薄膜晶体管及其制作方法、显示面板.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201911414108.4 (22)申请日 2019.12.31 (71)申请人 TCL华星光电技术有限公司 地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明 大道9-2号 (72)发明人 王超 (74)专利代理机构 深圳紫藤知识产权代理有限 公司 44570 代理人 唐秀萍 (51)Int.Cl. H01L 29/786(2006.01) H01L 21/336(2006.01) (54)发明名称 薄膜晶体管及其制作方法、 显示面板 (57)摘要 本申请公开了一种薄膜晶体管及其制。

2、作方 法、 显示面板。 所述薄膜晶体管包括： 基板； 设于 所述基板上的栅极层； 设于所述栅极层上的吸光 图案层； 设于所述吸光图案层上的有源层； 设于 所述有源层上的源漏极。 本申请能够避免光通过 栅极层反射到有源层， 从而减小漏电流， 保证薄 膜晶体管的稳定性。 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 CN 111063741 A 2020.04.24 CN 111063741 A 1.一种薄膜晶体管， 其特征在于， 包括： 基板； 设于所述基板上的栅极层； 设于所述栅极层上的吸光图案层； 设于所述吸光图案层上的有源层； 设于所述有源层上的源漏极。 2.如权利要求1所述的薄膜晶体管， 其特征。

3、在于， 所述吸光图案层在所述基板上的正投 影与所述栅极层在所述基板上的正投影完全重叠。 3.如权利要求1所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 所述吸光图案层为铜锌锡硫硒薄膜。 4.如权利要求1所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 所述吸光图案层的厚度范围为100A- 5000A。 5.如权利要求1所述的薄膜晶体管， 其特征在于， 所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层； 所述栅极绝缘层设置在所述吸光图案层与所述有源层之间。 6.一种显示面板， 其特征在于， 包括背光源和如权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体 管； 所述背光源设于所述薄膜晶体管中的基板远离栅极层的一侧。 7.一种薄膜晶体管的制作方法， 其特征在于。

4、， 包括： 提供基板； 在所述基板上依次形成栅极层和吸光图案层； 在所述吸光图案层上形成有源层； 在所述有源层上形成源漏极。 8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法， 其特征在于， 所述在所述基板上依次形 成栅极层和吸光图案层， 具体包括： 在所述基板上依次形成金属层和吸光层； 对所述金属层和所述吸光层进行蚀刻， 得到所述栅极层和所述吸光图案层。 9.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法， 其特征在于， 所述吸光图案层在所述基 板上的正投影与所述栅极层在所述基板上的正投影完全重叠。 10.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法， 其特征在于， 所述吸光图案层为铜锌 锡硫硒薄膜， 所述吸光。

5、图案层的厚度范围为100A-5000A。 权利要求书 1/1 页 2 CN 111063741 A 2 薄膜晶体管及其制作方法、 显示面板 技术领域 0001 本申请涉及显示面板技术领域， 尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、 显示面 板。 背景技术 0002 对于薄膜晶体管液晶显示器来说， 薄膜晶体管的特性对产品的品质有很大影响， 而其亮态漏电流的影响显得尤为重要。 薄膜晶体管中有源层的材料一般为氧化铟镓锌或非 晶硅， 是一种对光很敏感的材料。 而有源层下方设置有栅极层， 在画面显示时， 外界光照和 背光源发出的光会在栅极层形成反射， 照射到有源层， 导致漏电流上升， 严重影响薄膜晶体 管的。

6、特性。 发明内容 0003 本申请实施例提供一种薄膜晶体管， 以解决有源层受到光照导致漏电流上升的问 题。 0004 本申请实施例提供了一种薄膜晶体管， 包括： 0005 基板； 0006 设于所述基板上的栅极层； 0007 设于所述栅极层上的吸光图案层； 0008 设于所述吸光图案层上的有源层； 0009 设于所述有源层上的源漏极。 0010 在本申请实施例中， 所述吸光图案层在所述基板上的正投影与所述栅极层在所述 基板上的正投影完全重叠。 0011 在本申请实施例中， 所述吸光图案层为铜锌锡硫硒薄膜。 0012 在本申请实施例中， 所述吸光图案层的厚度范围为100A-5000A。 0013。

7、 在本申请实施例中， 所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层； 0014 所述栅极绝缘层设置在所述吸光图案层与所述有源层之间。 0015 本申请实施例还提供了一种显示面板， 包括背光源和上述薄膜晶体管； 0016 所述背光源设于所述薄膜晶体管中的基板远离栅极层的一侧。 0017 本申请实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法， 包括： 0018 提供基板； 0019 在所述基板上依次形成栅极层和吸光图案层； 0020 在所述吸光图案层上形成有源层； 0021 在所述有源层上形成源漏极。 0022 在本申请实施例中， 所述在所述基板上依次形成栅极层和吸光图案层， 具体包括： 0023 在所述基板上依次形成。

