阵列基板和显示装置.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010597870.7 (22)申请日 2020.06.28 (71)申请人 京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 申请人 重庆京东方光电科技有限公司 (72)发明人 胡竞勇李哲王景余刘建涛 (74)专利代理机构 中国国际贸易促进委员会专 利商标事务所 11038 代理人 李浩王莉莉 (51)Int.Cl. G02F 1/1362(2006.01) G02F 1/1343(2006.01) G02F 1/1335(2006.01) (5。

2、4)发明名称 阵列基板和显示装置 (57)摘要 本公开提供了一种阵列基板和显示装置。 该 阵列基板包括： 衬底基板； 在衬底基板的一侧的 栅极线； 覆盖栅极线的第一绝缘层； 在第一绝缘 层的远离衬底基板一侧的数据线， 数据线与栅极 线限定多个像素区域； 覆盖数据线的第二绝缘 层； 在第二绝缘层的远离数据线一侧的公共电 极， 公共电极包括对应于多个像素区域的多个部 分， 每个部分包括多个条状电极， 相邻的条状电 极之间具有狭缝， 每个条状电极包括第一主体 部、 第二主体部、 第一连接部、 和第二连接部， 第 一主体部包括第一拐角端部； 以及与栅极线处于 同一层且沿着第一方向延伸的金属导线， 第一。

3、拐 角端部在衬底基板上的正投影超出金属导线在 衬底基板上的正投影。 权利要求书2页 说明书7页 附图5页 CN 111610677 A 2020.09.01 CN 111610677 A 1.一种阵列基板， 包括： 衬底基板； 在所述衬底基板的一侧且沿着第一方向延伸的栅极线； 覆盖所述栅极线的第一绝缘层； 在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板一侧的数据线， 所述数据线与所述栅极线限定 多个像素区域； 覆盖所述数据线的第二绝缘层； 在所述第二绝缘层的远离所述数据线一侧的公共电极， 所述公共电极包括对应于所述 多个像素区域的多个部分， 每个部分包括多个条状电极， 所述多个条状电极中相邻的条状 电极之。

4、间具有狭缝， 每个条状电极包括沿着第二方向延伸的第一主体部、 沿着第三方向延 伸的第二主体部、 沿着第四方向延伸的第一连接部、 和沿着第五方向延伸的第二连接部， 所 述第一主体部与所述第一连接部连接， 所述第二主体部与所述第二连接部连接， 所述第一 连接部与所述第二连接部连接， 所述第一连接部与所述第二连接部形成第一夹角， 所述第 一主体部包括第一拐角端部； 以及 与所述栅极线处于同一层且沿着所述第一方向延伸的金属导线， 所述第一拐角端部在 所述衬底基板上的正投影超出所述金属导线在所述衬底基板上的正投影。 2.根据权利要求1所述的阵列基板， 其中， 所述条状电极的宽度与所述狭缝的宽度的比例范围。

5、为0.3至0.7。 3.根据权利要求2所述的阵列基板， 其中， 所述条状电极的宽度W1的范围为2微米W12.8微米。 4.根据权利要求2或3所述的阵列基板， 其中， 所述狭缝的宽度W2的范围为4微米W25.8微米。 5.根据权利要求2所述的阵列基板， 其中， 所述第一连接部和所述第二连接部在与所述第一方向相垂直的方向上的投影长度之 和H1的范围为3.9微米H15.9微米。 6.根据权利要求5所述的阵列基板， 其中， 所述第一连接部与所述第二连接部连接的部分的内侧具有内凹图案， 且所述第一连接 部与所述第二连接部连接的所述部分的外侧具有外凸图案。 7.根据权利要求6所述的阵列基板， 其中， 所述。

