显示装置.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010074460.4 (22)申请日 2020.01.22 (30)优先权数据 10-2019-0018639 2019.02.18 KR (71)申请人 三星显示有限公司 地址 韩国京畿道龙仁市 (72)发明人 朱容赞金利受金钟佑朴应皙 尹元珉河载兴 (74)专利代理机构 北京铭硕知识产权代理有限 公司 11286 代理人 程月陈亚男 (51)Int.Cl. H01L 27/32(2006.01) H01L 51/50(2006.01) (54)发明名称 显示装置 (5。

2、7)摘要 提供了一种显示装置。 所述显示装置包括： 发光元件层， 包括多个发光元件； 以及光控制层， 位于发光元件层上并在平面上与发光元件层叠 置。 发光元件和光控制层中的至少一个包括非晶 碳发光体。 权利要求书2页 说明书12页 附图10页 CN 111584544 A 2020.08.25 CN 111584544 A 1.一种显示装置， 所述显示装置包括： 发光元件层， 包括多个发光元件； 以及 光控制层， 位于所述发光元件层上， 并且在平面上与所述发光元件层叠置， 其中， 所述多个发光元件和所述光控制层中的至少一个包括非晶碳发光体。 2.根据权利要求1所述的显示装置， 其中， 所述多个。

3、发光元件中的每个发光元件包括发 光层， 其中， 所述发光层包括所述非晶碳发光体。 3.根据权利要求1所述的显示装置， 其中， 所述多个发光元件中的每个发光元件包括： 第一电极； 空穴传输区域， 位于所述第一电极上； 发光层， 位于所述空穴传输区域上； 电子传输区域， 位于所述发光层上； 以及 第二电极， 位于所述电子传输区域上， 其中， 所述发光层包括所述非晶碳发光体。 4.根据权利要求1所述的显示装置， 其中， 所述多个发光元件包括发射第一颜色光的第 一发光元件、 发射第二颜色光的第二发光元件和发射第三颜色光的第三发光元件。 5.根据权利要求4所述的显示装置， 其中， 所述第一发光元件包括具。

4、有1.50nm或更大至 1.65nm或更小的尺寸的第一非晶碳发光体。 6.根据权利要求4所述的显示装置， 其中， 所述第二发光元件包括具有1.66nm或更大至 2.00nm或更小的尺寸的第二非晶碳发光体， 并且 其中， 所述第三发光元件包括具有2.10nm或更大至3.00nm或更小的尺寸的第三非晶碳 发光体。 7.根据权利要求1所述的显示装置， 其中， 所述多个发光元件发射第一颜色光， 其中， 所述光控制层包括： 第一光控制部， 透射所述第一颜色光； 第二光控制部， 吸收所述第一颜色光并发射第二颜色光； 以及 第三光控制部， 吸收所述第一颜色光并发射第三颜色光。 8.根据权利要求7所述的显示装。

5、置， 其中， 所述第一光控制部包括基体树脂和分散在所 述基体树脂中的散射体， 其中， 所述第二光控制部包括用于通过改变所述第一颜色光的波长来发射所述第二颜 色光的第二非晶碳发光体， 并且 其中， 所述第三光控制部包括用于通过改变所述第一颜色光的所述波长来发射所述第 三颜色光的第三非晶碳发光体。 9.根据权利要求7所述的显示装置， 其中， 所述多个发光元件中的每个发光元件包括： 第一电极； 发光层， 位于所述第一电极上； 以及 第二电极， 位于所述发光层上， 其中， 所述发光层是针对所述多个发光元件的公共层。 10.根据权利要求9所述的显示装置， 所述显示装置还包括： 第一滤色器， 位于所述第一。

6、光控制部上， 并且在平面上与所述第一光控制部叠置； 权利要求书 1/2 页 2 CN 111584544 A 2 第二滤色器， 位于所述第二光控制部上， 并且在平面上与所述第二光控制部叠置； 以及 第三滤色器， 位于所述第三光控制部上， 并且在平面上与所述第三光控制部叠置。 权利要求书 2/2 页 3 CN 111584544 A 3 显示装置 0001 本申请要求于2019年2月18日提交的第10-2019-0018639号韩国专利申请的优先 权和权益， 该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。 技术领域 0002 本公开的实施例在此涉及一种包括量子点发光体的显示装置， 例如， 涉及一种包。

7、 括由非晶碳形成的量子点发光体的显示装置。 背景技术 0003 正在开发用于诸如电视、 移动电话、 平板计算机、 导航系统和游戏机的多媒体装置 的各种显示装置。 0004 为了改善显示装置的颜色再现性和视角， 已经开发了包括包含量子点发光体的光 控制层的显示装置。 此外， 为了实现长寿命和高颜色再现性， 已经开发了使用量子点发光材 料作为发光材料的自发光显示装置。 0005 然而， 在量子点发光材料包括镉的情况下， 环境保护受到限制。 另外， 在量子点发 光材料不包括镉的情况下， 难以实现蓝光。 近来， 已经积极进行了用于改善显示装置的研 究。 发明内容 0006 本公开的实施例提供一种包括环。

