正极性LED芯片及其制作方法.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010759320.0 (22)申请日 2020.07.31 (71)申请人 扬州乾照光电有限公司 地址 225101 江苏省扬州市下圩河路8号 (72)发明人 徐洲王洪占杭伟吴奇隆 蔡和勋蔡端俊 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 姚璐华 (51)Int.Cl. H01L 33/06(2010.01) H01L 33/12(2010.01) H01L 33/24(2010.01) H01L 33/38(2010.01) H01L 33。

2、/46(2010.01) H01L 33/00(2010.01) (54)发明名称 一种正极性LED芯片及其制作方法 (57)摘要 本发明提供了一种正极性LED芯片及其制作 方法， 外延结构层的四周侧壁为倾斜侧壁， 倾斜 侧壁与外延结构层底面的夹角为锐角， 且覆盖外 延结构层四周侧壁和顶面的第一电极具有第一 镂空区域， 第一镂空区域暴露出外延结构层顶面 的部分区域， 因此， 发光结构层发出的光线可以 从第一镂空区域出射， 并且， 由于第一电极与覆 盖外延结构层四周侧壁的绝缘层构成ODR层， 因 此， 会对发光结构层发射到四周侧壁的光线进行 反射， 此外， 外延结构层中位于其底面的DBR反射 层。

3、也会对发光结构层发出的光线进行反射， 从而 使得发光结构层发出的光线仅从第一镂空区域 出射， 进而使得LED芯片的出光角度较小， 能够满 足精密的对射式光电开关等特殊领域的要求。 权利要求书2页 说明书6页 附图6页 CN 111864018 A 2020.10.30 CN 111864018 A 1.一种正极性LED芯片， 其特征在于， 包括： 衬底； 位于所述衬底正面的外延结构层， 所述外延结构层包括依次位于所述衬底表面的缓冲 层、 发光结构层和窗口层， 所述外延结构层的四周侧壁为倾斜侧壁， 所述倾斜侧壁与所述外 延结构层底面的夹角为锐角； 覆盖所述外延结构层四周侧壁的绝缘层； 覆盖所述外。

4、延结构层四周侧壁和顶面的第一电极， 所述第一电极与所述外延结构层的 顶面欧姆接触， 所述第一电极与所述绝缘层构成ODR层， 所述第一电极具有第一镂空区域， 所述第一镂空区域暴露出所述外延结构层顶面的部分区域， 以使所述发光结构层发出的光 线从所述第一镂空区域出射； 位于所述衬底背面的第二电极。 2.根据权利要求1所述的LED芯片， 其特征在于， 所述倾斜侧壁与所述外延结构层底面 的夹角的范围为大于5 、 小于或等于85 。 3.根据权利要求1所述的LED芯片， 其特征在于， 所述LED芯片具有切割沟道， 所述切割 沟道延伸至所述衬底， 并使所述外延结构层形成倾斜侧壁； 所述绝缘层完全覆盖所述切。

5、割 沟道的底部及所述倾斜侧壁、 部分覆盖所述外延结构层的顶面； 所述外延结构层的顶面与 倾斜侧壁交界处的边缘至少1微米宽度的区域完全被所述绝缘层覆盖。 4.根据权利要求1所述的LED芯片， 其特征在于， 所述镂空区域的形状为圆形、 多边形或 不连续的圆环形。 5.根据权利要求1所述的LED芯片， 其特征在于， 所述第一电极与所述外延结构层的顶 面欧姆接触的区域为第一区域， 所述第一区域与焊线电连接。 6.根据权利要求5所述的LED芯片， 其特征在于， 还包括位于所述第一区域的电极加厚 层， 所述电极加厚层位于所述第一电极和所述焊线之间， 且所述电极加厚层与所述第一电 极和所述焊线电连接。 7.。

6、一种正极性LED芯片的制作方法， 其特征在于， 包括： 在衬底正面形成外延结构层， 所述外延结构层包括依次形成在所述衬底表面的缓冲 层、 发光结构层和窗口层； 沿预设切割沟道对所述外延结构层进行刻蚀， 使不同芯片区域的外延结构层之间形成 切割沟道， 并使所述外延结构层的四周侧壁成为倾斜侧壁， 所述倾斜侧壁与所述外延结构 层底面的夹角为锐角； 在所述外延结构层的四周侧壁形成绝缘层； 在所述外延结构层的四周侧壁和顶面形成第一电极， 并使所述第一电极与所述外延结 构层的顶面形成欧姆接触， 使所述第一电极与所述绝缘层形成ODR层， 其中， 所述第一电极 具有第一镂空区域， 所述第一镂空区域暴露出所述外。

