Ka波段接地共面波导金丝过渡结构.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010437081.7 (22)申请日 2020.05.21 (71)申请人 深圳振华富电子有限公司 地址 518000 广东省深圳市龙华区龙华街 道清华社区和平路64号中国振华工业 园大楼2层1层A区及C3区、 3层、 4层、 6 层B2区 (72)发明人 黎燕林肖倩朱建华刘季超 周丽洁程桥王智会 (74)专利代理机构 深圳中一联合知识产权代理 有限公司 44414 代理人 徐汉华 (51)Int.Cl. H01P 5/08(2006.01) (54)发明名称 Ka波段接。

2、地共面波导金丝过渡结构 (57)摘要 本申请提供了一种Ka波段接地共面波导金 丝过渡结构， 包括接地共面波导、 芯片和金丝， 接 地共面波导包括基板、 接地底层、 信号线和接地 表层， 信号线与各接地表层间隔设置， 基板正面 开设有容置槽， 芯片安装于容置槽中， 信号线延 伸至容置槽的一端， 金丝与芯片相连， 信号线邻 近芯片的一端与金丝之间级联用于与金丝进行 阻抗匹配的阻抗变换枝节， 阻抗变换支节设于基 板的正面。 本申请提供的Ka波段接地共面波导金 丝过渡结构， 通过在信号线与金丝加入阻抗变换 枝节， 既可以良好的实现接地共面波导与金丝之 间的阻抗匹配， 有效解决因阻抗失配引起回波损 耗和。

3、驻波比性能恶化的问题， 又符合平面电路制 作工艺要求， 易于加工制作。 权利要求书2页 说明书7页 附图4页 CN 111555006 A 2020.08.18 CN 111555006 A 1.Ka波段接地共面波导金丝过渡结构， 包括接地共面波导、 芯片和连接所述芯片与所 述接地共面波导的金丝， 所述接地共面波导包括基板、 设于所述基板背面的接地底层、 设于 所述基板正面的信号线和分别位于所述信号线两侧的接地表层， 各所述接地表层设于所述 基板正面， 所述信号线与各所述接地表层间隔设置， 所述基板正面开设有容置槽， 所述芯片 安装于所述容置槽中， 所述信号线延伸至所述容置槽的一端， 所述金丝。

4、与所述芯片相连， 其 特征在于： 所述信号线邻近所述芯片的一端与所述金丝之间级联用于与所述金丝进行阻抗 匹配的阻抗变换枝节， 所述阻抗变换支节设于所述基板的正面， 所述阻抗变换支节位于两 个所述接地表层之间。 2.如权利要求1所述的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构， 其特征在于： 所述阻抗变换 枝节包括高阻抗枝节和低阻抗枝节， 所述高阻抗枝节的一端与所述信号线相连， 所述高阻 抗枝节的另一端与所述低阻抗枝节沿所述信号线宽度方向的中部相连， 所述金丝与所述低 阻抗枝节相连。 3.如权利要求2所述的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构， 其特征在于： 所述接地共面 波导的特征阻抗为50， 所述阻抗变换。

5、枝节为金层； 所述高阻抗枝节沿所述信号线长度方 向的长度为0.25mm， 所述高阻抗枝节沿所述信号线宽度方向的宽度为0.1mm， 所述低阻抗枝 节沿所述信号线长度方向的长度为0.25mm， 所述低阻抗枝节沿所述信号线宽度方向的宽度 为0.75mm。 4.如权利要求3所述的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构， 其特征在于： 所述信号线及 所述接地表层均为金层， 所述信号线的宽度为0.38mm， 所述信号线与各所述接地表层之间 的间隙为0.4mm。 5.如权利要求1-4任一项所述的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构， 其特征在于： 所述 阻抗变换支节通过两根所述金丝与所述芯片相连， 两根所述金丝沿所述。

