纳秒级SOA驱动电路及控制方法.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201911268505.5 (22)申请日 2019.12.11 (71)申请人 北京航天控制仪器研究所 地址 100854 北京市海淀区北京142信箱 403分箱 (72)发明人 赵俊鹏赵晨王学锋张海岩 郑百超 (74)专利代理机构 中国航天科技专利中心 11009 代理人 王卫军 (51)Int.Cl. H03K 3/012(2006.01) H03K 3/017(2006.01) H03K 3/011(2006.01) H03K 3/023(2006.01) H03K 3。

2、/027(2006.01) G05D 23/24(2006.01) G05B 11/42(2006.01) H01S 5/042(2006.01) (54)发明名称 一种纳秒级SOA驱动电路及控制方法 (57)摘要 一种纳秒级SOA驱动电路及控制方法， 属于 光纤激光水听器阵列解调技术领域。 本发明包括 温度控制电路和SOA配置电路， 以及依次连接的 主控电路、 脉冲整形电路、 脉冲驱动电路和SOA； 所述温度控制电路和SOA配置电路均与SOA连接。 本发明根据输出脉冲信号与反馈电压的逻辑控 制关系， 采用 “脉冲信号先整形， 再闭环驱动控制 输出” 的方法， 实现变电流的驱动控制； 本发明电。

3、 路及控制方法具有结构简单、 温度控制精确、 光 脉冲边沿上升/下降时间短、 系统响应快、 脉冲占 空比与幅值可调等特点， 能实现纳秒级的开关速 率； 本发明利用闭环控制将温度变化转换为电压 信号变化， 实现SOA的恒温工作环境， 保证了SOA 光脉冲边沿上升/下降时间优于5ns的稳定输出。 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 CN 111064450 A 2020.04.24 CN 111064450 A 1.一种纳秒级SOA驱动电路， 其特征在于： 包括温度控制电路和SOA配置电路， 以及依次 连接的主控电路、 脉冲整形电路、 脉冲驱动电路和半导体光放大器SOA； 所述温度控制电路 和S。

4、OA配置电路均与半导体光放大器SOA连接； 所述主控电路产生不同占空比的脉冲信号， 用于开关切换控制输出脉冲信号的脉冲占 空比； 所述脉冲整形电路， 用于将主控电路产生的输出脉冲信号进行整形， 以产生整形脉冲 信号； 所述脉冲驱动电路， 用于将脉冲整形电路产生的整形脉冲信号放大， 产生驱动脉冲信 号； 所述温度控制电路， 用于控制半导体光放大器SOA的工作温度， 实现半导体光放大器 SOA的温度稳定； 所述SOA配置电路， 用于完成半导体光放大器SOA外围电路的配置。 2.根据权利要求1所述的一种纳秒级SOA驱动电路， 其特征在于： 所述主控电路包括 FPGA芯片、 FPGA配置单元、 开关控。

5、制单元、 基准电压单元； 所述FPGA芯片分别与FPGA配置单 元、 开关控制单元、 供电单元相连接； 所述FPGA芯片的脉冲信号输出I/O引脚与脉冲整形电 路的电阻R1连接。 3.根据权利要求1所述的一种纳秒级SOA驱动电路， 其特征在于： 所述脉冲整形电路包 括比较器Comp、 电阻R1和电阻R2； 所述电阻R1的一端与比较器Comp的正输入端连接， 电阻R1 的另一端与FPGA芯片输出脉冲信号的I/O引脚连接， 所述电阻R2的两端分别与电阻R1和比 较器Comp的输出端V1连接， 比较器Comp的负输入端接收1.65V基准比较电压。 4.根据权利要求1所述的一种纳秒级SOA驱动电路， 其。

6、特征在于： 所述脉冲驱动电路包 括运算放大器N1、 运算放大器N2、 电阻R3、 电阻R4、 电阻R5、 电阻R6、 电阻R7、 电阻R8、 电阻R9 和电阻R10； 所述电阻R3的一端同时与运算放大器N1的正输入端和比较器Comp的输出端V1 连接， 电阻R3的另一端与地连接， 所述电阻R4的一端与运算放大器N1的负输入端连接， 电阻 R4的另一端与地连接， 所述电阻R5的一端与运算放大器N1的正输入端连接， 电阻R5的另一 端与运算放大器N1输出端连接， 所述电阻R6的一端与运算放大器N1的输出端连接， 电阻R6 的另一端与SOA配置电路的Anode引脚连接； 所述电阻R7的一端同时与运算。