8、金属层和吸光层； 0024 对所述金属层和所述吸光层进行蚀刻， 得到所述栅极层和所述吸光图案层。 说明书 1/4 页 3 CN 111063741 A 3 0025 在本申请实施例中， 所述吸光图案层在所述基板上的正投影与所述栅极层在所述 基板上的正投影完全重叠。 0026 在本申请实施例中， 所述吸光图案层为铜锌锡硫硒薄膜， 所述吸光图案层的厚度 范围为100A-5000A。 0027 本申请的有益效果为： 在薄膜晶体管中增加吸光图案层， 且吸光图案层位于栅极 层与有源层之间， 以对外部光和背光源发出的光进行吸收， 避免光通过栅极层反射到有源 层， 从而减小漏电流， 保证薄膜晶体管的稳定性。。

9、 附图说明 0028 下面结合附图， 通过对本申请的具体实施方式详细描述， 将使本申请的技术方案 及其它有益效果显而易见。 0029 图1为本申请实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图； 0030 图2为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图； 0031 图3为本申请实施例提供的薄膜晶体管的制作方法的流程示意图； 0032 图4为本申请实施例提供的薄膜晶体管的制作方法中步骤302的部分结构示意图； 0033 图5为本申请实施例提供的薄膜晶体管的制作方法中步骤302的另一部分结构示 意图。 具体实施方式 0034 这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的， 并且是用于描述本申请的示 例性实施例的。

10、目的。 但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现， 并且不应当被解释成 仅仅受限于这里所阐述的实施例。 0035 在本申请的描述中， 需要理解的是， 术语 “中心” 、“横向” 、“上” 、“下” 、“左” 、“右” 、 “竖直” 、“水平” 、“顶” 、“底” 、“内” 、“外” 等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或 位置关系， 仅是为了便于描述本申请和简化描述， 而不是指示或暗示所指的装置或元件必 须具有特定的方位、 以特定的方位构造和操作， 因此不能理解为对本申请的限制。 此外， 术 语 “第一” 、“第二” 仅用于描述目的， 而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所 指示。

11、的技术特征的数量。 由此， 限定有 “第一” 、“第二” 的特征可以明示或者隐含地包括一个 或者更多个该特征。 在本申请的描述中， 除非另有说明，“多个” 的含义是两个或两个以上。 另外， 术语 “包括” 及其任何变形， 意图在于覆盖不排他的包含。 0036 在本申请的描述中， 需要说明的是， 除非另有明确的规定和限定， 术语 “安装” 、“相 连” 、“连接” 应做广义理解， 例如， 可以是固定连接， 也可以是可拆卸连接， 或一体地连接； 可 以是机械连接， 也可以是电连接； 可以是直接相连， 也可以通过中间媒介间接相连， 可以是 两个元件内部的连通。 对于本领域的普通技术人员而言， 可以具。

12、体情况理解上述术语在本 申请中的具体含义。 0037 这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。 除非 上下文明确地另有所指， 否则这里所使用的单数形式 “一个” 、“一项” 还意图包括复数。 还应 当理解的是， 这里所使用的术语 “包括” 和/或 “包含” 规定所陈述的特征、 整数、 步骤、 操作、 单元和/或组件的存在， 而不排除存在或添加一个或更多其他特征、 整数、 步骤、 操作、 单元、 说明书 2/4 页 4 CN 111063741 A 4 组件和/或其组合。 0038 下面结合附图和实施例对本申请作进一步说明。 0039 如图1所示， 本申请实施例提供了一。

13、种薄膜晶体管， 包括基板1、 栅极层2、 吸光图案 层3、 有源层4和源漏极5。 所述栅极层2设于所述基板1上， 所述吸光图案层3设于所述栅极层 2上， 所述有源层4设于所述吸光图案层3上， 所述源漏极5设于所述有源层4上。 0040 其中， 栅极层2和源漏极5的材料可以为导电材料， 如铜、 铝、 银等金属或金属合金。 有源层4的材料包括氧化铟镓锌或非晶硅等， 即本实施例中的薄膜晶体管可以为a si:H TFT结构或IGZO结构等。 吸光图案层3的材料包括Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)等化合物材料， 即吸光图案层3可以为铜锌锡硫硒薄膜。 需要说明的是， 吸光图案层3的材料还可以为。

14、其他 材料， 只要能够达到吸光效果即可， 在此不做具体限定。 另外， 吸光图案层3的厚度范围为 100A-5000A， 1A10-7MM。 0041 本申请实施例中的吸光图案层3设置在栅极层2与有源层4之间， 当外部光和背光 源反射的光照射到吸光图案层3时， 光能够被吸光图案层3吸收， 而不再被栅极层2反射至有 源层4， 减小漏电流， 保证薄膜晶体管的稳定性。 0042 进一步地， 吸光图案层3覆盖在栅极层2上， 且吸光图案层3与栅极层2在平行于基 板1方向上的截面面积相同， 即所述吸光图案层3在所述基板1上的正投影与所述栅极层2在 所述基板1上的正投影完全重叠， 使得吸光图案层3既能避免栅极。