6、信号线长度方向呈 八字型排布， 两根所述金丝靠近所述芯片一端的距离小于两根所述金丝靠近所述阻抗变换 支节一端的距离。 6.如权利要求5所述的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构， 其特征在于： 各所述金丝的 跨距的范围为小于或等于300 m， 各所述金丝的拱高的范围为100 m-200 m， 两根所述金丝 靠近所述芯片一端的距离的范围为小于或等于50 m， 两根所述金丝靠近所述阻抗变换支节 一端的距离的范围为100 m-250 m。 7.如权利要求5所述的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构， 其特征在于： 所述阻抗变换 支节关于所述信号线长度方向的中线对称设置， 所述接地共面波导关于所述信号线长度方。

7、 向的中线对称设置， 两根所述金丝关于所述信号线长度方向的中线对称设置。 8.如权利要求1-4任一项所述的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构， 其特征在于： 所述 信号线为两段， 两段所述信号线分别位于所述容置槽的两端， 各所述信号线邻近所述芯片 的一端分别连接有所述阻抗变换支节， 两个所述阻抗变换支节分别通过所述金丝与所述芯 片的两端相连。 9.如权利要求1-4任一项所述的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构， 其特征在于： 所述 基板上于所述信号线的两侧分别设有至少两排接地通孔， 各所述接地通孔连接相应所述接 地表层与所述接地底层； 所述信号线各侧邻近该信号线的两排所述接地通孔中： 各排所述 接。

8、地通孔中相邻两个所述接地通孔之间的距离范围为0.5-1.1mm， 该两排所述接地通孔之 权利要求书 1/2 页 2 CN 111555006 A 2 间的距离范围为0.5mm-1.5mm， 该两排所述接地通孔沿所述信号线长度方向错位设置。 10.如权利要求1-4任一项所述的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构， 其特征在于， 所 述阻抗变换支节与各所述接地表层之间的间隙大于或等于0.225mm。 权利要求书 2/2 页 3 CN 111555006 A 3 Ka波段接地共面波导金丝过渡结构 技术领域 0001 本申请属于微波无线电技术领域， 更具体地说， 是涉及一种Ka波段接地共面波导 金丝过渡结。

9、构。 背景技术 0002 Ka波段是指频率在26 .540GHz的无线电波波段。 多芯片组件(Multi-Chip Module， 多芯片组件， 简称MCM)将多个集成电路芯片和其它片式元器件组装在一块高密度 多层互连基板上， 是微波/毫米波组件主流的实现方案。 其中， 传输线与芯片的连接是微波/ 毫米波组件组装流程的关键环节。 常见的传输线结构有微带线、 共面波导(CPW， Coplanar waveguide)、 带状线等。 其中， 共面波导的大面积接地与信号线处于同一平面， 可以有效抑 制辐射损耗和高频色散， 且结构设计灵活， 可衍生出接地共面波导、 非对称共面波导等， 并 可与多芯片组。

10、件中其它部件能更好的进行集成。 对于较低频段的多芯片组件， 传输线与芯 片可通过金丝键合直接相连。 然而， 由于接地共面波导与金丝的阻抗差异巨大， 将金丝与接 地共面波导中信号线直接相连， 会因阻抗失配引起较大的电磁波反射， 使整个结构的回波 损耗和驻波比性能恶化， 且频率越高， 恶化越严重。 发明内容 0003 本申请实施例的目的在于提供一种Ka波段接地共面波导金丝过渡结构， 以解决相 关技术中存在的Ka波段接地共面波导与金丝连接， 会因阻抗失配引起回波损耗和驻波比性 能恶化的问题。 0004 为实现上述目的， 本申请实施例采用的技术方案是： 提供一种Ka波段接地共面波 导金丝过渡结构， 包。

