正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910904527.X (22)申请日 2019.09.24 (71)申请人 苏州腾晖光伏技术有限公司 地址 215542 江苏省苏州市常熟市沙家浜 常昆工业园 申请人 常熟理工学院 (72)发明人 张树德魏青竹钱洪强况亚伟 李跃连维飞倪志春刘玉申 杨希峰 (74)专利代理机构 苏州创元专利商标事务所有 限公司 32103 代理人 李萍 (51)Int.Cl. H01L 31/0216(2014.01) H01L 31/0352(2006.01) H01L 31/068(2。

2、012.01) H01L 31/18(2006.01) (54)发明名称 一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及 其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶 硅太阳电池及制备方法， 其电池正表面的整体复 合速率进一步降低。 该晶硅太阳电池包括正面电 极、 正面钝化层、 N型硅掺杂层、 P型硅基体层、 背 面钝化层及背面电极， 背面钝化层形成于P型硅 基体层背面， 背面电极形成于背面钝化层上且局 部穿过背面钝化层而和P型硅基体层形成欧姆接 触， N型硅掺杂层形成于P型硅基体层的正面， N型 硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层， 氧化硅 薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层， P型硅基。

3、体层 的正面为经制绒形成的绒面， 正面钝化层层叠形 成在N+型多晶硅层及N型硅掺杂层的其他区域 上， 正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶 硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。 权利要求书2页 说明书4页 附图1页 CN 110610998 A 2019.12.24 CN 110610998 A 1.一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池， 包括正面电极、 正面钝化层、 N型硅掺杂层、 P型硅基体层、 背面钝化层及背面电极， 所述背面钝化层形成于所述P型硅基体层背面， 所述 背面电极形成于所述背面钝化层上且局部穿过所述背面钝化层而和所述P型硅基体层形成 欧姆接触， 所述N型硅掺杂层形成。

4、于所述P型硅基体层的正面， 其特征在于： 所述N型硅掺杂 层上形成有图形化的氧化硅薄层， 所述氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层， 所述P型硅 基体层的所述正面为经制绒形成的凹凸起伏的绒面， 所述N型硅掺杂层、 所述氧化硅薄层及 所述N+型多晶硅层分别具有相应的凹凸起伏的上表面， 所述正面钝化层层叠形成在所述N+ 型多晶硅层及所述N型硅掺杂层的其他区域上， 所述正面电极透过所述正面钝化层并形成 在所述N+型多晶硅层的上表面上， 以和所述N+型多晶硅层形成欧姆接触。 2.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池， 其特征在于： 所述N型硅掺杂层和所述N+型多晶 硅层中均掺杂有磷元素。 3.根据权利要求。

5、2所述的晶硅太阳电池， 其特征在于： 所述N型硅掺杂层中磷元素的掺 杂浓度小于所述N+型多晶硅层中磷元素的掺杂浓度。 4.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池， 其特征在于： 所述N+型多晶硅层的厚度为10 200nm。 5.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池， 其特征在于： 所述氧化硅薄层的厚度为0.1 2nm。 6.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池， 其特征在于： 所述背面钝化层上开设有槽， 所 述P型硅基体层具有对应所述槽处的P+型硅部位， 所述背面电极的局部穿过所述槽并和所 述P+型硅部位形成欧姆接触。 7.一种如权利要求1-6中任一项所述的晶硅太阳电池的制备方法， 其特征在于， 包括如 下。

6、步骤： A、 对P型硅片进行制绒； B、 对P型硅片的正面进行磷掺杂， 形成N型硅掺杂层； C、 在N型硅掺杂层上生长氧化硅薄层， 在氧化硅薄层上形成N+型多晶硅层； D、 在N+型多晶硅层上沉积图形化掩膜； E、 去除掩膜区域以外的N+型多晶硅层； F、 去除氧化硅薄层和图形化掩膜； G、 硅片背面沉积背面钝化膜， 正面沉积正面钝化膜； H、 硅片背面开槽， 露出P型硅基体； I、 硅片背面和正面分别印刷浆料， 烧结。 8.根据权利要求7所述的制备方法， 其特征在于： 所述步骤C中， 通过热氧化或湿化学氧 化形成所述氧化硅薄层， 厚度为0.12nm。 9.根据权利要求7所述的制备方法， 其特。

