二恶英类化合物及其制备方法和应用.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010931127.0 (22)申请日 2020.09.07 (71)申请人 京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 (72)发明人 高荣荣张东旭 (74)专利代理机构 北京清亦华知识产权代理事 务所(普通合伙) 11201 代理人 戴冬瑾 (51)Int.Cl. C07D 493/04(2006.01) C07D 495/04(2006.01) C07F 9/6561(2006.01) H01L 51/54(2006.01) H01L 。

2、51/50(2006.01) (54)发明名称 二恶英类化合物及其制备方法和应用 (57)摘要 本发明提供了二恶英类化合物及其制备方 法和应用。 二恶英类化合物的通式为： X为O、 S或NR； L表 示直接键合， 或L为取代或未取代的C6C60亚芳 基， 或L为包含有第一杂原子的C2C60的杂芳基， A的通式为 其中， Ar1和Ar2各自独 立的为取代或未取代的芳基、 苯基、 联苯基或含 有第二杂原子的杂环基， B为O、 S或Se； X1、 X2和X3 为分别C或N且至少之一为N， R4、 R5和R6各自独立 的为C5C30的芳族或杂芳族环体系。 使用二恶英 类化合物制备的有机电致发光器件的电。

3、子传输 层， 可以使得OLED器件具有较低的电压和良好的 发光效率。 权利要求书10页 说明书25页 CN 112010866 A 2020.12.01 CN 112010866 A 1.一种二恶英类化合物， 其特征在于， 所述二恶英类化合物的通式为： 其中， X为O、 S或NR， R、 R1、 R2、 R3各自独立的为氢、 氘、 卤素、 氰基、 硝基、 C1C40的烷基、 C2 C40的烯基、 C2C40的炔基、 C3C40的环烷基、 C3C40的杂环烷基、 C6C60的芳基、 C5C60的 杂芳基、 C1C40的烷氧基、 C6C60的芳氧基、 C3C40的烷基甲硅烷基、 C6C60的芳基甲。

4、硅烷 基、 C1C40的烷基硼基、 C6C60的芳基硼基、 C6C60的芳基亚膦基、 C6C60的单或二芳基膦 基或C6C60的芳基胺基； L表示直接键合， 或L为取代或未取代的C6C60亚芳基， 或L为包含有第一杂原子的C2 C60的杂芳基， A的通式为 其中， Ar1和Ar2各自独立的为取代或未取代的芳基、 苯基、 联苯基或含有第二杂原子的 杂环基， B为O、 S或Se； X1、 X2和X3为分别C或N且至少之一为N， R4、 R5和R6各自独立的为C5C30的芳族或杂芳 族环体系。 2.根据权利要求1所述的二恶英类化合物， 其特征在于， R4、 R5和R6中的至少之一可被 R3取代。 3。

5、.根据权利要求1所述的二恶英类化合物， 其特征在于， 所述第一杂原子为N、 O、 S和Si 中的至少之一。 4.根据权利要求1所述的二恶英类化合物， 其特征在于， 所述第二杂原子为N、 O和S中的 至少之一。 5.根据权利要求1所述的二恶英类化合物， 其特征在于， R4、 R5和R6中的至少之一含有 第三杂原子， 第三杂原子为N、 S和B中的至少之一。 6.根据权利要求5所述的二恶英类化合物， 其特征在于， 键合到同一所述第三杂原子上 的第一基团和第二基团通过单键连接， 或所述第一基团和所述第二基团通过B(R3)、 C (R3)2、 Si(R3)2、 CO、 CNR3、 CC(R3)2、 O、。

6、 S、 SO、 SO2、 N(R3)、 P(R3)或P(O)R3的桥连连 接。 7.根据权利要求6所述的二恶英类化合物， 其特征在于， 所述第一基团和所述第二基团 各自独立的为苯基、 芳基或烷基。 8.根据权利要求17中任一项所述的二恶英类化合物， 其特征在于， 所述二恶英类化 合物可为 权利要求书 1/10 页 2 CN 112010866 A 2 权利要求书 2/10 页 3 CN 112010866 A 3 权利要求书 3/10 页 4 CN 112010866 A 4 权利要求书 4/10 页 5 CN 112010866 A 5 9.一种权利要求1-8中任一项所述的二恶英类化合物的制。

