盐碱地种植系统及其施工工艺.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201911040408.0 (22)申请日 2019.10.29 (71)申请人 厦门瀚卓路桥景观艺术有限公司 地址 361000 福建省厦门市思明区莲滨里 28-33号第七层C2单元 （该住所仅限作 为商事主体法律文书送达地址） (72)发明人 谢志群何大胜李剑 (51)Int.Cl. A01B 79/02(2006.01) A01G 22/00(2018.01) A01G 17/00(2006.01) (54)发明名称 一种盐碱地种植系统及其施工工艺 (57)摘要 本发明公。

2、开了一种盐碱地种植系统及其施 工工艺， 涉及盐碱地改造技术领域， 解决了植物 的根系容易因为积水浸泡而烂根的技术问题。 其 技术要点包括设置于盐碱地上的种植沟、 设置于 种植沟内且覆盖在种植沟表面上以用于防止盐 碱地内的盐碱渗进种植沟内的透气防渗层以及 填充于透气防渗层内以用于供种植物种植用的 种植土层； 其中， 还包括设置于种植沟底部以用 于供种植沟底部的积水排出的排水管。 本发明具 有避免种植土层内水量过多时无法及时排出的 优点。 权利要求书2页 说明书5页 附图4页 CN 110603924 A 2019.12.24 CN 110603924 A 1.一种盐碱地种植系统， 其特征在于， 。

3、包括： 种植沟 （1） ， 所述种植沟 （1） 设置于盐碱地上； 透气防渗层 （2） ， 所述透气防渗层 （2） 覆盖在种植沟 （1） 表面上； 种植土层 （3） ， 所述种植土层 （3） 填充于透气防渗层 （2） 上， 所述种植土层 （3） 的顶部高 于地表面35-45cm； 以及排水管 （4） ， 所述排水管 （4） 的上侧部分处于种植土层 （3） ， 所述排水管 （4） 的下侧 预埋于种植沟 （1） 内， 所述排水管 （4） 伸至透气防渗层 （2） 的部分设置有若干道通孔 （41） 。 2.根据权利要求1所述的一种盐碱地种植系统， 其特征在于： 所述排水管 （4） 伸进种植 土层 （3）。

4、 的部分覆盖有土工布 （8） ， 所述种植土层 （3） 的底部设置有覆盖在土工布 （8） 表面上 的砂砾隔离带 （9） ， 所述种植土层 （3） 的底部还设置有覆盖在砂砾隔离带 （9） 表面上的鹅卵 石隔离带 （10） 。 3.根据权利要求1所述的一种盐碱地种植系统， 其特征在于： 所述排水管 （4） 的长度沿 种植沟 （1） 长度方向设置， 所述排水管 （4） 设置于种植沟 （1） 的其中一侧上， 所述透气防渗层 （2） 远离种植沟 （1） 的一侧的水平高度高于透气防渗层 （2） 靠近种植沟 （1） 的一侧水平高度。 4.根据权利要求1所述的一种盐碱地种植系统， 其特征在于： 所述种植沟 （。

5、1） 的底部下 凹设置， 所述排水管 （4） 埋设于种植沟 （1） 底部下凹的区域内。 5.根据权利要求1所述的一种盐碱地种植系统， 其特征在于： 所述种植沟 （1） 的底部设 置有若干道蓄水槽 （7） 。 6.根据权利要求1所述的一种盐碱地种植系统， 其特征在于： 还包括设置于盐碱地上的 排水沟 （11） ， 所述排水沟 （11） 与市政排水系统连通， 所述排水管 （4） 其中一端伸至排水沟 （11） 内。 7.根据权利要求1所述的一种盐碱地种植系统， 其特征在于： 还包括覆盖在种植土层 （3） 表面上的树盘覆盖层 （5） ， 所述树盘覆盖层 （5） 由粗砂、 锯末和泥炭混合形成。 8.一种。

6、用于如权利要求1-7任一所述的盐碱地种植系统的施工工艺， 其特征在于， 包括 以下步骤： 步骤一： 挖掘种植沟 （1） ， 挖掘深度为40-60cm； 步骤二： 在种植沟 （1） 内挖掘沿种植沟 （1） 长度方向设置预埋沟， 然后开始在种植沟 （1） 内覆盖上透气防渗层 （2） ， 所述透气防渗层 （2） 的厚度为3-5cm； 步骤三： 在预埋沟内预埋其中一端伸出种植沟 （1） 外的排水管 （4） ， 并在排水管 （4） 伸出 种植沟 （1） 外的部分钻出通孔 （41） ， 然后在排水管 （4） 上覆盖土工布 （8） ； 步骤四： 在透气防渗层 （2） 上堆放覆盖在土工布 （8） 上的砂砾以形。

