封装方法及封装结构.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910097526.9 (22)申请日 2019.01.31 (30)优先权数据 10201810052W 2018.11.12 SG (71)申请人 台达电子国际 （新加坡） 私人有限公 司 地址 新加坡加基武吉 (72)发明人 陈建铭林平平 (74)专利代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人 聂慧荃郑特强 (51)Int.Cl. H01L 21/60(2006.01) H01L 23/485(2006.01) H01L 23/552(2006.01) H。

2、01L 23/367(2006.01) (54)发明名称 封装方法及封装结构 (57)摘要 本发明提供一种封装方法及封装结构。 封装 方法包括： 首先， 提供半封装单元， 半封装单元包 含嵌于绝缘结构内的电子组件、 导热结构、 第一 金属层及第二金属层， 第一金属层贴附于电子组 件， 第二金属层贴附于导热结构； 接着， 移除部分 的绝缘结构以形成设置于半封装单元的边缘处 的至少一凹部， 并移除部分的绝缘结构使得于半 封装单元的一侧形成多个第一开孔， 以暴露出第 一金属层及第二金属层； 接着， 形成一第一金属 重布线层以连接绝缘结构、 第一金属层及第二金 属层； 接着， 于第一金属重布线层上形成。

3、多个第 二开孔， 并于多个第二开孔上形成第一屏蔽。 权利要求书3页 说明书7页 附图14页 CN 111180348 A 2020.05.19 CN 111180348 A 1.一种封装方法， 包含步骤： (a)提供一半封装单元， 该半封装单元包含嵌于一绝缘结构内的一电子组件、 一导热结 构、 一第一金属层及一第二金属层， 该第一金属层贴附于该电子组件， 该第二金属层贴附于 该导热结构； (b)移除部分的该绝缘结构以于该半封装单元的一边缘处形成至少一凹部， 并于该半 封装单元的一侧形成多个第一开孔， 以暴露出该第一金属层及该第二金属层； (c)于该绝缘结构上形成一第一金属重布线层以连接该第一金。

4、属层及该第二金属层； 以及 (d)于该第一金属重布线层上形成多个第二开孔， 并于多个所述第二开孔上形成一第 一屏蔽。 2.如权利要求1所述的封装方法， 其中该步骤(a)前还包含步骤： 形成一第一凹槽于该导热结构的一边缘处； 提供一第一载体及该电子组件， 其中该电子组件的一侧包含至少一第一导接端及至少 一第二导接端， 且该导热结构及该电子组件的另一侧贴附于该第一载体； 提供一第一绝缘层于该导热结构的一侧及该电子组件的该侧； 移除该第一载体； 形成一第二凹槽于该导热结构的另一边缘处； 形成该第一金属层于该电子组件的该另一侧， 并形成该第二金属层于该导热结构的另 一侧； 以及 形成一第二绝缘层于该第。

5、一金属层及该第二金属层上， 而该第一绝缘层及该第二绝缘 层形成该绝缘结构。 3.如权利要求2所述的封装方法， 其中该步骤(a)中还包含步骤： 形成多个第三开孔于该半封装单元的该侧以暴露出该导热结构、 该第一导接端及该第 二导接端； 形成一第二金属重布线层于该第一绝缘层上， 其中该第二金属重布线层连接该导热结 构、 该第一导接端及该第二导接端； 以及 提供一第二载体于该第二金属重布线层上。 4.如权利要求3所述的封装方法， 其中该步骤(b)中还包含步骤： 移除部分的该绝缘结构， 以形成设置于该半封装单元的该边缘处的至少一个所述凹 部。 5.如权利要求3所述的封装方法， 其中该步骤(b)中还包含步。

6、骤： 移除该第二载体以暴露出该第二金属重布线层； 形成一第三金属层于该第二绝缘层上； 以及 形成至少一第一薄膜于部分的该第三金属层上。 6.如权利要求5所述的封装方法， 其中该步骤(c)中， 该第三金属层被第一金属重布线 层覆盖， 其中该第一金属重布线层经由该第三金属层以连接该导热结构、 该第一金属层及 该第二金属层。 7.如权利要求5所述的封装方法， 其中该步骤(c)中还包含步骤： 移除该第一薄膜。 8.如权利要求5所述的封装方法， 其中该步骤(d)中还包含步骤： 权利要求书 1/3 页 2 CN 111180348 A 2 形成多个第四开孔于该第二金属重布线层上； 形成一第二屏蔽于该第二金。