7、征在于： 所述步骤C中， 在所述氧化硅薄层上原 位掺杂形成所述N+型多晶硅层； 或， 先在所述氧化硅薄层上形成多晶硅层， 再通过扩散或离 子注入进行掺杂形成所述N+型多晶硅层。 10.根据权利要求7所述的制备方法， 其特征在于： 所述步骤D中， 所述掩膜为氮化硅； 所 述步骤E中， 采用碱溶液刻蚀除掩膜区域以外的N+型多晶硅层， 采用硝酸和氢氟酸的混合溶 液对硅片的边缘进行刻蚀， 对硅片的背面进行抛光； 所述步骤F中， 采用氢氟酸去除所述氧 权利要求书 1/2 页 2 CN 110610998 A 2 化硅薄层和所述掩膜。 权利要求书 2/2 页 3 CN 110610998 A 3 一种正面。

8、局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法 技术领域 0001 本发明属于晶硅太阳能电池领域， 涉及一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及 其制备方法。 背景技术 0002 PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)晶硅太阳电池采用介质层作为背面 钝化层， 能够大幅减小背表面复合速率， 提高电池光电转换效率。 相比传统铝背场电池， PERC电池能够获得1-1.5的效率提升。 在背表面复合得到有效抑制后， 正表面复合成为 电池效率提升的瓶颈， 因此很多光伏企业开始在PERC电池上引入选择性发射极技术， 以减 小正表面复合速率， 进一步提高电池效率。 选择性发射极技术将。

9、发射极分为非金属接触区 域和金属接触区域两部分， 非金属接触区域掺杂浓度低， 减小复合速率， 金属接触区域掺杂 浓度高， 减小电极接触电阻。 也就是说， 选择性发射极技术只能减小非金属接触区域的复合 速率， 但并不能减小金属接触区域的复合速率。 因此， 本发明的目的是在减小非金属接触区 域复合速率的同时， 减小金属接触区域的复合速率。 0003 中国实用新型专利ZL201721093521.1公开了一种采用钝化接触结构减小正表面 复合速率的方案， 其虽然能够解决金属接触区域复合速率高的问题， 但非金属接触区域的 多晶硅层存在较为严重的寄生吸收， 影响电池的短路电流密度和转换效率。 0004 现。

10、有技术(选择性发射极技术)虽然能够减小非金属接触区域的复合速率， 但并不 能减小金属接触区域的复合速率， 影响电池正表面的整体复合速率。 发明内容 0005 针对上述技术问题， 本发明旨在提供一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池， 其 在减小非金属接触区域复合速率的同时， 减小金属接触区域的复合速率， 电池正表面的整 体复合速率进一步降低， 电池转换效率较高。 0006 本发明还提供一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池的制备方法， 其制备的晶硅 太阳电池正表面的整体复合速率较低， 提高了转换效率。 0007 为达到上述目的， 本发明采用的一种技术方案如下： 0008 一种正面局域钝化接触的晶硅太阳。

11、电池， 包括正面电极、 正面钝化层、 N型硅掺杂 层、 P型硅基体层、 背面钝化层及背面电极， 所述背面钝化层形成于所述P型硅基体层背面， 所述背面电极形成于所述背面钝化层上且局部穿过所述背面钝化层而和所述P型硅基体层 形成欧姆接触， 所述N型硅掺杂层形成于所述P型硅基体层的正面， 所述N型硅掺杂层上形成 有图形化的氧化硅薄层， 所述氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层， 所述P型硅基体层的 所述正面为经制绒形成的凹凸起伏的绒面， 所述N型硅掺杂层、 所述氧化硅薄层及所述N+型 多晶硅层分别具有相应的凹凸起伏的上表面， 所述正面钝化层层叠形成在所述N+型多晶硅 层及所述N型硅掺杂层的其他区域上。