7、延结构层顶面的部分区域， 以使所述 发光结构层发出的光线从所述第一镂空区域出射； 在所述衬底背面形成第二电极； 沿所述切割沟道对所述衬底进行切割， 以形成一个个独立的LED芯片。 8.根据权利要求7所述的方法， 其特征在于， 所述倾斜侧壁与所述外延结构层底面的夹 角的范围为大于5 、 小于或等于85 。 权利要求书 1/2 页 2 CN 111864018 A 2 9.根据权利要求7所述的方法， 其特征在于， 所述切割沟道延伸至所述衬底； 所述绝缘 层完全覆盖所述切割沟道的底部及所述倾斜侧壁、 部分覆盖所述外延结构层的顶面； 所述 外延结构层的顶面与倾斜侧壁交界处的边缘至少1微米宽度的区域完全。

8、被所述绝缘层覆 盖。 10.根据权利要求7所述的方法， 其特征在于， 所述第一电极还具有第二镂空区域， 所述 第二镂空区域与所述切割沟道对应设置， 以使所述第一电极暴露出所述切割沟道。 11.根据权利要求7所述的方法， 其特征在于， 形成第一电极之后， 还包括： 在第一区域表面形成焊线， 所述第一区域为所述第一电极与所述外延结构层的顶面形 成欧姆接触的区域。 12.根据权利要求11所述的方法， 其特征在于， 在形成焊线之前， 还包括： 在所述第一区域表面形成电极加厚层， 以在所述电极加厚层表面形成焊线。 权利要求书 2/2 页 3 CN 111864018 A 3 一种正极性LED芯片及其制作。

9、方法 技术领域 0001 本发明涉及半导体制造技术领域， 更具体地说， 涉及一种正极性LED芯片及其制作 方法。 背景技术 0002 常规的正极性LED芯片的出光面包括芯片的正面和四个侧壁， 也就是说， 常规的正 极性LED芯片为五面出光的芯片。 但是， 在精密的对射式光电开关等特殊领域， 要求LED芯片 的发光角度很小， 且侧壁无杂散光出射， 这就导致常规的正极性LED芯片无法满足其使用要 求。 发明内容 0003 有鉴于此， 本发明提供了一种正极性LED芯片及其制作方法， 以减小正极性LED芯 片的发光角度， 使其满足精密的对射式光电开关等特殊领域的要求。 0004 为实现上述目的， 本发。

10、明提供如下技术方案： 0005 一种正极性LED芯片， 包括： 0006 衬底； 0007 位于所述衬底正面的外延结构层， 所述外延结构层包括依次位于所述衬底表面的 缓冲层、 发光结构层和窗口层， 所述外延结构层的四周侧壁为倾斜侧壁， 所述倾斜侧壁与所 述外延结构层底面的夹角为锐角； 0008 覆盖所述外延结构层四周侧壁的绝缘层； 0009 覆盖所述外延结构层四周侧壁和顶面的第一电极， 所述第一电极与所述外延结构 层的顶面欧姆接触， 所述第一电极与所述绝缘层构成ODR层， 所述第一电极具有第一镂空区 域， 所述第一镂空区域暴露出所述外延结构层顶面的部分区域， 以使所述发光结构层发出 的光线从所。

11、述第一镂空区域出射； 0010 位于所述衬底背面的第二电极。 0011 可选地， 所述倾斜侧壁与所述外延结构层底面的夹角的范围为大于5 、 小于或等 于85 。 0012 可选地， 所述LED芯片具有切割沟道， 所述切割沟道延伸至所述衬底， 并使所述外 延结构层形成倾斜侧壁； 所述绝缘层完全覆盖所述切割沟道的底部及所述倾斜侧壁、 部分 覆盖所述外延结构层的顶面； 所述外延结构层的顶面与倾斜侧壁交界处的边缘至少1微米 宽度的区域完全被所述绝缘层覆盖。 0013 可选地， 所述镂空区域的形状为圆形、 多边形或不连续的圆环形。 0014 可选地， 所述第一电极与所述外延结构层的顶面欧姆接触的区域为第。