8、境友好的非晶碳发光体的显示装置。 0007 本公开的实施例还提供一种包括能够发射蓝光的非晶碳发光体的显示装置。 0008 本公开的实施例提供一种显示装置， 所述显示装置包括： 发光元件层， 包括多个发 光元件； 以及光控制层， 位于发光元件层上并在平面上与发光元件层叠置， 其中， 发光元件 和光控制层中的至少一个包括非晶碳发光体。 0009 在实施例中， 每个发光元件可以包括发光层， 其中， 发光层可以包括非晶碳发光 体。 0010 在实施例中， 每个发光元件可以包括： 第一电极； 空穴传输区域， 位于第一电极上； 发光层， 位于空穴传输区域上； 电子传输区域， 位于发光层上； 以及第二电极，。

9、 位于电子传输 区域上， 其中， 发光层可以包括非晶碳发光体。 0011 在实施例中， 发光元件可以包括发射第一颜色光的第一发光元件、 发射第二颜色 光的第二发光元件和发射第三颜色光的第三发光元件。 0012 在实施例中， 第一发光元件可以包括具有1.50nm或更大至1.65nm或更小的尺寸的 第一非晶碳发光体。 0013 在实施例中， 第二发光元件可以包括具有1.66nm或更大至2.00nm或更小的尺寸的 第二非晶碳发光体， 并且第三发光元件可以包括具有2.10nm或更大至3.00nm或更小的尺寸 的第三非晶碳发光体。 0014 在实施例中， 第一颜色光可以是蓝光， 第二颜色光可以是绿光， 。

10、并且第三颜色光可 说明书 1/12 页 4 CN 111584544 A 4 以是红光。 0015 在实施例中， 光控制层可以包括基体树脂和分散在基体树脂中的非晶碳发光体。 0016 在实施例中， 发光元件可以发射第一颜色光， 其中， 光控制层可以包括： 第一光控 制部， 透射第一颜色光； 第二光控制部， 吸收第一颜色光并发射第二颜色光； 以及第三光控 制部， 吸收第一颜色光并发射第三颜色光。 0017 在实施例中， 第一光控制部可以包括基体树脂和分散在基体树脂中的散射体， 其 中， 第二光控制部可以包括用于通过改变第一颜色光的波长来发射第二颜色光的第二非晶 碳发光体， 其中， 第三光控制部可。

11、以包括用于通过改变第一颜色光的波长来发射第三颜色 光的第三非晶碳发光体。 0018 在实施例中， 每个发光元件可以包括： 第一电极； 发光层， 位于第一电极上； 以及第 二电极， 位于发光层上， 其中， 发光层可以是针对发光元件的公共层。 0019 在实施例中， 显示装置还可以包括： 第一滤色器， 位于第一光控制部上并且在平面 上与第一光控制部叠置； 第二滤色器， 位于第二光控制部上并且在平面上与第二光控制部 叠置； 以及第三滤色器， 位于第三光控制部上并且在平面上与第三光控制部叠置。 0020 在实施例中， 每个发光元件可以包括发光层， 其中， 发光层可以包括非晶碳发光 体， 其中， 光控制。

12、层可以包括基体树脂和分散在基体树脂中的非晶碳发光体。 0021 在本公开的实施例中， 显示装置包括多个发光元件， 每个发光元件包括： 第一电 极； 空穴传输区域， 位于第一电极上； 发光层， 位于空穴传输区域上； 电子传输区域， 位于发 光层上； 以及第二电极， 位于电子传输区域上， 其中， 发光元件中的至少一个在发光层中包 括非晶碳发光体。 0022 在实施例中， 发光元件可以包括发射第一颜色光的第一发光元件、 发射第二颜色 光的第二发光元件和发射第三颜色光的第三发光元件。 0023 在实施例中， 第一颜色光可以是蓝光， 并且第一发光元件的发光层可以包括非晶 碳发光体。 0024 在实施例中。

13、， 第二颜色光可以是绿光， 第三颜色光可以是红光， 其中， 第二发光元 件和第三发光元件中的每个的发光层可以包括非晶碳发光体。 0025 在本公开的实施例中， 显示装置包括显示基底， 显示基底包括显示区域和围绕显 示区域的非显示区域， 显示区域包括第一颜色发光区域、 第二颜色发光区域和第三颜色发 光区域， 其中， 显示基底还包括分别与第一颜色发光区域、 第二颜色发光区域和第三颜色发 光区域对应的第一发光元件、 第二发光元件和第三发光元件， 其中， 第一发光元件至第三发 光元件中的至少一个包括包含非晶碳发光体的发光层。 0026 在实施例中， 第一发光元件可以包括非晶碳发光体并且发射蓝光。 00。

