量子效率， 降低器件电 压。 0052 在一个实施方式中， 所述R、 R1、 R2、 R3各自独立地选自如下基团的任意一种， 或被取 代基取代的如下基团的任意一种： 0053 说明书 4/21 页 13 CN 110684524 A 13 0054 0055 其中， 虚线表示基团的连接位点。 0056 Z1-Z7各自独立地选自O、 S或N-RN1中的任意一种； 所述N-RN1通过N原子与五元环连 接。 下文中涉及到相同描述时， 具有相同的意义。 0057 U1、 U2各自独立地选自O、 S、 N-RN2或RC1-C-RC2中的任意一种； 所述N-RN2通。

28、过N原子与 六元环连接， 所述RC1-C-RC2通过C原子与六元环连接。 下文中涉及到相同描述时， 具有相同 的意义。 0058 RN1、 RN2、 RC1、 RC2选自氢、 C1C10(例如C2、 C3、 C4、 C5、 C6、 C7、 C8或C9)直链或支链烷 基、 C1C10(例如C2、 C3、 C4、 C5、 C6、 C7、 C8或C9)烷氧基、 C6C20(例如C7、 C9、 C10、 C12、 C14、 C15、 C17或C19等)芳基、 C3C20(例如C4、 C6、 C8、 C10、 C12、 C14、 C16或C18等)杂芳基中的任 意一种。 0059 所述取代基选自C1C1。

29、0(例如C2、 C3、 C4、 C5、 C6、 C7、 C8或C9)直链或支链烷基、 C1 C10(例如C2、 C3、 C4、 C5、 C6、 C7、 C8或C9)烷氧基或C1C10(例如C2、 C3、 C4、 C5、 C6、 C7、 C8或 C9)硫代烷氧基中的至少一种。 0060 在一个实施方式中， 所述电致发光化合物具有如式II所示结构： 0061 0062 式II中， R1、 R2、 R3各自独立地具有与上述式I中相同的限定范围。 0063 式II中， L为C6C30(例如C7、 C8、 C9、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C27或C29 等)。

30、亚芳基或C3C30(例如C4、 C5、 C6、 C8、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C27或C29等)亚 杂芳基。 说明书 5/21 页 14 CN 110684524 A 14 0064 式II中， n1为03的整数， 例如0、 1、 2或3。 0065 式II中， n2为04的整数， 例如0、 1、 2、 3或4。 0066 式II中， n3为02的整数， 例如0、 1或2。 0067 在一个实施方式中， 所述电致发光化合物具有如式III所示结构： 0068 0069 式III中， U选自O、 S、 N-RU1或RU2-C-RU3中的任意一种； 其。

31、中， RU1、 RU2、 RU3各自独立地 选自氢、 C1C10(例如C2、 C3、 C4、 C5、 C6、 C7、 C8或C9)直链或支链烷基、 C1C10(例如C2、 C3、 C4、 C5、 C6、 C7、 C8或C9)烷氧基、 C6C20(例如C7、 C9、 C10、 C12、 C14、 C15、 C17或C19等)芳基、 C3C20(例如C4、 C6、 C8、 C10、 C12、 C14、 C16或C18等)杂芳基中的任意一种。 0070 式III中， R1、 R2、 R3各自独立地具有与上述式I中相同的限定范围。 0071 式III中， L为C6C30(例如C7、 C8、 C9、 C。

32、10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C27或C29 等)亚芳基或C3C30(例如C4、 C5、 C6、 C8、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C27或C29等)亚 杂芳基。 0072 式III中， n1为03的整数， 例如0、 1、 2或3。 0073 式III中， n2为04的整数， 例如0、 1、 2、 3或4。 0074 式III中， n3为02的整数， 例如0、 1或2。 0075在一个实施方式中， 所述U选自O、 S、 N-RU1或中的任意一种， RU1为C6 C20(例如C7、 C9、 C10、 C12、 C1。