12、， 所述正面电极透过所述正面钝化层并形成在所述N+ 型多晶硅层的上表面上， 以和所述N+型多晶硅层形成欧姆接触。 说明书 1/4 页 4 CN 110610998 A 4 0009 优选地， 所述N型硅掺杂层和所述N+型多晶硅层中均掺杂有磷元素。 0010 更优选地， 所述N型硅掺杂层中磷元素的掺杂浓度小于所述N+型多晶硅层中磷元 素的掺杂浓度。 0011 优选地， 所述N+型多晶硅层的厚度为10200nm。 0012 优选地， 所述氧化硅薄层的厚度为0.12nm。 0013 优选地， 所述背面钝化层上开设有槽， 所述P型硅基体层具有对应所述槽处的P+型 硅部位， 所述背面电极的局部穿过所述槽。

13、并和所述P+型硅部位形成欧姆接触。 0014 本发明采用的另一种技术方案如下： 0015 一种如上所述的晶硅太阳电池的制备方法， 包括如下步骤： 0016 A、 对P型硅片进行制绒； 0017 B、 对P型硅片的正面进行磷掺杂， 形成N型硅掺杂层； 0018 C、 在N型硅掺杂层上生长氧化硅薄层， 在氧化硅薄层上形成N+型多晶硅层； 0019 D、 在N+型多晶硅层上沉积图形化掩膜； 0020 E、 去除掩膜区域以外的N+型多晶硅层； 0021 F、 去除氧化硅薄层和图形化掩膜； 0022 G、 硅片背面沉积背面钝化膜， 正面沉积正面钝化膜； 0023 H、 硅片背面开槽， 露出P型硅基体； 。

14、0024 I、 硅片背面和正面分别印刷浆料， 烧结。 0025 优选地， 所述步骤C中， 通过热氧化或湿化学氧化形成所述氧化硅薄层， 厚度为0.1 2nm。 0026 优选地， 所述步骤C中， 在所述氧化硅薄层上原位掺杂形成所述N+型多晶硅层； 或， 先在所述氧化硅薄层上形成多晶硅层， 再通过扩散或离子注入进行掺杂形成所述N+型多晶 硅层。 0027 优选地， 所述步骤D中， 所述掩膜为氮化硅； 所述步骤E中， 采用碱溶液刻蚀除掩膜 区域以外的N+型多晶硅层， 采用硝酸和氢氟酸的混合溶液对硅片的边缘进行刻蚀， 对硅片 的背面进行抛光； 所述步骤F中， 采用氢氟酸去除所述氧化硅薄层和所述掩膜。 。

15、0028 本发明采用以上方案， 相比现有技术具有如下优点： 0029 本发明的正面局域钝化接触的晶硅太阳电池中， 在非金属接触区域的N型硅掺杂 浓度较低， 能够减小非金属接触区域的复合速率， 同时在金属接触区域通过引入由氧化硅 薄层和掺杂多晶硅组成的钝化接触结构， 能够减小金属接触区域的复合速率。 因为非金属 接触区域的N型硅延伸到金属接触区域， 所以在非金属接触区域分离的载流子能够输运到 金属接触区域， 进而被收集转换成电能， 载流子收集效率较高， 电池转换效率较高。 附图说明 0030 为了更清楚地说明本发明的技术方案， 下面将对实施例描述中所需要使用的附图 作简单地介绍， 显而易见地， 。

16、下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例， 对于本领域普 通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的附图。 0031 图1为一种晶硅太阳电池的结构示意图。 0032 其中， 说明书 2/4 页 5 CN 110610998 A 5 0033 1、 正面电极； 2、 N+型多晶硅层； 3、 氧化硅薄层； 4、 正面钝化层； 5、 N型硅掺杂层； 6、 P 型硅基体； 7、 P+型硅部位； 8、 背面钝化层； 9、 背面电极。 具体实施方式 0034 下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述， 以使本发明的优点和特征能 更易于被本领域的技术人员理解。 在此需要。