6、内凹图案的面积与所述外凸图案的面积相等。 8.根据权利要求6或7所述的阵列基板， 其中， 所述内凹图案的形状与所述外凸图案的形状相同。 9.根据权利要求1所述的阵列基板， 还包括： 与所述栅极线处于同一层的栅极， 所述栅极与所述栅极线电连接， 所述第一绝缘层还 覆盖所述栅极； 在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板一侧的有源层和像素电极， 所述有源层与所述 像素电极隔离开； 以及 在所述有源层的远离所述第一绝缘层一侧的第一电极和第二电极， 所述第一电极和所 述第二电极与所述有源层电连接， 所述第二绝缘层还覆盖所述第一电极、 所述第二电极、 所 权利要求书 1/2 页 2 CN 111610677 。

7、A 2 述有源层和所述像素电极； 其中， 所述第二主体部包括第二拐角端部， 所述第二电极在所述衬底基板上的正投影 覆盖部分条状电极的所述第二拐角端部在所述衬底基板上的正投影的至少一部分。 10.根据权利要求9所述的阵列基板， 还包括： 覆盖所述公共电极的第一取向层； 在所述第一取向层远离所述公共电极一侧的液晶层； 在所述液晶层远离所述第一取向层一侧的第二取向层； 在所述第二取向层远离所述液晶层一侧的黑色矩阵层， 其中， 所述黑色矩阵层在所述 衬底基板上的正投影覆盖所述第一拐角端部和所述第一主体部的与所述第一拐角端部邻 接的一部分在所述衬底基板上的正投影； 以及 覆盖在所述黑色矩阵层和所述第二取。

8、向层上的彩膜层。 11.根据权利要求10所述的阵列基板， 其中， 所述第一主体部的与所述第一拐角端部邻接的所述一部分沿着所述第二方向的长度L0 的范围为0L02.5微米。 12.根据权利要求1所述的阵列基板， 其中， 所述第一拐角端部与所述第一方向所形成 的第二夹角的角度为40 至50 。 13.根据权利要求9所述的阵列基板， 其中， 所述第二拐角端部与所述第一方向所形成的第三夹角的角度为40 至50 。 14.一种显示装置， 包括： 如权利要求1至13任意一项所述的阵列基板。 权利要求书 2/2 页 3 CN 111610677 A 3 阵列基板和显示装置 技术领域 0001 本公开涉及显示。

9、技术领域， 特别涉及一种阵列基板和显示装置。 背景技术 0002 边缘场开关(Fringe Field Switching， 简称为FFS)显示技术是当前液晶广视角 显示中的主流显示技术。 这种显示技术是通过阵列侧的像素电极与公共电极之间的边缘电 场来实现液晶分子的偏转， 从而实现显示。 为了改善液晶显示面板的色偏问题， 在相关技术 中采用1P2D架构(即1Pixel 2Domain)的双畴电极结构。 发明内容 0003 本公开的发明人发现， 在相关技术中， 在像素的边缘区域的拐角设计使得该区域 形成不均匀电场， 从而形成不均匀暗区， 降低了液晶光效， 进而降低液晶显示器的显示效 果。 000。

10、4 鉴于此， 本公开的实施例提供一种阵列基板， 从而降低像素的边缘区域的拐角设 计对显示效果的不良影响。 0005 根据本公开实施例的一个方面， 提供了一种用于液晶显示屏的阵列基板， 包括： 衬 底基板； 在所述衬底基板的一侧且沿着第一方向延伸的栅极线； 覆盖所述栅极线的第一绝 缘层； 在所述第一绝缘层的远离所述衬底基板一侧的数据线， 所述数据线与所述栅极线限 定多个像素区域； 覆盖所述数据线的第二绝缘层； 在所述第二绝缘层的远离所述数据线一 侧的公共电极， 所述公共电极包括对应于所述多个像素区域的多个部分， 每个部分包括多 个条状电极， 所述多个条状电极中相邻的条状电极之间具有狭缝， 每个条。

