基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法及微波组件.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010452073.X (22)申请日 2020.05.25 (71)申请人 上海航天电子通讯设备研究所 地址 201109 上海市闵行区中春路1777号 (72)发明人 罗燕张理正周义沈玮 孙树丹丁蕾王立春 (74)专利代理机构 上海汉声知识产权代理有限 公司 31236 代理人 胡晶 (51)Int.Cl. H05K 1/02(2006.01) H05K 1/03(2006.01) H05K 3/30(2006.01) H05K 3/46(2006.01) (54)发明。

2、名称 基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方 法及微波组件 (57)摘要 本发明提供了一种基于LCP基板的高密度高 频微波组件制备方法及微波组件， 包括LCP多层 板、 芯片以及LCP盖板； 所述LCP多层板设置有一 芯片埋置槽； 所述芯片设置在所述芯片埋置槽 内； 所述LCP盖板设置在所述芯片埋置槽的槽口 上， 用于将所述芯片封闭在所述芯片埋置槽。 本 发明基于LCP基板进行高密度高频微波组件的制 备， 通过高频稳定性好损耗低的LCP基板进行组 件的布线及气密封装， 解决常用射频基板应用频 率低的问题， 相比高频应用的LTCC等基板实现了 一体化气密封装的应用， 解决了借助金属壳体气 密所。

3、导致的体积大质量大的问题， 实现高频微波 组件的轻量化、 小型化封装， 并基于柔性基板可 实现组件的柔性弯曲， 与曲面系统共形。 权利要求书2页 说明书6页 附图5页 CN 111586964 A 2020.08.25 CN 111586964 A 1.一种基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法， 其特征在于， 包括如下步骤： 步骤S1： 在多层LCP电路板中的第二层LCP基板上侧面制备无源器件， 第三层LCP基板上 侧面制备金属化布线； 步骤S2： 在多层LCP电路板中第二层LCP基板、 第三层LCP基板、 第四层LCP基板、 第五层 LCP基板的下侧面贴装连接层并进行所述连接层的预固化。

4、； 步骤S3： 在多层LCP电路板中第一层LCP基板加工出沿厚度方向贯穿的第一接地孔， 所 述第二层LCP基板、 所述第三层LCP基板加工出沿厚度方向贯穿的芯片埋置槽， 所述第四层 LCP基板加工出盖板空腔； 步骤S4： 对所述第一接地孔进行金属化； 步骤S5： 将所述第一层LCP基板、 所述第二层LCP基板以及所述第三层LCP基板层压后获 得带有芯片埋置槽的目标基板； 步骤S6： 在所述目标基板上加工出厚度方向贯穿的第二接地孔以及连接所述无源器件 和所述金属化布线的连接孔， 进而对所述第二接地孔和所述连接孔进行金属化； 步骤S7： 将芯片粘结到所述芯片埋置槽， 并将所述芯片与所述金属化布线电。

5、连接； 步骤S8： 将多层LCP电路板中第四层LCP基板和第五层LCP基板对所述芯片埋置槽进行 层压封盖。 2.根据权利要求1所述的基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法， 其特征在于， 在步骤S1中， 多层LCP电路板中每一LCP基板采用双面覆铜的LCP基板； 所述金属化布线为在所述第三层LCP基板上侧面依次重叠的Ni层、 Pd层以及Au层。 3.根据权利要求1所述的基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法， 其特征在于， 在步骤S2中， 通过在130150的热台上加热30s， 实现连接层与第二层LCP基板、 第三层 LCP基板、 第四层LCP基板、 第五层LCP基板的下侧面的预固化。。

6、 4.根据权利要求1所述的基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法， 其特征在于， 在步骤S3和步骤S6中， 通过波长为355nm的全固态紫外激光进行所述芯片埋置槽、 所述第一 接地孔、 所述第二接地孔和所述连接孔的加工。 5.根据权利要求1所述的基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法， 其特征在于， 步骤S4和步骤S6中通过对所述第一接地孔、 所述第二接地孔和所述连接孔溅射Pd种子层， 化学镀Cu层， 然后依次电镀Cu层、 Ni层、 Au层加厚， 进行所述第一接地孔、 所述第二接地孔和 所述连接孔的金属化。 6.根据权利要求1所述的基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法， 其特征在。