12、一区域， 所 述第一区域与焊线电连接。 0015 可选地， 还包括位于所述第一区域的电极加厚层， 所述电极加厚层位于所述第一 电极和所述焊线之间， 且所述电极加厚层与所述第一电极和所述焊线电连接。 说明书 1/6 页 4 CN 111864018 A 4 0016 一种正极性LED芯片的制作方法， 包括： 0017 在衬底正面形成外延结构层， 所述外延结构层包括依次形成在所述衬底表面的缓 冲层、 发光结构层和窗口层； 0018 沿预设切割沟道对所述外延结构层进行刻蚀， 使不同芯片区域的外延结构层之间 形成切割沟道， 并使所述外延结构层的四周侧壁成为倾斜侧壁， 所述倾斜侧壁与所述外延 结构层底面。

13、的夹角为锐角； 0019 在所述外延结构层的四周侧壁形成绝缘层； 0020 在所述外延结构层的四周侧壁和顶面形成第一电极， 并使所述第一电极与所述外 延结构层的顶面形成欧姆接触， 使所述第一电极与所述绝缘层形成ODR层， 其中， 所述第一 电极具有第一镂空区域， 所述第一镂空区域暴露出所述外延结构层顶面的部分区域， 以使 所述发光结构层发出的光线从所述第一镂空区域出射； 0021 在所述衬底背面形成第二电极； 0022 沿所述切割沟道对所述衬底进行切割， 以形成一个个独立的LED芯片。 0023 可选地， 所述倾斜侧壁与所述外延结构层底面的夹角的范围为大于5 、 小于或等 于85 。 0024。

14、 可选地， 所述切割沟道延伸至所述衬底； 所述绝缘层完全覆盖所述切割沟道的底 部及所述倾斜侧壁、 部分覆盖所述外延结构层的顶面； 所述外延结构层的顶面与倾斜侧壁 交界处的边缘至少1微米宽度的区域完全被所述绝缘层覆盖。 0025 可选地， 所述第一电极还具有第二镂空区域， 所述第二镂空区域与所述切割沟道 对应设置， 以使所述第一电极暴露出所述切割沟道。 0026 可选地， 形成第一电极之后， 还包括： 0027 在第一区域表面形成焊线， 所述第一区域为所述第一电极与所述外延结构层的顶 面形成欧姆接触的区域。 0028 可选地， 在形成焊线之前， 还包括： 0029 在所述第一区域表面形成电极加厚。

15、层， 以在所述电极加厚层表面形成焊线。 0030 与现有技术相比， 本发明所提供的技术方案具有以下优点： 0031 本发明所提供的正极性LED芯片及其制作方法， 由于外延结构层的四周侧壁为倾 斜侧壁， 倾斜侧壁与外延结构层底面的夹角为锐角， 且覆盖外延结构层四周侧壁和顶面的 第一电极具有第一镂空区域， 第一镂空区域暴露出外延结构层顶面的部分区域， 因此， 发光 结构层发出的光线可以从第一镂空区域出射， 并且， 由于第一电极与覆盖外延结构层四周 侧壁的绝缘层构成ODR层， 因此， 会对发光结构层发射到四周侧壁的光线进行反射， 此外， 外 延结构层中位于其底面的DBR反射层也会对发光结构层发出的光。

16、线进行反射， 从而使得发 光结构层发出的光线仅从第一镂空区域出射， 进而使得LED芯片的出光角度较小， 能够满足 精密的对射式光电开关等特殊领域的要求。 附图说明 0032 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案， 下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本 发明的实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据 说明书 2/6 页 5 CN 111864018 A 5 提供的附图获得其他的附图。 0033 图1为本发明实施例提供的一种正极性LED芯片的剖面结构示意图； 0034 图2为本发。

17、明实施例提供的一种正极性LED芯片的第一电极的俯视示意图； 0035 图3为本发明实施例提供的另一种正极性LED芯片的第一电极的俯视示意图； 0036 图4为本发明实施例提供的另一种正极性LED芯片的剖面结构示意图； 0037 图5为本发明实施例提供的另一种正极性LED芯片的剖面结构示意图； 0038 图6为本发明实施例提供的一种正极性LED芯片的制作方法的流程图； 0039 图7图9为本发明实施例提供的一种正极性LED芯片的制作流程中的部分结构示 意图。 具体实施方式 0040 以上是本发明的核心思想， 为使本发明的上述目的、 特征和优点能够更加明显易 懂， 下面将结合本发明实施例中的附图，。