11、状电极包括沿着 第二方向延伸的第一主体部、 沿着第三方向延伸的第二主体部、 沿着第四方向延伸的第一 连接部、 和沿着第五方向延伸的第二连接部， 所述第一主体部与所述第一连接部连接， 所述 第二主体部与所述第二连接部连接， 所述第一连接部与所述第二连接部连接， 所述第一连 接部与所述第二连接部形成第一夹角， 所述第一主体部包括第一拐角端部； 以及与所述栅 极线处于同一层且沿着所述第一方向延伸的金属导线， 所述第一拐角端部在所述衬底基板 上的正投影超出所述金属导线在所述衬底基板上的正投影。 0006 在一些实施例中， 所述条状电极的宽度与所述狭缝的宽度的比例范围为0.3至 0.7。 0007 在一。

12、些实施例中， 所述条状电极的宽度W1的范围为2微米W12.8微米。 0008 在一些实施例中， 所述狭缝的宽度W2的范围为4微米W25.8微米。 0009 在一些实施例中， 所述第一连接部和所述第二连接部在与所述第一方向相垂直的 方向上的投影长度之和H1的范围为3.9微米H15.9微米。 0010 在一些实施例中， 所述第一连接部与所述第二连接部连接的部分的内侧具有内凹 图案， 且所述第一连接部与所述第二连接部连接的所述部分的外侧具有外凸图案。 0011 在一些实施例中， 所述内凹图案的面积与所述外凸图案的面积相等。 说明书 1/7 页 4 CN 111610677 A 4 0012 在一些实。

13、施例中， 所述内凹图案的形状与所述外凸图案的形状相同。 0013 在一些实施例中， 所述阵列基板还包括： 与所述栅极线处于同一层的栅极， 所述栅 极与所述栅极线电连接， 所述第一绝缘层还覆盖所述栅极； 在所述第一绝缘层的远离所述 衬底基板一侧的有源层和像素电极， 所述有源层与所述像素电极隔离开； 以及在所述有源 层的远离所述第一绝缘层一侧的第一电极和第二电极， 所述第一电极和所述第二电极与所 述有源层电连接， 所述第二绝缘层还覆盖所述第一电极、 所述第二电极、 所述有源层和所述 像素电极； 其中， 所述第二主体部包括第二拐角端部， 所述第二电极在所述衬底基板上的正 投影覆盖部分条状电极的所述第。

14、二拐角端部在所述衬底基板上的正投影的至少一部分。 0014 在一些实施例中， 所述阵列基板还包括： 覆盖所述公共电极的第一取向层； 在所述 第一取向层远离所述公共电极一侧的液晶层； 在所述液晶层远离所述第一取向层一侧的第 二取向层； 在所述第二取向层远离所述液晶层一侧的黑色矩阵层， 其中， 所述黑色矩阵层在 所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一拐角端部和所述第一主体部的与所述第一拐角端 部邻接的一部分在所述衬底基板上的正投影； 以及覆盖在所述黑色矩阵层和所述第二取向 层上的彩膜层。 0015 在一些实施例中， 所述第一主体部的与所述第一拐角端部邻接的所述一部分沿着 所述第二方向的长度L0的范围为。

15、0L02.5微米。 0016 在一些实施例中， 所述第一拐角端部与所述第一方向所形成的第二夹角的角度为 40 至50 。 0017 在一些实施例中， 所述第二拐角端部与所述第一方向所形成的第三夹角的角度为 40 至50 。 0018 根据本公开实施例的一个方面， 提供了一种显示装置， 包括： 如前所述的阵列基 板。 0019 上述阵列基板包括： 衬底基板、 栅极线、 第一绝缘层、 数据线、 第二绝缘层、 公共电 极和金属导线。 该公共电极包括对应于多个像素区域的多个部分。 每个部分包括多个条状 电极。 在相邻的条状电极之间具有狭缝。 每个条状电极包括沿着第二方向延伸的第一主体 部、 沿着第三方。

16、向延伸的第二主体部、 沿着第四方向延伸的第一连接部、 和沿着第五方向延 伸的第二连接部。 第一主体部与第一连接部连接， 第二主体部与第二连接部连接， 第一连接 部与第二连接部连接。 第一连接部与第二连接部形成第一夹角。 第一主体部包括第一拐角 端部。 第一拐角端部在衬底基板上的正投影超出金属导线在衬底基板上的正投影。 这样可 以使得由第一拐角端部导致的不均匀暗区尽量远离像素区域， 从而可以降低像素的边缘区 域的拐角设计对显示效果的不良影响， 提高液晶显示器的显示效果。 0020 通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述， 本公开的其它特征及其 优点将会变得清楚。 附图说明 0021 构。