7、成砂砾隔离带 （9） ， 然 后在透气防渗层 （2） 上堆放覆盖在砂砾隔离带 （9） 上的鹅卵石以形成鹅卵石隔离带 （10） ； 步骤五： 回填厚度为80-100cm的种植土层 （3） ， 回填完成的种植土层 （3） 高于地表面35- 45cm； 步骤六： 在种植土层 （3） 上种植抗盐碱树， 并在种植土层 （3） 表面上覆盖粗砂、 锯末和泥 炭混合物以形成树盘覆盖层 （5） 。 9.根据权利要求8所述的施工工艺， 其特征在于： 进行步骤五时， 首先回填40-60cm种植 土， 然后人工松土35-55cm， 并清理掉杂物， 再拌入有机肥和土壤疏松基质2-3cm以形成改良 土壤， 最后回填35-。

8、45cm深的田园种植土以形成种植土层 （3） 。 权利要求书 1/2 页 2 CN 110603924 A 2 10.根据权利要求9所述的施工工艺， 其特征在于： 每平方米的第一次回填土中， 有机肥 的拌入量为10公斤， 拌入有机肥和土壤疏松基质后， 人工翻地25-35cm。 权利要求书 2/2 页 3 CN 110603924 A 3 一种盐碱地种植系统及其施工工艺 技术领域 0001 本发明涉及盐碱地改造技术领域， 更具体地说， 它涉及一种盐碱地种植系统及其 施工工艺。 背景技术 0002 盐碱地是盐类集积的一个种类， 是指土壤里面所含的盐分影响到作物的正常生 长， 根据联合国教科文组织和。

9、粮农组织不完全统计， 全世界盐碱地的面积为9.5438亿公顷， 其中我国为9913万公顷。 我国碱土和碱化土壤的形成， 大部分与土壤中碳酸盐的累计有关， 因而碱化度普遍较高， 严重的盐碱土壤地区植物几乎不能生存。 0003 我国盐碱土分布范围十分广泛， 沿海地区是大陆和海洋的过渡带， 易受风暴潮、 盐 尘、 盐雾的影响， 且一般地势较低， 土壤含盐量和地下水位高， 土壤质地黏重， 自然脱盐率 低， 更容易发育成为盐碱土， 导致我国沿海城市的绿化用地受限， 为此， 实现盐碱地绿化种 植是非常有必要的。 0004 为此， 授权公告号为CN102232328B的中国专利公开了一种改良盐碱地的方法及盐。

10、 碱地的种植方法， 将盐碱地表层土去除掉， 在去除了表层土的盐碱地上设置透气性防渗骨 料层， 在所述透气性防渗骨料层上设置种植土层。 本发明还提供了一种盐碱地的种植方法， 其中， 该方法包括： 将植物和/或植物种子栽种于改良后的盐碱地中， 其中， 该改良后的盐碱 地是经过本发明提供的方法处理的。 0005 现有技术中类似于上述的盐碱地改良方法， 其通过设置透气性防渗谷料以防止了 地下盐碱水的上窜， 从而达到避免盐碱上升的效果， 使得盐碱地上的种植物不易收到盐碱 的影响； 但是， 透气性防渗谷料同时也抑制了种植土层中水份的下渗， 在多雨季节大量的雨 水积蓄在种植土层中， 容易造成盐碱地上植物的根。

11、系腐烂， 影响植物的生成， 因此需要改 进。 发明内容 0006 针对现有的技术问题， 本发明的目的在于提供一种盐碱地种植系统， 其具有能够 避免种植土层内水量过多时无法及时排出的优点。 0007 为实现上述目的， 本发明提供了如下技术方案： 一种盐碱地种植系统， 包括： 种植沟， 所述种植沟设置于盐碱地上； 透气防渗层， 所述透气防渗层覆盖在种植沟表面上； 种植土层， 所述种植土层填充于透气防渗层上， 所述种植土层的顶部高于地表面35- 45cm； 以及排水管， 所述排水管的上侧部分处于种植土层， 所述排水管的下侧预埋于种植沟 内， 所述排水管伸至透气防渗层的部分设置有若干道通孔。 0008。