11、括接地共面波导、 芯片和连接所述芯片与所述接地共面波导的金丝， 所 述接地共面波导包括基板、 设于所述基板背面的接地底层、 设于所述基板正面的信号线和 分别位于所述信号线两侧的接地表层， 各所述接地表层设于所述基板正面， 所述信号线与 各所述接地表层间隔设置， 所述基板正面开设有容置槽， 所述芯片安装于所述容置槽中， 所 述信号线延伸至所述容置槽的一端， 所述金丝与所述芯片相连， 所述信号线邻近所述芯片 的一端与所述金丝之间级联用于与所述金丝进行阻抗匹配的阻抗变换枝节， 所述阻抗变换 支节设于所述基板的正面， 所述阻抗变换支节位于两个所述接地表层之间。 0005 在一个实施例中， 所述阻抗变换。

12、枝节包括高阻抗枝节和低阻抗枝节， 所述高阻抗 枝节的一端与所述信号线相连， 所述高阻抗枝节的另一端与所述低阻抗枝节沿所述信号线 宽度方向的中部相连， 所述金丝与所述低阻抗枝节相连。 0006 在一个实施例中， 所述接地共面波导的特征阻抗为50， 所述阻抗变换枝节为金 层； 所述高阻抗枝节沿所述信号线长度方向的长度为0.25mm， 所述高阻抗枝节沿所述信号 线宽度方向的宽度为0.1mm， 所述低阻抗枝节沿所述信号线长度方向的长度为0.25mm， 所述 低阻抗枝节沿所述信号线宽度方向的宽度为0.75mm。 0007 在一个实施例中， 所述信号线及所述接地表层均为金层， 所述信号线的宽度为 说明书 。

13、1/7 页 4 CN 111555006 A 4 0.38mm， 所述信号线与各所述接地表层之间的间隙为0.4mm。 0008 在一个实施例中， 所述阻抗变换支节通过两根所述金丝与所述芯片相连， 两根所 述金丝沿所述信号线长度方向呈八字型排布， 两根所述金丝靠近所述芯片一端的距离小于 两根所述金丝靠近所述阻抗变换支节一端的距离。 0009 在一个实施例中， 各所述金丝的跨距的范围为小于或等于300 m， 各所述金丝的拱 高的范围为100 m-200 m， 两根所述金丝靠近所述芯片一端的距离的范围为小于或等于50 m， 两根所述金丝靠近所述阻抗变换支节一端的距离的范围为100 m-250 m。 。

14、0010 在一个实施例中， 所述阻抗变换支节关于所述信号线长度方向的中线对称设置， 所述接地共面波导关于所述信号线长度方向的中线对称设置， 两根所述金丝关于所述信号 线长度方向的中线对称设置。 0011 在一个实施例中， 所述信号线为两段， 两段所述信号线分别位于所述容置槽的两 端， 各所述信号线邻近所述芯片的一端分别连接有所述阻抗变换支节， 两个所述阻抗变换 支节分别通过所述金丝与所述芯片的两端相连。 0012 在一个实施例中， 所述基板上于所述信号线的两侧分别设有至少两排接地通孔， 各所述接地通孔连接相应所述接地表层与所述接地底层； 所述信号线各侧邻近该信号线的 两排所述接地通孔中： 各排。

15、所述接地通孔中相邻两个所述接地通孔之间的距离范围为0.5- 1.1mm， 该两排所述接地通孔之间的距离范围为0.5mm-1.5mm， 该两排所述接地通孔沿所述 信号线长度方向错位设置。 0013 在一个实施例中， 所述阻抗变换支节与各所述接地表层之间的间隙大于或等于 0.225mm。 0014 本申请实施例提供的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构的有益效果在于： 与现有 技术相比， 本申请通过在信号线与金丝加入阻抗变换枝节， 既可以良好的实现接地共面波 导与金丝之间的阻抗匹配， 有效解决因阻抗失配引起回波损耗和驻波比性能恶化的问题， 又符合平面电路制作工艺要求， 易于加工制作。 附图说明 001。