33、4、 C15、 C17或C19等)芳基或C3C20(例如C4、 C6、 C8、 C10、 C12、 C14、 C16或C18等)杂芳基。 0076 在一个实施方式中， 所述电致发光化合物具有如式IV所示结构： 0077 0078 式IV中， R1、 R2、 R3各自独立地具有与上述式I中相同的限定范围。 0079 式IV中， L为C6C30(例如C7、 C8、 C9、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C27或C29 等)亚芳基或C3C30(例如C4、 C5、 C6、 C8、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C23、 C25、 C27或C2。

34、9等)亚 说明书 6/21 页 15 CN 110684524 A 15 杂芳基。 0080 式IV中， n1为03的整数， 例如0、 1、 2或3。 0081 式IV中， n2为04的整数， 例如0、 1、 2、 3或4。 0082 式IV中， n3为02的整数， 例如0、 1或2。 0083 在一个实施方式中， 所述L选自C6C24(例如C7、 C8、 C9、 C10、 C13、 C15、 C18、 C20、 C22或C23等)亚芳基、 C3C20(例如C4、 C6、 C8、 C10、 C12、 C14、 C16或C18等)含N亚杂芳基或C3 C20(例如C4、 C6、 C8、 C10、 。

35、C12、 C14、 C16或C18等)含O亚杂芳基。 0084 在一个实施方式中， 所述L选自如下基团的任意一种： 0085 0086 其中， 虚线表示基团的连接位点。 0087 在一个实施方式中， 所述R1、 R2、 R3各自独立地选自如下基团的任意一种， 或被取代 基取代的如下基团的任意一种： 0088 0089 其中， 虚线表示基团的连接位点。 0090 所述取代基选自C1C10(例如C2、 C3、 C4、 C5、 C6、 C7、 C8或C9)直链或支链烷基、 C1 C10(例如C2、 C3、 C4、 C5、 C6、 C7、 C8或C9)烷氧基或C1C10(例如C2、 C3、 C4、 C。

36、5、 C6、 C7、 C8或 C9)硫代烷氧基中的至少一种。 0091 在一个实施方式中， 所述电致发光化合物选自如下化合物M1M50中的任意一种： 说明书 7/21 页 16 CN 110684524 A 16 0092 说明书 8/21 页 17 CN 110684524 A 17 0093 说明书 9/21 页 18 CN 110684524 A 18 0094 说明书 10/21 页 19 CN 110684524 A 19 0095 0096 本发明的目的之二在于提供一种热激活延迟荧光材料， 所述热激活延迟荧光材料 包括上述电致发光化合物中的任意一种或至少两种组合。 0097 在一个。

37、实施方式中， 所述热激活延迟荧光材料的最低单重态S1与最低三重态T1态 之间的能极差ESTES1-ET10.30eV， 例如能级差EST为0.29eV、 0.27eV、 0.25eV、 0.24eV、 0.23eV、 0.22eV、 0.21eV、 0.20eV、 0.19eV、 0.18eV、 0.16eV、 0.14eV、 0.13eV、 0.12eV、 0.11eV、 0.10eV、 0.09eV、 0.08eV、 0.07eV、 0.06eV、 0.05eV、 0.04eV、 0.03eV、 0.02eV或0.01eV等。 0098 本发明的目的之三在于提供一种显示面板， 所述显示面板。

38、包括OLED器件， 所述 OLED器件包括阳极、 阴极以及位于所述阳极和阴极之间的至少1层有机薄膜层， 所述有机薄 膜层包括发光层。 0099 所述发光层包括如上所述的热激活延迟荧光材料， 且所述热激活延迟荧光材料用 作主体材料、 客体材料或共同掺杂材料中的任意一种。 0100 在一个实施方式中， 所述有机薄膜层还包括空穴传输层、 空穴注入层、 电子阻挡 层、 空穴阻挡层、 电子传输层、 电子注入层中的任意一种或至少两种的组合。 0101 本发明所述OLED器件中， 阳极材料可以为金属、 金属氧化物或导电性聚合物； 其 中， 所述金属包括铜、 金、 银、 铁、 铬、 镍、 锰、 钯、 铂等及它。

