可图案化的管芯附接材料和用于图案化的工艺.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010197404.X (22)申请日 2020.03.19 (30)优先权数据 16/366,661 2019.03.27 US (71)申请人 英特尔公司 地址 美国加利福尼亚 (72)发明人 聂白段刚S皮耶塔姆巴拉姆 J琼斯Y金冈冯红霞 徐定颖R马内帕利S派塔尔 K达尔马韦卡尔塔Y李 M焦C张M廷吉韩程圭 陈昊博 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 刘炳胜 (51)Int.Cl. H01L 23/538(2006.01) H01L 23。

2、/498(2006.01) H01L 21/48(2006.01) H01L 21/768(2006.01) (54)发明名称 可图案化的管芯附接材料和用于图案化的 工艺 (57)摘要 公开了一种管芯组件。 该管芯组件包括管 芯、 管芯的第一表面上的一个或多个管芯焊盘以 及管芯上的管芯附接膜， 其中管芯附接膜包括暴 露一个或多个管芯焊盘并且延伸到管芯的一个 或多个边缘的一个或多个开口。 权利要求书2页 说明书10页 附图24页 CN 111755419 A 2020.10.09 CN 111755419 A 1.一种管芯组件， 包括： 管芯； 所述管芯的第一表面上的一个或多个管芯焊盘； 以及 。

3、所述管芯上的管芯附接膜， 其中， 所述管芯附接膜包括暴露所述一个或多个管芯焊盘 并且延伸到所述管芯的一个或多个边缘的一个或多个开口。 2.根据权利要求1所述的管芯组件， 还包括附接到所述管芯的第二表面的一个或多个 管芯焊盘。 3.根据权利要求1或2所述的管芯组件， 其中， 所述一个或多个开口包括包含底部填充 材料的一个或多个沟道。 4.根据权利要求1或2所述的管芯组件， 其中， 所述一个或多个开口包括包含不同于所 述管芯附接膜的材料的底部填充材料的一个或多个沟道。 5.根据权利要求1或2所述的管芯组件， 其中， 所述一个或多个管芯焊盘是穿硅过孔 (TSV)后侧管芯焊盘。 6.根据权利要求1或2。

4、所述的管芯组件， 其中， 所述管芯组件在第一封装衬底上， 并且所 述一个或多个管芯焊盘连接到单个管芯、 第一管芯和第二管芯、 第二封装衬底或内插器。 7.根据权利要求1或2所述的管芯组件， 其中， 所述管芯组件被模料包围。 8.一种系统， 包括： 一个或多个存储部件； 以及 包括管芯组件的一个或多个集成电路管芯， 所述管芯组件包括： 管芯安装空间中的管芯； 附接到所述管芯的第一表面的一个或多个管芯焊盘； 以及 所述管芯上的管芯附接膜， 其中， 所述管芯附接膜包括暴露所述一个或多个管芯焊盘 并且延伸到所述管芯的一个或多个边缘的一个或多个开口。 9.根据权利要求8所述的系统， 还包括附接到所述管芯。

5、的第二表面的一个或多个管芯 焊盘。 10.根据权利要求8或9所述的系统， 其中， 所述一个或多个开口包括包含底部填充材料 的一个或多个沟道。 11.根据权利要求8或9所述的系统， 其中， 所述一个或多个开口包括包含不同于所述管 芯附接膜的材料的底部填充材料的一个或多个沟道。 12.根据权利要求8或9所述的系统， 其中， 所述一个或多个管芯焊盘是穿硅过孔(TSV) 后侧管芯焊盘。 13.根据权利要求8或9所述的系统， 其中， 所述管芯组件在第一封装衬底上， 并且所述 一个或多个管芯焊盘连接到单个管芯、 第一管芯和第二管芯、 第二封装衬底或内插器。 14.根据权利要求8或9所述的系统， 其中， 所。

6、述管芯组件被模料包围。 15.一种方法， 包括： 形成具有第一表面和第二表面的晶圆； 在所述第一表面和所述第二表面上形成管芯焊盘； 形成覆盖所述晶圆的所述第一表面上的所述管芯焊盘的层合体； 翻转所述晶圆以使所述第二表面面朝上； 权利要求书 1/2 页 2 CN 111755419 A 2 在所述第二表面上形成管芯附接膜； 对所述管芯附接膜进行图案化； 分割所述晶圆以形成管芯； 在衬底上安装所述管芯； 用包封材料包封所述衬底上的所述管芯； 以及 对所述包封材料进行平面化。 16.根据权利要求15所述的方法， 其中， 所述图案化包括光刻图案化。 17.根据权利要求15或16所述的方法， 其中， 所。