16、5 为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案， 下面将对实施例或示范性技术描 述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本申请的一 些实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些 附图获得其他的附图。 0016 图1为本申请实施例提供的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构的立体结构示意 图； 0017 图2为图1的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构的俯视结构示意图； 0018 图3为图1中A部分的放大图； 0019 图4为沿图3中B-B线剖视的部分结构示意图； 0020 图5为图1中部分结构的放大图； 0021 图6为接地共面波导。

17、的信号线通过金丝直接与芯片相连时的等效电路图。 0022 图7为本申请实施例提供的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构中一个阻抗变换枝 节与相应金丝形成的等效电路图。 说明书 2/7 页 5 CN 111555006 A 5 0023 图8为本申请实施例提供的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构的传输性能仿真的 效果图。 0024 其中， 图中各附图主要标记： 0025 100-Ka波段接地共面波导金丝过渡结构； 0026 10-接地共面波导； 11-基板； 111-容置槽； 112-； 12-接地底层； 13-接地表层； 14-信 号线； 0027 20-芯片； 0028 30-金丝； 0029 4。

18、0-阻抗变换枝节； 41-高阻抗枝节； 42-低阻抗枝节。 具体实施方式 0030 为了使本申请所要解决的技术问题、 技术方案及有益效果更加清楚明白， 以下结 合附图及实施例， 对本申请进行进一步详细说明。 应当理解， 此处所描述的具体实施例仅仅 用以解释本申请， 并不用于限定本申请。 0031 需要说明的是， 当元件被称为 “固定于” 或 “设置于” 另一个元件， 它可以直接在另 一个元件上或者间接在该另一个元件上。 当一个元件被称为是 “连接于” 另一个元件， 它可 以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。 0032 在本申请的描述中，“多个” 的含义是两个或两个以上， 除非另。

19、有明确具体的限定。 “若干” 的含义是一个或一个以上， 除非另有明确具体的限定。 0033 在本申请的描述中， 需要理解的是， 术语 “中心” 、“长度” 、“宽度” 、“厚度” 、“内” 、 “外” 等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系， 仅是为了便于描述本申 请和简化描述， 而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、 以特定的方位 构造和操作， 因此不能理解为对本申请的限制。 0034 在本申请的描述中， 需要说明的是， 除非另有明确的规定和限定， 术语 “安装” 、“相 连” 、“连接” 应做广义理解， 例如， 可以是固定连接， 也可以是可拆卸连接， 或一体地连。

20、接； 可 以是机械连接， 也可以是电连接； 可以是直接相连， 也可以通过中间媒介间接相连， 可以是 两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。 对于本领域的普通技术人员而言， 可以 根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。 0035 在本申请说明书中描述的参考 “一个实施例” 、“一些实施例” 或 “实施例” 意味着在 本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、 结构或特点。 由此， 在本 说明书中的不同之处出现的语句 “在一个实施例中” 、“在一些实施例中” 、“在其他一些实施 例中” 、“在另外一些实施例中” 等不是必然都参考相同的实施例， 而是意味着 “一个或多个。

21、 但不是所有的实施例” ， 除非是以其他方式另外特别强调。 此外， 在一个或多个实施例中， 可 以以任何合适的方式组合特定的特征、 结构或特性。 0036 请参阅图1， 为了方便描述， 定义空间上相互垂直的三个坐标轴分别为X轴、 Y轴和Z 轴， 其中， X轴为沿信号线的长度方向， Y轴为沿信号线的宽度方向， Z轴为沿信号线的厚度方 向。 0037 请参阅图1、 图2和图3， 现对本申请提供的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构100 进行说明。 所述Ka波段接地共面波导金丝过渡结构100， 包括接地共面波导10、 芯片20、 金丝 说明书 3/7 页 6 CN 111555006 A 6 30和阻。