12、 通过采用上述技术方案， 通过透气防渗层起隔离种植土层和盐碱地的效果， 使得 盐碱地内的盐碱不会对种植在种植土层上的种植物造成影响， 通过将种植土层抬高种植物 说明书 1/5 页 4 CN 110603924 A 4 种植高度的效果， 这样地下水位 （含有盐碱的地下水） 就相对降低， 使得盐碱能够得到进一 步控制， 同时能够起到一定的经过效果， 并且， 能够增加种植物根部伸展空间的效果， 且当 盐碱地内的盐碱水分意外渗进种植沟内时， 种植高度被抬高的种植物不易直接与盐碱水接 触， 当种植沟内出现积水时， 积水会通过通孔进入排水管内， 从而达到防止种植坑内积水的 效果。 0009 本发明进一步设。

13、置为： 所述排水管伸进种植土层的部分覆盖有土工布， 所述种植 土层的底部设置有覆盖在土工布表面上的砂砾隔离带， 所述种植土层的底部还设置有覆盖 在砂砾隔离带表面上的鹅卵石隔离带。 0010 通过采用上述技术方案， 利用土工部能够防止种植土直接渗进排水管内， 能够起 到防止种植土流失的效果， 利用砂砾隔离带和鹅卵石隔离带能够起到净化、 过滤积水的效 果。 0011 本发明进一步设置为： 所述排水管的长度沿种植沟长度方向设置， 所述排水管设 置于种植沟的其中一侧上， 所述透气防渗层远离种植沟的一侧的水平高度高于透气防渗层 靠近种植沟的一侧水平高度。 0012 通过采用上述技术方案， 通过将透气防渗。

14、层的底部倾斜设置能够起到引流的作 用， 便于种植沟底部的积水沿着透气防渗层的底部流动至排水管附近。 0013 本发明进一步设置为： 所述种植沟的底部下凹设置， 所述排水管埋设于种植沟底 部下凹的区域内。 0014 通过采用上述技术方案， 当种植沟内出现积水时， 积水会在重力的作用下自动流 至下凹的区域内， 从而实现引导积水集中的效果， 便于积水排至排水管内。 0015 本发明进一步设置为： 所述种植沟的底部设置有若干道蓄水槽。 0016 通过采用上述技术方案， 通过蓄水槽能够在种植沟的底部储蓄少量积水， 在种植 土层内缺少水分时， 蓄水槽储蓄的积水能够通过蒸腾的作用回用于种植土层。 0017 。

15、本发明进一步设置为： 还包括设置于盐碱地上的排水沟， 所述排水沟与市政排水 系统连通， 所述排水管其中一端伸至排水沟内。 0018 通过采用上述技术方案， 利用排水管使得排水管收集的积水能够直接排放至市政 排水系统内。 0019 本发明进一步设置为： 还包括覆盖在种植土层表面上的树盘覆盖层， 所述树盘覆 盖层由粗砂、 锯末和泥炭混合形成。 0020 通过采用上述技术方案， 利用树盘覆盖层能够减少地表蒸发， 防止盐碱上升。 0021 一种用于如上述的盐碱地种植系统的施工工艺， 包括以下步骤： 步骤一： 挖掘种植沟， 挖掘深度为40-60cm； 步骤二： 在种植沟内挖掘沿种植沟长度方向设置预埋沟，。

16、 然后开始在种植沟内覆盖上 透气防渗层， 所述透气防渗层的厚度为3-5cm； 步骤三： 在预埋沟内预埋其中一端伸出种植沟外的排水管， 并在排水管伸出种植沟外 的部分钻出通孔， 然后在排水管上覆盖土工布； 步骤四： 在透气防渗层上堆放覆盖在土工布上的砂砾以形成砂砾隔离带， 然后在透气 防渗层上堆放覆盖在砂砾隔离带上的鹅卵石以形成鹅卵石隔离带； 步骤五： 回填厚度为80-100cm的种植土层， 回填完成的种植土层高于地表面35-45cm； 说明书 2/5 页 5 CN 110603924 A 5 步骤六： 在种植土层上种植抗盐碱树， 并在种植土层表面上覆盖粗砂、 锯末和泥炭混合 物以形成树盘覆盖层。

