倒装芯片测试的方法及系统.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010130687.6 (22)申请日 2020.02.28 (71)申请人 映瑞光电科技 （上海） 有限公司 地址 200135 上海市浦东新区泥城镇鸿音 路1889号2楼 (72)发明人 周晓萍张海旭林肖王亚洲 (74)专利代理机构 广州华进联合专利商标代理 有限公司 44224 代理人 虞凌霄 (51)Int.Cl. G01R 31/28(2006.01) G01M 11/02(2006.01) (54)发明名称 倒装芯片测试的方法及系统 (57)摘要 本发明涉及一种。

2、倒装芯片测试的方法及系 统。 该方法包括： 获取具有不同波长的N个倒装芯 片的校准方片； 通过倒装机台和正装机台分别获 取N个倒装芯片的第一组亮度值和第二组亮度 值； 获取N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二 亮度值的亮度比值及亮度比值的平均值； 获取波 长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值； 获取波长为第一数值的任意倒装芯片的第三亮 度值； 根据第三亮度值、 算术平均值及第一修正 值的乘积获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的 第一实际亮度值； 其中， N为大于等于2的整数。 通 过该方法可以对正装机台的亮度测试值进行修 正， 进而达到利用正装机台测试倒装产品的亮度 值的目的， 从而提高正装机台。

3、的利用率， 降低生 产成本。 权利要求书3页 说明书10页 附图4页 CN 111308319 A 2020.06.19 CN 111308319 A 1.一种倒装芯片测试的方法,其特征在于， 所述方法包括： 获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片； 使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第一亮度值构成的第一 组亮度值； 使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第二亮度值构成的第二 组亮度值； 根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值， 分别获取所述N个倒装芯片对应的第一 亮度值和第二亮度值的亮度比值， 及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值； 根据所述。

4、N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的 比值， 获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值； 使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后， 得到第三亮度 值； 根据所述第三亮度值、 所述算术平均值及所述第一修正值的乘积， 获取亮度为第三亮 度值的倒装芯片的第一实际亮度值； 其中， N为大于等于2的整数。 2.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 所述获取具有不同波长的N个倒装芯片的 校准方片的步骤包括： 获取全波段范围内的N个不同波长的倒装芯片； 将所述N个不同波长的倒装芯片排列在蓝膜上形成所述校准方片。 3.根据权利要求2所述的方法， 其。

5、特征在于， 所述全波段范围的N个倒装芯片包括波长 大于等于445纳米且小于等于465纳米的倒装芯片。 4.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 所述根据所述第三亮度值、 所述算术平均 值及所述第一修正值的乘积， 获取所述波长为第一数值的倒装芯片的第一实际亮度值之前 还包括步骤： 获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第一圆片； 使用所述倒装机台测试所述第一圆片上的任意M个倒装芯片的亮度后， 获取所述M个倒 装芯片的亮度值的第一亮度平均值； 使用所述正装机台测试所述M个倒装芯片的亮度后， 获取所述M个倒装芯片的亮度值的 第二亮度平均值； 根据所述第二亮度平均值和所述第一亮度平均值的比值与1的差。

6、值， 获取波长为第一 数值的倒装芯片的亮度的第二修正值； 所述根据所述第三亮度值、 所述算术平均值及所述第一修正值的乘积， 获取所述亮度 为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值还包括： 根据所述算术平均值和所述第二修正值之差与所述第三亮度值及所述第一修正值的 乘积， 获取所述亮度为第三亮度值的倒装芯片的第二实际亮度值； 其中， 所述M为大于等于2的整数。 5.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 所述使用倒装机台分别测试所述N个倒装 芯片的亮度后， 得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值步骤还包括： 使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片的主波长， 得到所述N个倒装芯片主波长 权利要求书。