14、27 在实施例中， 非晶碳发光体可以具有1.50nm或更大且1.65nm或更小的尺寸。 附图说明 0028 附图被包括以提供对本公开的主题的进一步理解， 并且附图包含在本说明书中并 构成本说明书的一部分。 附图示出了本公开的示例性实施例， 并且与描述一起用于解释本 公开的原理。 在附图中： 0029 图1是根据实施例的显示装置的透视图； 说明书 2/12 页 5 CN 111584544 A 5 0030 图2是根据实施例的第一显示基底的平面图； 0031 图3是沿图2的线I-I截取的剖视图； 0032 图4是示出根据实施例的非晶碳发光体的图像； 0033 图5和图6是根据实施例的第一显示基底。

15、的剖视图； 以及 0034 图7至图10是根据实施例的显示装置的剖视图。 具体实施方式 0035 在本说明书中， 当提及到组件(或区域、 层、 部分等)被称作 “在” 另一组件 “上” 、“连 接到” 或 “结合到” 另一组件， 这表示该组件可以直接在所述另一组件上、 直接连接到或直接 结合到所述另一组件， 或者可以在它们之间存在第三组件。 0036 同样的附图标记表示同样的元件。 另外， 在附图中， 为了有效描述， 可以夸大组件 的厚度、 比例和尺寸。 0037 “和/或” 包括所有由相关组件定义的一个或更多个组合。 0038 将理解的是， 这里使用术语 “第一” 、“第二” 来描述各种组件。

16、， 但是这些组件不应该 受这些术语限制。 上面的术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。 例如， 在不脱离本公开 的精神和范围的情况下， 第一组件可以被称为第二组件， 反之亦然。 如这里使用的， 除非上 下文另外清楚地指出， 否则单数表达包括复数表达。 0039 另外， 诸如 “在下方” 、“下侧” 、“在上” 和 “上侧” 的术语用于描述附图中所 示的构造的关系。 这些术语基于附图中所示的方向作为相对概念被描述。 0040 除非另有定义， 否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本 公开所属领域的技术人员所通常理解的术语相同的含义。 此外， 术语(诸如通用字典中定义 的术语)应。

17、该被解释为具有与相关领域的上下文中的含义一致的含义， 术语不应该以理想 化或过于形式化的含义来解释， 除非它们在这里清楚地定义。 0041 在本公开的各种实施例中， 术语 “包括” 及其变型或 “包含” 及其变型说明存在性 质、 区域、 固定数量、 步骤、 工艺、 元件和/或组件， 但是不排除存在其他性质、 区域、 固定数 量、 步骤、 工艺、 元件和/或组件。 0042 在下文中， 将参照附图描述本公开的实施例。 0043 图1是根据实施例的显示装置DD的透视图。 参照图1， 可以在显示装置DD中限定显 示区域DA和非显示区域NDA。 0044 显示区域DA可以是显示图像的区域。 非显示区域。

18、NDA可以是不显示图像的区域。 像 素PX可以位于显示区域DA中， 并且像素PX可以不位于非显示区域NDA中。 像素PX可以表示提 供图像的有效像素。 0045 显示区域DA平行于(例如， 基本平行于)由第一方向轴(第一方向)DR1和第二方向 轴(第二方向)DR2限定的平面。 显示区域DA的法线方向(例如， 显示装置DD的厚度方向)由第 三方向DR3指示。 每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)由第三方向DR3划分。 然而， 第一方向DR1、 第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向可以作为相对概念被转换为其 他方向。 在下文中， 术语 “第一方向” 、“第二方向” 和 “第三方向”。

19、 分别指第一方向DR1、 第二方 向DR2和第三方向DR3。 0046 除了大型电子装置(诸如电视、 监控器或外部广告牌)之外， 显示装置DD还可以用 说明书 3/12 页 6 CN 111584544 A 6 在中型电子装置(诸如个人计算机、 笔记本计算机、 个人数字终端、 汽车导航单元、 游戏机、 便携式电子装置和相机)中。 另外， 这些被简要地建议为实施例， 并且应该明显的是， 在不脱 离本公开的精神和范围的情况下， 它们应用在其他电子装置中。 0047 显示装置DD的边框区域可以被非显示区域NDA限定。 非显示区域NDA可以是与显示 区域DA相邻的区域。 非显示区域NDA可以围绕显示区。