7、备方法， 其特征在于， 包括： 权利要求书 5/10 页 6 CN 112010866 A 6 与中间物反应得到所述二 恶英类化合物。 10.根据权利要求9所述的方法， 其特征在于， 制备所述二恶英类化合物的步骤为： 权利要求书 6/10 页 7 CN 112010866 A 7 权利要求书 7/10 页 8 CN 112010866 A 8 权利要求书 8/10 页 9 CN 112010866 A 9 权利要求书 9/10 页 10 CN 112010866 A 10 11.一种电子传输层， 其特征在于， 包括1-8中任一项所述的二恶英类化合物。 12.一种OLED器件， 其特征在于， 包。

8、括权利要求11的电子传输层。 13.一种显示面板， 其特征在于， 包括权利要求12所述的OLED器件。 权利要求书 10/10 页 11 CN 112010866 A 11 二恶英类化合物及其制备方法和应用 技术领域 0001 本发明涉及材料技术领域， 具体的， 涉及二恶英类化合物及其制备方法和应用。 背景技术 0002 OLED(Organic Light Emitting Diode)是近些年新兴起的一种屏幕显示技术， 它 具有自发光， 功耗低， 色彩鲜艳， 大视角以及可以制备成柔性产品的优点。 OLED是由众多层 状结构单元构成， 各类功能层本身以及功能层界面的相互作用直接或间接的影响着。

9、器件内 部载流子的注入、 输运、 扩散， 以及激子的形成、 扩散、 淬灭等行为， 所以OLED功能层材料对 器件性能(如电流密度， 发光亮度， 发光效率和稳定性等)起到决定性作用。 0003 OLED有机功能层中的有机电子传输材料作为OLED的核心材料之一， 对OLED的性能 和稳定性有重要的影响。 电子传输材料需要具有较高的电子迁移率(me)、 高的玻璃化转变 温度(Tg)、 较高的三线态能级(ET)以及较深的HOMO能级和合适LUMO能级等性质， 同时作为 电子传输层， 在有机电致发光器件中也展现了较高的器件效率。 但是， 很多材料的设计合成 复杂、 制备纯化困难， 这些因素都限制了电子传。

10、输/空穴阻挡材料在OLED中的应用。 0004 因此， 关于电子传输材料的研究有待深入。 发明内容 0005 本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。 为此， 本发明的 一个目的在于提出一种二恶英类化合物， 该化合物具有较佳的电荷传输能力， 较高的玻璃 化转变温度， 或者能够有效的防止该化合物的结晶。 0006 在本发明的一方面， 本发明提供了一种二恶英类化合物。 根据本发明的实施例， 所 述二恶英类化合物的通式为： 0007 0008 其中， X为O、 S或NR， R、 R1、 R2、 R3各自独立的为氢、 氘、 卤素、 氰基、 硝基、 C1C40的 烷基、 C2C40的烯基。

11、、 C2C40的炔基、 C3C40的环烷基、 C3C40的杂环烷基、 C6C60的芳基、 C5C60的杂芳基、 C1C40的烷氧基、 C6C60的芳氧基、 C3C40的烷基甲硅烷基、 C6C60的芳 基甲硅烷基、 C1C40的烷基硼基、 C6C60的芳基硼基、 C6C60的芳基亚膦基、 C6C60的单或 二芳基膦基或C6C60的芳基胺基； L表示直接键合， 或L 为取代或未取代的C6C60亚芳基， 或L为包含有第一杂原子的C2C60的杂芳基， A的通式为 说明书 1/25 页 12 CN 112010866 A 12 其中， Ar1和Ar2各自独立的为取代或未取代的芳基、 苯基、 联苯基或含有。

12、第二杂原子的杂环 基， B为O、 S或Se； X1、 X2和X3为分别C 或N且至少之一为N， R4、 R5和R6各自独立的为C5C30的 芳族或杂芳族环体系。 由此， 上述二恶英类化合物结构大的 共轭体系， 与苯并呋喃或苯并 噻吩稠合， 连续的 共轭体系带来较好的电子流动性， 从而使得本申请的二恶英类化合物具 有高的电子迁移率， 易于电荷的分散及迁移， 稳定性好， 且具有优异的电荷传输能力和高玻 璃化转变温度； 二恶英类化合物的结构中存在一系列的取代， 使得分子有较好的空间立体 结构， 能够有效的防止该化合物的结晶； 该类核具有高的三线态能级(T1)， 该化合物应用于 OLED器件中的电子传。