22、抗变换枝节40。 接地共面波导10包括基板11、 接地底层12、 信号线14和两个接地表层 13， 接地底层12设于基板11背面， 信号线14和两个接地表层13设于基板11正面， 两个接地表 层13分别位于的信号线14两侧， 信号线14与各接地表层13间隔设置， 从而形成接地共面波 导10。 基板11正面开设有容置槽111， 信号线14延伸至容置槽111的一端， 即容置槽111设于 信号线14对应的位置， 芯片20安装于容置槽111中， 以方便安装芯片20， 并且符合平面电路 制作工艺要求， 易于加工制作。 金丝30与芯片20相连， 阻抗变换支节设于基板11的正面， 阻 抗变换枝节40用于与金。

23、丝30进行阻抗匹配， 并且阻抗变换枝节40连接信号线14邻近芯片20 的一端与金丝30， 即通过阻抗变换枝节40将信号线14与金丝30进行阻抗匹配相连， 以有效 解决因阻抗失配引起回波损耗和驻波比性能恶化的问题。 0038 本申请提供的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构100， 与现有技术相比， 通过在信 号线14与金丝30加入阻抗变换枝节40， 既可以良好的实现接地共面波导10与金丝30之间的 阻抗匹配， 有效解决因阻抗失配引起回波损耗和驻波比性能恶化的问题， 又符合平面电路 制作工艺要求， 易于加工制作。 0039 在一个实施例中， 请参阅图3和图5， 阻抗变换枝节40包括高阻抗枝节41和低。

24、阻抗 枝节42， 高阻抗枝节41的一端与信号线14相连， 高阻抗枝节41的另一端与低阻抗枝节42沿 信号线14宽度方向的中部相连， 金丝30与低阻抗枝节42相连， 从而实现信号线14与金丝30 的连接， 并且该阻抗变换枝节40可以形成T型结构。 以更好的实现金丝30与信号线14之间的 阻抗匹配。 0040 请参阅图6， 图6所示的电路为使用金丝30直接将芯片20与信号线14连接时， 金丝 30的等效电路。 该等效电路包括两个电感L1、 两个电阻R1、 两个电容C1和一个电容C2， 其中 电感L1、 电阻R1、 电阻R1和电感L1依次串联， 且一个电感L1远离两个电阻R1的一端为用于连 接芯片2。

25、0的芯片端， 另一个电感L1远离两个电阻R1的一端为用于连接信号线14的信号线 端， 即从芯片端到信号线端， 电感L1、 电阻R1、 电阻R1和电感L1依次串联； 并且芯片端通过一 个电容C1接地， 信号线端通过另一个电容C1接地， 两个电阻R1之间通过电容C2接地。 0041 请参阅图7， 使用上述T型的阻抗变换枝节40连接金丝30与信号线14， 阻抗变换枝 节40与金丝30的等效电路， 该等效电路包括两个电感L1、 两个电阻R1、 一个电感Lp一个电容 Cp、 两个电容C1和一个电容C2， 其中电感L1、 电阻R1、 电阻R1、 电感L1和电感Lp依次串联， 且 远离电感Lp的一个电感L1。

26、的一端为用于连接芯片20的芯片端， 电感Lp远离两个电阻R1的一 端为用于连接信号线14的信号线端， 即从芯片端到信号线端， 电感L1、 电阻R1、 电阻R1、 电感 L1和电感Lp依次串联； 并且芯片端通过一个电容C1接地， 两个电阻R1之间通过电容C2接地， 另一个电容C1与电容Cp并联， 并且电感Lp远离信号线端的一端通过电容Cp接地。 则电感Lp 与电容Cp可以形成L型阻抗匹配网络， 即该使用阻抗变换枝节40的等效电路相当于在直接 使用金丝30连接信号线14的等效电路的信号线端加入L型阻抗匹配网络， 从而可以较好地 实现接地共面波导10和金丝30的超宽带阻抗匹配。 当然， 在一些实施例。

