适用于射频器件的外壳及其制造方法.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010729842.6 (22)申请日 2020.07.27 (71)申请人 浙江省东阳市东磁诚基电子有限公 司 地址 322118 浙江省金华市东阳市横店工 业区 （大桥头） (72)发明人 史开金周建平刘恒平 (74)专利代理机构 广州市华学知识产权代理有 限公司 44245 代理人 张金刚 (51)Int.Cl. H01P 1/38(2006.01) H01P 11/00(2006.01) (54)发明名称 一种适用于射频器件的外壳及其制造方法 (57)摘要 本发明公。

2、开了一种适用于射频器件的外壳， 包括外壳本体， 外壳本体的底部设置有若干个向 内的凹槽， 相邻凹槽之间设有腔体壁， 腔体壁的 上部设有用于避开横向挤压力的圆弧形折耳； 本 发明还公开了一种适用于射频器件的外壳的制 造方法。 本发明将现有技术中的垂直折耳设置成 圆弧形折耳， 圆弧形折耳上设有两个半圆部， 通 过两个半圆部来释放或平缓过度两个受力点的 力度， 从而避免折耳裂开导致漏铜问题； 本发明 外壳本体的上部空间大， 底部空间小， 通过释放 上部磁场空间， 减少因磁场对输入正旋波的干 扰， 避免非线性负载导致的谐波。 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 CN 111697298 A 2020。

3、.09.22 CN 111697298 A 1.一种适用于射频器件的外壳， 其特征在于： 包括外壳本体(1)， 外壳本体(1)的底部设 置有若干个向内的凹槽(2)， 相邻凹槽(2)之间设有腔体壁(3)， 腔体壁(3)的上部设有用于 避开横向挤压力的圆弧形折耳(4)。 2.根据权利要求1所述的适用于射频器件的外壳， 其特征在于： 所述外壳本体(1)的底 部为圆形结构， 若干个凹槽(2)均布在外壳本体(1)底部的四周。 3.根据权利要求2所述的适用于射频器件的外壳， 其特征在于： 所述凹槽(2)设有三个。 4.根据权利要求3所述的适用于射频器件的外壳， 其特征在于： 所述圆弧形折耳(4)包 括折耳。

4、本体(41)， 折耳本体(41)中部为第一半圆部(42)， 折耳本体(41)底部为第二半圆部 (43)； 以外壳本体(1)为中心参考点， 第一半圆部(42)方向向外， 第二半圆部(43)方向向内。 5.根据权利要求4所述的适用于射频器件的外壳， 其特征在于： 所述第一半圆部(42)的 半径大于第二半圆部(43)的半径。 6.根据权利要求1所述的适用于射频器件的外壳， 其特征在于： 所述腔体壁(3)与圆弧 形折耳(4)为一体成型结构。 7.根据权利要求2所述的适用于射频器件的外壳， 其特征在于： 所述外壳本体(1)的半 径从上到下依次减小。 8.根据权利要求7所述的适用于射频器件的外壳， 其特征。

5、在于： 所述外壳本体(1)顶部 的半径比底部的半径大0.02mm。 9.根据权利要求1-8任一项所述的适用于射频器件的外壳的制造方法， 其特征在于， 包 括以下步骤： (一)、 取外壳本体(1)， 压造出若干个向内凹槽(2)， 腔体壁(3)上部为圆弧形折耳(4)； (二)、 切屑外壳本体(1)上部的内部， 使外壳本体(1)的半径从上到下依次减小； (三)、 局部调整圆弧形折耳(4)的第一半圆部(42)和第二半圆部(43)； (四)、 制造完成。 10.根据权利要求9所述的适用于射频器件的外壳的制造方法， 其特征在于： 所述外壳 本体(1)的底部为圆形结构， 若干个凹槽(2)均布在外壳本体(1)。

6、底部的四周； 所述凹槽(2) 设有三个； 所述圆弧形折耳(4)包括折耳本体(41)， 折耳本体(41)中部为第一半圆部(42)， 折耳本体(41)底部为第二半圆部(43)； 以外壳本体(1)为中心参考点， 第一半圆部(42)方向 向外， 第二半圆部(43)方向向内； 所述第一半圆部(42)的半径大于第二半圆部(43)的半径； 所述腔体壁(3)与圆弧形折耳(4)为一体成型结构； 所述外壳本体(1)的半径从上到下依次 减小； 所述外壳本体(1)顶部的半径比底部的半径大0.02mm。 权利要求书 1/1 页 2 CN 111697298 A 2 一种适用于射频器件的外壳及其制造方法 技术领域 000。