18、 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完整地描 述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于本发明 中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施 例， 都属于本发明保护的范围。 0041 本发明实施例提供了一种正极性LED芯片， 如图1所示， 包括衬底1、 位于衬底1正面 的外延结构层2、 覆盖外延结构层2四周侧壁的绝缘层3、 覆盖外延结构层2四周侧壁和顶面 的第一电极4、 位于衬底1背面的第二电极5。 0042 其中， 衬底1为导电型衬底， 以将衬底1背面的第二电极5上的电压传输到衬底1正 面的外延结构层2上， 驱动发。

19、光结构层发光。 可选地， 衬底1为GaAs衬底。 0043 外延结构层2包括依次位于衬底1表面的缓冲层20、 DBR(Distributed Bragg Reflection， 分布式布拉格反射)反射层21、 发光结构层和窗口层25， 其中， 发光结构层包括 n型限制层22、 MQW(多量子阱)有源层23和p型限制层24。 0044 可选地， 缓冲层20为n型GaAs缓冲层， n型限制层22为n型AlGaInP限制层， p型限制 层24为p型AlGaInP限制层， 窗口层25为p型窗口层。 进一步可选地， p型窗口层的厚度为 0.1um10um， 优选厚度为3um， p型窗口层主体部分的掺杂浓。

20、度为1E18/cm3以上。 其中， AlGaInP是指AlxGayIn(1-x-y)P材料， 各AlxGayIn(1-x-y)P功能层的组分可以根据需要分 别进行调整。 此外， 当对LED芯片的亮度要求较低时， 可省略DBR反射层21。 0045 本发明实施例中， 如图1所示， 外延结构层2的四周侧壁为倾斜侧壁， 倾斜侧壁与外 延结构层2底面的夹角 为锐角， 以减小LED芯片发出的光线的出光角度。 0046 绝缘层3覆盖外延结构层2四周侧壁， 因此， 在形成第一电极4之后， 第一电极4形成 在绝缘层3表面以及外延结构层2顶面， 从而使得第一电极4与外延结构层2的顶面欧姆接 触， 第一电极4与绝。

21、缘层3构成ODR(Omni-Directional Reflector， 全角反射)层。 0047 由于第一电极4与外延结构层2的顶面欧姆接触， 因此， 第一电极4与外延结构层2 的顶面欧姆接触的区域可以作为电流从LED芯片正面注入的通道。 0048 本发明实施例中， 第一电极4具有第一镂空区域41， 第一镂空区域41暴露出外延结 构层2顶面的部分区域， 以使发光结构层发出的光线从第一镂空区域41出射。 如图2所示， 第 一镂空区域41的形状可以为圆形， 如图3所示， 第一镂空区域41的形状还可以为不连续的圆 说明书 3/6 页 6 CN 111864018 A 6 环形， 当然， 本发明并不。

22、仅限于此， 在其他实施例中， 第一镂空区域41的形状还可以为多边 形等。 0049 需要说明的是， 本发明实施例中的第一镂空区域41可以位于外延结构层2顶面的 中间区域， 也可以位于边缘区域。 本发明实施例中， 可以根据实际需要对第一镂空区域41的 位置、 数量、 大小和形状进行设定。 0050 由于第一电极4与绝缘层3构成ODR层， 因此， ODR层会对发光结构层发射到四周侧 壁的光线进行反射， 此外， 外延结构层中的DBR反射层21也会对发光结构层发出的光线进行 反射， 从而使得发光结构层发出的光线仅从第一镂空区域41出射， 进而使得LED芯片的出光 角度较小， 能够满足精密的对射式光电开。

23、关等特殊领域的要求。 0051 可选地， 本发明实施例中， 倾斜侧壁与外延结构层2底面的夹角 的范围为大于5 、 小于或等于85 ， 以使光线经四周侧壁以及第二电极5反射后能够从第一镂空区域41出射， 进而增加第一镂空区域41出射的光的亮度。 0052 本发明实施例中， LED芯片具有切割沟道11， 切割沟道11延伸至衬底1， 并使外延结 构层2形成倾斜侧壁。 可选地， 本发明的一些实施例中， 绝缘层3完全覆盖切割沟道11的底部 及倾斜侧壁、 部分覆盖外延结构层2的顶面， 当然， 本发明并不仅限于此， 在其他实施例中， 绝缘层3也可以部分覆盖切割沟道11的底部。 进一步可选地， 外延结构层2的。