13、输层时， 可有效防止发光层中产生的激子向电子传输区扩散， 从而提 升器件的效率。 所以， 使用二恶英类化合物制备的有机电致发光器件的电子传输层， 可以使 得OLED器件具有较低的电压和良好的发光效率。 0009 根据本发明的实施例， R4、 R5和R6中的至少之一可被R3取代。 0010 根据本发明的实施例， 所述第一杂原子为N、 O、 S和Si中的至少之一。 0011 根据本发明的实施例， 所述第二杂原子为N、 O和S中的至少之一。 0012 根据本发明的实施例， R4、 R5和R6中的至少之一含有第三杂原子， 第三杂原子为N、 S和B中的至少之一。 0013 根据本发明的实施例， 键合到同。

14、一所述第三杂原子上的第一基团和第二基团通过 单键连接， 或所述第一基团和所述第二基团通过B(R3)、 C(R3)2、 Si(R3)2、 CO、 CNR3、 C C(R3)2、 O、 S、 SO、 SO2、 N(R3)、 P(R3)或P(O)R3的桥连连接。 0014 根据本发明的实施例， 所述第一基团和所述第二基团各自独立的为苯基、 芳基或 烷基。 0015 根据本发明的实施例， 所述二恶英类化合物可为： 说明书 2/25 页 13 CN 112010866 A 13 0016 说明书 3/25 页 14 CN 112010866 A 14 0017 说明书 4/25 页 15 CN 1120。

15、10866 A 15 0018 说明书 5/25 页 16 CN 112010866 A 16 0019 0020 在本发明的另一方面， 本发明提供了一种前面所述的二恶英类化合物的制备方 法。 根据本发明的实施例， 制备二恶英类化合物的方法包括： 说明书 6/25 页 17 CN 112010866 A 17 0021 0022与中间物反应得到所 述二恶英类化合物。 0023 根据本发明的实施例， 制备所述二恶英类化合物的步骤为： 说明书 7/25 页 18 CN 112010866 A 18 0024 说明书 8/25 页 19 CN 112010866 A 19 0025 说明书 9/25。

16、 页 20 CN 112010866 A 20 0026 说明书 10/25 页 21 CN 112010866 A 21 0027 0028 在本发明的又一方面， 本发明提供了一种电子传输层。 根据本发明的实施例， 电子 传输层包括前面所述的二恶英类化合物。 由此， 本申请的电子传输层具有高的电子迁移率， 易于电荷的分散及迁移， 稳定性好， 且具有优异的电荷传输能力和高玻璃化转变温度； 电子 传输层中的二恶英类化合物不易结晶； 该电子传输层可有效防止发光层中产生的激子向电 子传输区扩散， 从而提升器件的效率， 进而可以使得OLED器件具有较低的电压和良好的发 光效率。 0029 在本发明的又。

17、一方面， 本发明提供了一种OLED器件。 根据本发明的实施例， OLED 器件包括前面所述的电子传输层。 由此， 该OLED器件具有较低的电压和良好的发光效率。 本 领域技术人员可以理解， 该OLED器件具有前面所述的电子传输层的所有特征和优点， 在此 不再过多的赘述。 0030 在本发明的又一方面， 本发明提供了一种显示面板。 根据本发明的实施例， 显示面 板包括前面所述的OLED器件。 由此， 该显示面板显示画面的质量较佳。 本领域技术人员可以 理解， 该显示面板具有前面所述的OLED器件的所有特征和优点， 在此不再过多的赘述。 说明书 11/25 页 22 CN 112010866 A 。

18、22 具体实施方式 0031 下面详细描述本发明的实施例。 下面描述的实施例是示例性的， 仅用于解释本发 明， 而不能理解为对本发明的限制。 实施例中未注明具体技术或条件的， 按照本领域内的文 献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。 所用试剂或材料未注明生产厂商者， 均 为可以通过市购获得的常规产品。 0032 在本发明的一方面， 本发明提供了一种二恶英类化合物。 根据本发明的实施例， 所 述二恶英类化合物的通式为： 0033 0034 其中， X为O、 S或NR， R、 R1、 R2、 R3各自独立的为氢、 氘、 卤素、 氰基、 硝基、 C1C40的 烷基、 C2C40的烯基、 C2C。