7、 1/3 页 2 CN 111308319 A 2 的第一波长平均值； 使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第二亮度值构成的第二 组亮度值的步骤还包括： 使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片的主波长， 得到所述N个倒装芯片主波长 的第二波长平均值； 所述方法还包括： 根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值， 获取所述N个倒装芯片主波 长对应的第三修正值； 使用所述正装机台测试波长为第二数值的任意倒装芯片的主波长后， 获得第一波长 值； 根据所述第一波长值和所述第三修正值之和， 获取所述波长为第二数值的倒装芯片的 第一实际主波长值； 其中， 所述第二数值等于所。

8、述N个倒装芯片中任意倒装芯片的波长。 6.根据权利要求5所述的方法， 其特征在于， 所述根据所述第一波长值和所述第三修正 值之和， 获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值之前还包括步骤： 获取形成有波长为第二数值的倒装芯片的第二圆片； 使用所述倒装机台测试所述第二圆片上的任意L个倒装芯片的主波长后， 获取所述L个 倒装芯片的主波长的第三波长平均值； 使用所述正装机台测试所述L个倒装芯片的亮度后， 获取所述L个倒装芯片的主波长的 第二波长平均值； 根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值， 获取波长为第二数值的倒装 芯片的主波长的第四修正值； 所述根据所述第一波长值和所述第三。

9、修正值之和， 获取所述波长为第二数值的倒装芯 片的第一实际主波长值还包括： 根据所述第一波长值和所述第三修正值之和与所述第四修正值之差， 获取所述波长为 第二数值的倒装芯片的第二实际主波长值； 其中， 所述L为大于等于2的整数。 7.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 所述使用所述正装机台测试波长为所述第 一数值的任意倒装芯片的亮度后， 得到第三亮度值的步骤包括： 获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第三圆片； 使用所述正装机台测试所述第三圆片上的任意倒装芯片的亮度后， 得到第三亮度值。 8.一种倒装芯片测试的系统， 用于正装机台的测试， 其特征在于， 所述系统包括： 测试模块， 所述测。

10、试模块用于测试倒装芯片的亮度后得到对应的亮度值； 输入模块， 所述输入模块用于输入使用倒装机台测试倒装芯片后获取的亮度值； 计算模块， 所述计算模块用于获取所述测试模块测试校准方片得到的第二组亮度值和 所述输入模块输入的第一组亮度值； 所述计算模块还用于根据所述第一组亮度值和所述第 二组亮度值分别获取N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值， 及所述N个 倒装芯片的亮度比值的算术平均值； 所述计算模块还用于根据所述N个倒装芯片中波长为 第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值， 获取波长为第一数值的倒装芯 权利要求书 2/3 页 3 CN 111308319 A 3 片的亮。

11、度的第一修正值； 所述计算模块还用于获取所述测试模块测试得到的波长为第一数 值的任意倒装芯片的第三亮度值， 并对所述第三亮度值、 所述算术平均值及所述第一修正 值取乘积后， 得到亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值； 其中， 所述校准方片上形成有不同波长的N个倒装芯片， 所述第二组亮度值由测试模块 分别测试N个倒装芯片的亮度得到的N个第二亮度值构成的， 所述第一组亮度值由输入模块 输入的使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度值后得到的N个第一亮度值构成的， 所述N为大于等于2的整数。 9.根据权利要求8所述的系统， 其特征在于， 所述校准方片上的N个倒装芯片包括波长 大于等于445纳。

12、米且小于等于465纳米的倒装芯片。 10.根据权利要求8所述的系统， 其特征在于， 所述计算模块还用于获取通过所述输入 模块输入的使用倒装机台测试形成有波长为第一数值的倒装芯片的第一圆片上的任意M个 倒装芯片的亮度值后， 计算获得所述M个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值； 所述计算模 块还用于获取测试模块测试所述M个倒装芯片的亮度值后， 计算获得所述M个倒装芯片的亮 度值的第二亮度平均值； 所述计算模块还用于根据所述第二亮度平均值和所述第一亮度平 均值的比值与1的差值， 获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第二修正值； 所述计算模 块还用于根据所述算术平均值和所述第二修正值之差与所述第三亮度值。

