掩膜板及其应用方法、封装层的制备方法.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010424943.2 (22)申请日 2020.05.19 (71)申请人 武汉华星光电半导体显示技术有限 公司 地址 430079 湖北省武汉市东湖新技术开 发区高新大道666号光谷生物创新园 C5栋305室 (72)发明人 王衣可龚建国 (74)专利代理机构 深圳紫藤知识产权代理有限 公司 44570 代理人 刁文魁 (51)Int.Cl. C23C 14/04(2006.01) H01L 51/52(2006.01) H01L 51/56(2006.01) (54)。

2、发明名称 一种掩膜板及其应用方法、 封装层的制备方 法 (57)摘要 本发明涉及掩膜板及其应用方法、 封装层的 制备方法， 第一区域的掩膜板的重力与外界应力 之和小于第二区域的掩膜板的重力， 第一区域的 掩膜板的重力与外界应力之和大于第三区域的 掩膜板的重力， 第二区域的掩膜板承受的力最 大， 第一区域的掩膜板产生较小的形变量， 近似 无形变， 增大第一区域的掩膜板与玻璃基板之间 的贴合面积， 减小掩膜板边缘处形变区域的宽 度。 第二区域、 第三区域的掩膜板向上翘曲， 第三 区域的形变量大于第二区域的形变量， 进而减小 掩膜板边缘处形变区域与玻璃基板的距离， 由此 减小掩膜板边缘处与玻璃基板之。

3、间形成的缺口， 减少镀膜时进入缺口的材料， 减小镀膜时产生阴 影的面积， 提高镀膜的膜厚匀一性， 提升封装层 的可靠性。 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 CN 111621742 A 2020.09.04 CN 111621742 A 1.一种掩膜板， 其特征在于， 包括： 第一区域； 第二区域， 环绕所述第一区域； 以及 第三区域， 环绕所述第二区域； 其中， 所述第二区域的厚度大于所述第一区域的厚度； 所述第一区域的厚度大于所述第三区域的厚度。 2.根据权利要求1所述的掩膜板， 其特征在于， 所述第一区域的厚度与所述第二区域的厚度的比值为0.5-0.7。 3.根据权利要求1所述的掩膜。

4、板， 其特征在于， 所述第三区域的厚度与所述第二区域的厚度的比值为0.3-0.4。 4.根据权利要求1所述的掩膜板， 其特征在于， 所述第二区域为环形。 5.一种掩膜板的应用方法， 其特征在于， 包括如下步骤： 在一衬底上设置如权利要求1-4中任一项所述的掩膜板， 在所述衬底及所述掩模板上方沉积无机层； 以及 移除所述掩模板。 6.根据权利要求5所述的掩膜板的应用方法， 其特征在于， 所述衬底包括玻璃基板或有 机层。 7.一种封装层的制备方法， 其特征在于， 包括如下步骤： 在一玻璃基板上表面制备第一无机层， 具体包括如下步骤： 在一玻璃基板上设置如权利要求1-4中任一项所述的掩膜板， 在所述。

5、玻璃基板及所述掩模板上方沉积第一无机层； 以及 移除所述掩模板。 8.根据权利要求7所述的封装层的制备方法， 其特征在于， 还包括如下步骤： 在所述第一无机层上表面制备有机层。 9.根据权利要求8所述的封装层的制备方法， 其特征在于， 还包括如下步骤： 在所述有机层上表面制备第二无机层。 10.根据权利要求9所述的封装层的制备方法， 其特征在于， 所述第二无机层的制备步骤， 具体包括如下步骤： 在所述有机层上设置如权利要求1-4中任一项所述的掩膜板， 在所述有机层及所述掩模板上方沉积第二无机层； 移除所述掩模板。 权利要求书 1/1 页 2 CN 111621742 A 2 一种掩膜板及其应用。