7、1 本发明属于射频器件的外壳技术领域， 具体涉及一种适用于射频器件的外壳及其 制造方法。 背景技术 0002 随着信息时代的快速发展， 手机和通信基站等高频通信设备成为人们需要的需 求， 且随着5G时代技术的应用， 在硬件设备的小型化及低成本化和性能的稳定性上， 有了更 高的要求， 而应用在其设备上的元器件环形器及隔离器的设计也日趋小型化和低成本以及 性能安定性的要求， 在环形器元器件的成本构成上， 壳体和盖板的材料生产成本及产品组 装成本上占有很大的部分， 同样壳体和盖板组装的安定性也决定了环形器的电气性能是否 稳定， 所以在环形器的设计上， 对壳体和盖板的设计以及组装的设计占有最重要的一部。

8、分。 0003 如图3所示， 目前环形器外壳的折耳采用垂直设计的形式， 外壳与盖板进行铆压 时， 折耳会受盖板的横向挤压力， 导致折耳受力点处开裂， 从而导致铆压后腔体漏铜的问 题。 发明内容 0004 本发明的目的在于提供一种适用于射频器件的外壳， 以解决上述背景技术中提出 的问题。 本发明提供的一种适用于射频器件的外壳， 具有避免折耳开裂， 防止铆压后腔体漏 铜的特点。 0005 本发明另一目的在于提供一种适用于射频器件的外壳的制造方法。 0006 为实现上述目的， 本发明提供如下技术方案： 一种适用于射频器件的外壳， 包括外 壳本体， 外壳本体的底部设置有若干个向内的凹槽， 相邻凹槽之间。

9、设有腔体壁， 腔体壁的上 部设有用于避开横向挤压力的圆弧形折耳。 0007 在本发明中进一步地， 所述外壳本体的底部为圆形结构， 若干个凹槽均布在外壳 本体底部的四周。 0008 在本发明中进一步地， 所述凹槽设有三个。 0009 在本发明中进一步地， 所述圆弧形折耳包括折耳本体， 折耳本体中部为第一半圆 部， 折耳本体底部为第二半圆部； 以外壳本体为中心参考点， 第一半圆部方向向外， 第二半 圆部方向向内。 0010 在本发明中进一步地， 所述第一半圆部的半径大于第二半圆部的半径。 0011 在本发明中进一步地， 所述腔体壁与圆弧形折耳为一体成型结构。 0012 在本发明中进一步地， 所述外。

10、壳本体的半径从上到下依次减小。 0013 在本发明中进一步地， 所述外壳本体顶部的半径比底部的半径大0.02mm。 0014 在本发明中进一步地， 所述的适用于射频器件的外壳的制造方法， 包括以下步骤： 0015 (一)、 取外壳本体， 压造出若干个向内凹槽， 腔体壁上部为圆弧形折耳； 0016 (二)、 切屑外壳本体上部的内部， 使外壳本体的半径从上到下依次减小； 说明书 1/3 页 3 CN 111697298 A 3 0017 (三)、 局部调整圆弧形折耳的第一半圆部和第二半圆部； 0018 (四)、 制造完成。 0019 在本发明中进一步地， 所述的适用于射频器件的外壳的制造方法， 所。

11、述外壳本体 的底部为圆形结构， 若干个凹槽均布在外壳本体底部的四周； 所述凹槽设有三个； 所述圆弧 形折耳包括折耳本体， 折耳本体中部为第一半圆部， 折耳本体底部为第二半圆部； 以外壳本 体为中心参考点， 第一半圆部方向向外， 第二半圆部方向向内； 所述第一半圆部的半径大于 第二半圆部的半径； 所述腔体壁与圆弧形折耳为一体成型结构； 所述外壳本体的半径从上 到下依次减小； 所述外壳本体顶部的半径比底部的半径大0.02mm。 0020 与现有技术相比， 本发明的有益效果是： 0021 1、 本发明将现有技术中的垂直折耳设置成圆弧形折耳， 圆弧形折耳上设有两个半 圆部， 通过两个半圆部来释放或平缓。