13、及所述第一修正 值的乘积， 获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第二实际亮度值； 其中， 所述M为大于等于2的整数。 权利要求书 3/3 页 4 CN 111308319 A 4 倒装芯片测试的方法及系统 技术领域 0001 本发明涉及光电技术领域， 特别是涉及一种倒装芯片测试的方法及一种倒装芯片 测试的系统。 背景技术 0002 传统的倒装芯片由于本身结构的特性背面出光， 使用正装测试机台不能进行芯片 参数的准确测试， 只能使用倒装测试机台进行测试， 与使用正装测试机台和倒装测试机台 同时测试芯片相比芯片测试的效率较低， 测试成本较高。 发明内容 0003 基于此， 有必要针对上述问题， 提供一。

14、种新的倒装芯片测试的方法及新的倒装芯 片测试的系统。 0004 一种倒装芯片测试的方法,包括： 0005 获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片； 0006 使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第一亮度值构成的 第一组亮度值； 0007 使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第二亮度值构成的 第二组亮度值； 0008 根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值， 分别获取所述N个倒装芯片对应的 第一亮度值和第二亮度值的亮度比值， 及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值； 0009 根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均 。

15、值的比值， 获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值； 0010 使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后， 得到第三 亮度值； 0011 根据所述第三亮度值、 所述算术平均值及所述第一修正值的乘积， 获取亮度为第 三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值； 0012 其中， N为大于等于2的整数。 0013 在其中一个实施例中， 获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片的步骤包括： 0014 获取全波段范围内的N个不同波长的倒装芯片； 0015 将所述N个不同波长的倒装芯片排列在蓝膜上形成所述校准方片。 0016 在其中一个实施例中， 所述全波段范围的N个倒装芯片包括波长。

16、大于等于445纳米 且小于等于465纳米的倒装芯片。 0017 在其中一个实施例中， 根据所述第三亮度值、 所述算术平均值及所述第一修正值 的乘积， 获取所述波长为第一数值的倒装芯片的第一实际亮度值之前还包括步骤： 0018 获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第一圆片； 0019 使用所述倒装机台测试所述第一圆片上的任意M个倒装芯片的亮度后， 获取所述M 说明书 1/10 页 5 CN 111308319 A 5 个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值； 0020 使用所述正装机台测试所述M个倒装芯片的亮度后， 获取所述M个倒装芯片的亮度 值的第二亮度平均值； 0021 根据所述第二亮度平均值和。

17、所述第一亮度平均值的比值与1的差值， 获取波长为 第一数值的倒装芯片的亮度的第二修正值； 0022 根据所述第三亮度值、 所述算术平均值及所述第一修正值的乘积， 获取所述亮度 为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值还包括： 0023 根据所述算术平均值和所述第二修正值之差与所述第三亮度值及所述第一修正 值的乘积， 获取所述亮度为第三亮度值的倒装芯片的第二实际亮度值； 0024 其中， M为大于等于2的整数。 0025 在其中一个实施例中， 使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后， 得到由 N个第一亮度值构成的第一组亮度值步骤还包括： 0026 使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片的主。

18、波长， 得到所述N个倒装芯片主 波长的第一波长平均值； 0027 使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第二亮度值构成的 第二组亮度值的步骤还包括： 0028 使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片的主波长， 得到所述N个倒装芯片主 波长的第二波长平均值； 0029 所述倒装芯片测试的方法还包括： 0030 根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值， 获取所述N个倒装芯片 主波长对应的第三修正值； 0031 使用所述正装机台测试波长为第二数值的任意倒装芯片的主波长后， 获得第一波 长值； 0032 根据所述第一波长值和所述第三修正值之和， 获取所述波长为第二数值的。

19、倒装芯 片的第一实际主波长值； 0033 其中， 所述第二数值等于所述N个倒装芯片中任意倒装芯片的波长。 0034 在其中一个实施例中， 根据所述第一波长值和所述第三修正值之和， 获取所述波 长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值之前还包括步骤： 0035 获取形成有波长为第二数值的倒装芯片的第二圆片； 0036 使用所述倒装机台测试所述第二圆片上的任意L个倒装芯片的主波长后， 获取所 述L个倒装芯片的主波长的第三波长平均值； 0037 使用所述正装机台测试所述L个倒装芯片的亮度后， 获取所述L个倒装芯片的主波 长的第二波长平均值； 0038 根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值。