20、域DA。 然而， 本公开不限于此， 可以相对 地设计显示区域DA的形式和非显示区域NDA的形式。 在本公开的另一实施例中， 可以省略非 显示区域NDA。 显示装置DD可以包括第一显示基底100和第二显示基底200。 0048 图2是根据实施例的第一显示基底100的平面图。 图3是沿图2的线I-I截取的剖视 图。 图4是示出根据实施例的非晶碳发光体CQD的图像。 0049 参照图2和图3， 第一显示基底100可以包括非发光区域NPXA和发光区域PXA1、 PXA2 和PXA3。 发光区域PXA1、 PXA2和PXA3中的每个可以是发射发光元件ELD1、 ELD2和ELD3中的每 个中产生的光的区。

21、域。 发光区域PXA1、 PXA2和PXA3中的每个的面积可以彼此不同， 面积可以 表示在平面图中观看时的面积。 在本说明书中，“在平面上” 可以指在第三方向DR3上观看的 显示装置DD。 发光区域PXA1、 PXA2和PXA3可以根据从发光元件ELD1、 ELD2和ELD3产生的光的 颜色被划分为多个组。 0050 用于发射第一颜色光、 第二颜色光和第三颜色光的三个发光区域PXA1、 PXA2和 PXA3示例性地示出在图2和图3中所示的实施例的第一显示基底100中。 例如， 实施例的第一 显示基底100包括彼此分开的第一颜色发光区域PXA1、 第二颜色发光区域PXA2和第三颜色 发光区域PX。

22、A3。 第一发光元件ELD1定位为与第一颜色发光区域PXA1对应， 并且可以在平面 上与第一颜色发光区域PXA1叠置。 第二发光元件ELD2定位为与第二颜色发光区域PXA2对 应， 并且可以在平面上与第二颜色发光区域PXA2叠置。 第三发光元件ELD3定位为与第三颜 色发光区域PXA3对应， 并且可以在平面上与第三颜色发光区域PXA3叠置。 0051 在实施例中， 第一显示基底100可以包括发射不同波长区域中的光的多个发光元 件ELD1、 ELD2和ELD3。 多个发光元件ELD1、 ELD2和ELD3可以发射彼此不同颜色的光。 例如， 在 实施例中， 第一显示基底100包括发射蓝光的第一发光。

23、元件ELD1、 发射绿光的第二发光元件 ELD2和发射红光的第三发光元件ELD3。 然而， 实施例不限于此， 第一发光元件ELD1、 第二发 光元件ELD2和第三发光元件ELD3可以发射相同(例如， 基本相同)波长范围的光， 或者至少 一个可以发射不同波长范围的光。 0052 在图2和图3中所示的实施例的显示装置DD中， 发光区域PXA1、 PXA2和PXA3可以根 据由发光元件ELD1、 ELD2和ELD3的发光层EML1、 EML2和EML3发射的光的颜色而具有不同的 面积。 例如， 参照图2和图3， 在实施例的第一显示基底100中， 发射第一颜色光的第一发光元 件ELD1的第一颜色发光区。

24、域PXA1可以具有最大的面积， 发射第二颜色光的第二发光元件 ELD2的第二颜色发光区域PXA2可以具有最小的面积。 然而， 实施例不限于此， 发光区域 PXA1、 PXA2和PXA3可以具有相同(例如， 基本相同)的面积， 或者发光区域PXA1、 PXA2和PXA3 可以以与图2中所示的面积比不同的面积比被设置。 0053 发光区域PXA1、 PXA2和PXA3中的每个可以是由像素限定膜PDL限定的区域。 非发光 区域NPXA可以是与像素限定膜PDL对应的区域作为与相邻的发光区域PXA1、 PXA2和PXA3对 应的区域。 另一方面， 本说明书中的发光区域PXA1、 PXA2和PXA3中的每。

25、个可以与像素对应。 0054 第一颜色发光区域PXA1和第三颜色发光区域PXA3可以沿着第二方向轴DR2交替地 说明书 4/12 页 7 CN 111584544 A 7 布置以构成第一组PXG1。 第二颜色发光区域PXA2可以沿着第二方向轴DR2布置以构成第二 组PXG2。 0055 第一组PXG1可以沿着第一方向轴DR1与第二组PXG2间隔开。 第一组PXG1和第二组 PXG2中的每个可以设置为多个。 第一组PXG1和第二组PXG2可以沿着第一方向轴DR1交替地 布置。 0056 一个第二颜色发光区域PXA2可以沿着第四方向轴DR4与一个第一颜色发光区域 PXA1或一个第三颜色发光区域PX。

26、A3间隔开。 第四方向轴DR4可以是第一方向轴DR1与第二方 向轴DR2之间的方向。 0057 图2中所示的发光区域PXA1、 PXA2和PXA3的布置结构可以被称为PenTile结构。 然 而， 根据实施例的显示装置DD中的发光区域PXA1、 PXA2和PXA3的布置结构不限于图2中所示 的布置结构。 例如， 在实施例中， 发光区域PXA1、 PXA2和PXA3可以具有其中第一颜色发光区 域PXA1、 第二颜色发光区域PXA2和第三颜色发光区域PXA3沿着第二方向轴DR2交替地布置 的条纹结构。 0058 参照图3， 第一显示基底100可以包括第一基体层BS1、 电路层CCL和发光元件层EL。