7、放大器N2的正输 入端和比较器Comp的输出端V1连接， 电阻R7的另一端与地连接， 所述电阻R8的一端与运算 放大器N2的负输入端连接， 电阻R8的另一端与地连接， 所述电阻R9的一端与运算放大器N2 的正输入端连接， 电阻R9的另一端与运算放大器N2输出端连接， 所述电阻R10的一端与运算 放大器N2的输出端连接， 电阻R10的另一端与SOA配置电路的Anode引脚连接。 5.根据权利要求1所述的一种纳秒级SOA驱动电路， 其特征在于： 所述温度控制电路包 括温控芯片、 PID调节控制单元、 电桥单元和热电冷却器控制单元， 所述温控芯片分别与PID 调节控制单元、 电桥单元、 热电冷却器控。

8、制单元相连接， 电桥单元包括两路信号， 一路与SOA 配置电路中的RTH1连接， 另一路与SOA配置电路中的地连接， 所述两路信号与SOA中的热敏 电阻组成回路； 热电冷却器控制单元包括两路信号， 一路与SOA配置电路中的热电冷却器 TEC+端连接， 另一路与SOA配置电路中的热电冷却器TEC-端连接。 6.根据权利要求1所述的一种纳秒级SOA驱动电路， 其特征在于： 所述SOA配置电路包括 SOA、 电阻R11、 二极管D1， 所述电阻R11的一端与SOA的Anode引脚连接， 电阻R11的另一端与 权利要求书 1/2 页 2 CN 111064450 A 2 地连接， 所述二极管D1并联在。

9、电阻R11两端， 二极管D1的阳极与地连接， 二极管D1的阴极与 SOA的Anode引脚连接， 所述SOA的Cathode引脚与RTH2引脚分别与地相连接。 7.根据权利要求1所述的一种纳秒级SOA驱动电路， 其特征在于： 所述驱动脉冲信号的 输出电流200mA1A。 8.根据权利要求1所述的一种纳秒级SOA驱动电路， 其特征在于： 所述整形脉冲信号的 边沿上升和下降时间优于2ns。 9.根据权利要求1所述的一种纳秒级SOA驱动电路实现的一种纳秒级SOA驱动电路的控 制方法， 其特征在于， 包括以下步骤： 通过主控电路产生控制半导体光放大器SOA关断的脉冲信号， 经脉冲整形电路电路获 得纳秒级。

10、整形脉冲信号， 将获得的纳秒级整形脉冲信号送至脉冲驱动电路的级联同相输入 端； 将地信号连接至脉冲驱动电路的反向输入端， 脉冲驱动电路输出的大电流驱动脉冲信 号送至半导体光放大器SOA中的光电二极管， 当整形脉冲的占空比增加时通过光电二极管 与脉冲驱动电路回路， 完成电压的反馈， 利用电压与反馈电阻比值的变化， 进而实现驱动电 流的稳定调节输出； 将温度控制电路电桥单元与半导体光放大器SOA中的热敏电阻组成回路， 热敏电阻的 阻值与半导体光放大器SOA温度成比例变化， 当配置为分压器时， 可利用它来将温度转换为 电压， 热电冷却器TEC控制器将该反馈电压与代表目标温度的基准电压进行比较， 然后。

11、控制 流经热电冷却器TEC的电流， 从而调整热电冷却器TEC传输的热量， 实现恒温控制。 权利要求书 2/2 页 3 CN 111064450 A 3 一种纳秒级SOA驱动电路及控制方法 技术领域 0001 本发明涉及一种纳秒级SOA驱动电路及控制方法， 属于光纤激光水听器阵列解调 技术领域。 背景技术 0002 光纤激光水听器阵列具有灵敏度高、 抗电磁干扰、 水下无电、 结构轻巧等特点， 在 水下小型无人平台探测系统、 水下反潜、 水下目标跟踪等方向有重要的应用， 光纤激光水听 器阵列解调技术是当今世界各国研究的热点和难点， 尤其是在水下目标探测应用等军事领 域上。 纳秒级半导体光放大器(S。