7、于， 在步骤S5中， 通过真空中180220和压力为300psi下将所述第一层LCP基板、 所述第二层 LCP基板以及所述第三层LCP基板层压。 7.根据权利要求1所述的基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法， 其特征在于， 在步骤S7中， 将芯片通过金锡焊料共晶到垫块上， 然后将垫块通过环氧导电胶粘接到所述 芯片埋置槽里， 并用键合引线实现所述芯片与所述金属化布线电连接。 8.根据权利要求1所述的基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法， 其特征在于， 在步骤S8中， 在温度为180220， 压力为300psi下将所述第四层LCP基板和第五层LCP基 板对所述芯片埋置槽进行层压封盖。 。

8、9.一种基于LCP基板的高密度高频微波组件， 其特征在于， 采用权利要求1至8任一项所 权利要求书 1/2 页 2 CN 111586964 A 2 述的基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法制备而成， 包括LCP多层板、 芯片以及LCP 盖板； 所述LCP多层板设置有一芯片埋置槽(116)； 所述芯片(108)设置在所述芯片埋置槽 (116)内； 所述LCP盖板设置在所述芯片埋置槽(116)的槽口上， 用于将所述芯片(108)封闭在所 述芯片埋置槽。 10.根据权利要求9所述的基于LCP基板的高密度高频微波组件， 其特征在于， 所述LCP 多层板包括第一层LCP基板(110)、 第二层L。

9、CP基板(111)以及第三层LCP基板(112)； 所述第二层LCP基板上侧面设置有无源器件(107)， 所述第三层LCP基板上侧面设置有 金属化布线； 所述金属化布线一方面通过沿厚度方向贯穿所述第三层LCP基板且金属化的 连接孔电连接所述无源器件(107)， 另一方面通过沿厚度方向贯穿所述第一层LCP基板 (110)、 所述第二层LCP基板(111)以及所述第三层LCP基板(112)且金属化的第二接地孔接 地； 所述LCP盖板包括第四层LCP基板(113)和第五层LCP基板(114)； 所述第一层LCP基板(110)和所述第二层LCP基板(111)之间、 所述第二层LCP基板(111) 和第。

10、三层LCP基板(112)之间、 所述第四层LCP基板(113)和所述第五层LCP基板(114)以及所 述第四层LCP基板(113)与所述第三层LCP基板(112)之间设置有LCP连接层； 所述第二层LCP基板(111)和所述第三层LCP基板(112)设置有沿厚度方向贯穿的芯片 埋置槽(116)； 所述芯片埋置槽(116)的槽底设置有沿厚度方向贯穿所述第一层LCP基板 (110)的第一接地孔(105)； 所述芯片(108)通过垫块(106)连接所述芯片埋置槽(116)的槽底， 且通过键合引线 (109)与所述金属化布线电连接； 所述第四层LCP基板(113)设置有沿厚度方向贯穿的盖板空腔(117。

11、)以容纳所述芯片 (108)。 权利要求书 2/2 页 3 CN 111586964 A 3 基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法及微波组件 技术领域 0001 本发明涉及电子封装技术领域， 具体地， 涉及一种基于LCP基板的高密度高频微波 组件制备方法及微波组件。 背景技术 0002 在当今电子信息时代， 印制电路板(PCB)是占据广大市场的三大便携电子产品和 卫星传输与通信制品等最为关键的电子部分， 已经成为电子产业不可缺少的重要组成部 分。 0003 近年来， 随着电子产业的飞速发展， 电子设备逐渐趋于小型化、 薄型化和高功能 化， 在通信、 工业自动化、 航空航天等高技术领域对电。

12、子设备中封装基板的要求也越来越 高。 现在电子信息产品特别是微波器件的高速发展， 高密度化、 数字化、 高频化和在特殊环 境中应用等要求已经向一般的高频板及其制造工艺提出了巨大的挑战。 0004 液晶聚合物(LCP)由于具有突出的介电性能、 良好的尺寸稳定性、 优良的低吸湿性 和电绝缘性， 特别适用于高频印制电路板。 加之LCP具有一定的气密性， 可实现高频微波组 件的集成封装， 获得小型化、 轻量化的柔性高频微波组件 发明内容 0005 针对现有技术中的缺陷， 本发明的目的是提供一种基于LCP基板的高密度高频微 波组件制备方法及微波组件， 以解决现有的柔性基板高频性能差、 无法气密等问题。 。