6、方法、 封装层的制备方法 技术领域 0001 本发明涉及显示技术领域， 具体涉及一种掩膜板及其应用方法、 封装层的制备方 法。 背景技术 0002 显示装置可以把计算机的数据变换成各种文字、 数字、 符号或直观的图像显示出 来， 并且可以利用键盘等输入工具把命令或数据输入计算机， 借助系统的硬件和软件随时 增添、 删改、 变换显示内容。 显示装置根据所用之显示器件分为等离子、 液晶、 发光二极管和 阴极射线管等类型。 0003 有机发光显示装置(英文全称： Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)又称 为有机电激光显示装置、 有机发光半导体。 OLED的工作原理。

7、是： 当电力供应至适当电压时， 正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合， 在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激 发态的激子(电子-空穴对)， 而此激发态在通常的环境中是不稳定的， 激发态的激子复合并 将能量传递给发光材料， 使其从基态能级跃迁为激发态， 激发态能量通过辐射驰豫过程产 生光子， 释放出光能， 产生光亮， 依其配方不同产生红、 绿和蓝RGB三基色， 构成基本色彩。 0004 OLED具有电压需求低、 省电效率高、 反应快、 重量轻、 厚度薄， 构造简单， 成本低、 广 视角、 几乎无穷高的对比度、 较低耗电、 极高反应速度等优点， 已经成为当今最重要的显示 技术之一。 0005 。

8、OLED结构中的膜层， 对氧气及水分十分敏感， 极其容易失效， 所以在OLED结构中采 用薄膜封装技术进行封装， 用以阻隔水氧， 从而避免器件损伤。 薄膜封装技术中常掩膜板制 备膜层。 0006 如图1所示， 由于现有掩膜板100的厚度一致， 整个掩膜板上的重力相同， 在中心处 的应力作用下， 掩膜板的两端会产生翘曲， 形成近似于V型的形变， 由此会导致掩膜板100与 其下的玻璃基板200在镀膜有效区101的边缘处的间距较大， 掩膜板边缘处与玻璃基板之间 形成缺口， 在镀膜时会有材料进入缺口， 导致镀膜时产生阴影现象， 造成膜厚不均匀， 影响 封装层的封装性能。 因此， 需要寻求一种新型的掩膜。

9、板以解决上述问题。 发明内容 0007 本发明的目的是提供一种掩膜板、 封装层的制备方法、 显示装置， 其能够解决现有 的掩膜板镀膜中存在掩膜板产生翘曲形变， 导致掩膜板与玻璃基板在镀膜有效区边缘处的 间距过大， 导致镀膜产生阴影现象、 膜厚不均匀、 影响封装性能等问题。 0008 为了解决上述问题， 本发明提供了一种掩膜板， 其包括： 第一区域； 第二区域， 环绕 所述第一区域； 以及第三区域， 环绕所述第二区域； 其中， 所述第二区域的厚度大于所述第 一区域的厚度； 所述第一区域的厚度大于所述第三区域的厚度。 0009 进一步的， 其中所述第一区域的厚度与所述第二区域的厚度的比值为0.5-。

10、0.7。 0010 进一步的， 其中所述第三区域的厚度与所述第二区域的厚度的比值为0.3-0.4。 说明书 1/5 页 3 CN 111621742 A 3 0011 进一步的， 其中所述第二区域为环形。 0012 为了解决上述问题， 本发明提供了一种掩膜板的应用方法， 其包括如下步骤： 在一 衬底上设置本发明所涉及的掩膜板， 在所述衬底及所述掩模板上方沉积无机层； 移除所述 掩模板。 0013 进一步的， 其中所述衬底包括玻璃基板或有机层。 0014 为了解决上述问题， 本发明提供了一种封装层的制备方法， 其包括如下步骤： 在一 玻璃基板上表面制备第一无机层， 具体包括如下步骤： 在一玻璃基。