7、述图案化包括激光图案化。 18.根据权利要求15或16所述的方法， 其中， 所述图案化包括掩模蚀刻图案化。 19.一种方法， 包括： 形成管芯； 在所述管芯的第一表面上形成一个或多个管芯焊盘； 以及 在所述管芯上形成管芯附接膜， 并且在所述管芯附接膜中形成暴露所述一个或多个管 芯焊盘并且延伸到所述管芯的一个或多个边缘的一个或多个开口。 20.根据权利要求19所述的方法， 还包括在管芯安装封装上安装所述管芯。 21.根据权利要求19或20所述的方法， 其中， 形成所述一个或多个开口包括光刻图案 化、 激光图案化或掩模蚀刻图案化。 22.根据权利要求19或20所述的方法， 其中， 形成所述一个或多。

8、个开口包括形成一个或 多个沟道以及用底部填充材料填充所述一个或多个沟道。 23.根据权利要求19或20所述的方法， 其中， 形成所述一个或多个开口包括形成一个或 多个沟道以及用不同于所述管芯附接膜的材料的底部填充材料填充所述一个或多个沟道。 权利要求书 2/2 页 3 CN 111755419 A 3 可图案化的管芯附接材料和用于图案化的工艺 技术领域 0001 本公开的实施例涉及管芯附接膜(DAF)， 并且特别地， 涉及可图案化的管芯附接膜 和用于对其进行图案化的工艺。 背景技术 0002 嵌入式多管芯互连桥(EMIB)技术包括具有用于管芯到管芯(D2D)互连通信的超细 线距(line-sp。

9、ace)结构的半导体桥。 EMIB技术在异质芯片集成应用中是有用的。 对于异质 芯片的封装中(in-package)、 高密度互连而言， EMIB封装技术是一种先进的、 经济有效的方 式。 它提供了多个管芯之间极高的I/O和控制良好的电互连路径。 0003 管芯附接膜材料用于将管芯(例如， EMIB管芯)附接到封装结构。 出于实用的目的， 管芯附接膜(DAF)材料被设计成吸收由形成在DAF材料上的半导体管芯和位于DAF材料下方 的有机衬底之间的热膨胀系数(CTE)不匹配而引起的机械应力。 管芯附接膜保护封装以免 发生翘曲和可靠性故障。 在涉及垂直D2D连接和穿硅过孔(TSV)管芯嵌入的封装架构。

10、中， 需 要在嵌入之前测试管芯以显著地节省成本， 并且仅允许已知良好的管芯(KGD)继续工艺流 程到生产线的末端。 0004 然而， 常规的DAF材料是不可图案化的， 并且必须要通过湿法化学制程或干法蚀刻 去除常规的DAF材料， 以便暴露实现用于下游工艺步骤的垂直连接的后侧铜焊盘。 因此， 使 用这样的DAF的管芯架构不适合垂直D2D和嵌入式管芯TSV方式。 附图说明 0005 图1A示出了具有嵌入式多管芯互连桥(EMIB)架构并且包括EMIB器件的半导体封 装衬底。 0006 图1B示出了使用EMIB器件通信地耦合或连接第一管芯和第二管芯的方式。 0007 图1C示出了使用管芯附接膜(DAF。

11、)将EMIB器件附接到封装衬底。 0008 图2示出了根据实施例的封装衬底的结构， 该封装衬底具有可以用于安装穿硅过 孔(TSV)管芯的腔体。 0009 图3示出了根据实施例的封装衬底的结构， 该封装衬底具有可以用于安装EMIB桥 管芯的腔体。 0010 图4A示出了根据实施例的包括图案化的DAF层的管芯组件的横截面。 0011 图4B示出了根据实施例的图4A中所示的管芯组件的仰视图。 0012 图5A-图5L示出了根据实施例的在形成包括光刻图案化的DAF的封装结构的工艺 期间管芯组件和封装衬底的横截面。 0013 图6A-图6K示出了根据实施例的在形成包括激光钻孔图案化的DAF的封装结构的 。

12、工艺期间管芯组件和封装衬底的横截面。 0014 图7A-图7K示出了根据实施例的在形成包括掩模图案化的DAF的封装结构的工艺 期间管芯组件和封装衬底的横截面。 说明书 1/10 页 4 CN 111755419 A 4 0015 图8A-图8L示出了根据实施例的在形成包括衬底图案化的DAF的封装结构的工艺 期间管芯组件和封装衬底的横截面。 0016 图9示出了根据实施例的用于对管芯上的管芯附接膜进行图案化的方法的流程 图。 0017 图10示出了根据实施例的用于对衬底上的管芯附接膜进行图案化并附接管芯的 方法的流程图。 0018 图11示出了根据实施例的实施方式的计算机系统。 具体实施方式 0。