13、0006 根据本发明提供的基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法， 包括如下步骤： 0007 步骤S1： 在多层LCP电路板中的第二层LCP基板上侧面制备无源器件， 第三层LCP基 板上侧面制备金属化布线； 0008 步骤S2： 在多层LCP电路板中第二层LCP基板、 第三层LCP基板、 第四层LCP基板、 第 五层LCP基板的下侧面贴装连接层并进行所述连接层的预固化； 0009 步骤S3： 在多层LCP电路板中第一层LCP基板加工出沿厚度方向贯穿的第一接地 孔， 所述第二层LCP基板、 所述第三层LCP基板加工出沿厚度方向贯穿的芯片埋置槽， 所述第 四层LCP基板加工出盖板空腔； 001。

14、0 步骤S4： 对所述第一接地孔进行金属化； 0011 步骤S5： 将所述第一层LCP基板、 所述第二层LCP基板以及所述第三层LCP基板层压 后获得带有芯片埋置槽的目标基板； 0012 步骤S6： 在所述目标基板上加工出厚度方向贯穿的第二接地孔以及连接所述无源 器件和所述金属化布线的连接孔， 进而对所述第二接地孔和所述连接孔进行金属化； 0013 步骤S7： 将芯片粘结到所述芯片埋置槽， 并将所述芯片与所述金属化布线电连接； 0014 步骤S8： 将多层LCP电路板中第四层LCP基板和第五层LCP基板对所述芯片埋置槽 进行层压封盖。 0015 优选地， 在步骤S1中， 多层LCP电路板中每一。

15、LCP基板采用双面覆铜的LCP基板； 说明书 1/6 页 4 CN 111586964 A 4 0016 所述金属化布线为在所述第三层LCP基板上侧面依次重叠的Ni层、 Pd层以及Au层。 0017 优选地， 在步骤S2中， 通过在130150的热台上加热30s， 实现连接层与第二层 LCP基板、 第三层LCP基板、 第四层LCP基板、 第五层LCP基板的下侧面的预固化。 0018 优选地， 在步骤S3和步骤S6中， 通过波长为355nm的全固态紫外激光进行所述芯片 埋置槽、 所述第一接地孔、 所述第二接地孔和所述连接孔的加工。 0019 优选地， 步骤S4和步骤S6中通过对所述第一接地孔、 。

16、所述第二接地孔和所述连接 孔溅射Pd种子层， 化学镀Cu层， 然后依次电镀Cu层、 Ni层、 Au层加厚， 进行所述第一接地孔、 所述第二接地孔和所述连接孔的金属化。 0020 优选地， 在步骤S5中， 通过真空中180220和压力为300psi下将所述第一层LCP 基板、 所述第二层LCP基板以及所述第三层LCP基板层压。 0021 优选地， 在步骤S7中， 将芯片通过金锡焊料共晶到垫块上， 然后将垫块通过环氧导 电胶粘接到所述芯片埋置槽里， 并用键合引线实现所述芯片与所述金属化布线电连接。 0022 优选地， 在步骤S8中， 在温度为180220， 压力为300psi下将所述第四层LCP基。

17、 板和第五层LCP基板对所述芯片埋置槽进行层压封盖。 0023 根据本发明提供的基于LCP基板的高密度高频微波组件， 采用所述的基于LCP基板 的高密度高频微波组件制备方法制备而成， 包括LCP多层板、 芯片以及LCP盖板； 0024 所述LCP多层板设置有一芯片埋置槽； 所述芯片设置在所述芯片埋置槽内； 0025 所述LCP盖板设置在所述芯片埋置槽的槽口上， 用于将所述芯片封闭在所述芯片 埋置槽。 0026 优选地， 所述LCP多层板包括第一层LCP基板、 第二层LCP基板以及第三层LCP基板； 0027 所述第二层LCP基板上侧面设置有无源器件， 所述第三层LCP基板上侧面设置有金 属化布。