7、属重布线层上， 其中多个第五开孔形成于该第二屏蔽上， 其中部分的该第二金属重布线层经由多个所述第五开孔而暴露； 形成一第三金属重布线层于该第二屏蔽上， 其中该第三金属重布线层与部分的该第二 金属重布线层相连接； 以及 形成一第三屏蔽于该第三金属重布线层上， 并形成多个第六开孔以暴露该第三金属重 布线层。 9.如权利要求2所述的封装方法， 其中该步骤(a)中还包含步骤： 形成多个第三开孔于 该半封装单元的该侧以暴露部分的该导热结构、 该第一导接端及该第二导接端。 10.如权利要求9所述的封装方法， 其中该步骤(b)中还包含步骤： 形成一第三金属层于该第二绝缘层上， 以接触该导热结构、 该第一金属。

8、层及该第二金 属层； 形成一第四金属层于该第一绝缘层上， 以接触该导热结构、 该第一导接端及该第二导 接端； 形成至少一第一薄膜于部分的该第三金属层上； 以及 形成至少一第二薄膜于部分的该第四金属层上。 11.如权利要求10所述的封装方法， 其中该步骤(c)中， 该第三金属层被该第一金属重 布线层所覆盖， 其中该第一金属重布线层经由该第四金属层连接该导热结构、 部分的该第 一金属层及部分的该第二金属层。 12.如权利要求10所述的封装方法， 其中该步骤(c)中还包含步骤： 形成一第二金属重布线层于该第一绝缘层上， 其中该第二金属重布线层经由对应的该 第三开孔连接该导热结构、 该第一导接端及该第。

9、二导接端； 以及 移除该第一薄膜以形成多个第四开孔， 并移除该第二薄膜以形成多个所述第二开孔。 13.如权利要求10所述的封装方法， 其中该步骤(c)中， 该导热结构及该电子组件设置 于该第一金属重布线层及该第二金属重布线层之间。 14.如权利要求1所述的封装方法， 其中该步骤(b)中， 该凹部利用切割工艺或激光凹槽 钻孔工艺形成。 15.如权利要求1所述的封装方法， 其中该凹部的一深度为100微米。 16.一种封装结构， 包含： 一电子组件； 一导热结构， 设于该电子组件的一侧； 一第一金属层， 贴附于该电子组件； 一第二金属层， 贴附于该导热结构； 一绝缘结构， 包含一凹陷处及多个第一开孔。

10、， 其中该电子组件、 该导热结构、 该第一金 属层及该第二金属层嵌入于该绝缘结构中， 且该凹陷处设于该绝缘结构的边缘； 以及 一第一金属重布线层， 经由该凹陷处连接该导热结构及该第二金属层的一侧， 并经由 该多个第一开孔连接该第一金属层及该第二金属层的另一侧。 17.如权利要求16所述的封装结构， 其中该导热结构的一侧、 该绝缘结构的一第二凹槽 及该第二金属层的该侧定义为一凹部。 权利要求书 2/3 页 3 CN 111180348 A 3 18.如权利要求16所述的封装结构， 其中该封装结构包含一第一屏蔽， 该第一金属重布 线层包含多个第二开孔， 该第一屏蔽设置于该第二开孔上。 19.如权利。

11、要求16所述的封装结构， 其中该导热结构的一边缘处包含一第一凹槽， 该导 热结构的另一边缘处包含一第二凹槽。 20.如权利要求16所述的封装结构， 其中该电子组件包含一第一导接端及一第二导接 端， 该绝缘结构包含多个第三开孔， 其中多个所述第三开孔对应该导热结构、 该第一导接端 及该第二导接端设置。 21.如权利要求20所述的封装结构， 其中该封装结构还包含： 一第二金属重布线层， 设置于该绝缘结构上， 并经由对应的该第三开孔与该导热结构、 该第一导接端及该第二导接端连接， 其中该第二金属重布线层包含多个第四开孔； 一第二屏蔽， 设置于该第二金属重布线层上， 并经由多个所述第四开孔与该绝缘结构。