13、019 描述了一种可图案化的管芯附接膜(DAF)。 应当认识到， 虽然本文描述的实施例是 参考示例性可图案化的管芯附接膜实施方式进行描述的， 但本公开更一般地适用于可图案 化的管芯附接膜实施方式以及其他类型的可图案化的管芯附接膜实施方式。 在下面的描述 中， 为了提供对本公开的实施例的全面了解， 阐述了许多具体细节， 例如具体的集成及材料 体系。 对于本领域的技术人员将显而易见的是， 可以在没有这些具体细节的情况下实践本 公开的实施例。 在其他实例中， 没有详细地描述诸如集成电路设计布局的公知特征， 以避免 不必要地使本公开的实施例难以理解。 此外， 应当认识到， 在附图中示出的各种实施例是说。

14、 明性表现方式并且未必按比例绘制。 0020 以下描述中还仅出于参考的目的使用了某些术语， 并且因此这些术语并非旨在进 行限制。 例如， 诸如 “上部” 、“下部” 、“上方” 和 “下方” 等术语是指附图中提供参考的方向。 诸 如 “正面” 、“后面” 、“背面” 和 “侧面” 等术语描述在一致但任意的参照系内部件的部分的取 向和/或位置， 通过参考描述所讨论的部件的文字和相关联的附图， 可以清楚地了解所述取 向和/或位置。 这样的术语可以包括上面具体提及的词语、 它们的衍生词以及类似意义的词 语。 0021 在半导体封装行业中越来越多地使用了封装部件的瓦片式拼接(tiling)和/或分 区。

15、， 因为这样实现了异质管芯集成、 形状因数的微小型化、 以及具有改善的良品率的高性能 (可以生产出具有更高良品率的更小的封装部件和电路)。 0022 在新兴的架构中， 为了提高通信带宽并减小逻辑芯片的半导体区域， 需要缩小嵌 入式多管芯互连桥(EMIB)管芯凸块间距(因此缩小线距结构)， 这能够支持用于管芯瓦片式 拼接和异质集成应用的最前沿封装架构。 除了要求更好的管芯接合精度和更严格的配准公 差之外， EMIB技术的缩放要求： (1)在管芯后侧和腔体材料表面之间创建没有空隙且机械可 靠的界面， (2)控制管芯接合之后和电介质材料包封之后的管芯区域翘曲， 以及(3)生成管 芯后侧开口以为3D封。

16、装应用实现穿硅过孔D2D垂直连接。 0023 当前的管芯接合工艺依赖于将管芯通过平齐管芯附接膜(DAF)接合到腔体界面材 料。 在涉及垂直D2D连接和TSV管芯嵌入的封装架构中， 需要在嵌入之前测试管芯以显著节 省成本， 并且仅允许已知良好的管芯(KGD)继续工艺流程到生产线的末端。 然而， DAF材料可 能不是可图案化的， 并且必须要通过湿法化学制程或干法蚀刻去除DAF材料， 以便暴露用于 实现用于下游工艺步骤的垂直连接的目的的后侧铜焊盘。 因此， 使用平齐的不可图案化的 DAF的管芯架构不适合垂直D2D和嵌入式管芯TSV方式。 0024 本文公开了一种解决先前方式的缺陷的方式。 例如， 作。

17、为所公开的工艺的一部分， 说明书 2/10 页 5 CN 111755419 A 5 可以在管芯表面上对DAF进行图案化， 以用于要求管芯嵌入、 贴片、 瓦片式拼接等的新兴的 异质集成应用。 描述了用于对DAF材料进行图案化的几种方式。 在实施例中， 使用这些方式 中的任何方式， 可以暴露TSV管芯后侧焊盘以容易触及， 这使得能够进行电气测试以用于分 箱。 此外， 可以显著地简化制作工艺流程以减小湿法化学制程暴露风险， 从而使得产品的可 靠性得到改善。 0025 在实施例中， 提供了一种克服了先前方式的缺陷的低成本、 容易实施且高良品率 的方式。 在实施例中， 本文描述的示例可以用于提供高密度。

18、管芯-管芯互连。 在实施例中， 凭 借实现用于下游工艺步骤的垂直互连的暴露的后侧铜焊盘， 可以更充分地利用使模块化管 芯互连的EMIB和其他异质集成方式。 因此， 提供了方便电气测试且适合嵌入式管芯TSV方式 的DAF。 0026 图1A示出了具有EMIB架构并且包括嵌入式EMIB器件的封装衬底100。 在图1A中， 封 装衬底100包括嵌入式EMIB器件101、 金属层103、 电介质层105和焊盘107。 图1B示出了使用 EMIB器件101通信地耦合或连接第一管芯109和第二管芯111的方式。 参考图1B， 嵌入式EMIB 器件101通过金属互连连接到第一管芯109和第二管芯111， 该。