27、中， 也可以使用其他 形状的阻抗变换枝节40， 以实现金丝30与信号线14的阻抗匹配。 0042 在一个实施例中， 请参阅图3至图5， 接地共面波导10的特征阻抗为50， 阻抗变换 枝节40为金层； 高阻抗枝节41沿信号线14长度方向的长度为0.25mm， 高阻抗枝节41沿信号 线14宽度方向的宽度为0.1mm， 低阻抗枝节42沿信号线14长度方向的长度为0.25mm， 低阻抗 枝节42沿信号线14宽度方向的宽度为0.75mm， 该结构的阻抗变换枝节40， 可以良好的实现 说明书 4/7 页 7 CN 111555006 A 7 金丝30与50特征阻抗的接地共面波导10之间在Ka波段的阻抗匹配。

28、， 保证良好的链路传输 性能。 0043 在一个实施例中， 请参阅图1至图3， 信号线14及接地表层13均为金层， 信号线14的 宽度为0.38mm， 信号线14与各接地表层13之间的间隙为0.4mm， 以使该接地共面波导10具有 良好的传输性能， 并且使该接地共面波导10具有50特征阻抗， 提升该接地共面波导10的 适用范围。 0044 在一个实施例中， 请参阅图3和图4， 金层的厚度范围为10-20 m， 即上述阻抗变换 枝节40使用金材料制作， 阻抗变换枝节40的厚度范围为10-20 m， 信号线14及接地表层13使 用金材料制作， 信号线14及接地表层13的厚度范围为10-20 m， 。

29、以保证该接地共面波导10具 有良好的传输性能， 并使阻抗变换枝节40良好的实现金丝30与信号线14间的阻抗匹配。 在 一些实施例中， 各金层的厚度为15 m， 以保证接地共面波导10和阻抗变换枝节40良好的传 输性能和阻抗匹配特性。 0045 在一个实施例中， 阻抗变换枝节40、 信号线14及接地表层13的厚度相等， 以方便加 工制作， 如可以印刷制作于基板11上。 0046 在一个实施例中， 请参阅图3和图5， 阻抗变换支节通过两根金丝30与芯片20相连， 两根金丝30沿信号线14长度方向呈八字型排布， 两根金丝30靠近芯片20一端的距离小于两 根金丝30靠近阻抗变换支节一端的距离。 使用两。

30、根金丝30连接阻抗变换支节与芯片20， 使 两根金丝30更好的形成对称结构， 降低阻抗， 提升传输性能。 0047 在一个实施例中， 请参阅图3至图5， 各金丝30的跨距的范围为小于或等于300 m， 各金丝30的拱高的范围为100 m-200 m， 两根金丝30靠近芯片20一端的距离的范围为小于 或等于50 m， 两根金丝30靠近阻抗变换支节一端的距离的范围为100 m-250 m， 以使金丝30 具有更小的电阻与电感特性， 即减小金丝30的阻抗， 提升金丝30的传输性能， 并良好的与阻 抗变换枝节40匹配， 同时也方便加工制作。 0048 在一些实施例中， 各金丝30的跨距为260 m， 。

31、各金丝30的拱高为150 m， 两根金丝30 靠近芯片20一端的距离为25 m， 两根金丝30靠近阻抗变换支节一端的距离为175 m， 以使金 丝30具有更小的电阻与电感特性， 即减小金丝30的阻抗， 提升金丝30的传输性能， 以更好的 保证金丝30良好的连接阻抗变换枝节40与芯片20， 并且使金丝30更好的阻抗变换枝节40匹 配。 0049 在一个实施例中， 请参阅图1、 图3和图5， 阻抗变换支节关于信号线14长度方向的 中线对称设置， 接地共面波导10关于信号线14长度方向的中线对称设置， 两根金丝30关于 信号线14长度方向的中线对称设置， 从而使该接地共面波导10、 金丝30及阻抗变。