12、 连接， 其中该第二屏蔽包含多个第五开孔； 一第三金属重布线层， 设置于该第二屏蔽上， 并经由多个所述第五开孔与该第二金属 重布线层连接， 其中该第三金属重布线层包含多个第六开孔； 以及 一第三屏蔽， 设置于该第三金属重布线层上， 并经由多个所述第六开孔与该第二屏蔽 相连接。 权利要求书 3/3 页 4 CN 111180348 A 4 封装方法及封装结构 技术领域 0001 本发明涉及一种封装方法及封装结构， 特别涉及一种电子组件具有可润湿侧翼结 构(wettable flank structure)的封装方法及封装结构。 背景技术 0002 近年来， 电子装置设计朝向小尺寸、 轻薄及易于携。

13、带的趋势发展。 再者， 随着电子 工业技术的日益进步， 电子装置的内部电路已逐渐朝向模块化发展， 换言之， 多个电子组件 整合在单一电子模块中。 举例而言， 功率模块(power module)为广泛使用的电子模块之一， 功率模块可包括例如但不限于直流-直流转换器(DC to DC converter)、 直流-交流转换器 (DC to AC converter)或交流-直流转换器(AC to DC converter)。 于多个电子组件(例如 集成电路芯片、 电容器、 电阻器、 电感器、 变压器、 二极管及晶体管)整合为一功率模块之后， 功率模块便可安装于主板或系统电路板上。 0003 目前。

14、， 方形扁平无引脚(quad flat no leads,QFN)封装结构是一种非常普及的嵌 入式结构， 而该封装结构的导线架从该封装结构的底部及侧边暴露出来， 此外， 方形扁平无 引脚封装结构不会从不同侧边伸出引脚， 且因具有较小的体积、 较低的成本、 较高的制作过 程良率及较好的散热效果等优势， 而广泛的被应用。 0004 然而， 传统方形扁平无引脚封装结构的底部以电镀方式而经由焊料与印刷电路板 相连接， 传统方形扁平无引脚封装结构的导线架被切割而在方形扁平无引脚封装结构的侧 翼暴露出导线架的表面， 使得方形扁平无引脚封装结构的侧翼表面无法被电镀， 因此， 方形 扁平无引脚封装结构的侧翼没。

15、有被电镀而难以镀上焊料。 此外， 未被电镀的方形扁平无引 脚封装结构的侧翼表面容易被氧化。 更甚者， 连接于方形扁平无引脚封装结构的导线架及 印刷电路板之间的焊料， 容易造成突出于印刷电路板表面的突起物， 而该突起物使得自动 光学检测难以实施。 0005 因此， 实有必要提供一种改良的封装方法及封装结构， 以解决上述先前技术所面 临的问题。 发明内容 0006 本发明的目的在于提供一种封装方法及封装结构， 其中该封装结构具有可润湿侧 翼， 而封装结构的可润湿侧翼容易镀上导电材料， 且能使焊脚的结构位于功率模块的侧壁， 以实现自动光学检测。 0007 本发明实施例的构想在于提供一种封装方法， 首。

16、先， 提供半封装单元， 半封装单元 包含嵌于绝缘结构内的电子组件、 导热结构、 第一金属层及第二金属层， 第一金属层贴附于 电子组件， 第二金属层贴附于导热结构。 接着， 移除部分的绝缘结构以于半封装单元的边缘 处形成至少一凹部， 并于半封装单元的一侧形成多个第一开孔， 以暴露出第一金属层及第 二金属层。 接着， 于绝缘结构上形成一第一金属重布线层以连接第一金属层及第二金属层。 接着， 于第一金属重布线层上形成多个第二开孔， 并于多个第二开孔上形成第一屏蔽。 说明书 1/7 页 5 CN 111180348 A 5 0008 本发明实施例另一个构想在于提供一种封装结构， 包含电子组件、 导热结。