19、金属互连从嵌入式EMIB器件 101的顶表面接触部通过封装衬底100中的过孔向上延伸。 第一管芯109和第二管芯111附接 在封装衬底100的顶表面。 0027 图1C示出了使用管芯附接膜附接EMIB器件。 参考图1C， EMIB器件101通过管芯附接 膜(DAF)113安装到封装衬底100。 应当认识到， EMIB器件101不包括后侧焊盘， 该后侧焊盘是 支持可能涉及通往EMIB器件101下方的管芯的连接的异质集成应用和管芯瓦片式拼接的最 前沿封装架构所需的。 另外， 对于可以利用通往EMIB器件101下方的管芯的连接的异质集成 应用和管芯瓦片式拼接的这样的前沿封装架构而言， 诸如图1C中所。

20、示的DAF 113的不可图 案化的管芯附接膜可能是有问题的。 0028 很多衬底和内插器工艺中要求嵌入式管芯。 管芯安装技术是实现衬底或内插器的 最大化功能并确保衬底或内插器的可靠性的关键。 以下在图2和图3中示出了示例性管芯安 装架构(桥管芯和TSV管芯)。 0029 图2示出了根据实施例的封装衬底的结构， 该封装衬底具有可以用于安装TSV管芯 的腔体。 参考图2， 封装衬底包括衬底201、 金属层203、 电介质层205和互连207。 封装衬底包 括封装衬底的顶部部分上的腔体209。 在实施例中， TSV管芯可以安装在腔体209中并且TSV 管芯可以被配置成使得能够从TSV管芯上方和下方电。

21、连接到TSV管芯。 0030 图3示出了根据实施例的EMIB封装衬底的结构， 该EMIB封装衬底具有可以用于安 装EMIB器件的腔体。 参考图3， 封装衬底包括多个电介质层301、 多个布线层303、 封装内核 305和腔体307。 腔体307形成在封装衬底的顶部部分中并且从封装衬底的表面延伸到封装 衬底中。 在实施例中， EMIB管芯可以安装在腔体307中并且EMIB管芯可以被配置成使得能够 从EMIB管芯上方电连接到EMIB管芯。 0031 图4A示出了根据实施例的包括图案化的DAF层的管芯组件400的横截面， 并且图4B 示出了管芯组件400的仰视图。 参考图4A和图4B， 管芯组件40。

22、0包括管芯401、 电介质材料 403、 顶部焊盘405、 DAF 407、 底部焊盘409和DAF沟道411。 0032 在图4B中示出了管芯仰视图， 其描绘了形成在DAF 407中的DAF沟道411的示例性 图案化。 通过非焊盘区域(例如， 非Cu焊盘区域)中的DAF沟道411的开口， 实现DAF沟道411的 说明书 3/10 页 6 CN 111755419 A 6 底部填充。 在实施例中， 这些开口延伸到管芯组件400的边缘。 在实施例中， 在管芯安装之 后， 所述开口可以用于用环氧树脂或模料来填充DAF沟道411。 0033 图5A-图5L示出了根据实施例的在形成封装结构的工艺期间管。

23、芯和封装衬底的横 截面。 特别地， 图5A-图5L是根据实施例的在包括对形成在管芯上的DAF进行光刻图案化的 工艺期间封装结构500的横截面。 0034 参考图5A， 在一个或多个操作之后， 形成了包括管芯501、 电介质层合体503、 管芯 焊盘505和管芯焊盘507的管芯组件。 在实施例中， 电介质层合体503形成在管芯501的第一 表面上并且覆盖管芯焊盘505。 在实施例中， 管芯焊盘507形成在管芯501的第二表面上。 0035 参考图5B， 在得到图5A中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， (在 SiB硅互连凸块侧上进行电介质包封之后)翻转包括管芯501、 电介质层合体50。

24、3、 管芯焊盘 505和管芯焊盘507的管芯组件。 0036 参考图5C， 在得到图5B中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， (在 SiB侧上进行电介质包封之后)在管芯501上形成光致抗蚀剂509并且光致抗蚀剂509覆盖管 芯焊盘507。 0037 参考图5D， 在得到图5C中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， 对光 致抗蚀剂509进行图案化和显影。 在实施例中， 可以使用光刻曝光来形成所期望的图案。 0038 参考图5E， 在得到图5D中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， 在管 芯上形成DAF 511(例如， 涂覆有用于形成DAF的材料的晶圆)。 0039 参考。

25、图5F， 在得到图5E中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， 去除 光致抗蚀剂509。 在实施例中， 使用湿法或干法蚀刻工艺通过剥离来去除光致抗蚀剂。 在其 他实施例中， 可以通过去除光致抗蚀剂的其他适当的方式去除光致抗蚀剂。 0040 参考图5G， 在得到图5F中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， 将晶 圆分割成图5H所示的单个管芯并进行测试。 参考图5I， 在得到图5G中所示的管芯组件的横 截面的一个或多个操作之后， 翻转管芯组件。 0041 参考图5J， 在得到图5H中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， 将管 芯组件(如果通过测试判定是适合的)附接到封装衬底(。