19、40的炔基、 C3C40的环烷基、 C3C40的杂环烷基、 C6C60的芳基、 C5C60的杂芳基、 C1C40的烷氧基、 C6C60的芳氧基、 C3C40的烷基甲硅烷基、 C6C60的芳 基甲硅烷基、 C1C40的烷基硼基、 C6C60的芳基硼基、 C6C60的芳基亚膦基、 C6C60的单或 二芳基膦基或C6C60的芳基胺基； L表示直接键合(直接键合即表示L为用于连接通式A的一 单键， )， 或L为取代或未取代的C6C60亚芳基， 或 L为包含有第一杂原子的C2C60的杂芳 基； A的通式为其中， Ar1和Ar2各自独立的为取代或未取 代的芳基、 苯基、 联苯基或含有第二杂原子的杂环基， 。

20、B为O、 S或Se； X1、 X2和X3为分别C或N且 至少之一为N， R4、 R5和R6 各自独立的为C5C30的芳族或杂芳族环体系。 由此， 上述二恶英 类化合物结构大的 共轭体系， 与苯并呋喃或苯并噻吩稠合， 连续的 共轭体系带来较好的 电子流动性， 从而使得本申请的二恶英类化合物具有高的电子迁移率， 易于电荷的分散及 迁移， 稳定性好， 且具有优异的电荷传输能力和高玻璃化转变温度； 二恶英类化合物的结构 中存在一系列的取代， 使得分子有较好的空间立体结构， 能够有效的防止该化合物的结晶； 该类核具有高的三线态能级(T1)， 该化合物应用于OLED器件中的电子传输层时， 可有效防 止发光。

21、层中产生的激子向电子传输区扩散， 从而提升器件的效率。 所以， 使用二恶英类化合 物制备的有机电致发光器件的电子传输层， 可以使得OLED器件具有较低的电压和良好的发 光效率。 0035其中， 当X1、 X2和X3均为N元素时，具有三嗪基团， 三嗪基团为强 吸电子基团， 使得本申请的二恶英类化合物具有较高的电子迁移率和较深的能级， 进而可 以很好的起到阻挡空穴的作用， 进而使得OLED器件具有较低的电压和良好的发光效率。 0036 根据本发明的实施例， 第一杂原子为N、 O、 S和Si中的至少之一， 第二杂原子为N、 O 说明书 12/25 页 23 CN 112010866 A 23 和S中。

22、的至少之一。 由此， 即便于二恶英类化合物的准备， 又可以有效保证二恶英类化合物 上述良好的性能。 0037 根据本发明的实施例， R4、 R5和R6中的至少之一可被R3取代。 由此， 本申请的二恶 英类化合物的种类较多， 可以提供更多的选择性。 0038 根据本发明的实施例， R4、 R5和R6中的至少之一含有第三杂原子， 第三杂原子为N、 S和B中的至少之一。 由此， 即便于二恶英类化合物的准备， 又可以有效保证二恶英类化合物 上述良好的性能。 0039 在一些实施例中， 键合到同一第三杂原子上的第一基团和第二基团通过单键连 接， 即是说， 分别与第三杂原子连接的第一基团和第二基团之间直接。

23、通过化学键连接， 形成 由第三杂原子、 第一基团和第二基团连接组成的杂环； 在另一些实施例中， 第一基团和第二 基团通过第三基团桥连连接， 其中， 第三基团选自B(R3)、 C(R3)2、 Si(R3)2、 CO、 CNR3、 C C(R3)2、 O、 S、 SO、 SO2、 N(R3)、 P(R3)或P(O)R3的桥连连接， 即第一基团和第二基团通过 化学键分别于过第三基团中的B、 C、 O、 S、 Si、 N或P元素连接， 形成由第三杂原子、 第一基团、 第二基团和第三基团中的B、 C、 O、 S、 Si、 N或P元素连接组成的杂环。 由此， 可以更进一步的丰 富二恶英类化合物的具体种类。。

24、 0040 需要说明的是， 上述 “第三基团中的B、 C、 S、 Si、 N或P元素” 即是指B(R3)中的B， C (R3)2、 CO、 CC(R3)2或CNR3中的C， O中的O， S、 SO或SO2中的S， Si(R3)2 中的Si， N (R3)中的N， P(R3)或P(O)R3中的P。 0041 根据本发明的实施例， 所述第一基团和所述第二基团各自独立的为苯基、 芳基或 烷基。 由此， 即便于二恶英类化合物的准备， 又可以有效保证二恶英类化合物上述良好的性 能， 且可以更进一步的丰富二恶英类化合物的具体种类。 0042 根据本发明的一些具体实施例， 所述二恶英类化合物可为： 说明书 。