17、构、 第一 金属层、 第二金属层、 绝缘结构及第一金属重布线层。 第一金属层贴附于电子组件。 导热结 构设于电子组件的一侧。 第二金属层贴附于导热结构。 绝缘结构包含凹陷处及多个第一开 孔， 其中电子组件、 导热结构、 第一金属层及第二金属层嵌入于绝缘结构中， 且凹陷处设于 绝缘结构的边缘。 第一金属重布线层经由凹陷处连接导热结构及第二金属层的一侧， 并经 由多个第一开孔连接第一金属层及第二金属层的另一侧。 0009 本发明的有益效果在于， 本发明的实施例提供一种封装方法及封装结构， 绝缘结 构的凹部被第一金属重布线层所覆盖， 因此， 绝缘结构的侧翼较容易涂布导电材料。 此外， 由于绝缘结构的。

18、侧翼涂布导电材料， 绝缘结构的侧翼表面较不易氧化。 更甚者， 介于绝缘结 构与电路板之间的导电材料较为平坦， 使得本发明的封装结构实施自动光学检测时较为容 易。 附图说明 0010 图1A至图1X为本发明的第一实施例的电子组件的封装方法的截面结构示意图。 0011 图2A至图2N为本发明的第二实施例的电子组件的部分封装方法的截面结构示意 图。 0012 图3A至图3F为本发明的第三实施例的电子组件的部分封装方法的截面结构示意 图。 0013 图4为本发明的嵌入式封装结构的功率模块的部分结构示意图。 0014 图5为本发明第二实施例的嵌入式封装结构的功率模块的第一俯视图。 0015 图6为本发明。

19、第二实施例的嵌入式封装结构的功率模块的第二俯视图。 0016 附图标记说明： 0017 100： 半封装单元 0018 11： 导热结构 0019 111： 第一凹槽 0020 112： 第二凹槽 0021 12： 第一载体 0022 13： 电子组件 0023 131： 第一导接端 0024 132： 第二导接端 0025 14： 绝缘结构 0026 141： 第一绝缘层 0027 142： 第二绝缘层 0028 143： 第三开孔 0029 151： 第一金属层 0030 152： 第二金属层 0031 16： 第二金属重布线层 0032 161： 第四开孔 0033 17： 第二载体 说。

20、明书 2/7 页 6 CN 111180348 A 6 0034 181： 凹部 0035 182： 第一开孔 0036 191： 第三金属层 0037 192： 第四金属层 0038 201： 第一薄膜 0039 202： 第二薄膜 0040 21： 第一金属重布线层 0041 211： 第二开孔 0042 22： 第一屏蔽 0043 23： 第二屏蔽 0044 231： 第五开孔 0045 24： 第三金属重布线层 0046 25： 第三屏蔽 0047 251： 第六开孔 0048 26： 电路板 0049 27： 导电材料 0050 28： 导电层 0051 2： 电源模块 0052 R。

21、： 红光 0053 G： 绿光 0054 B： 蓝光 0055 H： 深度 0056 L1、 L2： 宽度 具体实施方式 0057 体现本发明特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。 应理解的 是本发明能够在不同的方式上具有各种的变化， 其皆不脱离本发明的范围， 且其中的说明 及附图在本质上当作说明之用， 而非架构于限制本发明。 0058 图1A至图1X为本发明的第一实施例的电子组件的封装方法的截面结构示意图。 0059 首先， 如图1A所示， 提供至少一导热结构11， 第一凹槽111形成于对应的导热结构 11的一侧， 尤其是形成于对应的导热结构11的一边缘处。 在一实施例中， 第。

22、一凹槽111利用 化学蚀刻方法形成。 然后， 如第图1B所示， 提供第一载体12及电子组件13。 在一实施例中， 第 一载体12为散热胶带或聚酰亚胺(polyimide)胶带。 电子组件13的一侧包含至少一第一导 接端131及至少一第二导接端132。 在一些实施例中， 导热结构11可由金属导线架构成。 在一 些实施例中， 导热结构11可由具有良好导热特性的印刷电路板或陶瓷基板(ceramic substrate)构成。 在一些实施例中， 第一导接端131及第二导接端132是以铜、 铝、 银、 金或任 何其他适当的金属材料所构成。 0060 电子组件13可为主动组件或是被动组件， 例如但不限于集。