15、层2反射光至有源层4， 又 不会影响像素区的发光效率。 0043 进一步地， 所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层6， 所述栅极绝缘层6设置在所述吸 光图案层3与所述有源层4之间。 具体地， 如图1所示， 吸光图案层3覆盖在栅极层2上， 栅极绝 缘层6覆盖在基板1和吸光图案层3上， 有源层4覆盖在栅极绝缘层6上， 源漏极5覆盖在有源 层4上， 且源漏极5与栅极层2对应设置。 另外， 薄膜晶体管还包括层间绝缘层7， 层间绝缘层7 覆盖在有源层4和源漏极5上。 0044 其中， 栅极层2和吸光图案层3可以同制程完成， 即在基板上依次形成金属层和吸 光层后， 对金属层和吸光层一同进行曝光、 显影和蚀刻， 。

16、得到栅极层2和吸光图案层3， 从而 避免增加制程工艺。 0045 综上， 本申请实施例能够在薄膜晶体管中增加吸光图案层， 且吸光图案层位于栅 极层与有源层之间， 以对外部光和背光源发出的光进行吸收， 避免光经栅极层反射到有源 层， 从而减小漏电流， 保证薄膜晶体管的稳定性； 吸光图案层在基板上的正投影与栅极层在 所述基板上的正投影完全重叠， 不会影响像素区域的发光效率。 0046 如图2所示， 本申请实施例提供了一种显示面板， 包括背光源21和薄膜晶体管22， 其中， 薄膜晶体管22为上述实施例中的薄膜晶体管， 在此不再详细赘述。 0047 其中， 所述背光源21设于所述薄膜晶体管22中的基板。

17、1远离栅极层2的一侧， 即薄 膜晶体管22中的基板1设于背光源21上， 使薄膜晶体管22中的吸光图案层3能够对外部光和 背光源发出的光进行吸收， 避免光经栅极层2反射至有源层4， 保证薄膜晶体管的稳定性。 0048 如图3所示， 本申请实施例还提供一种薄膜晶体管的制作方法， 包括： 0049 301、 提供基板。 0050 302、 在所述基板上依次形成栅极层和吸光图案层。 0051 具体地， 步骤302中的所述在所述基板上依次形成栅极层和吸光图案层， 具体包 说明书 3/4 页 5 CN 111063741 A 5 括： 0052 在所述基板上依次形成金属层和吸光层； 0053 对所述金属层。

18、和所述吸光层进行蚀刻， 得到所述栅极层和所述吸光图案层。 0054 如图4所示， 先在基板1上整层形成金属层41， 在金属层41上整层形成吸光层42。 进 而在吸光层42上涂覆一层光刻胶， 在光刻胶上贴服光罩， 通过光罩对吸光层42上的光刻胶 曝光处理， 以保留所需图案的光刻胶， 进而对金属层41和吸光层42进行蚀刻， 去掉未覆盖光 刻胶的金属层和吸光层， 而保留被光刻胶覆盖的金属层和吸光层， 进而去除剩余光刻胶， 保 留的金属层即为栅极层2， 保留的吸光层即为吸光图案层3， 如图5所示。 0055 其中， 所述吸光图案层3在所述基板1上的正投影与所述栅极层2在所述基板1上的 正投影完全重叠。。

19、 所述吸光图案层3为铜锌锡硫硒薄膜， 所述吸光图案层3的厚度范围为 100A-5000A。 0056 303、 在所述吸光图案层上形成有源层。 0057 如图1所示， 可以先在基板1和吸光图案层3上形成栅极绝缘层6， 进而在栅极绝缘 层6上形成有源层4。 0058 304、 在所述有源层上形成源漏极。 0059 如图1所示， 在有源层4上形成源漏极5， 且源漏极5与栅极层2对应设置， 进而在有 源层4和源漏极5上形成层间绝缘层7。 0060 本申请实施例能够在薄膜晶体管中增加吸光图案层， 且吸光图案层位于栅极层与 有源层之间， 以对外部光和背光源发出的光进行吸收， 避免光经栅极层反射到有源层， 从而 减小漏电流， 保证薄膜晶体管的稳定性； 吸光图案层在基板上的正投影与栅极层在所述基 板上的正投影完全重叠， 不会影响像素区域的发光效率。 0061 综上所述， 虽然本申请已以优选实施例揭露如上， 但上述优选实施例并非用以限 制本申请， 本领域的普通技术人员， 在不脱离本申请的精神和范围内， 均可作各种更动与润 饰， 因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。 说明书 4/4 页 6 CN 111063741 A 6 图1 图2 说明书附图 1/2 页 7 CN 111063741 A 7 图3 图4 图5 说明书附图 2/2 页 8 CN 111063741 A 8 。