17、说明的是， 对于这些实施方式的说明用于帮助 理解本发明， 但并不构成对本发明的限定。 此外， 下面所描述的本发明各个实施方式中所涉 及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以互相结合。 0035 本实施例提供一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池， 是一种PERC电池。 参照图1 所示， 该晶硅太阳电池包括正面电极1、 N+型多晶硅层2、 氧化硅薄层3、 正面钝化层4、 N型硅 掺杂层5、 P型硅基体层6、 背面钝化层8及背面电极9。 其中， P型硅基体层6为硼掺杂或镓掺杂 的P型硅基体。 N型硅掺杂层5掺杂有磷元素且磷掺杂浓度较低， 其形成于P型硅基体层6的正 面， 与P型硅基体构成PN结。 氧。

18、化硅薄层3和N+型多晶硅层2均为图形化的层状结构， 二者的 图形一致， 且二者相层叠形成钝化接触结构； 氧化硅薄层3形成在N型硅掺杂层5的部分上表 面上， N+型多晶硅层2覆盖形成的氧化硅薄层3的上表面上。 正面钝化层4层叠在N+型多晶硅 层2上以及N型硅掺杂层5的未被氧化硅薄层3覆盖的其他上表面上。 正面电极1也为图形化 的结构， 且其图形和N+型多晶硅层2的图形一致或相似， 正面电极1位于N+型多晶硅层2的正 上方， 且穿透正面钝化层4而形成在N+型多晶硅层2的上表面上， 从而和N+型多晶硅层2形成 欧姆接触。 背面钝化层8形成于P型硅基体层6背面， 背面电极9形成于背面钝化层8上且局部 。

19、穿过背面钝化层8而和P型硅基体层6形成欧姆接触。 0036 具体地， P型硅基体层6的正面为经制绒形成的凹凸起伏的绒面， 相应地， 依次层叠 于其绒面上的N型硅掺杂层5、 氧化硅薄层3及N+型多晶硅层2也分别具有相应的凹凸起伏的 上表面， 上述的正面电极1和N+型多晶硅层2的接触区域也即为凹凸起伏的表面。 0037 所述的N型硅掺杂层5和N+型多晶硅层2中均掺杂有磷元素， 且N型硅掺杂层5中磷 元素的掺杂浓度小于N+型多晶硅层2中磷元素的掺杂浓度。 N+型多晶硅层2的厚度为10 200nm。 氧化硅薄层3的厚度为0.12nm。 0038 背面钝化层8上开设有槽， P型硅基体层6具有对应槽处的P。

20、+型硅部位7， 背面电极9 的局部穿过槽并和P+型硅部位7形成欧姆接触。 具体地， 对背面钝化层8进行激光开槽， 直至 露出P型硅基体6， 然后再在硅片背面印刷金属浆料， 部分浆料进入槽中， 烧结后和P型硅基 体6形成欧姆接触， 接触部位即为所述P+型硅部位7。 0039 本实施例中， 正面电极1可以为银电极； 正面钝化层4可以为氮化硅层， 在起钝化作 用的同时起到减反射的作用； P+型硅部位7位于P型硅基体层6的背面上， 称为局部背表面 场； 背面钝化层8可以为氧化铝/氮化硅叠层； 背面电极9可以为铝， 其覆盖背面钝化层8且局 部进入背面钝化层8的槽中。 0040 如图1所示， 在非金属接触。