23、成电路(Integrated Circuit， IC)芯片、 整合性功率组件、 金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)、 高电子迁移 说明书 3/7 页 7 CN 111180348 A 7 率晶体管(HEMT)、 绝缘栅双极性晶体管(Insulated-gate bipolar transistor， IGBT)、 二 极管(Diode)、 电容器、 电阻器、 电感器或保险丝。 电子组件13的第一导接端131及第二导接 端132的数目可依据电子组件13的种类及架构而定， 例如图1B所示， 电子组件13示例可为集 成电路芯片， 根据该集成电路芯片的架构， 电子组件13具有一个第一导接端13。

24、1及两个第二 导接端132。 在一实施例中， 电子组件13为功率集成电路芯片， 而第一导接端131为栅极端 (gate)， 第二导接端132为源极(Source)端与漏极(Drain)端。 0061 请再参阅图1B， 导热结构11及电子组件13的另一侧贴附于第一载体12， 因此， 使得 导热结构11的第一凹槽111、 电子组件13的第一导接端131及第二导接端132暴露出来。 此 外， 导热结构11的第一凹槽111设置于导热结构11远离电子组件13的一边缘处或在导热结 构11内。 0062 然后， 如图1C所示， 提供第一绝缘层141， 并将第一绝缘层141层压于导热结构11的 一侧及电子组件。

25、13的一侧， 使导热结构11及电子组件13嵌于第一绝缘层141上， 换言之， 导 热结构11的第一凹槽111、 电子组件13的第一导接端131及第二导接端132被第一绝缘层141 所覆盖。 在一实施例中， 第一绝缘层141可由例如但不限于树脂或任何其他适当的绝缘材料 所构成。 0063 接着， 如图1D所示， 第一载体12被移除， 因此， 电子组件13的另一侧及导热结构11 的另一侧被暴露出来。 接着， 如图1E所示， 部分的导热结构11被移除， 因此， 第二凹槽112形 成于对应的导热结构11的另一侧， 尤其是形成于对应的导热结构11的另一边缘处。 在一实 施例中， 第二凹槽112利用化学蚀。

26、刻方法形成。 第一凹槽111及对应的第二凹槽112组成而形 成导热结构11上的一尖锐结构。 0064 接着， 如图1F所示， 提供第一金属层151及第二金属层152， 第一金属层151形成于 电子组件13的另一侧， 第二金属层152形成于导热结构11的另一侧。 0065 接着， 如图1G所示， 提供第二绝缘层142， 而第二绝缘层142形成以覆盖第一金属层 151及第二金属层152。 此外， 第一绝缘层141及第二绝缘层142可形成一绝缘结构14。 更甚 者， 绝缘结构14、 电子组件13、 导热结构11、 第一金属层151及第二金属层152形成一半封装 单元100。 在一实施例中， 第二绝缘。

27、层142可由例如但不限于树脂或任何其他具有适当结构 强度与热导性的适当绝缘材料所构成。 0066 接着， 如图1H所示， 多个第三开孔143形成于半封装单元100的一侧， 而多个第三开 孔143对应于导热结构11、 第一导接端131及第二导接端132设置。 部分的导热结构11、 电子 组件13的第一导接端131及第二导接端132经由对应的第三开孔143所暴露出来。 在一实施 例中， 部分的第一绝缘层141利用激光钻孔工艺或化学蚀刻工艺移除以形成多个第三开孔 143。 0067 接着， 如图1I所示， 提供第二金属重布线层16， 第二金属重布线层16形成于绝缘结 构14的第一绝缘层141上。 第。