20、， 获取波长为第二数值的 倒装芯片的主波长的第四修正值； 0039 所述根据所述第一波长值和所述第三修正值之和， 获取所述波长为第二数值的倒 装芯片的第一实际主波长值还包括： 0040 根据所述第一波长值和所述第三修正值之和与所述第四修正值之差， 获取所述波 长为第二数值的倒装芯片的第二实际主波长值； 说明书 2/10 页 6 CN 111308319 A 6 0041 其中， 所述L为大于等于2的整数。 0042 在其中一个实施例中， 所述使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒 装芯片的亮度后， 得到第三亮度值的步骤包括： 0043 获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第三圆片； 0。

21、044 使用所述正装机台测试所述第三圆片上的任意倒装芯片的亮度后， 得到第三亮度 值。 0045 上述倒装芯片测试的方法， 包括获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片； 使 用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度 值； 使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第二亮度值构成的第二 组亮度值； 根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值， 分别获取所述N个倒装芯片对应的 第一亮度值和第二亮度值的亮度比值， 及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值； 根据 所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值， 获 。

22、取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值； 使用所述正装机台测试波长为所述第 一数值的任意倒装芯片的亮度后， 得到第三亮度值； 根据所述第三亮度值、 所述算术平均值 及所述第一修正值的乘积， 获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值； 其中， N 为大于等于2的整数。 本申请分别通过倒装机台和正装机台测试校准方片上具有不同波长 的N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值和N个第二亮度值构 成的第二组亮度值， 根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值中各个芯片对应的亮度 值， 获取对应的亮度比值及亮度比值的算术平均值， 根据所述N个倒装芯片中波长为第一数 值的倒装芯。

23、片的亮度比值与所述算术平均值的比值， 获取波长为第一数值的倒装芯片的亮 度的第一修正值； 使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度得到 的第三亮度值后， 即可根据得到的第三亮度值、 N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值及波 长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值， 获取该倒装芯片的第一实际亮度值， 通过 该方法可以对正装机台的亮度测试值进行修正， 进而达到利用正装机台测试倒装产品的亮 度值的目的， 从而提高正装机台的利用率， 降低生产成本。 0046 一种倒装芯片测试的系统， 用于正装机台的测试， 所述系统包括： 0047 测试模块， 所述测试模块用于测试倒装芯片的亮度后得到。

24、对应的亮度值； 0048 输入模块， 所述输入模块用于输入使用倒装机台测试倒装芯片后获取的亮度值； 0049 计算模块， 所述计算模块用于获取所述测试模块测试校准方片得到的第二组亮度 值和所述输入模块输入的第一组亮度值， 所述计算模块还用于根据所述第一组亮度值和所 述第二组亮度值分别获取N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值及所述 N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值； 所述计算模块还用于根据所述N个倒装芯片中波长 为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值获取波长为第一数值的倒装 芯片的亮度的第一修正值； 所述计算模块还用于获取所述测试模块测试得到的波长为第一 数值的任意。

25、倒装芯片的第三亮度值， 并对所述第三亮度值、 所述算术平均值及所述第一修 正值取乘积后得到亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值； 0050 其中， 所述校准方片上形成有不同波长的N个倒装芯片， 所述第二组亮度值由测试 模块分别测试N个倒装芯片的亮度得到的N个第二亮度值构成的， 所述第一组亮度值由输入 模块输入的使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度值后得到的N个第一亮度值构 说明书 3/10 页 7 CN 111308319 A 7 成的， N为大于等于2的整数。 0051 在其中一个实施例中， 所述校准方片上的N个倒装芯片包括波长大于等于445纳米 且小于等于465纳米的倒装芯片。。