17、成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例， 并且连同说明书一起用于解 释本公开的原理。 0022 参照附图， 根据下面的详细描述， 可以更加清楚地理解本公开， 其中： 0023 图1是示出相关技术中的用于液晶显示屏的阵列基板的像素的结构俯视图； 说明书 2/7 页 5 CN 111610677 A 5 0024 图2是示出根据本公开一个实施例的阵列基板的俯视图； 0025 图3是示出根据本公开一个实施例的阵列基板沿着图2所示的线C-C 截取的结构 的截面示意图； 0026 图4是示出根据本公开一个实施例的阵列基板沿着图2所示的线D-D 截取的结构 的截面示意图； 0027 图5是示出根据本公。

18、开一个实施例的阵列基板在图2中的方框E处的局部放大图； 0028 图6是示出根据本公开一个实施例的阵列基板在图2中的方框F处的局部放大图； 0029 图7是示出根据本公开一个实施例的阵列基板在图2中的方框G处的局部放大图。 0030 应当明白， 附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。 此外， 相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。 具体实施方式 0031 现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。 对示例性实施例的描述 仅仅是说明性的， 决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。 本公开可以以许多不同 的形式实现， 不限于这里所述的实施例。 提供这些实施例是为。

19、了使本公开透彻且完整， 并且 向本领域技术人员充分表达本公开的范围。 应注意到： 除非另外具体说明， 否则在这些实施 例中阐述的部件和步骤的相对布置、 材料的组分、 数字表达式和数值应被解释为仅仅是示 例性的， 而不是作为限制。 0032 本公开中使用的 “第一” 、“第二” 以及类似的词语并不表示任何顺序、 数量或者重 要性， 而只是用来区分不同的部分。“包括” 或者 “包含” 等类似的词语意指在该词前的要素 涵盖在该词后列举的要素， 并不排除也涵盖其他要素的可能。“上” 、“下” 、“左” 、“右” 等仅用 于表示相对位置关系， 当被描述对象的绝对位置改变后， 则该相对位置关系也可能相应地。

20、 改变。 0033 在本公开中， 当描述到特定器件位于第一器件和第二器件之间时， 在该特定器件 与第一器件或第二器件之间可以存在居间器件， 也可以不存在居间器件。 当描述到特定器 件连接其它器件时， 该特定器件可以与所述其它器件直接连接而不具有居间器件， 也可以 不与所述其它器件直接连接而具有居间器件。 0034 本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通 技术人员理解的含义相同， 除非另外特别定义。 还应当理解， 在诸如通用字典中定义的术语 应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义， 而不应用理想化或 极度形式化的意义来解释， 除非这里明确地这。

21、样定义。 0035 对于相关领域普通技术人员已知的技术、 方法和设备可能不作详细讨论， 但在适 当情况下， 所述技术、 方法和设备应当被视为说明书的一部分。 0036 图1是示出相关技术中的阵列基板的像素的结构俯视图。 该阵列基板为液晶显示 屏的阵列基板。 0037 如图1所示， 为了改善液晶显示面板的色偏问题， 在相关技术中采用1P2D架构的双 畴电极结构。 本公开的发明人发现， 在相关技术中， 为了减小Trace mura(痕迹不均)的问 题， 在像素的边缘区域采用了拐角设计(如图1的位置A处所示)， 但是这样的设计使得该区 域形成不均匀电场， 从而形成不均匀暗区， 降低了液晶光效， 进而。