27、。 电路层CCL可以位于第一基体层BS1上。 电路层CCL可以包括半导体层、 多个绝缘层和多个导 电层。 发光元件层EL可以位于电路层CCL上。 0059 第一基体层BS1可以是硅基底、 塑料基底、 玻璃基底、 绝缘膜或包括多个绝缘层的 层叠结构。 0060 电路层CCL可以包括第一晶体管TR1、 第二晶体管TR2和第三晶体管TR3以及多个绝 缘层IL1、 IL2、 IL3和IL4。 多个绝缘层IL1、 IL2、 IL3和IL4包括第一绝缘层IL1、 第二绝缘层 IL2、 第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4。 0061 第一绝缘层IL1可以位于第一基体层BS1上， 并且第一晶体管TR1、 第二。

28、晶体管TR2 和第三晶体管TR3可以位于第一绝缘层IL1上。 因为第一晶体管TR1、 第二晶体管TR2和第三 晶体管TR3可以具有相同(例如， 基本相同)的结构， 所以可以原样应用下面描述的第一晶体 管TR1的内容。 第一晶体管TR1可以包括控制电极CE、 输入电极IE、 输出电极OE和半导体层 ACL。 0062 半导体层ACL可以位于第一绝缘层IL1上。 第一绝缘层IL1可以是向半导体层ACL提 供改进表面的缓冲层。 在这种情况下， 与第一基体层BS1相比， 半导体层ACL对第一绝缘层 IL1的粘附性更高。 另外， 第一绝缘层IL1可以是用于保护半导体层ACL的下表面的阻挡层。 在这种情况。

29、下， 第一绝缘层IL1可以阻挡来自第一基体层BS1本身或通过第一基体层BS1进 入的污垢、 湿气等渗透到半导体层ACL中。 可选地， 第一绝缘层IL1可以是阻挡通过第一基体 层BS1入射的外部光进入半导体层ACL的阻光层。 在这种情况下， 第一绝缘层IL1可以进一步 包括阻光材料。 0063 半导体层ACL可以包括多晶硅或非晶硅。 另外， 半导体层ACL可以包括金属氧化物 半导体。 半导体层ACL可以包括第一离子掺杂区和第二离子掺杂区以及位于第一离子掺杂 区与第二离子掺杂区之间的沟道区， 沟道区用作电子或空穴可以行进所通过的通道。 0064 第二绝缘层IL2位于第一绝缘层IL1上并且可以覆盖半。

30、导体层ACL。 第二绝缘层IL2 可以包括无机材料。 无机材料可以包括氮化硅、 氮氧化硅、 氧化硅、 氧化钛和氧化铝中的至 少一种。 说明书 5/12 页 8 CN 111584544 A 8 0065 控制电极CE可以位于第二绝缘层IL2上。 第三绝缘层IL3位于第二绝缘层IL2上并 且可以覆盖控制电极CE。 第三绝缘层IL3可以由单层或多个层构成。 例如， 单层可以包括无 机层。 可以通过堆叠有机层和无机层来设置多个层。 0066 输入电极IE和输出电极OE可以位于第三绝缘层IL3上。 输入电极IE和输出电极OE 中的每个可以通过穿过第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3的通孔连接到半导体层A。

31、CL。 0067 第四绝缘层IL4位于第三绝缘层IL3上并且可以覆盖输入电极IE和输出电极OE。 第 四绝缘层IL4可以由单层或多个层构成。 例如， 单层可以包括有机层。 可以通过堆叠有机层 和无机层来设置多个层。 第四绝缘层IL4可以是在上部上提供平坦表面的平坦化层。 发光元 件层EL可以位于第四绝缘层IL4上。 0068 发光元件层EL可以包括第一发光元件ELD1、 第二发光元件ELD2、 第三发光元件 ELD3、 像素限定膜PDL以及位于发光元件ELD上的薄膜密封层TFE。 薄膜密封层TFE可以密封 发光元件ELD。 在一些实施例中， 覆盖第二电极EL2的盖层可以进一步位于薄膜密封层TF。

32、E与 第二电极EL2之间。 在这种情况下， 薄膜密封层TFE可以直接覆盖盖层。 在实施例中， 可以省 略薄膜密封层TFE。 0069 第一发光元件ELD1可以包括第一电极EL1、 位于第一电极EL1上的空穴传输区域 HTR、 位于空穴传输区域HTR上的第一发光层EML1、 位于第一发光层EML1上的电子传输区域 ETR以及第二电极EL2。 除了分别包括第二发光层EML2和第三发光层EML3之外， 第二发光元 件ELD2和第三发光元件ELD3中的每个可以具有与第一发光元件ELD1的描述基本相同的描 述。 0070 第一电极EL1可以位于第四绝缘层IL4上。 第一电极EL1具有导电性。 第一电极E。