26、安装管芯组件)。 在实施例中， 封装 衬底包括衬底513、 金属层515、 电介质层517和互连519。 0042 参考图5K， 在得到图5J中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， 使用 环氧树脂/模料521包封包括管芯组件的封装结构的顶部部分和对形成在DAF 511中的开口 进行底部填充。 在其他实施例中， 可以使用其他材料包封包括管芯组件的封装结构的顶部 部分并对开口进行底部填充。 参考图5L， 在得到图5K中所示的封装结构的横截面的一个或 多个操作之后， 对包括模料521的封装结构进行平面化。 0043 在实施例中， 管芯附接配方制剂(formulation)可以由树脂、 填充剂。

27、、 硬化剂、 催化 剂、 稀释剂、 触变剂构成。 光致抗蚀剂可以由树脂、 填充剂和敏化剂等构成。 两种配方制剂都 可以共享类似的诸如丙烯酸酯、 聚酰亚胺、 环氧树脂的树脂以及诸如二氧化硅的填充剂。 因 而， 可以在管芯附接配方制剂中使用可图案化的聚酰亚胺、 丙烯酸酯树脂成分， 以便提供可 图案化的管芯附接能力。 0044 在实施例中， DAF可以包括可图案化的成分(树脂、 单体和敏化剂)、 环氧树脂/填充 剂(机械性质)、 一些其他的添加剂， 以控制用于管芯后侧连接应用的可图案化的管芯附接 说明书 4/10 页 7 CN 111755419 A 7 材料的触变性质。 示例性配方制剂包括具有CO。

28、OH基团的丙烯酸低聚物(10-30)(在显影 期间可以溶解到碱性溶液中以创建所需的图案)、 用于给出期望的机械强度和粘附力的环 氧树脂(20-50)、 10-30的填充剂(SiO2或其他)和用于控制膜的触变性质的其他添加剂 (0-20)。 在其他实施例中， 可以使用其他配方制剂。 应当认识到， 常规的干膜光致抗蚀剂 不能提供所期望的机械强度。 另外， 阻焊剂和可光学成像的抗蚀剂不能符合触变性质和模 块化要求。 0045 图6A-图6K示出了根据实施例的在形成封装结构的工艺期间管芯组件和封装衬底 的横截面。 特别地， 图6A-图6K是根据实施例的在包括对形成在管芯组件上的DAF进行激光 钻孔图案。

29、化的工艺期间封装结构的横截面。 0046 参考图6A， 在一个或多个操作之后， 形成了包括管芯衬底601、 电介质层合体603、 管芯焊盘605和管芯焊盘607的管芯组件。 在实施例中， 电介质层合体603形成在管芯601的 第一表面上并且覆盖管芯焊盘605。 0047 参考图6B， 在得到图6A中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， (在管 芯的SiB侧上对管芯焊盘605进行电介质包封之后)翻转管芯组件。 参考图6C， 在得到图6B中 所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， 在管芯组件上形成DAF 609。 0048 参考图6D， 在得到图6C中所示的管芯组件的横截面的一个或多。

30、个操作之后， 通过 对DAF 609进行激光图案化611来形成期望的DAF图案。 图6E中示出了所得到的结构。 参考图 6F， 在得到图6E中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， 将管芯组件晶圆分割 613成图6G所示的单个管芯组件并进行测试。 0049 参考图6H， 在得到图6G中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， 翻转 管芯组件。 参考图6I， 在得到图6H中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， 将管 芯组件(如果判定是适当运转的)附接到封装衬底组件。 在实施例中， 封装衬底组件包括衬 底615、 金属层617、 电介质层619和互连621。 0050 参考图6J。

31、， 在得到图6I中所示的封装结构的横截面的一个或多个操作之后(在安 装管芯组件之后)， 使用环氧树脂/模料623包封包括管芯组件的封装结构的顶部并对形成 在DAF 609中的开口进行底部填充。 参考图6K， 在得到图6J中所示的封装结构的横截面的一 个或多个操作之后， 对封装结构进行平面化。 0051 在实施例中， 替代使用光刻图案化， 在参考图6A-图6K描述的激光钻孔图案化的 DAF工艺中， 使用激光直接向DAF 609中钻孔， 以便创建期望的图案。 在实施例中， 在晶圆级 开始该工艺。 作为该工艺的一部分， 为PSB(封装侧凸块)侧提供平齐的DAF层。 然后通过使用 激光在DAF中钻出开。