25、13/25 页 24 CN 112010866 A 24 0043 说明书 14/25 页 25 CN 112010866 A 25 0044 说明书 15/25 页 26 CN 112010866 A 26 0045 说明书 16/25 页 27 CN 112010866 A 27 0046 0047 根据本发明的实施例， 上述列举的具体二恶英类化合物不仅便于制备， 而且电子 传输性能优异， 玻璃化转变温度较高， 具有较高的三重态能级， 较深的HOMO/LUMO能级， 良好 的稳定性， 较高的光学带隙。 0048 需要说明的是， 本申请的中的二恶英类化合物的具体种类并不限于上述列列举的 几种。

26、， 只要满足前面所述的二恶英类化合物的通式的化合物均属于本申请的保护范围内。 0049 在本发明的另一方面， 本发明提供了一种前面所述的二恶英类化合物的制备方 说明书 17/25 页 28 CN 112010866 A 28 法。 根据本发明的实施例， 制备二恶英类化合物的方法包括： 0050 0051与中间物反应得到所 述二恶英类化合物。 由此， 上述制备方法可实施性强， 反应条件较温和， 便于工业化生产， 且 制备良率合纯度较佳。 0052 其中， 上述 “中间物” 具体种类没有特殊要求， 本领域技术人员可以根据前面所述 的 A的通式以及所要制备的二恶英类化合物的具体 结构式等实际情况灵活。

27、选择， 在此不作限制要求。 0053 根据本发明的实施例， 制备所述二恶英类化合物的步骤为： 说明书 18/25 页 29 CN 112010866 A 29 0054 说明书 19/25 页 30 CN 112010866 A 30 0055 说明书 20/25 页 31 CN 112010866 A 31 0056 说明书 21/25 页 32 CN 112010866 A 32 0057 0058 在本发明的又一方面， 本发明提供了一种电子传输层。 根据本发明的实施例， 电子 传输层包括前面所述的二恶英类化合物。 由此， 本申请的电子传输层具有高的电子迁移率， 易于电荷的分散及迁移， 薄。

28、膜稳定性、 电化学稳定性以及热稳定性好， 且具有优异的电荷传 输能力和高玻璃化转变温度； 电子传输层中的二恶英类化合物不易结晶； 该电子传输层可 有效防止发光层中产生的激子向电子传输区扩散， 从而提升器件的效率， 进而可以使得 OLED器件具有较低的电压和良好的发光效率。 0059 在本发明的又一方面， 本发明提供了一种OLED器件。 根据本发明的实施例， OLED 器件包括前面所述的电子传输层。 由此， 该OLED器件具有较低的电压、 良好的发光效率以及 良好的稳定性。 本领域技术人员可以理解， 该OLED器件具有前面所述的电子传输层的所有 特征和优点， 在此不再过多的赘述。 0060 根据。

29、本发明的实施例， OLED器件包括依次层叠设置的阳极、 空穴注入层(HIL)、 空 穴传输层(HTL)、 发光层、 电子传输层(ETL)、 电子注入层(EIL)和阴极。 其中， 阳极的材料可 以选自ITO； 空穴注入层(HIL)的材料选自MoO3、 F4-TCNQ和HAT-CN中的至少之一； 空穴传输 层(HTL)的材料选自NPB、 m-MTDATA和TPD中的至少之一； 发光层包括EBL、 发光材料层和HBL 三层层叠结构， 其中， EBL层的材料选自mCBP和Tris-PCz 中的至少一种， 发光材料层包括主 说明书 22/25 页 33 CN 112010866 A 33 体材料(Hos。

30、t， 具体材料可以为ADN)和客体材料(Dopant， 具体材料可以为Dpvbi)， HBL的材 料选自BCP和Bphen中的至少之一； 电子传输层(ETL) 的材料选自上述的二恶英类化合物； 电子注入层(EIL)的材料选自LiF、 Yb和LIQ中的至少之一； 阴极的材料选自银、 镁和铝中的 至少之一。 0061 在本发明的又一方面， 本发明提供了一种显示面板。 根据本发明的实施例， 显示面 板包括前面所述的OLED器件。 由此， 该显示面板显示画面的质量较佳。 本领域技术人员可以 理解， 该显示面板具有前面所述的OLED器件的所有特征和优点， 在此不再过多的赘述。 0062 根据本发明的实施。