32、换支节形 成对称结构， 方便加工制作， 且保证Ka波段接地共面波导金丝过渡结构100良好的传输性能 和较低的回波损耗。 当然， 在一些实施例中， 若基板11或芯片20本身为非对称结构， 只需要 将信号线14、 阻抗变换支节和金丝30位置做相应调整， 也可以实现金丝30与信号线14间良 好的阻抗匹配， 保证良好的传输性。 0050 在一个实施例中， 请参阅图1、 图3和图5， 信号线14为两段， 两段信号线14分别位于 容置槽111的两端， 各信号线14邻近芯片20的一端分别连接有阻抗变换支节， 两个阻抗变换 支节分别通过金丝30与芯片20的两端相连， 即方便安装芯片20， 又可以实现芯片20的。

33、两端 与两根信号线14的匹配连接。 在其它一些实施例中， 当芯片20仅需要一端与信号线14相连 说明书 5/7 页 8 CN 111555006 A 8 时， 容置槽111可以设在基板11的一端， 从而将芯片20安装在基板11的边缘。 0051 在一个实施例中， 请参阅图1和图2， 当信号线14为两段时， 两段信号线14的长度相 等， 容置槽111位于基板11的中部位置， 从在使接地共面波导10关于基板11长度方向的中线 对称设置， 以方便设计制作， 并保证接地共面波导10良好的传输性能。 0052 在一个实施例中， 请参阅图1和图2， 基板11上于信号线14的两侧分别设有至少两 排接地通孔，。

34、 各接地通孔连接相应接地表层13与接地底层12， 以提升该接地共面波导10的 传输性， 提升传输效率， 降低损耗。 0053 在一个实施例中， 请参阅图1和图2， 信号线14各侧邻近该信号线14的两排接地通 孔中： 各排接地通孔中相邻两个接地通孔之间的距离范围为0.5-1.1mm； 该两排接地通孔之 间的距离范围为0.5mm-1.5mm， 相邻两排接地通孔沿信号线14长度方向错位设置， 以更好的 提升该接地共面波导10的传输效率， 降低损耗。 0054 在一个实施例中， 各接地通孔的孔径范围为0.1-0.3mm， 以方便加工制作。 在一个 实施例中， 各接地通孔的孔径为0.2mm， 即方便制作。

35、， 又可以提升该接地共面波导10的传输 效率， 使提升该接地共面波导10的传输效率与制作工艺简单性达到平衡。 0055 在一个实施例中， 信号线14各侧邻近该信号线14的两排接地通孔中： 任意相邻三 个接地通孔之轴线之间的连线呈等腰三角形， 以更好的防止电磁泄露， 提升该接地共面波 导10的传输效率。 0056 在一个实施例中， 信号线14各侧邻近该信号线14的两排接地通孔中： 任意相邻三 个接地通孔之轴线之间的连线呈等边三角形， 即方便设计制作， 又可以提升该接地共面波 导10的传输效率。 0057 在一个实施例中， 信号线14各侧邻近该信号线14的两排接地通孔中： 各排接地通 孔中相邻两个。

36、接地通孔之间的距离为1mm， 以方便加工制作。 0058 在一个实施例中， 请参阅图3， 阻抗变换支节与各接地表层13之间的间隙大于或等 于0.225mm， 以满足大多数平面电路加工工艺的要求， 方便加工制作， 降低成本。 0059 在一个实施例中， 请参阅图1和图4， 基板11的介电常数范围为5.010.0， 基板11 的介质损耗因子tan 0.004， 以保证该接地共面波导10良好的传输性能。 在一些实施例 中， 基板11可以使用陶瓷材料， 以便该接地共面波导10可以进行低温共烧陶瓷工艺制作。 当 然， 在一些实施例中， 基板11也可以使用其他材料制作。 0060 在一个实施例中， 基板1。