18、线； 所述金属化布线一方面通过沿厚度方向贯穿所述第三层LCP基板且金属化的连 接孔电连接所述无源器件， 另一方面通过沿厚度方向贯穿所述第一层LCP基板、 所述第二层 LCP基板以及所述第三层LCP基板且金属化的第二接地孔接地； 0028 所述LCP盖板包括第四层LCP基板和第五层LCP基板； 0029 所述第一层LCP基板和所述第二层LCP基板之间、 所述第二层LCP基板和第三层LCP 基板之间、 所述第四层LCP基板和所述第五层LCP基板以及所述第四层LCP基板与所述第三 层LCP基板之间设置有LCP连接层； 0030 所述第二层LCP基板和所述第三层LCP基板设置有沿厚度方向贯穿的芯片埋置。

19、槽； 所述芯片埋置槽的槽底设置有沿厚度方向贯穿所述第一层LCP基板的第一接地孔； 0031 所述芯片通过垫块连接所述芯片埋置槽的槽底， 且通过键合引线与所述金属化布 线电连接； 0032 所述第四层LCP基板设置有沿厚度方向贯穿的盖板空腔以容纳所述芯片。 0033 与现有技术相比， 本发明具有如下的有益效果： 0034 本发明基于LCP基板进行高密度高频微波组件的制备， 通过高频稳定性好损耗低 的LCP基板进行组件的布线及气密封装， 解决常用射频基板应用频率低的问题， 相比高频应 用的LTCC等基板实现了一体化气密封装的应用， 解决了借助金属壳体气密所导致的体积大 质量大的问题， 实现高频微波。

20、组件的轻量化、 小型化封装； 0035 本发明采用基于低介电常数、 低吸湿率的LCP基板实现高密度、 芯片器件埋入基板 说明书 2/6 页 5 CN 111586964 A 5 的一体化三维封装方法， 使用LCP基板进行气密封装， 进一步提高封装效率， 降低成本， 相比 传统硬板制备组件、 金属壳体气密封装的方法， 可实现组件的柔性弯曲， 与曲面系统共形。 附图说明 0036 通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述， 本发明的其它特征、 目的和优点将会变得更明显： 0037 图1为本发明实施例中高频微波组件的结构示意图； 0038 图2为本发明实施例中基于LCP基板的高密度高频微波。

21、组件制备方法的步骤流程 图； 0039 图3为本发明实施例中单层基板光刻图形的示意图； 0040 图4为本发明实施例中连接层预固化的示意图； 0041 图5为本发明实施例中激光加工的示意图； 0042 图6为本发明实施例中底层板接地孔金属化的示意图； 0043 图7为本发明实施例中多层布线基板层压的示意图； 0044 图8为本发明实施例中多层板互连孔和接地孔激光加工的示意图； 0045 图9为本发明实施例中多层板孔金属化的示意图； 0046 图10为本发明实施例中芯片贴装及引线键合的示意图； 0047 图11为本发明实施例中封盖结构的示意图。 0048 图中： 101-LCP基板； 102-L。

22、CP连接层； 103-第二接地孔； 104-金属化布线； 105-第一 接地孔； 106-垫块； 107-无源器件； 108-芯片； 109-键合引线； 110-第一层LCP基板； 111-第二 层LCP基板； 112-第三层LCP基板； 113-第四层LCP基板； 114-第五层LCP基板； 116-芯片埋置 槽； 117-盖板空腔； 119-连接孔； 120-金属化后的连接孔。 具体实施方式 0049 下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。 以下实施例将有助于本领域的技术 人员进一步理解本发明， 但不以任何形式限制本发明。 应当指出的是， 对本领域的普通技术 人员来说， 在不脱离本发明构。

23、思的前提下， 还可以做出若干变形和改进。 这些都属于本发明 的保护范围。 0050 图1为本发明实施例中高频微波组件的结构示意图， 如图1所示， 本发明提供的基 于LCP基板的高密度高频微波组件， 采用所述的基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方 法制备而成， 包括LCP多层板、 芯片108以及LCP盖板； 0051 所述LCP多层板设置有一芯片埋置槽116； 所述芯片108设置在所述芯片埋置槽116 内； 0052 所述LCP盖板设置在所述芯片埋置槽116的槽口上， 用于将所述芯片108封闭在所 述芯片埋置槽116。 0053 在本发明实施例中， 所述LCP多层板包括第一层LCP基板110。