39、们的合金， 所述金属氧化物包括氧 化铟锡(ITO)、 氧化铟锌(IZO)、 氧化锌、 氧化铟镓锌(IGZO)等， 所述导电性聚合物包括聚苯 胺、 聚吡咯、 聚(3-甲基噻吩)等。 除以上有助于空穴注入材料及其组合， 还包括已知的适合 做阳极的材料。 说明书 11/21 页 20 CN 110684524 A 20 0102 所述OLED器件中， 阴极材料可以为金属或多层金属材料； 其中， 所述金属包括铝、 镁、 银、 铟、 锡、 钛等及它们的合金， 所述多层金属材料包括LiF/Al、 LiO2/Al、 BaF2/Al等。 除以 上有助于电子注入的材料及其组合， 还包括已知的适合做阴极的材料。 。

40、0103 所述OLED器件中， 有机薄膜层包括至少一层发光层(EML)和设置于发光层两侧的 空穴传输层(HTL)、 空穴注入层(HIL)、 电子阻挡层(EBL)、 空穴阻挡层(HBL)、 电子传输层 (ETL)、 电子注入层(EIL)中的任意一种或至少两种的组合， 其中空穴/电子注入及传输层可 以为咔唑类化合物、 芳胺类化合物、 苯并咪唑类化合物及金属化合物等。 0104 所述OLED器件的示意图如图1所示， 包括阳极101和阴极102， 设置于所述阳极101 和阴极102之间的发光层103， 在发光层103的两侧设置有第一有机薄膜层104和第二有机薄 膜层105， 所述第一有机薄膜层104和。

41、第二有机薄膜层105各自独立地为空穴传输层(HTL)、 空穴注入层(HIL)、 电子阻挡层(EBL)、 空穴阻挡层(HBL)、 电子传输层(ETL)、 电子注入层 (EIL)中的任意1种或至少2种的组合。 0105 所述OLED器件可以通过以下方法制备： 在透明或不透明的光滑的基板上形成阳 极， 在阳极上形成有机薄层， 在有机薄层上形成阴极。 其中， 形成有机薄层可采用如蒸镀、 溅 射、 旋涂、 浸渍、 离子镀等已知的成膜方法。 0106 本发明的目的之四在于提供一种电子设备， 所述电子设备包括如上所述的显示面 板。 0107 本发明提供的具有如式I所示结构的化合物示例性的通过如下合成路线制备。

42、得 到： 0108 0109 其中， R、 R1、 R2、 R3、 L、 n1、 n2、 n3各自独立地具有与上述式I中相同的限定范围， TMS为 三甲基硅烷基。 0110 实施例1 0111 本实施例提供一种电致发光化合物， 结构如下： 说明书 12/21 页 21 CN 110684524 A 21 0112 0113 制备方法包括以下步骤： 0114(1) 0115 在微波小瓶中依次加入A(0.5mmol)和B(0.5mmol)， 用乙醇(6mL)溶解， 然后加入四 丁基乙酸盐(Bu4NOAc， 1mmol)和钯催化剂Pd En Cat(63mg， 5mol)； 反应用微波装置在120 。

43、下照射10分钟。 在微波腔中冷却到室温后， 将反应混合物在SCXII柱上纯化， 使用二氯甲 烷(DCM， 10mL)作为洗脱液并蒸发至干， 得到中间体C。 0116 1H-NMR(400MHz， CDCl3)： 8.91(s,1H),8.12(d,J4.0Hz,2H),7.84(s,1H),7.66 (s,1H),7.53(s,1H),7.44(s,1H),7.32(d,J20.0Hz,2H)。 0117 13C-NMR(100MHz， CDCl3)： 148.63(s),148.12(s),147.36(s),143.88(s),134.18 (s),132.82(s),131.31(s),。

44、130.07(s),129.65(s),127.95(s),127.51(s),126.95(s), 120.99(s),119.91(s),118.80(s)。 0118(2) 0119 在250mL三口瓶中加入中间体C 7.22g(20mmol)， 用四氢呋喃(THF， 80mL)溶解， 氮 气置换三次； 降温至-78， 待温度达到后控制温度在-65以下缓慢滴加正丁基锂20mL(n- BuLi， 50mmol)， 滴加完全后搅拌30min； 再缓慢滴加三甲基氯硅烷4.35g(TMS-Cl， 40mmol)， 升温至0反应4h。 结束后加入冰水淬灭； 加入DCM萃取， 收集有机相旋蒸， 得到。