21、区域(不和正面电极接触的区域)的N型硅掺杂浓度较 低， 能够减小非金属接触区域的复合速率。 在金属接触区域通过引入钝化接触结构(氧化硅 薄层和掺杂多晶硅)， 能够减小金属接触区域的复合速率。 因为非金属接触区域的N型硅延 伸到金属接触区域， 所以在非金属接触区域分离的载流子能够输运到金属接触区域， 进而 被收集转换成电能， 也就是说载流子收集效率高。 说明书 3/4 页 6 CN 110610998 A 6 0041 本实施例还提供一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池的制备方法， 依次包括如 下步骤： 0042 A、 对P型硅片进行制绒； 0043 B、 对P型硅片的正面进行磷掺杂， 形成N型硅。

22、掺杂层； 0044 C、 在N型硅掺杂层上生长氧化硅薄层， 在氧化硅薄层上形成N+型多晶硅层； 0045 D、 在N+型多晶硅层上沉积图形化掩膜； 0046 E、 去除掩膜区域以外的N+型多晶硅层； 0047 F、 去除氧化硅薄层和图形化掩膜； 0048 G、 硅片背面沉积背面钝化膜， 正面沉积正面钝化膜； 0049 H、 硅片背面开槽， 露出P型硅基体； 0050 I、 硅片背面和正面分别印刷浆料， 烧结。 0051 所述步骤A中， 对P型硅片进行清洗， 然后表面制绒形成金字塔结构， 获得凹凸起伏 的绒面。 0052 所述步骤B中， 硅片正面磷掺杂， 方法可以为扩散或离子注入， 形成掺杂浓度。

23、较低 的N型硅。 其中若采用扩散方法， 由扩散产生的磷硅玻璃用氢氟酸去除。 0053 所述步骤C中， 硅片正面生长氧化硅薄层， 厚度为0.12nm， 方法可以为热氧化或 湿化学氧化。 在氧化硅薄层上沉积磷掺杂浓度较高的N+型多晶硅， 厚度为10200nm。 方法 可以为LPCVD原位掺杂； 或， 先采用LPCVD沉积多晶硅层， 再采用扩散或离子注入进行掺杂。 其中若采用扩散方法， 由扩散产生的磷硅玻璃需要用氢氟酸去除。 0054 所述步骤D中， 硅片正面沉积图形化掩膜， 掩膜材料为不与碱反应的材料， 本实施 例中优选氮化硅， 方法可以为丝网印刷或带掩模版的PECVD。 0055 所述步骤E中，。

24、 采用碱溶液刻蚀除掩膜区域外的N+型多晶硅， 采用硝酸和氢氟酸的 混合溶液对硅片边缘刻蚀和背面抛光。 0056 所述步骤F中， 去除氧化硅薄层和图形化掩膜。 本实施例中掩膜材料为氮化硅， 因 而采用氢氟酸浸泡。 0057 所述步骤G中， 硅片背面沉积钝化层， 可以为氧化铝/氮化硅叠层。 正面沉积钝化 层， 可以为氮化硅。 0058 所述步骤H中， 对硅片背面的钝化层进行激光开孔， 露出P型硅基体。 0059 所述步骤I中， 在硅片背面丝网印刷金属化浆料， 可以为铝浆； 在硅片正面丝网印 刷金属化浆料， 可以为银浆； 烧结完成金属化。 在烧结过程中， 铝浆和硅共融， 形成局部背表 面场， 即所述。

25、的P+型硅部位。 正面电极的图形与之前掩膜的图形相同。 0060 本发明中， 采用有氧化硅薄层和N+型多晶硅组成的钝化接触结构解决晶硅太阳电 池正面金属接触区域复合速率高的问题。 非金属接触区域掺杂浓度较低的N型硅延伸到金 属接触区域， 使非金属接触区域分离的载流子能够输运到金属接触区域， 提高载流子收集 效率。 0061 上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点， 是一种优选的实施例， 其目的在 于熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施， 并不能以此限定本发明的保护 范围。 凡根据本发明的原理所作的等效变换或修饰， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。 说明书 4/4 页 7 CN 110610998 A 7 图1 说明书附图 1/1 页 8 CN 110610998 A 8 。