37、1呈矩形， 信号线14沿基板11的长度方向设置， 则基板11的 长度方向为信号线14的长度方向， 即为X轴方向； 基板11的宽度方向为信号线14的宽度方 向， 即Y轴方向； 基板11的厚度方向为信号线14的厚度方向， 即Z轴方向。 该结构可以更好的 将接地共面波导10制作为对称结构， 提升传输性能， 降低传输损耗。 0061 在一个实施例中， 基板11的长度为25.4mm， 基板11的宽度为12.7mm， 基板11的厚度 为0.31mm， 以使该Ka波段接地共面波导金丝过渡结构100体积尺寸较小， 方便使用。 0062 在一个实施例中， 容置槽111的内壁与芯片20侧面之间的距离范围为60-1。

38、00 m， 以 方便将芯片20安装在容置槽111中。 在一个实施例中容置槽111的内壁与芯片20侧面之间的 距离为80 m， 既方便将芯片20安装在容置槽111中， 也便于固定芯片20。 0063 在一个实施例中， 芯片20正面与接地共面波导10的正面持平， 可以更好的满足平 面电路加工工艺要求， 提升制作精确。 说明书 6/7 页 9 CN 111555006 A 9 0064 在一些实施例中， 可以将芯片20的底面通过金属垫片与接地底层12接地相连， 以 减小传输损耗。 0065 请参阅图8， 本申请实施例提供的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构100的传输性 能仿真的效果图， 其中使用50。

39、特征阻抗的背敷金属共面波导替代芯片20进行电磁仿真。 图中横座标轴Freq为频率， 单位为GHz； 左侧的纵座标轴Insertion/Return Loss为插入/回 波损耗， 单位dB； VSWR(Voltage Standing Wave Ratio， 驻波比， 全称为电压驻波比， 简写 VSWR)， 右侧的纵座标轴VSWR为驻波比。 Curve Info曲线信息， Y Axis Y轴(即纵座标轴)。 其 中， 线S(1， 1)为各频率对应回波损耗的曲线， 线S(1， 1)上高点m2处的频率为32.98GHz， 回波 损耗为-23.0291dB； 线S(2， 1)为各频率对应插入损耗的曲线。

40、， 线S(2， 1)上低点m1处的频率 为40GHz， 插入损耗为-1.0347dB； 线V(1)为各频率对应驻波比的曲线， 线V(1)上高点m3处的 频率为-23.0291GHz， 驻波比为1.1518。 由图可知， 本申请实施例的Ka波段接地共面波导金 丝过渡结构100， 在Ka波段内的传输性能优异， 插入损耗小于1.1dB， 回波损耗大于23.0dB， 驻波比小于1.2。 0066 本申请实施例的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构100， 可以采用LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic， 低温共烧陶瓷， 简称LTCC)工艺， 或其它平面印刷工艺进 行制作。

41、， 例如可以在生瓷片对应位置掏出空腔， 从下往上进行堆叠并印制各层金属图案和 填孔； 再烧结成型， 当然， 还可以对基板11进行电镀与清洗， 再依次采用贴片工艺安装芯片 20、 金丝30键合。 0067 本申请实施例的Ka波段接地共面波导金丝过渡结构100， 可以应用于Ka波段收发 组件中， 也可以应用在微波通信、 雷达系统、 电子对抗等设备中。 0068 以上所述仅为本申请的可选实施例而已， 并不用以限制本申请， 凡在本申请的精 神和原则之内所作的任何修改、 等同替换和改进等， 均应包含在本申请的保护范围之内。 说明书 7/7 页 10 CN 111555006 A 10 图1 图2 说明书附图 1/4 页 11 CN 111555006 A 11 图3 图4 说明书附图 2/4 页 12 CN 111555006 A 12 图5 图6 图7 说明书附图 3/4 页 13 CN 111555006 A 13 图8 说明书附图 4/4 页 14 CN 111555006 A 14 。