45、淡黄色油状 物； 用甲苯和乙醇的混合溶剂析晶得到淡黄色固体； 在200mL闷罐中依次加入淡黄色固体、 70mL无水甲苯溶液和三溴化硼0.76mL(8mmol)， 120搅拌12h。 反应结束后H2O(100mL)淬 灭； 用DCM萃取反应液， 收集有机相， 干燥过滤， 旋蒸去除溶剂； 使用二氯甲烷和乙醇的混合 溶剂析晶得到中间体D。 0120 1H-NMR(400MHz， CDCl3)： 8.87(s,1H),8.56(s,1H),8.17(s,1H),7.94(s,2H),7.77 (s,1H),7.59(s,1H),7.50(s,1H),7.42(s,1H)。 说明书 13/21 页 22。

46、 CN 110684524 A 22 0121 13C-NMR(100MHz， CDCl3)： 152.83(s),152.33(s),142.66(s),137.45(s),133.10 (s),132.00(s),130.42(s),129.95(s),129.74(s),128.11(s),127.38(s),125.83(s), 111.38(s)。 0122 (3) 0123 将化合物E 9-(4-溴苯基)咔唑6.16g(19.13mmol)加入反应瓶中， 用乙醚(50mL)溶 解， 氮气置换三次； 降温至-78， 待温度达到后控制温度在-65以下缓慢滴加n-BuLi 8.04mL(。

47、2.5M， 20.09mmol)， 滴加完全后搅拌30min； 用甲苯(Tol， 60mL)溶解中间体D 4.4g (15mmol)， 然后缓慢滴加至反应液中， 滴加完成后自然升至室温反应6h。 反应结束后加入冰 水(100mL)淬灭反应， 再加入DCM萃取， 最后用饱和食盐水萃取一次。 收集有机相旋蒸， 得到 淡黄色油状物。 以柱层析方法(流动相为正己烷与二氯甲烷体积比3:1的混合溶剂)纯化产 物， 得到目标产物M1。 0124 1H-NMR(400MHz， CDCl3)： 8.87(s,1H) ,8.63(s,1H) ,8.55(s,1H) ,8.18(d,J 8.0Hz,2H),7.94。

48、(s,2H),7.89(s,2H),7.75(d,J16.0Hz,3H),7.59(s,1H),7.51(d,J 8.0Hz,2H),7.41(d,J8.0Hz,2H),7.16(dd,J22.0,14.0Hz,4H)。 0125 13C-NMR(100MHz， CDCl3)： 154.08(s),151.64(s),149.09(s),145.60(s),139.35 (s),135.38(s),135.09(s),134.82(s),131.99(s),130.97(s),129.86129.49(m),127.77 (d,J9.8Hz) ,126.91(s) ,125.67(s) ,12。

49、5.32(s) ,121.91(s) ,121.15(d,J2.7Hz) , 114.95(s),113.74(s)。 0126 实施例2 0127 本实施例提供一种电致发光化合物， 结构如下： 0128 0129 制备方法与实施例1中制备方法的区别在于， 将步骤(3)中的化合物E用等摩尔量 说明书 14/21 页 23 CN 110684524 A 23 的化合物E2替换， 其它制备条件不变， 得到目标产物M2。 0130 1H-NMR(400MHz， CDCl3)： 8.87(s,1H) ,8.63(s,1H) ,8.55(s,1H) ,8.18(d,J 8.0Hz,2H),7.94(s,。

50、4H),7.89(s,4H),7.75(d,J16.0Hz,3H),7.59(s,1H),7.51(d,J 8.0Hz,2H),7.41(d,J8.0Hz,2H),7.16(dd,J22.0,14.0Hz,4H)。 0131 13C-NMR(100MHz， CDCl3)： 154.08(s),151.67(d,J7.0Hz),146.93(s),145.60 (s),139.35(s),135.09(s),134.01(s),131.99(s),130.97(s),129.86-129.49(m),129.27 (s),127.82(s),127.11(s),126.91(s),125.32(。