12、OA， semiconductor optical amplifier)驱动电路及控制 方法是完成光纤激光水听器大规模组阵的重要技术保障， 对于类似光纤光栅传感器的解调 具有重要的参考价值， 然而如何在硬件电路中实现纳秒级光脉冲边沿上升/下降时间的稳 定控制输出， 已成为困扰提高信号解调精度的关键因素， 各研究机构都高度重视该技术的 研究与创新。 0003 SOA开关速度理论上可以工作在纳秒以内， 但在实际的应用中， SOA需依托于驱动 电路和使用方法， 由于SOA对温度、 电流等条件要求时分严格， 这些参数的控制不准确将导 致开关速度降低、 输出脉冲不准确， 直接影响解调系统的时序控制精度，。

13、 进而影响光纤激光 水听器阵列信号解调的准确性， 因此对驱动电路的温控范围、 驱动电流、 开关控制方法等提 出了较高的要求。 0004 目前纳秒级SOA驱动电路仅存在理论模型上的分析， 且无法实现变电流驱动控制， 且未见硬件驱动电路实现； 而传统的级联多路光开关的应用， 不仅增加硬件电路部分的连 接复杂度， 同时多级将造成不同通道间的信号输出不一致， 一定程度上增加了硬件所需成 本与空间， 且尚未达到纳秒级的开关速率； 现有一种快前沿纳秒高压电光开关驱动源通过 各外围电路的阻容值进行调节， 不可软件编程修改脉冲的占空比与幅值， 调节难度与精度 很难保证， 且易受到外界干扰会产生波形畸变， 进而。

14、导致输出信号边沿时间远高于纳秒级。 发明内容 0005 本发明解决的技术问题是： 克服现有技术的不足， 提供了一种纳秒级SOA驱动电路 及控制方法， 本发明驱动电路及控制方法结构简单、 温度控制精确、 光脉冲边沿上升/下降 时间优于5ns， 提高了光开关脉冲输出的精度与稳定性， 有利于光纤激光水听器阵列解调技 术的工程应用。 0006 本发明的技术解决方案是： 一种纳秒级SOA驱动电路， 包括温度控制电路和SOA配 置电路， 以及依次连接的主控电路、 脉冲整形电路、 脉冲驱动电路和半导体光放大器SOA； 所 述温度控制电路和SOA配置电路均与半导体光放大器SOA连接； 0007 所述主控电路产。

15、生不同占空比的脉冲信号， 用于开关切换控制输出脉冲信号的脉 冲占空比； 0008 所述脉冲整形电路， 用于将主控电路产生的输出脉冲信号进行整形， 以产生整形 说明书 1/5 页 4 CN 111064450 A 4 脉冲信号； 0009 所述脉冲驱动电路， 用于将脉冲整形电路产生的整形脉冲信号放大， 产生驱动脉 冲信号； 0010 所述温度控制电路， 用于控制半导体光放大器SOA的工作温度， 实现半导体光放大 器SOA的温度稳定； 0011 所述SOA配置电路， 用于完成半导体光放大器SOA外围电路的配置。 0012 进一步地， 所述主控电路包括FPGA芯片、 FPGA配置单元、 开关控制单元。

16、、 基准电压 单元； 所述FPGA芯片分别与FPGA配置单元、 开关控制单元、 供电单元相连接； 所述FPGA芯片 的脉冲信号输出I/O引脚与脉冲整形电路的电阻R1连接。 0013 进一步地， 所述脉冲整形电路包括比较器Comp、 电阻R1和电阻R2； 所述电阻R1的一 端与比较器Comp的正输入端连接， 电阻R1的另一端与FPGA芯片输出脉冲信号的I/O引脚连 接， 所述电阻R2的两端分别与电阻R1和比较器Comp的输出端V1连接， 比较器Comp的负输入 端接收1.65V基准比较电压。 0014 进一步地， 所述脉冲驱动电路包括运算放大器N1、 运算放大器N2、 电阻R3、 电阻R4、 电。

17、阻R5、 电阻R6、 电阻R7、 电阻R8、 电阻R9和电阻R10； 所述电阻R3的一端同时与运算放大器 N1的正输入端和比较器Comp的输出端V1连接， 电阻R3的另一端与地连接， 所述电阻R4的一 端与运算放大器N1的负输入端连接， 电阻R4的另一端与地连接， 所述电阻R5的一端与运算 放大器N1的正输入端连接， 电阻R5的另一端与运算放大器N1输出端连接， 所述电阻R6的一 端与运算放大器N1的输出端连接， 电阻R6的另一端与SOA配置电路的Anode引脚连接； 所述 电阻R7的一端同时与运算放大器N2的正输入端和比较器Comp的输出端V1连接， 电阻R7的另 一端与地连接， 所述电阻R。