28、二金属重布线层16经由对应的第三开孔143连接导热结构11、 电子组件13的第一导接端131及第二导接端132。 0068 接着， 如图1J所示， 提供第二载体17， 而第二载体17贴附于第二金属重布线层16 上。 0069 接着， 如图1K所示， 移除部分的绝缘结构14， 使得绝缘结构14的边缘处形成一凹陷 处， 并定义绝缘结构14的凹陷处为一凹部181， 而凹部181设置于半封装单元100的边缘处。 说明书 4/7 页 8 CN 111180348 A 8 于一实施例中， 凹部181利用切割工艺而形成， 而凹部181的深度H可为但不限为100微米。 0070 接着， 如图1L所示， 移除部。

29、分的绝缘结构14， 例如部分的第二绝缘层142， 以形成多 个第一开孔182， 而多个第一开孔182设置于半封装单元100的一侧， 因此部分的第一金属层 151及部分的第二金属层152经由对应的第一开孔182而暴露。 在一实施例中， 部分的第二绝 缘层142利用激光钻孔工艺或化学蚀刻工艺移除。 0071 接着， 如图1M所示， 移除第二载体17， 而使得第二金属重布线层16暴露出来。 0072 接着， 如图1N所示， 提供第三金属层191， 而第三金属层191形成于第二绝缘层142 上， 因此第三金属层191贴附于凹部181， 并经由对应的第一开孔182而贴附于第一金属层 151及第二金属层1。

30、52。 0073 接着， 如图1O所示， 提供至少一第一薄膜201， 而第一薄膜201形成在部分的第三金 属层191上。 在一实施例中， 第一薄膜201形成在对应于电子组件13及导热结构11之间的区 域的部分第三金属层191上。 0074 接着， 如图1P所示， 提供第一金属重布线层21， 而第一金属重布线层21形成以覆盖 在第三金属层191上。 第一金属重布线层21经由第三金属层191连接绝缘结构14、 第一金属 层151及第二金属层152。 0075 接着， 如图1Q所示， 移除第一薄膜201， 使得多个第二开孔211形成于第一金属重布 线层21上。 0076 接着， 如图1R所示， 提供。

31、第一屏蔽22， 而第一屏蔽22形成于对应的第二开孔211上， 使得第一屏蔽22的位置用以隔离连接第一金属层151的第一金属重布线层21及连接第二金 属层152的第一金属重布线层21。 在一实施例中， 第一屏蔽22为树脂或任何具有适当绝缘性 质的材料。 0077 接着， 如图1S所示， 提供多个第四开孔161， 而多个第四开孔161形成在第二金属重 布线层16上， 使得部分的第一绝缘层141暴露出来。 0078 接着， 如图1T所示， 提供第二屏蔽23， 而第二屏蔽23形成在第二金属重布线层16 上。 多个第五开孔231形成在第二屏蔽23上， 使得连接导热结构11的部分的第二金属重布线 层16及。

32、连接电子组件13的第二导接端132的第二金属重布线层16经由对应的第五开孔231 暴露出来。 在一实施例中， 第二屏蔽23为树脂或任何具有适当绝缘性质的材料。 0079 接着， 如图1U所示， 提供第三金属重布线层24， 而第三金属重布线层24形成在第二 屏蔽23上， 并经由对应的第五开孔231接触与导热结构11相连接的第二金属重布线层16及 与电子组件13的第二导接端132相连接的第二金属重布线层16。 0080 接着， 如图1V所示， 提供第三屏蔽25， 而第三屏蔽25形成在第三金属重布线层24 上， 而多个第六开孔251形成在第三屏蔽25上。 此外， 第三金属重布线层24经由第六开孔25。

33、1 暴露出来， 而第三金属重布线层24与导热结构11连接的第二金属重布线层16相连接。 于一 实施例中， 第三屏蔽25为树脂或任何具有适当绝缘性质的材料。 0081 接着， 如图1W所示， 多个嵌入式结构被分离， 而制造出具有嵌入式封装结构的电源 模块2。 0082 接着， 如图1X所示， 将电源模块2设置于电路板26上， 而电源模块2的第一金属重布 线层21经由导电材料27， 例如焊料， 与电路板26相连接， 而使得导电材料27形成焊脚， 故焊 脚形成电源模块2的可润湿侧翼结构。 经由第一金属重布线层21与第一金属层151相连接的 说明书 5/7 页 9 CN 111180348 A 9 导。