11、板上设置本发明所涉及 的掩膜板， 在所述玻璃基板及所述掩模板上方沉积第一无机层； 移除所述掩模板。 0015 进一步的， 其中所述封装层的制备方法还包括如下步骤： 在所述第一无机层上表 面制备有机层。 0016 进一步的， 其中所述封装层的制备方法还包括如下步骤： 在所述有机层上表面制 备第二无机层。 0017 进一步的， 其中所述第二无机层的制备步骤， 具体包括如下步骤： 在所述有机层上 设置本发明所涉及的掩膜板， 在所述有机层及所述掩模板上方沉积第二无机层； 移除所述 掩模板。 0018 本发明的优点是： 本发明涉及掩膜板及其应用方法、 封装层的制备方法， 将掩膜板 划分为第一区域、 第二。

12、区域以及第三区域， 且第二区域的厚度大于第一区域的厚度； 第一区 域的厚度大于第三区域的厚度。 通过改变第一区域、 第二区域以及第三区域的掩膜板厚度， 改变对应区域的掩膜板自身重力， 使得第一区域的掩膜板的重力与外界应力之和小于第二 区域的掩膜板的重力， 第一区域的掩膜板的重力与外界应力之和大于第三区域的掩膜板的 重力， 使得第二区域的掩膜板承受的力最大， 使得第一区域的掩膜板产生较小的形变量， 近 似无形变， 从而增大第一区域的掩膜板与玻璃基板之间的贴合面积， 减小掩膜板边缘处形 变区域的宽度。 第二区域、 第三区域的掩膜板向上翘曲， 第三区域的形变量大于第二区域的 形变量， 进而使得掩膜板。

13、边缘处形变区域与玻璃基板的距离减小。 由于掩膜板边缘处形变 区域的宽度减小， 形变区域与玻璃基板的距离减小， 因此， 掩膜板边缘处与玻璃基板之间形 成的缺口变小， 在镀膜时进入缺口的材料会更少， 减小镀膜时产生阴影面积， 提高镀膜的膜 厚匀一性， 提升封装层的可靠性。 附图说明 0019 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案， 下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例， 对于 本领域技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的附 图。 0020 图1为现有技术中的掩膜板在重力作用下与玻璃基板的。

14、贴合示意图。 0021 图2为本发明的掩膜板的平面示意图。 0022 图3为本发明的掩膜板第一区域的放大图。 0023 图4为本发明的掩膜板在重力作用下与玻璃基板的贴合示意图。 0024 图5为本发明的封装层的制备方法步骤图。 0025 图6为气相沉积法制备封装层的结构示意图。 说明书 2/5 页 4 CN 111621742 A 4 0026 图中部件标识如下： 0027 100、 现有技术的掩膜板 200、 玻璃基板 0028 101、 有效区 0029 1、 本发明的掩膜板 2、 玻璃基板 0030 3、 载台 0031 11、 第一区域 12、 第二区域 0032 13、 第三区域 1。

15、11、 有效区 具体实施方式 0033 以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例， 以向本领域中的技术人员完 整介绍本发明的技术内容， 以举例证明本发明可以实施， 使得本发明公开的技术内容更加 清楚， 使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。 然而本发明可以通过许多不同 形式的实施例来得以体现， 本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例， 下文实施例 的说明并非用来限制本发明的范围。 0034 本发明所提到的方向用语， 例如 上 、下 、前 、后 、左 、右 、内 、外 、 侧面 等， 仅是附图中的方向， 本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明， 而不是用 来限定本发明的保护范。

16、围。 0035 在附图中， 结构相同的部件以相同数字标号表示， 各处结构或功能相似的组件以 相似数字标号表示。 此外， 为了便于理解和描述， 附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意 示出的， 本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。 0036 当某些组件， 被描述为 “在” 另一组件 “上” 时， 所述组件可以直接置于所述另一组 件上； 也可以存在一中间组件， 所述组件置于所述中间组件上， 且所述中间组件置于另一组 件上。 当一个组件被描述为 “安装至” 或 “连接至” 另一组件时， 二者可以理解为直接 “安装” 或 “连接” ， 或者一个组件通过一中间组件 “安装至” 或 “连接至” 另一个组件。