26、 0052 在其中一个实施例中， 所述计算模块还用于获取通过所述输入模块输入的使用倒 装机台测试形成有波长为第一数值的倒装芯片的第一圆片上的任意M个倒装芯片的亮度值 后计算获得所述M个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值； 所述计算模块还用于获取测试 模块测试所述M个倒装芯片的亮度值后计算获得所述M个倒装芯片的亮度值的第二亮度平 均值； 所述计算模块还用于根据所述第二亮度平均值和所述第一亮度平均值的比值与1的 差值获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第二修正值； 所述计算模块还用于根据所述 算术平均值和所述第二修正值之差与所述第三亮度值及所述第一修正值的乘积获取亮度 为第三亮度值的倒装芯片的第二实。

27、际亮度值； 0053 其中， M为大于等于2的整数。 0054 上述系统， 用于正装机台的测试， 该系统包括测试模块， 所述测试模块用于测试倒 装芯片的亮度后得到对应的亮度值； 输入模块， 所述输入模块用于输入使用倒装机台测试 倒装芯片后获取的亮度值； 计算模块， 所述计算模块用于获取所述测试模块测试校准方片 得到的第二组亮度值和所述输入模块输入的第一组亮度值； 所述计算模块还用于根据所述 第一组亮度值和所述第二组亮度值， 分别获取N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度 值的亮度比值， 及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值； 所述计算模块还用于根据所 述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯。

28、片的亮度比值与所述算术平均值的比值， 获取 波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值； 所述计算模块还用于获取所述测试模块 测试得到的波长为第一数值的任意倒装芯片的第三亮度值， 并对所述第三亮度值、 所述算 术平均值及所述第一修正值取乘积后， 得到亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度 值； 其中， 所述校准方片上形成有不同波长的N个倒装芯片， 所述第二组亮度值由测试模块 分别测试N个倒装芯片的亮度得到的N个第二亮度值构成的， 所述第一组亮度值由输入模块 输入的使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度得到的N个第一亮度值构成的， 所述 N为大于等于2的整数。 本系统通过计算模块获取测试模。

29、块测试获得的校准方片上具有不同 波长的N个倒装芯片的亮度后， 得到的N个第二亮度值构成的第二组亮度值， 通过输入模块 输入的使用倒装机台测试所述N个倒装芯片的亮度得到的N个第一亮度值构成的第一组亮 度值， 并根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值中各个倒装芯片对应的亮度值， 获取 对应的亮度比值及亮度比值的算术平均值， 该计算模块还用于根据所述N个倒装芯片中波 长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值， 获取波长为第一数值的倒 装芯片的亮度的第一修正值， 然后对获取的测试模块测试得到的波长为第一数值的任意倒 装芯片的亮度得到的第三亮度值、 所述算术平均值及所述第一修正值取乘积后，。

30、 得到亮度 为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值， 通过该系统可以实现对正装机台的亮度测试 值进行修正， 进而达到利用正装机台测试倒装产品的亮度值的目的， 从而提高正装机台的 利用率， 降低生产成本。 附图说明 0055 图1为一实施例中倒装芯片测试的方法的流程图； 说明书 4/10 页 8 CN 111308319 A 8 0056 图2为一实施例中获取校准方片的流程图； 0057 图3为一实施例中获取波长为第一数值的任意倒装芯片的第三亮度值的流程图； 0058 图4为一实施例中获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值之前的流 程图； 0059 图5为一实施例中倒装芯片测试的方法的流。

31、程图； 0060 图6为一实施例中获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值之前 的流程图。 具体实施方式 0061 为了便于理解本发明， 下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。 附图中 给出了本发明的首选实施例。 但是， 本发明可以以许多不同的形式来实现， 并不限于本文所 描述的实施例。 相反地， 提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。 0062 除非另有定义， 本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的 技术人员通常理解的含义相同。 本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具 体的实施例的目的， 不是旨在于限制本发明。 本文所使用的术语。