34、电材料27及经由第一金属重布线层21与第二金属层152相连接的导电材料27被相对应的 第一屏蔽22分离。 在一实施例中， 多个有色光束， 例如红光R、 绿光G及蓝光B， 利用不同角度 以照射导电材料27的斜面， 而一自动光学检测系统(未图标)设置在电源模块2上方以接收 自导电材料27表面所反射出的多个有色光束， 并根据所接收到的光束的分布状态， 进而得 知导电材料27的斜率， 借以避免不良的填充质量。 在一实施例中， 导电层28设置于电源模块 2上。 0083 在一些实施例中， 本发明的封装方法所公开的图1K至图1X可替换为不同的封装方 法。 图2A至图2N为本发明的第二实施例的电子组件的部分。

35、封装方法的截面结构示意图。 于 一实施例中， 本发明的封装方法所公开的图1K至图1X可替换为图2A至图2N的封装方法， 而 封装方法的组成部分及组件相似于前述第一实施例的封装方法的组成部分及组件， 其中相 同组件符号代表相同的组件， 于此不再赘述。 0084 于实施图1A至图1J的封装方法后， 如图2A所示， 移除部分的绝缘结构14。 结缘结构 14的一侧、 导热结构11的第二凹槽112及第二金属层152的一侧定义为凹部181， 而凹部181 设置于半封装单元100的边缘处， 而部分的导热结构11及部分的第二金属层152经由对应的 凹部181暴露出来。 0085 于实施图2A的封装方法后， 再。

36、实施图2B至图2N的封装方法， 而图2B至图2N的步骤 相似于图1L至图1X的步骤， 故于此不再赘述。 0086 在一些实施例中， 本发明的封装方法所公开的图1I至图1S可替换为不同的封装方 法。 图3A至图3F为本发明的第三实施例的电子组件的部分封装方法的截面结构示意图。 于 一实施例中， 本发明的封装方法所公开的图1I至图1S可替换为图3A至图3F的封装方法， 而 封装方法的组成部分及组件相似于前述第一实施例的封装方法的组成部分及组件， 其中相 同组件符号代表相同的组件， 于此不再赘述。 0087 于实施图1A至图1H的封装方法后， 如图3A所示， 移除部分的绝缘结构14， 而绝缘结 构1。

37、4的边缘处形成凹陷处， 导热结构11的一侧、 绝缘结构14的凹陷处及第二金属层152的一 侧定义为凹部181， 而凹部181设置于半封装单元100一侧的边缘处， 此外， 部分的导热结构 11及部分的第二金属层152经由对应的凹部181暴露出来。 在一实施例中， 凹部181利用激光 凹槽钻孔工艺形成， 而凹部181的深度H可为但不限为100微米。 另外， 移除部分的绝缘结构 14， 例如部分的第二绝缘层142， 以形成多个第一开孔182， 而多个第一开孔182设置于半封 装单元100的一侧， 因此， 第一金属层151及第二金属层152经由对应的第一开孔182暴露出 来。 0088 接着， 如图3。

38、B所示， 提供第三金属层191及第四金属层192， 而第三金属层191形成 于第二绝缘层142上， 使得第三金属层191经由凹部181贴附于导热结构11及第一金属层 151， 而第三金属层191经由对应的第一开孔182贴附于第一金属层151及第二金属层152。 第 四金属层192则形成于第一绝缘层141上， 使得第四金属层192经由对应的第三开孔143贴附 于导热结构11、 第一导接端131及第二导接端132。 0089 接着， 如图3C图所示， 提供至少一第一薄膜201及至少一第二薄膜202， 而第一薄膜 201形成于部分的第三金属层191上。 在一实施例中， 第一薄膜201形成在对应于电子。

