晶圆抛光方法.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201911348422.7 (22)申请日 2019.12.24 (71)申请人 深圳佰维存储科技股份有限公司 地址 518000 广东省深圳市南山区桃源街 道同富裕工业城4号厂房1楼、 2楼、 4 楼、 6楼 (72)发明人 李振华刘会红 (74)专利代理机构 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人 张鹏 (51)Int.Cl. B24B 1/00(2006.01) (54)发明名称 晶圆抛光方法 (57)摘要 本发明提供了一种晶圆抛光方法， 对待处理 晶圆进行第一次抛光处。

2、理； 然后对第一次抛光处 理后的抛光盘的抛光面进行打磨， 使抛光面表面 粗糙； 用打磨后的抛光盘的抛光面对待处理晶圆 进行第二次抛光处理。 本发明通过对第一次抛光 处理后的抛光盘进行打磨， 使其表面具有一定的 粗糙度， 然后再用打磨后的抛光盘对待处理晶圆 进行第二次抛光处理， 使得在晶圆表面可形成微 粗糙的磨痕， 克服了现有技术中铜离子污染的技 术问题， 达到了保证原有的抛光功能， 减少铜离 子污染， 提高产品良率， 保证产品使用质量， 达到 稳定存储数据的技术效果。 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 CN 110919467 A 2020.03.27 CN 110919467 A 1.一。

3、种晶圆抛光方法， 其特征在于， 对待处理晶圆进行第一次抛光处理； 然后对第一次 抛光处理后的抛光盘的抛光面进行打磨， 使抛光面表面粗糙； 用打磨后的抛光盘的抛光面 对待处理晶圆进行第二次抛光处理。 2.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法， 其特征在于， 所述对待处理晶圆进行第一次抛 光处理之前还包括： 依次对待处理晶圆进行粗磨和细磨。 3.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法， 其特征在于， 采用磨砂轮对第一次抛光处理后 的抛光盘的抛光面进行打磨。 4.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法， 其特征在于， 所述第一次抛光处理采用的抛光 液为PSL抛光液， 抛光盘为EG-PAD抛光盘。 5.根据权利要求1。

4、所述的晶圆抛光方法， 其特征在于， 还包括： 用第二次抛光处理后的 抛光盘对下一个待处理晶圆进行第一次抛光处理。 权利要求书 1/1 页 2 CN 110919467 A 2 晶圆抛光方法 技术领域 0001 本发明涉及存储器件生产技术领域， 尤其涉及一种晶圆抛光方法。 背景技术 0002 传统的晶圆抛光方法需要将晶圆依次进行粗磨、 细磨和抛光后才可用于存储器件 的生产， 其中在抛光过程中会使用抛光液和抛光片。 0003 在实际生产过程中， 若晶圆过薄， 生产的存储器件会出现数据丢失的问题， 这是因 为传统的抛光方法将晶圆的表面打磨得过于光滑， 阳离子容易从晶圆外跃迁至晶圆内， 在 行业内将这。

5、种情况称为铜离子污染。 铜离子(Cu+)在200 300条件下的渗透速度为0.55 m/sec， 在晶圆抛光后， 铜离子渗透速度会比在非抛光情况下更快。 铜离子迁移会导致存储 芯片内部的数据出错， 从而引起数据丢失现象， 影响数据稳定性。 发明内容 0004 本发明所要解决的技术问题是： 提供一种晶圆抛光方法， 可有效减少铜离子污染， 提高数据稳定性。 0005 为了解决上述技术问题， 本发明采用的技术方案为： 0006 一种晶圆抛光方法， 对待处理晶圆进行第一次抛光处理； 然后对第一次抛光处理 后的抛光盘的抛光面进行打磨， 使抛光面表面粗糙； 用打磨后的抛光盘的抛光面对待处理 晶圆进行第二次。

6、抛光处理。 0007 本发明的有益效果在于： 本发明实施例提供的晶圆抛光方法通过对第一次抛光处 理后的抛光盘进行打磨， 使其表面具有一定的粗糙度， 然后再用打磨后的抛光盘对待处理 晶圆进行第二次抛光处理， 使得在晶圆表面可形成微粗糙的磨痕， 克服了现有技术中铜离 子污染的技术问题， 达到了保证原有的抛光功能， 减少铜离子污染， 提高产品良率， 保证产 品使用质量， 达到稳定存储数据的技术效果。 附图说明 0008 图1为本发明实施例一的晶圆抛光方法的流程图。 具体实施方式 0009 为详细说明本发明的技术内容、 所实现目的及效果， 以下结合实施方式并配合附 图予以说明。 0010 本发明最关键。