22、降低显示效果。 说明书 3/7 页 6 CN 111610677 A 6 0038 鉴于此， 本公开的实施例提供一种用于液晶显示屏的阵列基板， 从而降低像素的 边缘区域的拐角设计对显示效果的不良影响。 0039 图2是示出根据本公开一个实施例的用于液晶显示屏的阵列基板的俯视图。 图3是 示出根据本公开一个实施例的阵列基板沿着图2所示的线C-C 截取的结构的截面示意图。 图4是示出根据本公开一个实施例的阵列基板沿着图2所示的线D-D 截取的结构的截面示 意图。 图5是示出根据本公开一个实施例的阵列基板在图2中的方框E处的局部放大图。 图6 是示出根据本公开一个实施例的阵列基板在图2中的方框F处的。

23、局部放大图。 图7是示出根 据本公开一个实施例的阵列基板在图2中的方框G处的局部放大图。 0040 需要说明的是， 为了方便示出本公开实施例的主要特征， 本公开实施例的俯视图 (例如图2、 图5、 图6和图7)并没有示出所有层的结构。 本领域技术人员结合截面图， 能够理 解这些俯视图中各个层的结构关系。 0041 下面结合图2至图7详细描述根据本公开一些实施例的阵列基板的结构。 0042 如图2和图3所示， 该阵列基板包括衬底基板100。 例如， 该衬底基板可以包括玻璃 衬底或树脂衬底等。 0043 如图2、 图3和图6所示， 该阵列基板还包括在衬底基板100的一侧且沿着第一方向X 延伸的栅极。

24、线110。 例如， 该栅极线110(图3中未示出)与薄膜晶体管的栅极112(后面将描 述)处于同一层。 在一些实施例中， 该栅极线110可以与该栅极112一体形成。 例如， 该栅极线 的材料可以包括诸如钼、 铝或铜等金属。 0044 如图3所示， 该阵列基板还包括覆盖栅极线110的第一绝缘层113。 例如该第一绝缘 层113的材料可以包括氧化硅或氮化硅等。 0045 如图2和图4所示， 该阵列基板还包括在第一绝缘层113的远离衬底基板100一侧的 数据线210。 例如， 该数据线210可以与薄膜晶体管的第一电极和第二电极(后面将描述)通 过同一构图工艺形成。 如图2所示， 该数据线210大体上。

25、沿着与第一方向X相垂直的方向Y(可 以称为第六方向)延伸。 本领域技术人员可以理解， 该数据线210可以不完全沿着第六方向Y 延伸。 例如， 由于该数据线210存在弯折部分， 因此， 该数据线210的延伸方向可以偏离方向 Y， 但是可以将数据线整体看作沿着第六方向Y延伸。 如图2所示， 数据线210与栅极线110限 定多个像素区域190。 每个像素区域对应一个像素。 0046 如图2和图4所示， 该阵列基板还包括覆盖数据线210的第二绝缘层121。 例如， 该第 二绝缘层121的材料可以包括氧化硅或氮化硅等。 0047 如图2和图4所示， 该阵列基板还包括在第二绝缘层121的远离数据线210一。

26、侧的公 共电极3。 该公共电极3包括对应于多个像素区域190的多个部分35。 每个部分35包括多个条 状电极130。 该多个条状电极130中相邻的条状电极之间具有狭缝135。 0048 如图7所示， 每个条状电极130包括沿着第二方向延伸的第一主体部131、 沿着第三 方向延伸的第二主体部132、 沿着第四方向延伸的第一连接部133、 和沿着第五方向延伸的 第二连接部134。 该第二方向、 第三方向、 第四方向和第五方向均不相同。 第一主体部131与 第一连接部133连接。 第二主体部132与第二连接部134连接。 第一连接部133与第二连接部 134连接。 第一连接部133与第二连接部134。

27、形成第一夹角 1。 例如， 该第一夹角小于180 。 如 图2和图5所示， 第一主体部131包括第一拐角端部231。 0049 如图2、 图3和图5所示， 该阵列基板还包括与栅极线110处于同一层且沿着第一方 说明书 4/7 页 7 CN 111610677 A 7 向X延伸的金属导线103。 例如， 该金属导线103的材料与栅极线的材料相同。 第一拐角端部 231在衬底基板100上的正投影超出金属导线103在衬底基板100上的正投影。 0050 这里需要说明的是， 这里的 “超出” 是指金属导线在衬底基板上的正投影并没有完 全覆盖第一拐角端部在衬底基板上的正投影。 如图5所示， 金属导线10。