32、口来对DAF进行图案化。 在实施例中， 在这些初始操作之后， 剩余的工艺 流程可以与参考图5A-图5L描述的光刻图案化的DAF工艺的图案化工艺之后的流程相同。 在 实施例中， DAF可以覆盖有聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜， 并且采用激光钻透PET膜以便创 建图案。 在实施例中， 使用PET膜的益处是在测试和转移期间保护DAF。 在实施例中， 可以在 管芯安装之前立即去除(例如， 剥掉)PET膜。 0052 图7A-图7K示出了根据实施例的在形成封装结构的工艺期间管芯和封装衬底的横 截面。 特别地， 图7A-图7K是根据实施例的在包括对形成在管芯上的DAF进行掩模蚀刻图案 化的工艺期间封装结。

33、构的横截面。 0053 参考图7A， 在多个操作之后， 形成了包括管芯701、 电介质层合体703、 管芯焊盘705 说明书 5/10 页 8 CN 111755419 A 8 和管芯焊盘707的管芯组件。 在实施例中， 电介质层合体703形成在管芯701上。 参考图7B， 在 得到图7A中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， (在管芯晶圆的SiB侧上对管 芯焊盘705进行电介质包封之后)翻转管芯组件。 0054 参考图7C， 在得到图7B中所示的管芯结构的横截面的一个或多个操作之后， 在管 芯组件上形成DAF层709。 参考图7D， 在得到图7C中所示的管芯组件的横截面的一个或多个 。

34、操作之后， 通过使用掩模711进行掩模蚀刻， 以使用辐射713对DAF进行图案化， 从而形成期 望的DAF图案。 图7E中示出了所得到的结构。 0055 参考图7F， 在得到图7E中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， 将管 芯组件晶圆分割成图7G中所示的单个管芯组件并进行测试。 参考图7H， 在得到图7G中所示 的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， 翻转管芯组件。 0056 参考图7I， 在得到图7H中所示的管芯组件的横截面的一个或多个操作之后， 将管 芯组件(如果判定是适当操作的)附接到封装衬底。 在实施例中， 封装衬底包括衬底717、 金 属层719、 电介质层721和互连7。

35、23。 0057 参考图7J， 在得到图7I中所示的封装结构的横截面的一个或多个操作之后(在管 芯组件安装之后)， 使用环氧树脂/模料725包封管芯组件并对DAF开口进行底部填充。 参考 图7K， 在得到图7J中所示的封装结构的横截面的一个或多个操作之后， 对模料725进行平面 化。 0058 在实施例中， 在晶圆级开始参考图7A-图7K描述的掩模蚀刻图案化的DAF工艺。 例 如， 在管芯上层合DAF之后， 通过硬掩模蚀刻DAF以在DAF上创建期望的图案化。 在已经对DAF 进行图案化之后， 工艺流程与先前的光刻图案化的DAF工艺相同。 在实施例中， 在掩模蚀刻 期间DAF可以覆盖有保护膜， 。

36、该保护膜可以一直保留到管芯安装， 以便保护DAF。 0059 图8A-图8L示出了根据实施例的在形成封装结构的工艺期间封装结构的横截面。 图8A-图8L是根据实施例的在用于形成包括对封装衬底上的DAF进行图案化的封装结构的 工艺期间封装结构的横截面。 0060 参考图8A， 在一个或多个操作之后， 形成了包括衬底801、 金属层803、 电介质层805 和互连807的封装衬底结构。 0061 参考图8B， 在得到图8A中所示的封装衬底结构的横截面的一个或多个操作之后， 执行DAF层合。 在实施例中， 在管芯结构的表面上形成DAF材料809。 在实施例中， 该表面由电 介质层805和互连807形。

37、成。 0062 参考图8C， 在得到图8B中所示的封装衬底结构的横截面的一个或多个操作之后， 对DAF材料809进行图案化。 在图8C的实施例中， 通过使用激光811执行激光图案化来对DAF 材料809进行图案化。 参考图8D， 在得到图8C中所示的封装衬底结构的横截面的一个或多个 操作之后， 形成期望的DAF图案810。 0063 参考图8E， 在得到图8D中所示的封装衬底结构的横截面的一个或多个操作之后， 在封装衬底结构的表面上形成种子层812。 特别地， 种子层812形成在封装衬底结构的剩余 的DAF材料809的表面上和其他暴露的表面上。 0064 参考图8F， 在得到图8E中所示的封装。