18、8的一端与运算放大器N2的负输入端连接， 电阻R8的另一端与地 连接， 所述电阻R9的一端与运算放大器N2的正输入端连接， 电阻R9的另一端与运算放大器 N2输出端连接， 所述电阻R10的一端与运算放大器N2的输出端连接， 电阻R10的另一端与SOA 配置电路的Anode引脚连接。 0015 进一步地， 所述温度控制电路包括温控芯片、 PID调节控制单元、 电桥单元和热电 冷却器控制单元， 所述温控芯片分别与PID调节控制单元、 电桥单元、 热电冷却器控制单元 相连接， 电桥单元包括两路信号， 一路与SOA配置电路中的RTH1连接， 另一路与SOA配置电路 中的地连接， 所述两路信号与SOA中。

19、的热敏电阻组成回路； 热电冷却器控制单元包括两路信 号， 一路与SOA配置电路中的热电冷却器TEC+端连接， 另一路与SOA配置电路中的热电冷却 器TEC-端连接。 0016 进一步地， 所述SOA配置电路包括SOA、 电阻R11、 二极管D1， 所述电阻R11的一端与 SOA的Anode引脚连接， 电阻R11的另一端与地连接， 所述二极管D1并联在电阻R11两端， 二极 管D1的阳极与地连接， 二极管D1的阴极与SOA的Anode引脚连接， 所述SOA的Cathode引脚与 RTH2引脚分别与地相连接。 0017 进一步地， 所述驱动脉冲信号的输出电流200mA1A。 0018 进一步地， 。

20、所述整形脉冲信号的边沿上升和下降时间优于2ns。 0019 根据所述的一种纳秒级SOA驱动电路实现的一种纳秒级SOA驱动电路的控制方法， 包括以下步骤： 0020 通过主控电路产生控制半导体光放大器SOA关断的脉冲信号， 经脉冲整形电路电 说明书 2/5 页 5 CN 111064450 A 5 路获得纳秒级整形脉冲信号， 将获得的纳秒级整形脉冲信号送至脉冲驱动电路的级联同相 输入端； 0021 将地信号连接至脉冲驱动电路的反向输入端， 脉冲驱动电路输出的大电流驱动脉 冲信号送至半导体光放大器SOA中的光电二极管， 当整形脉冲的占空比增加时通过光电二 极管与脉冲驱动电路回路， 完成电压的反馈，。

21、 利用电压与反馈电阻比值的变化， 进而实现驱 动电流的稳定调节输出； 0022 将温度控制电路电桥单元与半导体光放大器SOA中的热敏电阻组成回路， 热敏电 阻的阻值与半导体光放大器SOA温度成比例变化， 当配置为分压器时， 可利用它来将温度转 换为电压， 热电冷却器TEC控制器将该反馈电压与代表目标温度的基准电压进行比较， 然后 控制流经热电冷却器TEC的电流， 从而调整热电冷却器TEC传输的热量， 实现恒温控制。 0023 本发明与现有技术相比的优点在于： 0024 (1)本发明根据输出脉冲信号与反馈电压的逻辑控制关系， 采用 “脉冲信号先整 形， 再闭环驱动控制输出” 的方法， 实现变电流。

22、的驱动控制； 0025 (2)本发明电路及控制方法具有结构简单、 温度控制精确、 光脉冲边沿上升/下降 时间短、 系统响应快、 脉冲占空比与幅值可调等特点， 能实现纳秒级的开关速率； 0026 (3)本发明利用 “闭环控制原理” 将温度变化转换为电压信号变化， 实现SOA的恒温 工作环境， 从而保证了SOA光脉冲边沿上升/下降时间优于5ns的稳定输出。 附图说明 0027 图1是本发明纳秒级SOA驱动电路及控制方法的结构框图。 0028 图2是本发明纳秒级SOA驱动电路中的主控电路示意图。 0029 图3是本发明纳秒级SOA驱动电路中的脉冲整形电路原理图。 0030 图4是本发明纳秒级SOA驱。