12、过度两个受力点的力度， 从而避免折耳裂开导致漏铜 问题； 0022 2、 本发明外壳本体的上部空间大， 底部空间小， 通过释放上部磁场空间， 减少因磁 场对输入正旋波的干扰， 避免非线性负载导致的谐波； 0023 3、 本发明调整前平均谐波为-5.5db左右， 调整后平均谐波未-9db左右， 谐波降低 了40。 附图说明 0024 图1为本发明的结构示意图； 0025 图2为本发明圆弧形折耳的结构示意图； 0026 图3为现有技术中射频器件外壳的结构示意图； 0027 图中： 1、 外壳本体； 2、 凹槽； 3、 腔体壁； 4、 圆弧形折耳； 41、 折耳本体； 42、 第一半圆 部； 43、。

13、 第二半圆部。 具体实施方式 0028 下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完 整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于 本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例， 都属于本发明保护的范围。 0029 实施例1 0030 请参阅图1-2， 本发明提供以下技术方案： 一种适用于射频器件的外壳， 包括外壳 本体1， 外壳本体1的底部设置有若干个向内的凹槽2， 相邻凹槽2之间设有腔体壁3， 腔体壁3 的上部设有用于避开横向挤压力的圆弧形折耳4， 腔体壁3与圆弧形折耳4为。

14、一体成型结构。 0031 进一步地， 外壳本体1的底部为圆形结构， 若干个凹槽2均布在外壳本体1底部的四 周， 凹槽2设有三个。 0032 通过采用上述技术方案， 通过凹槽2的设置便于导电棒的安装。 0033 进一步地， 圆弧形折耳4包括折耳本体41， 折耳本体41中部为第一半圆部42， 折耳 本体41底部为第二半圆部43； 以外壳本体1为中心参考点， 第一半圆部42方向向外， 第二半 圆部43方向向内， 第一半圆部42的半径大于第二半圆部43的半径。 说明书 2/3 页 4 CN 111697298 A 4 0034 通过采用上述技术方案， 通过两个半圆部来释放或平缓过度两个受力点的力度， 。

15、从而避免折耳裂开导致漏铜问题。 0035 实施例2 0036 本实施例与实施例1不同之处在于： 进一步地， 外壳本体1的半径从上到下依次减 小， 外壳本体1顶部的半径比底部的半径大0.02mm。 0037 通过采用上述技术方案， 外壳本体1的上部空间大， 底部空间小， 通过释放上部磁 场空间， 减少因磁场对输入正旋波的干扰， 避免非线性负载导致的谐波； 调整前平均谐波 为-5.5db左右， 调整后平均谐波未-9db左右， 谐波降低了40。 0038 进一步地， 本发明所述的适用于射频器件的外壳的制造方法， 包括以下步骤： 0039 (一)、 取外壳本体1， 压造出若干个向内凹槽2， 腔体壁3上。

16、部为圆弧形折耳4； 0040 (二)、 切屑外壳本体1上部的内部， 使外壳本体1的半径从上到下依次减小； 0041 (三)、 局部调整圆弧形折耳4的第一半圆部42和第二半圆部43； 0042 (四)、 制造完成。 0043 综上所述， 本发明将现有技术中的垂直折耳设置成圆弧形折耳4， 圆弧形折耳4上 设有两个半圆部， 通过两个半圆部来释放或平缓过度两个受力点的力度， 从而避免折耳裂 开导致漏铜问题； 本发明外壳本体1的上部空间大， 底部空间小， 通过释放上部磁场空间， 减 少因磁场对输入正旋波的干扰， 避免非线性负载导致的谐波； 调整前平均谐波为-5.5db左 右， 调整后平均谐波未-9db左右， 谐波降低了40。 0044 尽管已经示出和描述了本发明的实施例， 对于本领域的普通技术人员而言， 可以 理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、 修改、 替换 和变型， 本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。 说明书 3/3 页 5 CN 111697298 A 5 图1 图2 说明书附图 1/2 页 6 CN 111697298 A 6 图3 说明书附图 2/2 页 7 CN 111697298 A 7 。