33、L1 可以由金属合金或导电化合物形成。 第一电极EL1可以是阳极。 另外， 第一电极EL1可以是像 素电极。 第一电极EL1可以是透射电极、 半透射电极或反射电极。 每个第一电极EL1可以通过 通孔以一一对应的方式电连接到第一晶体管TR1、 第二晶体管TR2和第三晶体管TR3。 例如， 第一发光元件ELD1的第一电极EL1可以电连接到第一晶体管TR1。 第二发光元件ELD2的第一 电极EL1可以电连接到第二晶体管TR2。 第三发光元件ELD3的第一电极EL1可以电连接到第 三晶体管TR3。 0071 空穴传输区域HTR可以包括空穴注入层、 空穴传输层、 空穴缓冲层和电子阻挡层中 的至少一者。 。

34、空穴传输区域HTR可以具有由单种材料制成的单层、 由多种不同材料制成的单 层或具备由多种不同材料制成的多个层的多层结构。 空穴传输区域HTR的材料不受特别限 制， 并且可以包括本领域中可用的合适材料。 0072 发光层EML1、 EML2和EML3可以具有单种材料的单层、 多种不同材料的单层或具备 多种不同材料的多个层的多层结构。 0073 发光层EML1、 EML2和EML3可以包括非晶碳发光体CQD。 参照图4， 非晶碳发光体CQD 可以包括核部CR和结合到核部CR的表面的分支部FG。 定位有分支部FG的区域可以被限定为 分支区域FGA。 分支区域FGA可以被限定为在虚拟球形表面或球形表面。

35、上具有弯曲的准球形 形状。 0074 核部CR可以是发光的发光部， 分支部FG可以是不发光的非发光部。 0075 核部CR可以是球形的， 或者可以是在球形表面的表面上具有弯曲的准球形的。 然 而， 实施例不限于此， 并且可以具有诸如金字塔、 多臂或立方体形状的纳米颗粒、 纳米管、 纳 说明书 6/12 页 9 CN 111584544 A 9 米线、 纳米纤维或纳米板状颗粒。 非晶碳发光体CQD可以是具有1.50nm或更大且1.65nm或更 小的尺寸(例如， 直径L1)的量子点发光体。 非晶碳发光体CQD的尺寸(例如， 直径L1)可以被 限定为核部CR的直径。 如果核部CR不是球形的， 则核部。

36、CR的直径可以是穿过核部CR的重心 的直线， 并且可以表示结合核部CR的外周上的两个点的段的平均长度。 如这里使用的， 术语 “尺寸” 可以指核部CR的粒径， 诸如以D50为例的平均粒径， D50指这样的直径： 在该直径下， 一半质量的样品颗粒具有较大的直径， 而另一半质量的样品颗粒具有较小的直径。 0076 核部CR可以包括烃基。 例如， 核部CR可以包括聚合烃聚合物。 在一些实施例中， 核 部CR可以包括由丙烯酰胺化合物(诸如聚丙烯酰胺)或丙烯酸酯化合物(诸如聚甲基丙烯酸 甲酯)组成的烃聚合物。 在另一示例中， 核部CR可以包括芳香环衍生物。 例如， 核部CR可以包 括苯基衍生物， 诸如二。

37、胺苯、 芘、 菲咯啉或三甲基苯。 然而， 实施例不限于此， 核部CR可以包 括另一烃基并且还可以包括杂原子。 0077 核部CR可以具有无定形结构。 例如， 核部CR中的烃基等可以不规则地彼此结合以 形成无定形结构。 0078 分支部FG可以由官能团组成。 分支部FG可以是包括烷基、 烯基、 炔基、 胺基(或氨 基)、 硫醇基、 羟基、 醚基、 酯基、 肼基、 羧基、 酰胺基或羰基的烃衍生物。 例如， 分支部FG可以 由上面提及的官能团或上面提及的官能团的组合或者结合到烃的主链的一个或更多个官 能团组成。 0079 然而， 实施例不限于此， 分支部FG可以包括其他官能团。 0080 再次参照图。

38、2和图3， 第一发光层EML1可以包括第一非晶碳发光体CQD1。 第二发光 层EML2可以包括第二非晶碳发光体CQD2。 第三发光层EML3可以包括第三非晶碳发光体 CQD3。 0081 第一非晶碳发光体CQD1的直径可以小于第二非晶碳发光体CQD2的直径， 第二非晶 碳发光体CQD2的直径可以小于第三非晶碳发光体CQD3的直径。 0082 第一非晶碳发光体至第三非晶碳发光体CQD的发光波长可以由第一非晶碳发光体 至第三非晶碳发光体CQD的直径确定。 0083 例如， 第一非晶碳发光体CQD1发射蓝光， 并且可以具有1.50nm或更大且1.65nm或 更小的直径。 第二非晶碳发光体CQD2发射。