23、动电路中的脉冲驱动电路原理图。 0031 图5是本发明纳秒级SOA驱动电路中的温度控制电路示意图。 0032 图6是本发明纳秒级SOA驱动电路中的SOA配置电路原理图。 具体实施方式 0033 下面结合说明书附图和具体实施方式对本发明进行进一步解释和说明。 0034 一种纳秒级SOA驱动电路， 包括温度控制电路和SOA配置电路， 以及依次连接的主 控电路、 脉冲整形电路、 脉冲驱动电路和半导体光放大器SOA； 所述温度控制电路和SOA配置 电路均与半导体光放大器SOA连接； 所述主控电路产生不同占空比的脉冲信号， 用于开关切 换控制输出脉冲信号的脉冲占空比； 所述脉冲整形电路， 用于将主控电路。

24、产生的输出脉冲 信号进行整形， 以产生整形脉冲信号； 所述脉冲驱动电路， 用于将脉冲整形电路产生的整形 脉冲信号放大， 产生驱动脉冲信号； 所述温度控制电路， 用于控制半导体光放大器SOA的工 作温度， 实现半导体光放大器SOA的温度稳定； 所述SOA配置电路， 用于完成半导体光放大器 SOA外围电路的配置。 0035 结合图1， 图1为本发明纳秒级SOA驱动电路及控制方法的结构框图， 可以看出系统 是由主控电路、 脉冲整形电路、 脉冲驱动电路、 温度控制电路、 及SOA配置电路组成， 当系统 上电后， 主控电路将产生不同占空比的脉冲信号， 该脉冲整信号经脉冲形电路， 产生边沿上 说明书 3/。

25、5 页 6 CN 111064450 A 6 升/下降时间优于2ns的整形脉冲信号， 该整形脉冲信号经脉冲驱动电路， 产生输出电流较 大的驱动脉冲信号， 该驱动脉冲信号送至SOA， 同时温度控制电路将提供SOA正常工作所需 的温度范围， 以实现SOA的温度稳定， SOA配置电路将完成SOA外围电路的基本配置。 0036 结合图2， 图2为本发明纳秒级SOA驱动电路中的主控电路示意图， 主控电路由FPGA 芯片、 FPGA配置单元、 开关控制单元、 基准电压单元组成， 其中， FPGA芯片分别与FPGA配置单 元、 开关控制单元、 供电单元相连接， 系统上电后， FPGA配置单元将完成FPGA芯。

26、片的基本配 置， 通过开关控制单元的调节可完成输出脉冲占空比的调节， 基准电压单元提供FPGA芯片 所需电压， FPGA芯片A1引脚输出脉冲信号， 该脉冲信号与脉冲整形电路的电阻R1连接。 0037 结合图3， 图3为本发明纳秒级SOA驱动电路中的脉冲整形电路原理图， 脉冲整形电 路由比较器Comp、 电阻R1、 电阻R2、 1.65V基准比较电压组成， 其中， 电阻R1的一端与比较器 Comp的正输入端连接， 电阻R1的另一端与FPGA芯片输出脉冲信号的A1引脚连接， 电阻R2的 两端分别与电阻R1和比较器Comp的输出端V1连接， 1.65V基准比较电压与比较器Comp的负 输入端连接， 。

27、系统上电后， 比较器Comp的正输入端信号将与负输入端信号进行比较， 并由V1 引脚输出整形脉冲信号。 0038 结合图4， 图4为本发明纳秒级SOA驱动电路中的脉冲驱动电路原理图， 脉冲驱动电 路由运算放大器N1、 运算放大器N2、 电阻R3、 电阻R4、 电阻R5、 电阻R6、 电阻R7、 电阻R8、 电阻 R9、 电阻R10组成， 其中， 电阻R3的一端同时与运算放大器N1的正输入端和比较器Comp的输 出端V1连接， 电阻R3的另一端与地连接， 电阻R4的一端与运算放大器N1的负输入端连接， 电 阻R4的另一端与地连接， 电阻R5的一端与运算放大器N1的正输入端连接， 电阻R5的另一端。

28、 与运算放大器N1输出端连接， 电阻R6的一端与运算放大器N1的输出端连接， 电阻R6的另一 端与SOA配置电路的Anode引脚连接； 电阻R7的一端同时与运算放大器N2的正输入端和比较 器Comp的输出端V1连接， 电阻R7的另一端与地连接， 电阻R8的一端与运算放大器N2的负输 入端连接， 电阻R8的另一端与地连接， 电阻R9的一端与运算放大器N2的正输入端连接， 电阻 R9的另一端与运算放大器N2输出端连接， 电阻R10的一端与运算放大器N2的输出端连接， 电 阻R10的另一端与SOA配置电路的Anode引脚连接， 系统上电后， 比较器CompV1引脚输出整形 脉冲信号经过级联运算放大器。