28、3在衬底基板100上的 正投影覆盖了第一主体部131中与第一拐角端部231连接的部分在衬底基板100上的正投影 的一部分和第一拐角端部231在衬底基板100上的正投影的一部分。 第一拐角端部231在衬 底基板100上的正投影的剩余部分与金属导线103在衬底基板100上的正投影没有重叠， 而 且该剩余部分位于金属导线103在衬底基板100上的正投影远离第一夹角 1的一侧。 0051 在一些实施例中， 如图5所示， 在公共电极中， 不同的第一拐角端部231可以通过第 三连接部252连接。 例如， 该第一拐角端部231与该第三连接部252一体形成。 0052 在一些实施例中， 如图5所示， 第一拐角。

29、端部231与第一方向X所形成的第二夹角 2 的角度为40 至50 。 例如， 该第二夹角 2的角度可以为45 。 0053 至此， 提供了根据本公开一些实施例的用于液晶显示屏的阵列基板。 在上面的描 述中， 该阵列基板包括： 衬底基板、 栅极线、 第一绝缘层、 数据线、 第二绝缘层、 公共电极和金 属导线。 该公共电极包括对应于多个像素区域的多个部分。 每个部分包括多个条状电极。 所 述多个条状电极中相邻的条状电极之间具有狭缝。 每个条状电极包括沿着第二方向延伸的 第一主体部、 沿着第三方向延伸的第二主体部、 沿着第四方向延伸的第一连接部、 和沿着第 五方向延伸的第二连接部。 第一主体部与第一。

30、连接部连接， 第二主体部与第二连接部连接， 第一连接部与第二连接部连接。 第一连接部与第二连接部形成第一夹角。 第一主体部包括 第一拐角端部。 第一拐角端部在衬底基板上的正投影超出金属导线在衬底基板上的正投 影。 这样可以使得由第一拐角端部导致的不均匀暗区尽量远离像素区域。 例如可以使得该 不均匀暗区尽量进入黑色矩阵覆盖的区域以内。 因此， 上述实施例可以降低像素的边缘区 域的拐角设计对显示效果的不良影响， 提高了液晶显示器的显示效果。 0054 此外， 本公开的发明人还发现， 由于在相关技术中采用1P2D架构的像素结构， 这样 在像素的中间区域形成一个拐角区域(如图1中的位置B处所示)。 由。

31、于该拐角区域的液晶分 子受到电场作用时会朝向不同方向偏转， 从而也容易形成一个暗区， 进而降低显示效果。 0055 鉴于此， 本公开的发明人提出， 在本公开的一些实施例中， 条状电极130的宽度与 狭缝135的宽度的比例范围可以为0.3至0.7。 例如， 该宽度比例可以为0.4或0.5等。 在这样 的宽度比例范围的情况下， 可以增加狭缝的数量， 从而可以提升阵列基板的整体光效(即光 透过率)， 从而可以减小上述暗区对显示效果的不良影响， 从而提高显示效果。 0056 在一些实施例中， 如图7所示， 条状电极130的宽度W1的范围为2微米W12.8微米。 例如， 条状电极130的宽度可以为2.0。

32、微等。 在一些实施例中， 如图7所示， 狭缝的宽度W2的范 围为4微米W25.8微米。 例如， 狭缝的宽度可以为5.2微米、 4.4微米或4.0微米等。 0057 在一些实施例中， 如图7所示， 第一连接部133和第二连接部134在与第一方向相垂 直的方向Y上的投影长度之和H1(例如可以称为第一连接部133和第二连接部134的高度之 和)的范围为3.9微米H15.9微米。 例如， 该投影长度之和H1可以为3.9微米或4.8微米等。 通过减小第一连接部133和第二连接部134的高度之和， 减小了在电极中间区域的暗区， 从 而提升液晶的光效。 0058 例如， 在一些实施例中， 条状电极130的宽。