39、绿光， 并且可以具有1.66nm或更大且2.00nm或更 小的直径。 第三非晶碳发光体CQD3发射红光， 并且可以具有2.10nm或更大且3.00nm或更小 的直径。 然而， 第一非晶碳发光体至第三非晶碳发光体CQD的发光波长不仅仅由第一非晶碳 发光体至第三非晶碳发光体CQD的直径限制。 0084 在实施例中， 可以通过调节第一非晶碳发光体至第三非晶碳发光体CQD的分支部 FG中包括的官能团的类型(或种类)来附加地调节发光波长。 例如， 可以根据第一非晶碳发 光体至第三非晶碳发光体CQD的分支部FG中包括的官能团的类型(或种类)来改变发光波 长。 在一些实施例中， 当分支部FG具有含氧基团(诸。

40、如羟基、 醚基、 羧基、 羰基或酯基)时， 发 光波长可以被改变。 在实施例中， 可以通过调节第一非晶碳发光体至第三非晶碳发光体CQD 的表面的粗糙度来调节第一非晶碳发光体至第三非晶碳发光体CQD的发光波长。 例如， 可以 通过调节第一非晶碳发光体至第三非晶碳发光体CQD的表面的粗糙度、 平坦化工艺等来改 变发光波长。 0085 非晶碳发光体CQD可以以多种方式合成。 例如， 非晶碳发光体CQD可以通过下面的 说明书 7/12 页 10 CN 111584544 A 10 方法合成。 0086 (非晶碳发光体CQD的合成) 0087 将聚丙烯酰胺水溶液(1mL， 水中90wt)和硝酸(0.5M。

41、， 1mL)与油胺(10mL)混合， 并 在氩气氛下搅拌30分钟以形成乳液。 将形成的乳液在氩(Ar)气氛下加热至250达2小时， 然后冷却至室温。 将生成的溶液在甲醇中沉淀， 并以3000rpm离心10分钟以获得沉淀。 0088 将获得的沉淀分散在己烷中， 在甲醇中沉淀， 并且通过离心分离。 为了去除杂质， 重复该过程三遍以获得最终产物。 0089 可以通过改变聚合物的种类、 分子量和浓度以及改变反应条件， 利用各种合适的 烃化合物来合成具有各种合适尺寸的非晶碳发光体CQD。 0090 除了上述合成方法之外， 可以通过借由诸如化学烧蚀、 激光烧蚀或微波照射的物 理化学方法处理非晶碳基底来制造。

42、非晶碳发光体CQD。 0091 在图3中， 第一发光层EML1、 第二发光层EML2和第三发光层EML3被示出为包括非晶 碳发光体CQD， 但是实施例不限于此， 将在下文中描述其进一步的细节。 0092 电子传输区域ETR设置在发光层EML1、 EML2和EML3上。 电子传输区域ETR可以包括 空穴阻挡层、 电子传输层和电子注入层中的至少一者， 但是实施例不限于此。 电子传输区域 ETR可以具有由单种材料制成的单层、 由多种不同材料制成的单层或具备由多种不同材料 制成的多个层的多层结构。 电子传输区域ETR的材料不受特别限制， 并且可以包括本领域中 可用的任何合适的材料。 0093 第二电极。

43、EL2设置在电子传输区域ETR上。 第二电极EL2可以是共电极或阴极。 第二 电极EL2可以是透射电极、 半透射电极或反射电极。 0094 像素限定膜PDL可以位于发光元件ELD之间并且暴露每个第一电极EL1的至少一部 分。 像素限定膜PDL可以由聚合物树脂形成。 例如， 像素限定膜PDL可以形成为包括聚丙烯酸 酯树脂或聚酰亚胺树脂。 另外， 像素限定膜PDL可以形成为除了包括聚合物树脂之外还包括 无机材料。 另一方面， 像素限定膜PDL可以形成为包括光吸收材料， 或者可以形成为包括黑 色颜料或黑色染料。 由黑色颜料或黑色染料形成的像素限定膜PDL可以实现黑色像素限定 膜。 在形成像素限定膜P。

44、DL时， 炭黑可以用作黑色颜料或黑色染料， 但是实施例不限于此。 0095 另外， 像素限定膜PDL可以由无机材料形成。 例如， 像素限定膜PDL可以由氮化硅 (SiNx)、 氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)等形成。 0096 图5和图6是根据实施例的第一显示基底100-1和100-2的剖视图。 图5和图6的剖视 图可以与沿图2中示出的线I-I截取的剖视图对应， 图5和图6分别包括发光元件层EL-1和 发光元件层EL-2。 0097 参照图5， 第一发光元件ELD1的第一发光层EML1可以包括第一非晶碳发光体CQD1， 并且可以发射第一颜色光。 第一颜色光可以是蓝光。 现有的镉(C。