17、。 0037 实施例 0038 如图2所示， 本实施例提供了一种掩膜板1， 其包括： 第一区域11、 第二区域12以及 第三区域13。 0039 如图2、 图3所示， 第一区域11包括有效区111， 所述有效区即镀膜安全区。 0040 如图2所示， 第二区域12环绕所述第一区域11， 其中所述第二区域12的形状为环 形。 0041 如图2所示， 第三区域13环绕所述第二区域12。 0042 如图2、 图4所示， 其中， 所述第二区域12的厚度大于所述第一区域11的厚度， 且所 述第一区域11的厚度大于所述第三区域13的厚度。 0043 其中， 所述第一区域11的厚度与所述第二区域12的厚度的比。

18、值为0.5-0.7， 本实施 例优选所述第一区域11的厚度与所述第二区域12的厚度的比值为0.6。 0044 其中， 所述第三区域13的厚度与所述第二区域12的厚度的比值为0.3-0.4， 本实施 例优选所述第三区域13的厚度与所述第二区域12的厚度的比值为0.4。 0045 综上， 通过改变第一区域11、 第二区域12以及第三区域13的掩膜板1厚度， 改变对 应区域的掩膜板1自身重力， 使得第一区域11的掩膜板1的重力与外界应力之和小于第二区 说明书 3/5 页 5 CN 111621742 A 5 域12的掩膜板1的重力， 第一区域11的掩膜板1的重力与外界应力之和大于第三区域13的掩 膜。

19、板1的重力， 使得第二区域12的掩膜板1承受的力最大。 第一区域11的掩膜板1产生较小的 形变量， 近似无形变， 从而增大第一区域11的掩膜板1与玻璃基板2之间的贴合面积， 减小掩 膜板1边缘处形变区域的宽度。 0046 第二区域12、 第三区域13的掩膜板向上翘曲， 第三区域13的形变量大于第二区域 12的形变量， 进而使得掩膜板1边缘处形变区域与玻璃基板的距离减小。 0047 由于掩膜板1边缘处形变区域的宽度减小， 形变区域与玻璃基板的距离减小， 因 此， 掩膜板1边缘处与玻璃基板之间形成的缺口变小， 在镀膜时进入缺口的材料会更少， 使 得镀膜时产生阴影面积明显减小， 使得镀膜的膜厚更加均。

20、匀， 提升封装层的可靠性。 0048 本实施例还提供了一种掩膜板1的应用方法， 其包括如下步骤： 在一衬底上设置所 述掩膜板1， 在所述衬底及所述掩模板上方沉积无机层； 移除所述掩模板1。 0049 其中所述衬底包括玻璃基板或有机层。 0050 由于掩膜板1改变第一区域11、 第二区域12以及第三区域13的掩膜板厚度， 改变对 应区域的掩膜板自身重力， 使得第一区域11的掩膜板的重力与外界应力之和小于第二区域 12的掩膜板的重力， 第一区域11的掩膜板的重力与外界应力之和大于第三区域13的掩膜板 的重力， 使得第二区域12的掩膜板1承受的力最大， 使得第一区域11的掩膜板1产生较小的 形变量，。

21、 近似无形变， 从而增大第一区域11的掩膜板1与玻璃基板2之间的贴合面积， 减小掩 膜板1边缘处形变区域的宽度。 0051 第二区域12、 第三区域13的掩膜板向上翘曲， 第三区域13的形变量大于第二区域 12的形变量， 进而使得掩膜板1边缘处形变区域与玻璃基板的距离减小。 0052 由于掩膜板1边缘处形变区域的宽度减小， 形变区域与玻璃基板的距离减小， 因 此， 掩膜板1边缘处与玻璃基板之间形成的缺口变小， 在镀膜时进入缺口的材料会更少， 使 得镀膜时产生阴影面积明显减小。 本实施例利用所述掩膜板1制备无机层， 能够提高无机层 的膜厚均一性。 0053 如图5所示， 本实施例还提供了一种封装。