32、 “及/或” 包括一个或多个相 关的所列项目的任意的和所有的组合。 0063 应当明白， 当元件或层被称为 “在.上” 、“与.相邻” 、“连接到” 或 “耦合到” 其它 元件或层时， 其可以直接地在其它元件或层上、 与之相邻、 连接或耦合到其它元件或层， 或 者可以存在居间的元件或层。 相反， 当元件被称为 “直接在.上” 、“与.直接相邻” 、“直接 连接到” 或 “直接耦合到” 其它元件或层时， 则不存在居间的元件或层。 应当明白， 尽管可使 用术语第一、 第二、 第三等描述各种元件、 部件、 区、 层和/或部分， 这些元件、 部件、 区、 层和/ 或部分不应当被这些术语限制。 这些术语。

33、仅仅用来区分一个元件、 部件、 区、 层或部分与另 一个元件、 部件、 区、 层或部分。 因此， 在不脱离本发明教导之下， 下面讨论的第一元件、 部 件、 区、 层或部分可表示为第二元件、 部件、 区、 层或部分。 0064 空间关系术语例如 “在.下” 、“在.下面” 、“下面的” 、“在.之下” 、“在.之 上” 、“上面的” 等， 在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与 其它元件或特征的关系。 应当明白， 除了图中所示的取向以外， 空间关系术语意图还包括使 用和操作中的器件的不同取向。 例如， 如果附图中的器件翻转， 然后， 描述为 “在其它元件下 面” 或 “在。

34、其之下” 或 “在其下” 元件或特征将取向为在其它元件或特征 “上” 。 因此， 示例性术 语 “在.下面” 和 “在.下” 可包括上和下两个取向。 器件可以另外地取向(旋转90度或其 它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。 0065 在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。 在此使 用时， 单数形式的 “一” 、“一个” 和 “所述/该” 也意图包括复数形式， 除非上下文清楚指出另 外的方式。 还应明白术语 “组成” 和/或 “包括” ， 当在该说明书中使用时， 确定所述特征、 整 数、 步骤、 操作、 元件和/或部件的存在， 但不排除一个或更多其它的特征、 。

35、整数、 步骤、 操作、 元件、 部件和/或组的存在或添加。 在此使用时， 术语 “和/或” 包括相关所列项目的任何及所 有组合。 0066 这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发 明的实施例。 这样， 可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。 因此， 说明书 5/10 页 9 CN 111308319 A 9 本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状， 而是包括由于例如制造导致的形 状偏差。 例如， 显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯 度， 而不是从注入区到非注入区的二元改变。 同样， 通过注入形成的埋藏区。

36、可导致该埋藏区 和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。 因此， 图中显示的区实质上是示意性 的， 它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本发明的范围。 0067 如图1所示， 在一个实施例中， 提供一种倒装芯片测试的方法,该方法包括： 0068 S102,获取校准方片。 0069 获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片， 其中， N为大于等于2的整数。 0070 如图2所示， 在一个实施例中， 步骤S102包括： 0071 S202， 获取全波段范围内的N个不同波长的倒装芯片。 0072 在一个实施例中， 所述全波段范围的N个倒装芯片包括波长大于等于445纳米且小 于。

37、等于465纳米的倒装芯片， 例如波长为445纳米、 447纳米、 449纳米、 451纳米、 453纳米、 455 纳米的倒装芯片。 在实际工艺制程中， 可以根据实际需要选取具有不同波长的倒装芯片。 0073 在一个实施例中， 所述校准方片上波长相邻的两个倒装芯片的波长差相同， 例如， 波长差为1纳米、 2纳米、 3纳米、 5纳米等。 在其他实施例中， 所述校准方片上波长相邻的两个 倒装芯片的波长差不同。 0074 S204， 将所述N个不同波长的倒装芯片排列在蓝膜上形成所述校准方片。 0075 具体为， 将S202获取N个不同波长的倒装芯片排列在同一个蓝膜上， 形成校准方 片。 0076 S。