31、例， 该显示面板可以用于的显示装置的具体种类没有特殊要 求， 本领域技术人员可以根据实际需求灵活选择。 在一些实施例中， 显示面板可以用于手 机、 笔记本、 iPad、 kindle、 游戏机等具有显示功能的显示设备中。 0063 本领域技术人员可以理解， 该显示面板除了前面所述的OLED器件， 还包括常规显 示面板所必备的结构或部件， 比如还包括TFT背板、 彩膜基板、 封框胶等必备的结构或部件。 0064 实施例 0065 实施例1 0066 OLED器件包括依次层叠设置的阳极、 空穴注入层(HIL)、 空穴传输层(HTL)、 发光 层、 电子传输层(ETL)、 电子注入层(EIL)和阴极。

32、。 其中， 0067 阳极的材料为ITO； 0068 空穴注入层(HIL)的材料为HAT-CN， 厚度为20nm； 0069 空穴传输层(HTL)的材料为NPB， 厚度为80nm； 0070 发光层包括EBL、 发光材料层和HBL三层层叠结构， 其中， EBL层的材料为mCBP， EBL 层的厚度为10nm； 发光材料层的材料包括ADN和Dpvbi， 发光材料层的厚度为30nm， 且Dpvbi 的含量为发光材料层总质量的5； HBL的材料为BCP， HBL层的厚度为10nm； 0071 电子传输层(ETL)的材料为二恶英类化合物1(具体结构及其HOMO和LUMO分布参照 表1)， 厚度为30n。

33、m； 0072 电子注入层(EIL)的材料为LiF， 厚度为1nm； 0073 阴极的材料为铝， 厚度为120nm。 0074 实施例2 0075 对实施例1的区别在于： 电子传输层(ETL)的材料为二恶英类化合物2(具体结构及 其HOMO和LUMO分布参照表1)， 厚度为30nm。 0076 实施例3 0077 对实施例1的区别在于： 电子传输层(ETL)的材料为二恶英类化合物3(具体结构及 其HOMO和LUMO分布参照表1)， 厚度为30nm。 0078 实施例4 0079 对实施例1的区别在于： 电子传输层(ETL)的材料为二恶英类化合物4(具体结构及 其HOMO和LUMO分布参照表1)。

34、， 厚度为30nm。 0080 对比例1 0081 对实施例1的区别在于： 电子传输层(ETL)的材料为AlQ3， 厚度为30nm。 0082 表1 说明书 23/25 页 34 CN 112010866 A 34 0083 0084其中， HAT-CN的结构式为NPB的结构式为 mCBP的结构式为BCP的结构式为DPVBi 的结 构式为AND的结构式为AlQ3的结构式为 0085 对实施例1-4和对比例1中的OLED器件的IVL进行测试， 测试结果参照表2结果。 与 说明书 24/25 页 35 CN 112010866 A 35 对比例1相比， 实施例1-4中的OLED器件具有驱动电压低、。

35、 效率高的优点， 而该效果正是由电 子传输层的材料的不同带来的。 0086 表2 0087 电子传输层材料 驱动电压(V) 发光峰(nm) 电流效率(cd/A) 实施例1 化合物1 7.3 456 7.3 实施例2 化合物2 7.0 460 7.1 实施例3 化合物3 7.1 458 6.9 实施例4 化合物4 7.0 454 7.3 比较例1 AlQ3 7.7 460 5.7 0088 文中术语 “第一” 、“第二” 仅用于描述目的， 而不能理解为指示或暗示相对重要性 或者隐含指明所指示的技术特征的数量。 由此， 限定有 “第一” 、“第二” 的特征可以明示或者 隐含地包括一个或者更多个该特。

36、征。 在本发明的描述中，“多个” 的含义是两个或两个以上， 除非另有明确具体的限定。 0089 在本说明书的描述中， 参考术语 “一个实施例” 、“一些实施例” 、“示例” 、“具体示 例” 、 或 “一些示例” 等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、 结构、 材料或者特 点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。 在本说明书中， 对上述术语的示意性表述不 必须针对的是相同的实施例或示例。 而且， 描述的具体特征、 结构、 材料或者特点可以在任 一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。 此外， 在不相互矛盾的情况下， 本领域的技 术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结 合和组合。 0090 尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例， 可以理解的是， 上述实施例是示例 性的， 不能理解为对本发明的限制， 本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述 实施例进行变化、 修改、 替换和变型。 说明书 25/25 页 36 CN 112010866 A 36 。