22、层的制备方法， 其包括： S1， 在一玻璃基板 2上表面制备第一无机层； S2， 在所述第一无机层上制备有机层； 以及S3， 在所述有机层上制 备第二无机层。 0054 如图6所示， 其中S1中包括： 提供一载台3； 在所述载台3上设置玻璃基板2； 在所述 玻璃基板2上设置所述掩膜板1， 在所述玻璃基板2及所述掩模板1上方沉积第一无机层， 移 除所述掩模板1。 0055 由于掩膜板1改变第一区域11、 第二区域12以及第三区域13的掩膜板厚度， 改变对 应区域的掩膜板自身重力， 使得第一区域11的掩膜板的重力与外界应力之和小于第二区域 12的掩膜板的重力， 第一区域11的掩膜板的重力与外界应力。

23、之和大于第三区域13的掩膜板 的重力， 使得第二区域12的掩膜板1承受的力最大， 使得第一区域11的掩膜板1产生较小的 形变量， 近似无形变， 从而增大第一区域11的掩膜板1与玻璃基板2之间的贴合面积， 减小掩 膜板1边缘处形变区域的宽度。 0056 第二区域12、 第三区域13的掩膜板向上翘曲， 第三区域13的形变量大于第二区域 12的形变量， 进而使得掩膜板1边缘处形变区域与玻璃基板的距离减小。 0057 由于掩膜板1边缘处形变区域的宽度减小， 形变区域与玻璃基板的距离减小， 因 说明书 4/5 页 6 CN 111621742 A 6 此， 掩膜板1边缘处与玻璃基板之间形成的缺口变小， 。

24、在镀膜时进入缺口的材料会更少， 使 得镀膜时产生阴影面积明显减小。 本实施例利用所述掩膜板1制备第一无机层， 能够提高第 一无机层的膜厚均一性， 最终提高封装层的封装性能。 0058 其中S2中采用喷墨打印技术在所述第一无机层上制备有机层。 0059 其中S3中采用气相沉积法在所述有机层上制备第二无机层。 S3中具体包括如下步 骤： 在所述有机层上设置所述掩膜板1， 在所述有机层及所述掩模板1上方沉积第二无机层， 移除所述掩模板1。 0060 由于掩膜板1改变第一区域11、 第二区域12以及第三区域13的掩膜板厚度， 改变对 应区域的掩膜板自身重力， 使得第一区域11的掩膜板的重力与外界应力之。

25、和小于第二区域 12的掩膜板的重力， 第一区域11的掩膜板的重力与外界应力之和大于第三区域13的掩膜板 的重力， 使得第二区域12的掩膜板1承受的力最大， 使得第一区域11的掩膜板1产生较小的 形变量， 近似无形变， 从而增大第一区域11的掩膜板1与玻璃基板2之间的贴合面积， 减小掩 膜板1边缘处形变区域的宽度。 0061 第二区域12、 第三区域13的掩膜板向上翘曲， 第三区域13的形变量大于第二区域 12的形变量， 进而使得掩膜板1边缘处形变区域与玻璃基板的距离减小。 0062 由于掩膜板1边缘处形变区域的宽度减小， 形变区域与玻璃基板的距离减小， 因 此， 掩膜板1边缘处与玻璃基板之间形。

26、成的缺口变小， 在镀膜时进入缺口的材料会更少， 使 得镀膜时产生阴影面积明显减小。 本实施例利用所述掩膜板1制备第二无机层， 能够提高第 二无机层的膜厚均一性， 最终提高封装层的封装性能。 0063 以上对本申请所提供的掩膜板及其应用方法、 封装层的制备方法进行了详细介 绍， 本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述， 以上实施例的说明只 是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想； 本领域的普通技术人员应当理解： 其依 然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改， 或者对其中部分技术特征进行等同替 换； 而这些修改或者替换， 并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的 范围。 说明书 5/5 页 7 CN 111621742 A 7 图1 图2 说明书附图 1/3 页 8 CN 111621742 A 8 图3 图4 说明书附图 2/3 页 9 CN 111621742 A 9 图5 图6 说明书附图 3/3 页 10 CN 111621742 A 10 。