39、组件13 及导热结构11之间的区域的部分第三金属层191上。 第二薄膜202则形成在部分的第四金属 层192上。 说明书 6/7 页 10 CN 111180348 A 10 0090 接着， 如图3D所示， 提供第一金属重布线层21及第二金属重布线层16， 而第一金重 布线层21形成以覆盖第三金属层191， 第一金属重布线层21经由第三金属层191连接导热结 构11、 第一金属层151及第二金属层152， 而第二金属重布线层16形成以覆盖第四金属层 192， 第二金属重布线层16经由第四金属层192连接导热结构11、 第一导接端131及第二导接 端132。 而第四金属层192的材料与第二金属。

40、重布线层16的材料可为但不限为相同， 因此第 四金属层192及第二金属重布线层16可为一体成型的结构。 0091 接着， 如图3E所示， 移除第一薄膜201及第二薄膜202， 而多个第二开孔211形成于 第一金属重布线层21上， 而多个第四开孔161则形成在第二金属重布线层16上。 0092 接着， 如图3F所示， 提供第一屏蔽22， 而第一屏蔽22形成在第二开孔211上， 使得第 一屏蔽22的位置用以隔离连接第一金属层151的第一金属重布线层21及连接第二金属层 152的第一金属重布线层21。 于实施图3F的封装方法后， 再实施图1T至图1X的封装方法， 于 此不再赘述。 0093 图4为本。

41、发明的嵌入式封装结构的功率模块的部分结构示意图。 如图4所示， 第一 薄膜201设置于半封装单元100的一侧， 而第一屏蔽22设置于第一薄膜201的一侧。 0094 图5为本发明第二实施例的嵌入式封装结构的功率模块的第一俯视图。 如图5所 示， 第二开孔211的宽度L1小于凹部181的宽度L2。 在一实施例中， 第二开孔211的宽度L1为 400微米， 而凹部181的宽度L2为600微米。 0095 图6为本发明第二实施例的嵌入式封装结构的功率模块的第二俯视图。 如图6所 示， 第二开孔211的宽度L1大于凹部181的宽度L2。 在一实施例中， 第二开孔211的宽度L1为 400微米， 而凹部。

42、181的宽度L2为320微米。 在另一实施例中， 第二开孔211的宽度L1为480微 米， 而凹部181的宽度L2为400微米。 0096 综上所述， 本发明的实施例提供一种封装方法及封装结构， 根据本发明的封装方 法及封装结构， 导热结构的凹槽或绝缘层的凹槽被第一金属重布线层所覆盖， 因此， 导热结 构的侧翼或绝缘层的侧翼较容易涂布导电材料。 此外， 由于导热结构的侧翼或绝缘层的侧 翼涂布导电材料， 导热结构的侧翼表面或绝缘层的侧翼表面较不易氧化。 更甚者， 介于导热 结构与电路板之间或介于绝缘层与电路板之间的导电材料较为平坦， 使得本发明的封装结 构实施自动光学检测时较为容易。 说明书 7。

43、/7 页 11 CN 111180348 A 11 图1A 图1B 图1C 图1D 图1E 说明书附图 1/14 页 12 CN 111180348 A 12 图1F 图1G 图1H 图1I 说明书附图 2/14 页 13 CN 111180348 A 13 图1J 图1K 图1L 图1M 说明书附图 3/14 页 14 CN 111180348 A 14 图1N 图1O 图1P 图1Q 说明书附图 4/14 页 15 CN 111180348 A 15 图1R 图1S 图1T 图1U 说明书附图 5/14 页 16 CN 111180348 A 16 图1V 图1W 图1X 说明书附图 6/。

44、14 页 17 CN 111180348 A 17 图2A 图2B 图2C 图2D 说明书附图 7/14 页 18 CN 111180348 A 18 图2E 图2F 图2G 图2H 说明书附图 8/14 页 19 CN 111180348 A 19 图2I 图2J 图2K 图2L 说明书附图 9/14 页 20 CN 111180348 A 20 图2M 图2N 图3A 说明书附图 10/14 页 21 CN 111180348 A 21 图3B 图3C 图3D 说明书附图 11/14 页 22 CN 111180348 A 22 图3E 图3F 说明书附图 12/14 页 23 CN 111180348 A 23 图4 图5 说明书附图 13/14 页 24 CN 111180348 A 24 图6 说明书附图 14/14 页 25 CN 111180348 A 25 。