24、顶面与倾斜侧 壁交界处的边缘至少1微米宽度的区域完全被绝缘层3覆盖。 0053 本发明实施例中， 如图4所示， 第一电极4与外延结构层2的顶面欧姆接触的区域为 第一区域A， 第一区域A与焊线6电连接。 由于第一电极4与外延结构层2的顶面的窗口层25欧 姆接触时， 其粘附力较强， 可承受焊线6的推力和拉力， 而位于绝缘层3表面的第一电极4， 粘 附力较弱， 焊线6可能导致第一电极4从绝缘层3上脱落， 因此， 优选将焊线6设置在第一区域 A。 0054 本发明的另一实施例中， 如图5所示， LED芯片还包括位于第一区域A的电极加厚层 7， 电极加厚层7位于第一电极4和焊线6之间， 且电极加厚层7与。

25、第一电极4和焊线6电连接。 本发明实施例中， 在焊线6位置处需要加厚的电极时， 不需要增加第一电极4的整体厚度， 只 需在第一区域A的第一电极4表面形成电极加厚层7即可， 从而可以减少电极材料的消耗， 降 低制作成本。 0055 本发明实施例还提供了一种正极性LED芯片的制作方法， 如图6所示， 包括： 0056 S101： 在衬底正面形成外延结构层， 外延结构层包括依次形成在衬底表面的缓冲 层、 发光结构层和窗口层。 0057 如图7所示， 提供衬底1之后， 采用MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition， 金属有机化合物化学气相沉淀)等工艺在。

26、衬底1正面依次形成缓冲层20、 DBR层 21、 n型限制层22、 MQW(多量子阱)有源层23、 p型限制层24和窗口层25， 其中， 发光结构层包 括n型限制层22、 MQW(多量子阱)有源层23和p型限制层24， 外延结构层2包括缓冲层20、 DBR 层21、 n型限制层22、 MQW(多量子阱)有源层23、 p型限制层24和窗口层25。 0058 可选地， 缓冲层20为n型GaAs缓冲层， n型限制层22为n型AlGaInP限制层， p型限制 层24为p型AlGaInP限制层， 窗口层25为p型窗口层。 进一步可选地， p型窗口层的厚度为 0.1um10um， 优选厚度为3um， p型。

27、窗口层主体部分的掺杂浓度为1E18/cm3以上。 其中， AlGaInP是指AlxGayIn(1-x-y)P材料， 各AlxGayIn(1-x-y)P功能层的组分可以根据需要分 说明书 4/6 页 7 CN 111864018 A 7 别进行调整。 0059 S102： 沿预设切割沟道对外延结构层进行刻蚀， 使不同芯片区域的外延结构层之 间形成切割沟道， 并使外延结构层的四周侧壁成为倾斜侧壁， 倾斜侧壁与外延结构层底面 的夹角为锐角； 0060 在形成外延结构层2之后， 在外延结构层2表面旋涂光刻胶， 曝光显影后定义出预 设的切割沟道区域。 其中， 发光区有光刻胶保护， 切割沟道无光刻胶保护，。

28、 采用干法蚀刻等 工艺切割预设切割沟道区域， 如图8所示， 形成贯穿外延结构层2且深度直达衬底1的切割沟 道11。 其中， 通过调节干法蚀刻工艺中的气体流量、 腔室压力、 射频功率等参数， 可以使外延 结构层2的侧壁被蚀刻成倾斜侧壁， 可选地， 倾斜侧壁与外延结构层2底面的夹角 的范围为 大于5 、 小于或等于85 ， 优选为45 至75 。 0061 需要说明的是， 本发明实施例中， 在形成切割沟道11时， 会使切割沟道11深入衬底 1至少1微米， 以确保外延结构层2的四周侧壁完全被绝缘层3覆盖， 减少漏电的风险。 0062 S103： 在外延结构层的四周侧壁形成绝缘层； 0063 如图9所。