17、。 0022 通过采用上述技术方案， 通过步骤以形成种植沟， 通过步骤二和步骤三能够完成 透气防渗层和排水管的安装， 通过步骤四能够对覆盖在排水管上的土工布进行保护， 防止 进行步骤五时， 回填土将土工部冲开， 利用步骤六能够形成树盘覆盖层。 0023 本发明进一步设置为： 进行步骤五时， 首先回填40-60cm种植土， 然后人工松土35- 55cm， 并清理掉杂物， 再拌入有机肥和土壤疏松基质2-3cm以形成改良土壤， 最后回填35- 45cm深的田园种植土以形成种植土层。 0024 通过采用上述技术方案， 种植物的根系主要集中在种植坑内， 因此种植土层可以 分两次回填， 第一次回填土利用有。

18、机肥增加种植物肥力， 并利用土壤疏松基质防止土壤板 结， 第二次回填田园种植土以使得种植土层高于地表面即可。 0025 本发明进一步设置为： 每平方米的第一次回填土中， 有机肥的拌入量为10公斤， 拌 入有机肥和土壤疏松基质后， 人工翻地25-35cm。 0026 通过采用上述技术方案， 避免种植土层肥料过多， 导致种植物烧根的问题发生。 0027 与现有技术相比， 本发明的有益效果是： （1） 通过排水管能够收集种植沟内的积水， 并将积水迅速排出， 避免种植沟内积水过多 导致植物烂根的情况发生； （2） 能够相对于种植物的种植高度降低地下水位， 使得盐碱能够得到一定的控制， 并且 还具有一定。

19、的经过效果； （3） 能够相对于种植沟的底部抬高种植物的种植高度， 使得种植沟底部出现意外积水 时， 也不会立刻对种植物的根系造成影响； （4） 能够增加种植物根系的伸展空间， 使得种植物的根系能够延缓与透气防渗层的接 触时间。 附图说明 0028 图1为本实施例的结构示意图； 图2为本实施例排水管另外一种安装位置的结构示意图； 图3为本实施例排水管的结构示意图； 图4为本实施例排水管与排水沟的位置示意图。 0029 附图标记： 1、 种植沟； 2、 透气防渗层； 3、 种植土层； 31、 改良土壤层； 32、 田园土层； 4、 排水管； 41、 通孔； 5、 树盘覆盖层； 6、 预埋槽； 7。

20、、 蓄水槽； 8、 土工布； 9、 砂砾隔离带； 10、 鹅卵 石隔离带； 11、 排水沟。 具体实施方式 0030 下面结合附图和实施例， 对本发明进行详细描述。 0031 一种盐碱地种植系统， 如图1所示， 包括设置于盐碱地上的种植沟1、 设置于种植沟 1内且覆盖在种植沟1表面上以用于防止盐碱地内的盐碱渗进种植沟1内的透气防渗层2以 及填充于透气防渗层2内以用于供种植物种植用的种植土层3； 其中， 还包括设置于种植沟1 底部以用于供种植沟1底部的积水排出的排水管4。 说明书 3/5 页 6 CN 110603924 A 6 0032 如图1所示， 种植沟1的底面沿着种植沟1的宽度方向倾斜设。

21、置， 且种植沟1的底面 设置有位于种植沟1底面倾斜向下的一侧上且沿着排水管4长度方向延伸的预埋槽6， 排水 管4安装于预埋槽6内； 其中， 种植沟1的底面还设置有若干道蓄水槽7。 0033 当种植沟1的底部出现积水时， 积水会沿着种植沟1的底面倾斜方向流动， 最终积 聚在排水管4内， 从而达到便于排水管4排走积水的效果， 并且， 在排出积水时， 利用设置于 种植沟1底面上的蓄水槽7能够起到滞留部分积水的效果， 且这部分积水因为是滞留在蓄水 槽7内的， 因此不会对种植物的根系造成影响， 当种植土层3的水分减少时， 蓄水槽7内积水 能够反补给种植物使用。 0034 其中， 如图2所示， 种植沟1的。

22、地面还可以呈下凹状设置， 预埋槽6设置于种植沟1的 最低位置处， 蓄水槽7分别位于预埋槽6的两侧。 0035 如图3所示， 透气防渗层2覆盖过种植沟1的底面和侧壁， 并且， 透气防渗层2还覆盖 过预埋槽6和各道蓄水槽7， 排水管4埋设于预埋槽6内时， 排水管4的外壁与覆盖在预埋槽6 内的透气防渗层2贴合； 其中， 在排水管4的外壁上设置有若干道通孔41， 各道通孔41位于排 水管4伸出预埋槽6外的部位上， 且各道通孔41分别沿着排水管4的周向和轴向排布设置。 0036 其中， 在排水管4伸出预埋槽6外的部位上覆盖有用于防止种植土及其它杂质通过 通孔41进入排水管4内的土工布8， 在透气防渗层2。