7、的构思在于： 对第一次抛光处理后的抛光盘进行打磨， 使其表面具 有一定的粗糙度， 然后再用打磨后的抛光盘对待处理晶圆进行第二次抛光处理， 使得在晶 圆表面可形成微粗糙的磨痕。 0011 请参照图1， 本发明实施例提供了一种晶圆抛光方法， 对待处理晶圆进行第一次抛 光处理； 然后对第一次抛光处理后的抛光盘的抛光面进行打磨， 使抛光面表面粗糙； 用打磨 说明书 1/3 页 3 CN 110919467 A 3 后的抛光盘的抛光面对待处理晶圆进行第二次抛光处理。 0012 从上述描述可知， 本发明的有益效果在于： 通过对第一次抛光处理后的抛光盘进 行打磨， 使其表面具有一定的粗糙度， 然后再用打磨后。

8、的抛光盘对待处理晶圆进行第二次 抛光处理， 使得在晶圆表面可形成微粗糙的磨痕， 克服了现有技术中铜离子污染的技术问 题， 达到了保证原有的抛光功能， 减少铜离子污染， 提高产品良率， 保证产品使用质量， 达到 稳定存储数据的技术效果。 0013 进一步的， 所述对待处理晶圆进行第一次抛光处理之前还包括： 依次对待处理晶 圆进行粗磨和细磨。 0014 进一步的， 采用磨砂轮对第一次抛光处理后的抛光盘的抛光面进行打磨。 0015 进一步的， 所述第一次抛光处理采用的抛光液为PSL抛光液， 抛光盘为EG-PAD抛光 盘。 0016 进一步的， 还包括： 用第二次抛光处理后的抛光盘对下一个待处理晶圆进。

9、行第一 次抛光处理。 0017 由上述描述可知， 第二次抛光处理后的抛光盘的抛光面的又恢复平整， 所以可以 再次用于抛光下一个待处理晶圆。 0018 请参照图1， 本发明的实施例一为： 0019 一种晶圆抛光方法， 包括如下处理步骤： 0020 S1、 依次对待处理晶圆进行粗磨和细磨。 0021 具体的， 将待处理晶圆放置在打磨设备上， 采用不同型号的磨砂轮对晶圆进行粗 磨和细磨。 粗磨时采用的磨砂轮型号为TD600VP3-3W-7X-300， 细磨时采用的磨砂轮型号为 TD8KVTSS-4W-7L-300。 粗磨和细磨均要求研磨30 60 m的目标厚度。 0022 S2、 对待处理晶圆进行第。

10、一次抛光处理。 0023 本实施例中， 采用湿抛工艺对待处理晶圆进行第一次抛光处理， 湿抛过程中需要 使用抛光液。 所述第一次抛光处理采用的抛光液为PSL抛光液， 抛光盘为EG-PAD抛光盘。 PSL 抛光液和EG-PAD抛光盘均可从日本东京精密公司购买。 第一次抛光处理后晶圆表面光滑。 0024 S3、 对第一次抛光处理后的抛光盘的抛光面进行打磨， 使抛光面表面粗糙。 0025 具体的， 采用磨砂轮对第一次抛光处理后的抛光盘的抛光面进行打磨， 可采用步 骤S1中的磨砂轮进行粗磨和细磨。 0026 S4、 用打磨后的抛光盘的抛光面对待处理晶圆进行第二次抛光处理。 0027 第二次抛光处理后， 。

11、在晶圆表面会形成微粗糙的磨痕， 磨痕的深度需小于0.1 m。 第二次抛光处理后的抛光盘的抛光面的又恢复平整， 所以可以用第二次抛光处理后的抛光 盘对下一个待处理晶圆进行第一次抛光处理。 0028 综上所述， 本发明提供的一种晶圆抛光方法， 通过对第一次抛光处理后的抛光盘 进行打磨， 使其表面具有一定的粗糙度， 然后再用打磨后的抛光盘对待处理晶圆进行第二 次抛光处理， 使得在晶圆表面可形成微粗糙的磨痕， 克服了现有技术中铜离子污染的技术 问题， 达到了保证原有的抛光功能， 减少铜离子污染， 提高产品良率， 保证产品使用质量， 达 到稳定存储数据的技术效果。 0029 以上所述仅为本发明的实施例， 并非因此限制本发明的专利范围， 凡是利用本发 明说明书及附图内容所作的等同变换， 或直接或间接运用在相关的技术领域， 均同理包括 说明书 2/3 页 4 CN 110919467 A 4 在本发明的专利保护范围内。 说明书 3/3 页 5 CN 110919467 A 5 图1 说明书附图 1/1 页 6 CN 110919467 A 6 。