38、衬底结构的横截面的一个或多个操作之后， 形成层合体材料813以覆盖/包封封装衬底结构的表面。 在实施例中， 作为包封的一部分， 封 装衬底结构的表面和其上的暴露的结构覆盖有层合体材料813。 说明书 6/10 页 9 CN 111755419 A 9 0065 参考图8G， 在得到图8F中所示的封装衬底结构的横截面的一个或多个操作之后， 对层合体材料813进行图案化。 在实施例中， 对层合体材料813进行图案化， 以便形成用于电 连接的导电柱。 参考图8H， 在得到图8G中所示的封装衬底结构的横截面的一个或多个操作 之后， 形成导电柱815。 0066 参考图8I， 在得到图8H中所示的结构的。

39、横截面的一个或多个操作之后， 去除种子 层812的处于剩余的DAF材料809上方的部分。 参考图8J， 在得到图8I中所示的结构的横截面 的一个或多个操作之后， 安装管芯组件816。 0067 参考图8K， 在得到图8J中所示的结构的横截面的一个或多个操作之后， 使用环氧 树脂/模料817包封管芯组件并且还对DAF开口进行底部填充。 参考图8L， 在得到图8K中所示 的结构的横截面的一个或多个操作之后， 对模料817进行平面化。 0068 在实施例中， 替代在管芯上对DAF进行图案化， 在参考图8A-图8L描述的先DAF和图 案化的衬底上DAF的工艺中， 作为先DAF工艺流程的一部分， 直接在。

40、衬底上完成图案化。 使用 这种方式， 在与管芯分开制造的衬底上层合DAF。 可以使用激光钻孔或掩模蚀刻在衬底上对 DAF进行图案化。 其后， 可以沉积种子层， 并使用干膜抗蚀剂(DFR)在柱镀覆期间覆盖管芯区 域中的DAF。 去除DFR和种子层， 接着可以进行正常的管芯安装工艺。 在包封管芯的同时填充 图案化的DAF， 并执行平面化以露出柱和硅互连凸块。 0069 在实施例中， 图案化的DAF使得环氧树脂/模料填充能够处于管芯下方。 在常规的 平齐DAF方式中， 在管芯下方不能形成环氧树脂/模料填充。 在实施例中， 管芯下方的混合的 DAF和环氧树脂/模料填充能够减小CTE问题。 0070 图。

41、9示出了根据实施例的用于对管芯附接膜进行图案化的方法的流程图。 用于图 案化管芯附接膜的方法包括在901形成管芯。 在903， 在管芯的第一表面上形成一个或多个 管芯焊盘。 在905， 在管芯上形成管芯附接膜。 在907， 形成暴露一个或多个管芯焊盘并且延 伸到管芯的一个或多个边缘的一个或多个开口。 在909， 在一个或多个开口中形成底部填充 材料。 在实施例中， 通过光刻图案化、 激光图案化或掩模蚀刻图案化来执行一个或多个开口 的形成。 在实施例中， 一个或多个开口的形成包括形成一个或多个沟道以及用底部填充材 料填充一个或多个沟道。 在实施例中， 一个或多个开口的形成包括形成一个或多个沟道以。

42、 及用不同于管芯附接膜材料的底部填充材料填充一个或多个沟道。 0071 图10示出了根据实施例的用于对管芯附接膜进行图案化的方法的流程图1000。 该 方法包括在1001形成封装衬底的包括多个布线元件的部件。 在1003， 在封装衬底的部件上 形成管芯附接膜。 在1005， 在管芯附接膜中形成一个或多个开口。 在1007， 将管芯放置在管 芯附接膜上， 其中管芯的一个或多个管芯焊盘延伸穿过一个或多个开口并且接触多个布线 元件中的一个或多个。 0072 图11是根据本发明的实施例的计算机系统1100的示意图。 根据所公开的几个实施 例及在本公开中阐述的其等同形式中的任一者， 如图所示的计算机系统。

43、1100(也称为电子 系统1100)能够体现包括图案化的DAF层的管芯组件(例如， 图4A中的400)。 计算机系统1100 可以是诸如上网本计算机的移动装置。 计算机系统1100可以是诸如无线智能电话的移动装 置。 计算机系统1100可以是台式计算机。 计算机系统1100可以是手持式阅读器。 计算机系统 1100可以是服务器系统。 计算机系统1100可以是超级计算机或高性能计算系统。 0073 在实施例中， 电子系统1100是包括电耦合电子系统1100的各种部件的系统总线 说明书 7/10 页 10 CN 111755419 A 10 1120的计算机系统。 根据各实施例， 系统总线1120。

44、是单条总线或总线的任何组合。 电子系统 1100包括为集成电路1110供电的电压源1130。 在一些实施例中， 电压源1130通过系统总线 1120向集成电路1110供应电流。 0074 根据实施例， 集成电路1110电耦合到系统总线1120并且包括任何电路或电路的组 合。 在实施例中， 集成电路1110包括可以是任何类型的处理器1112。 如本文所使用的， 处理 器1112可以意味着任何类型的电路， 例如但不限于微处理器、 微控制器、 图形处理器、 数字 信号处理器或另一种处理器。 在实施例中， 如本文所公开的， 处理器1112包括管芯组件(例 如， 图4A中的400)或与之耦合。 在实施例。