45、d)基量子点发光体对人体 有害， 并且由于其造成的环境污染而具有有限的使用。 其他无机物的量子点发光体难以合 成为发射蓝色波长的光的发光体。 实施例的非晶碳发光体CQD可以容易地合成为对环境友 好并且发射蓝色波长的光的蓝色量子点发光体。 另外， 由于材料成本低， 所以可以降低显示 装置的制造成本。 0098 第一发光层EML1可以仅包括第一非晶碳发光体CQD1。 然而， 实施例不限于此， 第一 发光层EML1还可以包括另一种材料。 例如， 第一发光层EML1还可以包括基体树脂。 说明书 8/12 页 11 CN 111584544 A 11 0099 在实施例中， 第二发光元件ELD2的第二发。

46、光层EML2可以发射第二颜色光， 第三发 光元件ELD3的第三发光层EML3可以发射第三颜色光。 第二颜色光可以是绿光， 第三颜色光 可以是红光。 0100 在实施例的显示装置中， 发射蓝光的第一发光层EML1包括非晶碳发光体CQD。 第二 发光层EML2和第三发光层EML3可以包括除非晶碳发光体CQD之外的量子点发光体， 量子点 发光体包括选自于II-VI族化合物、 III-V族化合物、 IV-VI族化合物、 IV族元素或IV族化合 物的材料。 0101 II-VI族化合物可以选自于二元素化合物、 三元素化合物和四元素化合物， 二元素 化合物从由ZnS、 ZnSe、 ZnTe、 ZnO、 H。

47、gS、 HgSe、 HgTe、 MgSe、 MgS及其混合物组成的组中选择， 三 元素化合物从由AgInS、 CuInS、 ZnSeS、 ZnSeTe、 ZnSTe、 HgSeS、 HgSeTe、 HgSTe、 HgZnS、 HgZnSe、 HgZnTe、 MgZnSe、 MgZnS及其混合物组成的组中选择， 四元素化合物从由HgZnTeS、 HgZnSeS、 HgZnSeTe、 HgZnSTe及其混合物组成的组中选择。 0102 III-V族化合物可以选自于二元素化合物、 三元素化合物和四元素化合物， 二元素 化合物从由GaN、 GaP、 GaAs、 GaSb、 AlN、 AlP、 AlAs。

48、、 AlSb、 InN、 InP、 InAs、 InSb及其混合物组成 的组中选择， 三元素化合物从由GaNP、 GaNAs、 GaNSb、 GaPAs、 GaPSb、 AlNP、 AlNAs、 AlNSb、 AlPAs、 AlPSb、 InGaP、 InNP、 InNAs、 InNSb、 InPAs、 InPSb及其混合物组成的组中选择， 四元素 化合物从由GaAlNAs、 GaAlNSb、 GaAlPAs、 GaAlPSb、 GaInNP、 GaInNAs、 GaInNSb、 GaInPAs、 GaInPSb、 InAlNP、 InAlNAs、 InAlNSb、 InAlPAs、 InAl。

49、PSb、 GaAlNP及其混合物组成的组中选 择。 IV-VI族化合物可以选自于二元素化合物、 三元素化合物和四元素化合物， 二元素化合 物从由SnS、 SnSe、 SnTe、 PbS、 PbSe、 PbTe及其混合物组成的组中选择， 三元素化合物从由 SnSeS、 SnSeTe、 SnSTe、 PbSeS、 PbSeTe、 PbSTe、 SnPbS、 SnPbSe、 SnPbTe及其混合物组成的组中 选择， 四元素化合物从由SnPbSSe、 SnPbSeTe、 SnPbSTe及其混合物组成的组中选择。 IV族元 素可以从由Si、 Ge及其混合物组成的组中选择。 IV族化合物可以是二元素化合物。

50、， 二元素化 合物从由SiC、 SiGe及其混合物组成的组中选择。 0103 此时， 二元素化合物、 三元素化合物或四元素化合物可以以均匀的(例如， 基本均 匀的)浓度存在于颗粒中， 或者可以在同一颗粒中以部分不同的浓度分布状态存在。 0104 量子点发光体可以是包括核和围绕核的壳的核壳结构。 此外， 单个量子点发光体 可以具有围绕另一量子点发光体的核/壳结构。 核与壳之间的界面可以具有随着靠近核而 壳中的元素的浓度降低的浓度梯度。 0105 量子点发光体的壳可以用作用于防止或减少核的化学改性以维持半导体特性的 保护层和/或可以用作用于向量子点发光体提供电泳特性的充电层。 壳可以是单层或多层。。