38、104， 获取所述N个倒装芯片的第一组亮度值。 0077 使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第一亮度值构成的 第一组亮度值。 0078 S106， 获取所述N个倒装芯片的第二组亮度值。 0079 使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第二亮度值构成的 第二组亮度值。 0080 S108， 获取所述N个倒装芯片对应的亮度比值及亮度比值的平均值。 0081 根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值， 分别获取所述N个倒装芯片对应的 第一亮度值和第二亮度值的亮度比值， 及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值。 具体 为， 首先， 分别获取每个倒装芯片对应的。

39、第一亮度值和第二亮度之后， 获取第一亮度值和第 二亮度的比值作为该倒装芯片的亮度比值， 依次获取N个倒装芯片对应的亮度比值， 然后， 对N个倒装芯片的亮度比值取算术平均得到所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值。 0082 S110， 获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值。 0083 根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均 值的比值， 获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值。 0084 在一个实施例中， 第一数值为工艺制程中需要测量亮度的倒装芯片的波长。 0085 S112， 获取波长为第一数值的任意倒装芯片的第三亮度值。 0086 使用所述正。

40、装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后， 得到该倒 装芯片的第三亮度值。 0087 如图3所示， 在一个实施例中， 步骤S112包括： 说明书 6/10 页 10 CN 111308319 A 10 0088 S302， 获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第三圆片。 0089 S304， 使用所述正装机台测试所述第三圆片上的任意倒装芯片的亮度后， 得到第 三亮度值。 0090 S114， 获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值。 0091 根据所述第三亮度值、 所述算术平均值及所述第一修正值的乘积， 获取亮度为第 三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值。 0092 如图4所示。

41、， 在一个实施例中， 步骤S114之前还包括： 0093 S402， 获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第一圆片。 0094 S404， 获取所述第一圆片上任意M个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值。 0095 使用所述倒装机台测试所述第一圆片上的任意M个倒装芯片的亮度后， 获取所述M 个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值， 其中， M为大于等于2的整数。 0096 S406， 获取所述M个倒装芯片的亮度值的第二亮度平均值。 0097 使用所述正装机台测试所述M个倒装芯片的亮度后， 获取所述M个倒装芯片的亮度 值的第二亮度平均值。 0098 S408， 获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第二修。

42、正值。 0099 根据所述第二亮度平均值和所述第一亮度平均值的比值与1的差值， 获取波长为 第一数值的倒装芯片的亮度的第二修正值。 0100 步骤S114还包括： 根据所述算术平均值和所述第二修正值之差与所述第三亮度值 及所述第一修正值的乘积， 获取所述亮度为第三亮度值的倒装芯片的第二实际亮度值。 与 第一实际亮度值相比， 使用第二修正值修正后获得的第二实际亮度值与亮度为第三亮度值 的倒装芯片的真实亮度值更接近， 精度更高。 0101 在一个实施例中， 步骤S104还包括： 使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片 的主波长， 得到所述N个倒装芯片主波长的第一波长平均值。 0102 步骤S10。

43、6还包括： 使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片的主波长， 得到所 述N个倒装芯片主波长的第二波长平均值。 0103 如图5所示， 所述倒装芯片测试的方法还包括： 0104 S502， 获取所述N个倒装芯片主波长对应的第三修正值。 0105 根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值， 获取所述N个倒装芯片 主波长对应的第三修正值。 0106 S504， 获取波长为第二数值的任意倒装芯片的第一波长值。 0107 使用所述正装机台测试波长为第二数值的任意倒装芯片的主波长后， 获得第一波 长值， 其中， 所述第二数值等于所述N个倒装芯片中任意倒装芯片的波长。 0108 S506， 获取所。

44、述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值。 0109 根据所述第一波长值和所述第三修正值之和， 获取所述波长为第二数值的倒装芯 片的第一实际主波长值。 0110 如图6所示， 在一个实施例中， 步骤S506之前还包括： 0111 S602， 获取形成有波长为第二数值的倒装芯片的第二圆片。 0112 S604， 获取所述第二圆片上任意L个倒装芯片的主波长的第三波长平均值。 0113 使用所述倒装机台测试所述第二圆片上的任意L个倒装芯片的主波长后， 获取所 说明书 7/10 页 11 CN 111308319 A 11 述L个倒装芯片的主波长的第三波长平均值， 其中， 所述L为大于等于2的整数。