29、示， 在已经形成切割沟道11的外延结构层2以及衬底1表面形成绝缘层3， 可选地， 绝缘层3的材料为SiNx、 SiO2、 Al2O3、 MgF2等， 然后对绝缘层3进行刻蚀， 使得绝缘层3 暴露出外延结构层2顶面的区域， 以使第一电极4与外延结构层2顶面的p型窗口层25形成欧 姆接触。 0064 S104： 在外延结构层2的四周侧壁和顶面形成第一电极， 并使第一电极与外延结构 层2的顶面形成欧姆接触， 使第一电极与绝缘层形成ODR层， 其中， 第一电极具有第一镂空区 域， 第一镂空区域暴露出外延结构层2顶面的部分区域， 以使外延结构层2发出的光线从第 一镂空区域出射； 0065 形成暴露出外延。

30、结构层2顶面的区域的绝缘层3之后， 采用光刻、 蒸镀、 剥离等工 艺， 在外延结构层2的四周侧壁和顶面形成第一电极4， 由于第一电极4直接形成在外延结构 层2顶面的p型窗口层25表面， 因此， 第一电极4与外延结构层2的顶面形成欧姆接触， 而第一 电极4与外延结构层2侧壁之间的绝缘层3可以形成ODR层。 0066 由于第一电极4与绝缘层3构成ODR层， 因此， ODR层会对发光结构层发射到四周侧 壁的光线进行反射， 此外， 衬底及其背面的第二电极也会对发光结构层发出的光线进行反 射， 从而使得发光结构层发出的光线仅从第一镂空区域41出射， 进而使得LED芯片的出光角 度较小， 能够满足精密的对。

31、射式光电开关等特殊领域的要求。 0067 由于第一电极4与外延结构层2的顶面的窗口层25欧姆接触时， 其粘附力较强， 可 承受焊线6的推力和拉力， 因此， 可以将焊线6设置在第一电极4与外延结构层2的顶面欧姆 接触的区域即第一区域A。 0068 基于此， 本发明实施例中， 在需要对第一电极4进行加厚时， 可以仅在第一区域A的 第一电极4进行加厚。 即本发明实施例提供的制作方法： 在形成第一电极之后， 还包括： 在第 一区域A表面形成焊线， 第一区域A为第一电极4与外延结构层2的顶面形成欧姆接触的区 域。 0069 而在本发明的另一实施例中， 在形成焊线之前， 还包括： 在第一区域A表面形成电 。

32、极加厚层， 以在电极加厚层表面形成焊线。 0070 具体地， 可以再次通过光刻、 蒸镀、 剥离等工艺， 在第一区域A表面形成电极加厚 说明书 5/6 页 8 CN 111864018 A 8 层。 退火工艺可以在制作电极加厚层之前或之后进行。 0071 需要说明的是， 本发明实施例中， 如图9所示， 第一电极4还具有第二镂空区域42， 第二镂空区域42与切割沟道11对应设置， 以使第二镂空区域42暴露出切割沟道11， 便于后 续切割工艺的进行。 0072 S105： 在衬底背面形成第二电极； 0073 先将衬底1背面研磨减薄， 然后经过蒸镀、 退火等工艺， 完成第二电极5的制作。 可 选地， 。

33、本发明实施例中的第一电极4和第二电极5都为金属电极， 可选地， 第一电极4为p型电 极， 第二电极5为n型电极。 0074 S106： 沿切割沟道对衬底进行切割， 以形成一个个独立的LED芯片。 0075 在衬底1背面形成第二电极5之后， 还需经过切割以及裂片工序， 将制成完成的芯 片结构切割成一个个独立的LED芯片。 0076 本说明书中各个实施例采用递进的方式描述， 每个实施例重点说明的都是与其他 实施例的不同之处， 各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。 对于实施例公开的装置 而言， 由于其与实施例公开的方法相对应， 所以描述的比较简单， 相关之处参见方法部分说 明即可。 0077 对。

34、所公开的实施例的上述说明， 使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。 对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的， 本文中所定义的 一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下， 在其它实施例中实现。 因此， 本发明 将不会被限制于本文所示的这些实施例， 而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一 致的最宽的范围。 说明书 6/6 页 9 CN 111864018 A 9 图1 图2 说明书附图 1/6 页 10 CN 111864018 A 10 图3 图4 说明书附图 2/6 页 11 CN 111864018 A 11 图5 说明书附图 3/6 页 12 CN 111864018 A 12 图6 说明书附图 4/6 页 13 CN 111864018 A 13 图7 图8 说明书附图 5/6 页 14 CN 111864018 A 14 图9 说明书附图 6/6 页 15 CN 111864018 A 15 。