24、、 第二层LCP基板111以 及第三层LCP基板112； 0054 所述第二层LCP基板111上侧面设置有无源器件107， 所述第三层LCP基板112上侧 面设置有金属化布线104； 所述金属化布线104一方面通过沿厚度方向贯穿所述第三层LCP 说明书 3/6 页 6 CN 111586964 A 6 基板112且金属化的连接孔119电连接所述无源器件107， 另一方面通过沿厚度方向贯穿所 述第一层LCP基板110、 所述第二层LCP基板111以及所述第三层LCP基板112且金属化的第二 接地孔103接地； 0055 所述第一层LCP基板110和所述第二层LCP基板111之间以及所述第二层LC。

25、P基板 111和第三层LCP基板112之间设置有LCP连接层； 0056 所述第二层LCP基板111和所述第三层LCP基板112设置有沿厚度方向贯穿的芯片 埋置槽116； 所述芯片埋置槽116的槽底设置有沿厚度方向贯穿所述第一层LCP基板110的第 一接地孔105； 0057 所述芯片108通过垫块106连接所述芯片埋置槽116的槽底， 且通过键合引线109与 所述金属化布线104电连接； 0058 所述LCP盖板包括第四层LCP基板113和第五层LCP基板114； 所述第四层LCP基板 113和所述第五层LCP基板114以及所述第四层LCP基板113与所述第三层LCP基板112之间设 置有L。

26、CP连接层； 0059 所述第四层LCP基板113设置有沿厚度方向贯穿的盖板空腔117以容纳所述芯片 108。 0060 图2为本发明实施例中基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法的步骤流程 图， 如图2所示， 本发明提供的基于LCP基板的高密度高频微波组件制备方法， 包括如下步 骤： 0061 步骤S1： 对多层LCP电路板中的第二层LCP基板111上侧面制备无源器件107， 第三 层LCP基板112上侧面制备金属化布线104； 0062 步骤S2： 对多层LCP电路板中第二层LCP基板111、 第三层LCP基板112、 第四层LCP基 板113、 第五层LCP基板114的下侧面贴装连接。

27、层并进行所述连接层的预固化； 0063 步骤S3： 对多层LCP电路板中第一层LCP基板110加工出厚度方向贯穿的第一接地 孔105， 所述第二层LCP基板111、 所述第三层LCP基板112加工出厚度方向贯穿的芯片埋置槽 116， 所述第四层LCP基板113加工出盖板空腔117； 0064 步骤S4： 对所述第一接地孔105进行金属化； 0065 步骤S5： 将所述第一层LCP基板110、 所述第二层LCP基板111以及所述第三层LCP基 板112层压后获得带有芯片埋置槽116的目标基板； 0066 步骤S6： 在所述目标基板上加工出厚度方向贯穿的第二接地孔103以及连接所述 无源器件107。

28、和所述金属化布线104的连接孔119， 进而对所述第二接地孔103和所述连接孔 119进行金属化； 0067 步骤S7： 将芯片108粘结到所述芯片埋置槽116， 并将所述芯片与所述金属化布线 104电连接； 0068 步骤S8： 将多层LCP电路板中第四层LCP基板113和第五层LCP基板114对所述芯片 埋置槽116进行层压封盖。 0069 图3为本发明实施例中单层基板光刻图形的示意图， 如图3所示， 在步骤S1中， 多层 LCP电路板中每一LCP基板采用双面覆铜的LCP基板； 0070 所述金属化布线104为在所述第三层LCP基板112上侧面依次重叠的Ni层、 Pd层以 及Au层。 说明。

29、书 4/6 页 7 CN 111586964 A 7 0071 所述LCP基板的厚度为100 m， 双面覆铜。 将LCP基板根据层压工装尺寸裁剪成圆 形， 用化学方法对LCP基板101进行清洗， 去除表面油污和杂质； 0072 在第二层LCP基板111上通过薄膜工艺制备电阻等无源器件107， 在第三层LCP基板 112上刻蚀传输线图形104， 所述金属化布线104， 用于芯片108打线连接。 0073 在本发明实施例中， 在本发明实施例中， 所述金属化布线104， 可在铜层上电镀金 属层形成， 也可将铜层腐蚀掉， 通过溅射的方式溅射金属层形成， 然后电镀加厚。 0074 在本发明实施例中， 可。