45、。 0114 S606， 获取所述L个倒装芯片的主波长的第二波长平均值。 0115 使用所述正装机台测试所述L个倒装芯片的亮度后， 获取所述L个倒装芯片的主波 长的第二波长平均值； 0116 S608， 获取波长为第二数值的倒装芯片的主波长的第四修正值。 0117 根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值， 获取波长为第二数值的 倒装芯片的主波长的第四修正值。 0118 步骤S506还包括： 根据所述第一波长值和所述第三修正值之和与所述第四修正值 之差， 获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第二实际主波长值。 与第一实际主波长值相 比， 使用第四修正值修正后获得的第二实际主波长值与波长为。

46、第二数值的倒装芯片的的真 实主波长值更接近， 精度更高。 0119 上述倒装芯片测试的方法， 包括获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片； 使 用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度 值； 使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第二亮度值构成的第二 组亮度值； 根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值， 分别获取所述N个倒装芯片对应的 第一亮度值和第二亮度值的亮度比值， 及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值； 根据 所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值， 获 取波长为第一数值的倒装芯片的亮。

47、度的第一修正值； 使用所述正装机台测试波长为所述第 一数值的任意倒装芯片的亮度后， 得到第三亮度值； 根据所述第三亮度值、 所述算术平均值 及所述第一修正值的乘积， 获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值； 其中， N 为大于等于2的整数。 本申请分别通过倒装机台和正装机台测试校准方片上具有不同波长 的N个倒装芯片的亮度后， 得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值和N个第二亮度值构 成的第二组亮度值， 根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值中各个芯片对应的亮度 值， 获取对应的亮度比值及亮度比值的算术平均值， 根据所述N个倒装芯片中波长为第一数 值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的。

48、比值， 获取波长为第一数值的倒装芯片的亮 度的第一修正值； 使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度得到 的第三亮度值后， 即可根据得到的第三亮度值、 N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值及波 长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值， 获取该倒装芯片的第一实际亮度值， 通过 该方法可以对正装机台的亮度测试值进行修正， 进而达到利用正装机台测试倒装产品的亮 度值的目的， 从而提高正装机台的利用率， 降低生产成本。 0120 在一个实施例中， 提供一种倒装芯片测试的系统， 所述系统用于正装机台的测试， 所述系统包括： 0121 测试模块， 所述测试模块用于测试倒装芯片的亮度后得到。

49、对应的亮度值。 0122 输入模块， 所述输入模块用于输入使用倒装机台测试倒装芯片后获取的亮度值。 0123 计算模块， 所述计算模块用于获取所述测试模块测试校准方片得到的第二组亮度 值和所述输入模块输入的第一组亮度值； 所述计算模块还用于根据所述第一组亮度值和所 述第二组亮度值， 分别获取N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值， 及所 述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值； 所述计算模块还用于根据所述N个倒装芯片中波 长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值， 获取波长为第一数值的倒 说明书 8/10 页 12 CN 111308319 A 12 装芯片的亮度的第一。

50、修正值； 所述计算模块还用于获取所述测试模块测试得到的波长为第 一数值的任意倒装芯片的第三亮度值， 并对所述第三亮度值、 所述算术平均值及所述第一 修正值取乘积后得到亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值。 其中， 所述校准方 片上形成有不同波长的N个倒装芯片， 所述第二组亮度值由测试模块分别测试N个倒装芯片 的亮度得到的N个第二亮度值构成的， 所述第一组亮度值由输入模块输入的使用倒装机台 分别测试所述N个倒装芯片的亮度值后得到的N个第一亮度值构成的， N为大于等于2的整 数。 0124 在一个实施例中， 所述校准方片上的N个倒装芯片包括波长大于等于445纳米小于 等于465纳米的倒装芯片。