45、中， SRAM实施例存在于处理器的存储器高速缓存 中。 可以包括在集成电路1110中的其他类型的电路是定制电路或专用集成电路(ASIC)， 例 如用于在无线装置(例如蜂窝电话、 智能电话、 传呼机、 便携式计算机、 双向无线电装置以及 类似的电子系统)中使用的通信电路1114， 或用于服务器的通信电路。 在实施例中， 集成电 路1110包括管芯上存储器1116， 例如静态随机存取存储器(SRAM)。 在实施例中， 集成电路 1110包括嵌入式管芯上存储器1116， 例如嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)。 0075 在实施例中， 集成电路1110补充有后续的集成电路1111。 有用的实施例。

46、包括双处 理器1113和双通信电路1115以及双管芯上存储器1117， 例如SRAM。 在实施例中， 双集成电路 1110包括嵌入式管芯上存储器1117， 例如eDRAM。 0076 在实施例中， 电子系统1100还包括外部存储器1140， 外部存储器1140转而可以包 括适合于特定应用的一个或多个存储器元件， 例如RAM形式的主存储器1142、 一个或多个硬 盘驱动器1144和/或操纵可移除介质1146的一个或多个驱动器， 可移除介质1146例如是软 磁盘、 压缩盘(CD)、 数字多用盘(DVD)、 闪存存储器驱动器和本领域中已知的其他可移除介 质。 根据实施例， 外部存储器1140还可以是。

47、嵌入式存储器1148， 例如管芯叠堆体中的第一管 芯。 0077 在实施例中， 电子系统1100还包括显示装置1150、 音频输出1160。 在实施例中， 电 子系统1100包括诸如控制器的输入装置1170， 其可以是键盘、 鼠标、 轨迹球、 游戏控制器、 麦 克风、 语音识别装置、 或将信息输入到电子系统1100中的任何其他输入装置。 在实施例中， 输入装置1170是相机。 在实施例中， 输入装置1170是数字录音机。 在实施例中， 输入装置 1170是相机和数字录音机。 0078 如本文所示， 集成电路1110可以在若干不同的实施例中实施， 包括根据几个所公 开实施例及其等同形式中的任一者。

48、的已经体现管芯组件(例如， 图4A中的400)的封装衬底、 电子系统、 计算机系统、 制造集成电路的一种或多种方法， 以及制造包括根据本文在各种实 施例及其现有技术已知的等同形式中所阐述的几个公开的实施例中的任一者的具有管芯 组件(例如， 图4A中的400)的封装衬底的电子组件的一种或多种方法。 根据几个公开的具有 管芯组件(例如， 图4A中的400)的封装衬底实施例及其等同形式中的任一者， 元件、 材料、 几 何形状、 尺度和操作顺序都可以改变以适合特定的I/O耦合要求， 包括在处理器安装衬底中 嵌入的微电子管芯的阵列接触部数量、 阵列接触部构造。 如图11的虚线所表示的， 可以包括 基础衬。

49、底。 也如图11所描绘的， 还可以包括无源器件。 0079 尽管上面已经描述了具体实施例， 但是即使相对于特定的特征仅描述了单个实施 例， 这些实施例也并非旨在限制本公开的范围。 除非另有说明， 否则在本公开中所提供的特 征的示例旨在是说明性的而非限制性的。 以上描述旨在涵盖对本领域的技术人员将是显而 说明书 8/10 页 11 CN 111755419 A 11 易见的具有本公开的益处的那些替代形式、 修改形式和等同形式。 0080 本公开的范围包括本文所公开的任何特征或特征组合(明示地或暗示地)， 或其任 何概括， 不管其是否减轻本文所解决的任何或全部问题。 因此， 在本申请(或要求享有其。

50、优 先权的申请)的审查期间可以针对特征的任何这样的组合做出新的权利要求。 特别地， 参考 所附权利要求， 可以将从属权利要求的特征与独立权利要求的特征组合， 并且可以通过任 何适当方式而不是仅仅通过所附权利要求中列举的具体组合将相应的独立权利要求的特 征进行组合。 0081 以下示例涉及其他实施例。 不同实施例的各种特征可以通过各种方式与一些包括 的特征和排除的其他特征组合以适应各种不同的应用。 0082 示例实施例1： 一种管芯组件， 包括管芯、 附接到管芯的第一表面的一个或多个管 芯焊盘以及管芯上的管芯附接膜， 其中管芯附接膜包括暴露一个或多个管芯焊盘并且延伸 到管芯的一个或多个边缘的一个。