30、通过薄膜工艺制备所述无源器件107， 也可参考芯片埋置方 法进行无源器件107埋置， 也可将无源器件107进行表贴， 具体方法根据电路设计布局来考 量。 0075 图4为本发明实施例中连接层预固化的示意图， 如图4所示， 在步骤S2中， 通过在 130150的热台上加热30s， 实现连接层与第二层LCP基板111、 第三层LCP基板112、 第四 层LCP基板113、 第五层LCP基板114的下侧面的预固化。 0076 图5为本发明实施例中激光加工的示意图， 如图5所示， 在步骤S3和步骤S6中， 通过 波长为355nm的全固态紫外激光进行所述芯片埋置槽116、 所述第一接地孔105、 所述第。

31、二接 地孔103和所述连接孔119的加工。 0077 第二层LCP基板111和第三层LCP基板112在芯片埋置的位置根据垫块106尺寸通过 激光加工芯片埋置槽116， 第四层LCP基板113上通过激光切割出盖板空腔117。 0078 图6为本发明实施例中底层板接地孔金属化的示意图， 如图6所示， 在步骤S4通过 对所述第一接地孔105、 所述第二接地孔103和所述连接孔119溅射Pd种子层， 化学镀Cu层， 然后依次电镀镀Cu层、 Ni层、 Au层加厚， 进行所述第一接地孔105、 所述第二接地孔103和所 述连接孔119的金属化。 0079 图7为本发明实施例中多层布线基板层压的示意图， 如。

32、图7所示， 在步骤S5中， 通过 真空中180220和压力为300psi下将所述第一层LCP基板110、 所述第二层LCP基板111以 及所述第三层LCP基板112层压。 0080 在本发明实施例中， 通过对所述第一层LCP基板110、 所述第二层LCP基板111以及 所述第三层LCP基板112层压的层压获得带有芯片埋置槽116的基板。 0081 图8为本发明实施例中多层板互连孔和接地孔激光加工的示意图， 如图8所示， 通 过激光加工的方式加工多层板的连接孔119和第二接地孔103， 实现层间的电气互连以及基 板的接地。 0082 图9为本发明实施例中多层板孔金属化的示意图， 如图9所示， 通。

33、过溅射种子层Ti 和电镀金的方式进行连接孔119和第二接地孔103的金属化。 0083 图10为本发明实施例中芯片贴装及引线键合的示意图， 如图10所示， 在步骤S7中， 将芯片108通过金锡焊料共晶到垫块106上， 然后将垫块106通过环氧导电胶粘接到所述芯 片埋置槽116里， 并用键合引线109实现所述芯片108与所述金属化布线104电连接。 0084 在本发明实施例中， 贴装所述芯片108的垫块106使用Cu、 Mo、 Cu复合材料， 此材料 的CTE与GaAs芯片的CTE相近， 同时散热性能好， 垫块106根据芯片108的材料进行选择， 还可 为钼铜、 钼等。 0085 图11为本发明。

34、实施例中封盖结构的示意图， 如图11所示， 在步骤S8中， 在温度为 180220， 压力为300psi下将所述第四层LCP基板113和第五层LCP基板114对所述芯片埋 说明书 5/6 页 8 CN 111586964 A 8 置槽116进行层压封盖。 0086 在本发明实施例中， 本发明选择低成本、 低介电常数、 低吸湿率的LCP材料作为组 件的基板及气密材料， 结合薄膜工艺、 电镀、 激光加工等方法实现组件的制备， 通过芯片埋 置槽进行芯片埋置， 以LCP基板进行芯片气密， 提高了组件的集成度， 同时相比金属壳体气 密的组件， 降低了组件的重量和成本。 0087 以上对本发明的具体实施例。

35、进行了描述。 需要理解的是， 本发明并不局限于上述 特定实施方式， 本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改， 这并不影 响本发明的实质内容。 说明书 6/6 页 9 CN 111586964 A 9 图1 说明书附图 1/5 页 10 CN 111586964 A 10 图2 说明书附图 2/5 页 11 CN 111586964 A 11 图3 图4 图5 说明书附图 3/5 页 12 CN 111586964 A 12 图6 图7 图8 说明书附图 4/5 页 13 CN 111586964 A 13 图9 图10 图11 说明书附图 5/5 页 14 CN 111586964 A 14 。