29、N1和N2后， 通过电阻R5和R9完成反馈， 并由输出引脚产生驱 动脉冲信号， 该信号送至SOA的Anode引脚， 系统的地(GND)信号连接至脉冲驱动电路的反向 输入端， 脉冲驱动电路输出的大电流驱动脉冲信号送至SOA中的光电二极管， 当整形脉冲的 占空比增加时通过光电二极管与脉冲驱动电路回路， 完成电压的反馈， 利用电压与反馈电 阻比值的变化， 进而实现驱动电流的稳定调节输出； 0039 结合图5， 图5为本发明纳秒级SOA驱动电路中的温度控制电路示意图， 温度控制电 路由温控芯片、 PID调节控制单元、 电桥单元、 热电冷却器(TEC)控制单元组成， 其中， 温控芯 片分别与PID调节控。

30、制单元、 电桥单元、 热电冷却器(TEC)控制单元相连接， 电桥单元包括两 路信号， 一路与SOA配置电路中的RTH1连接， 另一路与SOA配置电路中的地连接， 两路信号与 SOA中的热敏电阻组成回路； 热电冷却器(TEC)控制单元包括两路信号， 一路与SOA配置电路 中的TEC+连接， 另一路与SOA配置电路中的TEC-连接， 系统上电后， 温度控制电路电桥单元 与SOA中的热敏电阻组成回路， 热敏电阻的阻值与SOA温度成比例变化(反比或正比， 取决于 热敏电阻类型)， 当配置为分压器时， 可利用它来将温度转换为电压， TEC控制器将该反馈电 压与代表目标温度的基准电压进行比较， 然后控制流。

31、经TEC的电流， 从而调整TEC传输的热 说明书 4/5 页 7 CN 111064450 A 7 量， 达到恒温控制的目的。 0040 结合图6， 图6为本发明纳秒级SOA驱动电路中的SOA配置电路原理图， SOA配置电路 由SOA、 电阻R11、 二极管D1组成， 所述电阻R11的一端与SOA的Anode引脚连接， 电阻R11的另 一端与地(GND)连接， 所述二极管D1并联在电阻R11两端， 二极管D1的阳极与地连接， 二极管 D1的阴极与SOA的Anode引脚连接， SOA的Cathode引脚与RTH2引脚分别与GND相连接， 其它引 脚(NC)悬空， 系统上电后， 脉冲驱动电路所产生。

32、的驱动脉冲信号将与SOA构成回路， 当脉冲 信号大于SOA中光电二极管的阈值电压后， SOA开启， 反之关闭， 进而实现SOA的高速开关控 制。 0041 本发明的工作原理为： 0042 通过主控电路产生控制半导体光放大器SOA关断的脉冲信号， 经脉冲整形电路电 路获得纳秒级整形脉冲信号， 将获得的纳秒级整形脉冲信号送至脉冲驱动电路的级联同相 输入端； 0043 将地信号连接至脉冲驱动电路的反向输入端， 脉冲驱动电路输出的大电流驱动脉 冲信号送至半导体光放大器SOA中的光电二极管， 当整形脉冲的占空比增加时通过光电二 极管与脉冲驱动电路回路， 完成电压的反馈， 利用电压与反馈电阻比值的变化， 。

33、进而实现驱 动电流的稳定调节输出； 0044 将温度控制电路电桥单元与半导体光放大器SOA中的热敏电阻组成回路， 热敏电 阻的阻值与半导体光放大器SOA温度成比例变化， 当配置为分压器时， 可利用它来将温度转 换为电压， 热电冷却器TEC控制器将该反馈电压与代表目标温度的基准电压进行比较， 然后 控制流经热电冷却器TEC的电流， 从而调整热电冷却器TEC传输的热量， 实现恒温控制。 0045 本发明说明书中未作详细描述的内容属本领域技术人员的公知技术。 说明书 5/5 页 8 CN 111064450 A 8 图1 图2 图3 图4 说明书附图 1/2 页 9 CN 111064450 A 9 图5 图6 说明书附图 2/2 页 10 CN 111064450 A 10 。