33、度被设计为2.0微米， 狭缝135的宽度被 说明书 5/7 页 8 CN 111610677 A 8 设计为5.2微米。 这样相比相关技术中的每个像素的狭缝数量， 这样的设计可以增加一条狭 缝， 这样可以提升液晶显示屏的整体光效。 另外， 将条状电极的中间拐角处的尺寸H1从相关 技术中的5.9微米调整为3.9微米， 可以提升像素在中间拐角位置处的光效。 另外， 将像素边 缘处的拐角(例如第一拐角)向外拉伸2.5微米， 可以提升像素在边缘位置的光效。 0059 又例如， 在另一些实施例中， 条状电极130的宽度被设计为2.0微米， 狭缝135的宽 度被设计为4.4微米。 相比相关技术中的每个像素。

34、的狭缝数量， 这样的设计可以增加两条狭 缝， 这样可以提升液晶显示屏的整体光效。 另外， 将条状电极的中间拐角处的尺寸H1从相关 技术中的5.9微米调整为4.8微米， 可以提升像素在中间拐角位置处的光效。 另外， 将像素边 缘处的拐角(例如第一拐角)向外拉伸2.5微米， 可以提升像素在边缘位置的光效。 0060 再例如， 在另一些实施例中， 条状电极130的宽度被设计为2.0微米， 狭缝135的宽 度被设计为4.0微米。 相比相关技术中的每个像素的狭缝数量， 这样的设计可以增加两条狭 缝， 这样可以提升液晶显示屏的整体光效。 另外， 将条状电极的中间拐角处的尺寸H1从相关 技术中的5.9微米调。

35、整为3.9微米， 可以提升像素在中间拐角位置处的光效。 另外， 将像素边 缘处的拐角(例如第一拐角)向外拉伸2.5微米， 并优化倾角， 可以提升像素在边缘位置的光 效。 0061 在一些实施例中， 如图7所示， 第一连接部133与第二连接部134连接的部分的内侧 具有内凹图案311， 且第一连接部133与第二连接部134连接的部分的外侧具有外凸图案 312。 这里， 内侧是指第一连接部与第二连接部连接的部分的夹角小于180 的一侧， 外侧是 指第一连接部与第二连接部连接的部分的夹角大于180 的一侧。 例如， 内凹图案311的面积 与外凸图案312的面积相等。 又例如， 内凹图案311的形状与。

36、外凸图案312的形状相同。 当然， 本领域技术人员可以理解， 内凹图案311的面积与外凸图案312的面积也可以不相等， 内凹 图案311的形状与外凸图案312的形状也可以不相同。 在该实施例中， 在电极的中间拐角位 置实现了补偿设计。 这样可以尽量防止条状电极较细引起的断开(Open)问题， 而且优化了 拐角的尖锐度， 减小Trace mura问题的发生。 0062 在一些实施例中， 如图7所示， 内凹图案311沿着第一方向X的长度(不包括内凹图 案的尖端部分)L1的范围为0.5微米L12微米。 内凹图案311沿着第六方向Y的长度L2的范 围为0.5微米L22微米。 外凸图案312沿着第一方向。

37、X的长度(不包括外凸图案的尖端部 分)L3的范围为0.5微米L32微米。 0063 回到图2和图3， 在一些实施例中， 该阵列基板还可以包括： 与栅极线110处于同一 层的栅极112。 该栅极112与栅极线110电连接。 第一绝缘层113还覆盖栅极112。 例如， 栅极 112的材料可以包括诸如钼、 铝或铜等金属。 0064 在一些实施例中， 如图2、 图3和图4所示， 该阵列基板还可以包括： 在第一绝缘层 113的远离衬底基板100一侧的有源层114和像素电极46。 该有源层114与像素电极46隔离 开。 例如， 该有源层114的材料可以包括多晶硅或非晶硅等半导体材料。 0065 在一些实施。