23、上设置有覆盖在土工布8上以用于过滤积 水的砂砾隔离带9， 在透气防渗层2上还设置有覆盖在砂砾隔离带9上以用于初步过滤积水 和压实砂砾隔离带9的鹅卵石隔离带10。 0037 当种植沟1的底部出现积水时， 积水会依次透过鹅卵石隔离带10、 砂砾隔离带9和 土工布8， 在此过程中， 积水内携带的颗粒和杂质会被层层过滤， 从而达到防止种植土土壤 流失的情况发生； 并且， 在回填种植土以形成种植土层3时， 如果未覆盖砂砾隔离带9和鹅卵 石隔离带10， 则种植土在回填过程中会对土工布8造成冲击， 导致土工布8存在被回填的种 植土冲开排水管4外的情况发生， 因此覆盖砂砾隔离带9和鹅卵石隔离带10还能够对土工。

24、布 8的使用起到保护的效果。 0038 如图4所示， 排水管4其中一端伸出种植沟1外， 在盐碱地上还设置有与排水管4伸 出种植沟1外的部分连通的排水沟11， 排水沟11与市政排水系统连通； 其中， 排水管4倾斜设 置， 且排水管4倾斜向下设置的一端与排水沟11连通。 0039 当种植沟1内的积水通过排水管4排出时， 积水会沿着排水管4流动， 最终流至排水 沟11内， 最后通过排水沟11直接排放至市政排水系统内； 采用该种方式， 能够确保排水管4 内积水快速排出， 并使得排水管4的设置长度可以随种植沟1的长度调整。 0040 如图1所示， 回填土层包括从上至下依次填充形成的改良土壤层31和田园土。

25、层32， 改良土壤层31略高于地表面， 田园土层32起主要的抬高种植高度的作用， 田园土层32的顶 部高于地表面35-45cm； 其中， 在田园土层32的表面上还覆盖有一层用于防止地表蒸化、 盐 碱上升的树盘覆盖层5。 0041 一种用于上述盐碱地种植系统的施工工艺， 包括以下步骤： 步骤一： 挖掘种植沟1， 挖掘深度为40-60cm； 步骤二： 在种植沟1内挖掘沿种植沟1长度方向设置预埋沟， 然后开始在种植沟1内覆盖 上透气防渗层2， 所述透气防渗层2的厚度为3-5cm； 步骤三： 在预埋沟内预埋其中一端伸出种植沟1外的排水管4， 并在排水管4伸出种植沟 说明书 4/5 页 7 CN 110。

26、603924 A 7 1外的部分钻出通孔41， 然后在排水管4上覆盖土工布8； 步骤四： 在透气防渗层2上堆放覆盖在土工布8上的砂砾以形成砂砾隔离带9， 然后在透 气防渗层2上堆放覆盖在砂砾隔离带9上的鹅卵石以形成鹅卵石隔离带10； 步骤五： 回填厚度为80-100cm的种植土层3， 回填完成的种植土层3高于地表面35- 45cm； 步骤六： 在种植土层3上种植抗盐碱树， 并在种植土层3表面上覆盖粗砂、 锯末和泥炭混 合物以形成树盘覆盖层5。 0042 其中， 进行步骤五时， 首先回填40-60cm种植土， 然后人工松土35-55cm， 并清理掉 杂物， 再拌入有机肥和土壤疏松基质2-3cm以。

27、形成改良土壤层31， 最后在改良土壤层31的上 表面回填35-45cm深的田园土以形成田园土层32， 改良土壤层31和田园土层32配合形成种 植土层3； 其中， 每平方米的第一次回填土中， 有机肥的拌入量为10公斤， 拌入有机肥和土壤 疏松基质后， 人工翻地25-35cm。 0043 以上所述仅是本发明的优选实施方式， 本发明的保护范围并不仅局限于上述实施 例， 凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。 应当指出， 对于本技术领域 的普通技术人员来说， 在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰， 这些改进和润饰也 应视为本发明的保护范围。 说明书 5/5 页 8 CN 110603924 A 8 图1 说明书附图 1/4 页 9 CN 110603924 A 9 图2 说明书附图 2/4 页 10 CN 110603924 A 10 图3 说明书附图 3/4 页 11 CN 110603924 A 11 图4 说明书附图 4/4 页 12 CN 110603924 A 12 。