激光卡槽制程后改善工艺.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010674758.9 (22)申请日 2020.07.14 (71)申请人 联立 （徐州） 半导体有限公司 地址 221000 江苏省徐州市经济技术开发 区清洁技术产业园服务中心213室 (72)发明人 陈清池 (74)专利代理机构 苏州创策知识产权代理有限 公司 32322 代理人 范圆圆 (51)Int.Cl. H01L 21/304(2006.01) B23K 26/36(2014.01) B23K 26/402(2014.01) (54)发明名称 一种激光卡槽制程。

2、后改善工艺 (57)摘要 一种激光卡槽制程后改善工艺， 其步骤具体 如下： (1).调整DOE的角度， 使其与生产的IC形成 一定的倾斜角度； (2).在步骤(1)的基础上对IC 依次进行Grooving process制程工艺。 通过改变 DOE与IC之间的角度， 从而赋予DOE一个微小角度 设定， 使晶侧仅受到一个Laser Beam的接触， 达 到降低热效应对晶侧的影响和保证了晶圆的生 产质量的目的。 权利要求书1页 说明书2页 附图2页 CN 112038229 A 2020.12.04 CN 112038229 A 1.一种激光卡槽制程后改善工艺， 其特征在于， 其步骤具体如下： (。

3、1).调整DOE的角度， 使其与生产的IC形成一定的倾斜角度； (2).在步骤(1)的基础上对IC依次进行Grooving process制程工艺。 2.根据权利要求1所述的一种激光卡槽制程后改善工艺， 其特征在于， 步骤(1)中主要 是通过调节设备上的镭射头的角度来实现。 3.根据权利要求2所述的一种激光卡槽制程后改善工艺， 其特征在于， 在步骤(1)中调 节完镭射头的角度后， 需要对其打出的激光角度进行检测。 权利要求书 1/1 页 2 CN 112038229 A 2 一种激光卡槽制程后改善工艺 技术领域 0001 本发明涉及晶圆生产加工领域， 具体涉及一种激光卡槽制程后改善工艺。 背景。

4、技术 0002 在传统技术中， 一般都会采用ASM的Laser grooving机台在传统U-shape的模式下 使用martix DOE(Diffractive Optical Element)进行Grooving process以可以得到较好 的底部平整度。 但是此种工艺中， IC晶侧所受到的Laser spot点为2-3个， 相对所受的热效 应会有所迭加， 而热效应除了容易对IC内部线路造成影响， 也会在晶侧造成细小裂痕， 影响 IC强度， 造成终端制程的损失。 0003 公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的总体背景技术的理解， 而 不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成。

5、已为本领域技术人员所公知的现有技术。 发明内容 0004 为解决上述技术问题， 本发明提出了一种激光卡槽制程后改善工艺， 以达到降低 热效应对晶侧的影响和保证了晶圆的生产质量的目的。 0005 为达到上述目的， 本发明的技术方案如下： 0006 一种激光卡槽制程后改善工艺， 其步骤具体如下： 0007 (1).调整DOE的角度， 使其与生产的IC形成一定的倾斜角度； 0008 (2).在步骤(1)的基础上对IC依次进行Grooving process制程工艺。 0009 作为优选的， 步骤(1)中主要是通过调节设备上的镭射头的角度来实现。 0010 作为优选的， 在步骤(1)中调节完镭射头的角。

6、度后， 需要对其打出的激光角度进行 检测。 0011 本发明具有如下优点： 0012 本发明通过改变DOE与IC之间的角度， 从而赋予DOE一个微小角度设定， 使晶侧仅 受到一个Laser Beam的接触， 达到降低热效应对晶侧的影响和保证了晶圆的生产质量的目 的。 附图说明 0013 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案， 下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。 0014 图1为现有技术中DOE与IC的位置结构示意图； 0015 图2为本发明实施例公开的DOE与IC的位置结构示意图； 0016 图3为改善前IC抗压图； 0017 图4为采用本发明所生产的。

7、IC抗压图； 说明书 1/2 页 3 CN 112038229 A 3 具体实施方式 0018 下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完 整地描述。 0019 本发明提供了一种激光卡槽制程后改善工艺， 其工作原理是通过改变DOE与IC之 间的角度， 从而赋予DOE一个微小角度设定， 使晶侧仅受到一个Laser Beam的接触， 达到降 低热效应对晶侧的影响和保证了晶圆的生产质量的目的。 0020 下面结合实施例和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。 0021 如图2所示， 一种激光卡槽制程后改善工艺， 其步骤具体如下： 0022 (1).调整DOE的角度，。

8、 使其与生产的IC形成一定的倾斜角度； 具体如下： 0023 (1-1)、 根据产品确定需要调节的角度参数； 0024 (1-2)、 根据上述参数调节设备上的镭射头， 调整完成后将镭射头进行固定； 0025 (1-3)、 对固定后的镭射头的激光角度进行检测， 若发生不对应则重复步骤(1-2)； 若检测准备， 则进入步骤(2)； 0026 (2).在步骤(1)的基础上对IC依次进行Grooving process制程工艺。 0027 雷射工艺中,通常会对切割道执行三次雷射激光(3pass)： 0028 第一次(1st pass)建立沟槽范围； 0029 第二次(2nd pass)为使雷射激光后晶。

9、圆切割道达到一定的深度； 0030 第三次(3rd pass)主要目的使雷射激光后的位置底部平坦化,以达U-shape的模 式。 0031 采用三点抗弯的检测方式， 分别就传统工艺获取的产品和采用本工艺获取的产品 进行检测， 并分别获取图3和图4所显示的数据。 0032 对比图3和图4， 以Weibull分布图计算B10值进行比较， 折断晶粒的压力可以由 360mpa提升至423mpa， 晶粒抗压强度增加， 改善效果显着。 0033 以上所述的仅是本发明所公开的一种激光卡槽制程后改善工艺的优选实施方式， 应当指出， 对于本领域的普通技术人员来说， 在不脱离本发明创造构思的前提下， 还可以做 出若干变形和改进， 这些都属于本发明的保护范围。 说明书 2/2 页 4 CN 112038229 A 4 图1 图2 说明书附图 1/2 页 5 CN 112038229 A 5 图3 图4 说明书附图 2/2 页 6 CN 112038229 A 6 。