38、例中， 如图2和图3所示， 该阵列基板还可以包括： 在有源层114的远离 第一绝缘层113的一侧的第一电极(例如源极)115和第二电极(例如漏极)116。 第一电极115 和第二电极116均与有源层114电连接。 第二绝缘层121还覆盖第一电极115、 第二电极116、 有源层114和像素电极46。 例如， 第一电极115可以与数据线210电连接。 在一些实施例中， 第 一电极115和第二电极116的材料可以包括钼或铝等金属。 说明书 6/7 页 9 CN 111610677 A 9 0066 在一些实施例中， 如图2和图6所示， 第二主体部132可以包括第二拐角端部232。 第 二电极116。

39、在衬底基板100上的正投影覆盖部分条状电极130的第二拐角端部232在衬底基 板上的正投影的至少一部分。 或者说， 第二电极116在衬底基板100上的正投影与部分条状 电极130的第二拐角端部232在衬底基板上的正投影的至少一部分重叠。 这样相当于将第二 拐角端部向远离第一夹角 1的方向拉伸， 从而减小由于第二拐角端部导致的暗区对显示效 果的不良影响， 提升显示效果。 0067 在一些实施例中， 如图6所示， 在公共电极中， 不同的第二拐角端部232可以通过第 四连接部254连接。 0068 在一些实施例中， 如图6所示， 第二拐角端部232与第一方向X所形成的第三夹角 3 的角度为40 至5。

40、0 。 例如， 第三夹角 3的角度可以为45 。 0069 在一些实施例中， 如图2、 图3和图4所示， 该阵列基板还可以包括覆盖公共电极的 第一取向层141、 在第一取向层141远离公共电极一侧的液晶层150和在液晶层150远离第一 取向层141一侧的第二取向层142。 0070 在一些实施例中， 如图2、 图3和图4所示， 该阵列基板还可以包括在第二取向层142 远离液晶层150一侧的黑色矩阵层160。 该黑色矩阵层160在衬底基板100上的正投影覆盖第 一拐角端部231和第一主体部131的与该第一拐角端部231邻接的一部分在衬底基板上的正 投影。 或者说， 该黑色矩阵层160在衬底基板1。

41、00上的正投影与第一拐角端部231和第一主体 部131的与该第一拐角端部231邻接的一部分在衬底基板上的正投影重叠。 0071 在一些实施例中， 如图5所示， 第一主体部131的与第一拐角端部231邻接的所述一 部分沿着第二方向的长度L0的范围为0L02.5微米。 这样可以实现将第一主体部131向远 离第一夹角的方向拉伸， 从而使得第一拐角端部231尽量远离像素区域， 减小由该第一拐角 端部导致的暗区对显示效果的不良影响。 0072 在一些实施例中， 如图3和图4所示， 该阵列基板还可以包括覆盖在黑色矩阵层160 和第二取向层142上的彩膜层170。 0073 在本公开的一些实施例中， 还提供。

42、了一种显示装置。 该显示装置包括如前所述的 阵列基板。 例如， 该显示装置可以为： 显示面板、 手机、 平板电脑、 电视机、 显示器、 笔记本电 脑、 数码相框、 导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。 0074 至此， 已经详细描述了本公开的各实施例。 为了避免遮蔽本公开的构思， 没有描述 本领域所公知的一些细节。 本领域技术人员根据上面的描述， 完全可以明白如何实施这里 公开的技术方案。 0075 虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明， 但是本领域的技 术人员应该理解， 以上示例仅是为了进行说明， 而不是为了限制本公开的范围。 本领域的技 术人员应该理解， 可在不脱离本公开的范围和精神的情况下， 对以上实施例进行修改或者 对部分技术特征进行等同替换。 本公开的范围由所附权利要求来限定。 说明书 7/7 页 10 CN 111610677 A 10 图1 说明书附图 1/5 页 11 CN 111610677 A 11 图2 说明书附图 2/5 页 12 CN 111610677 A 12 图3 图4 说明书附图 3/5 页 13 CN 111610677 A 13 图5 图6 说明书附图 4/5 页 14 CN 111610677 A 14 图7 说明书附图 5/5 页 15 CN 111610677 A 15 。