选择性发射极P型单晶硅片的制备方法.pdf

《选择性发射极P型单晶硅片的制备方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《选择性发射极P型单晶硅片的制备方法.pdf（10页完成版）》请在专利查询网上搜索。

1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010516396.0 (22)申请日 2020.06.09 (71)申请人 天津爱旭太阳能科技有限公司 地址 300400 天津市北辰区经济技术开发 区科技园高新大道与景通路交口东北 侧 (72)发明人 赵小平杨二存夏利鹏高丽丽 刘海泉刘浩东郭星妙 (74)专利代理机构 广州知友专利商标代理有限 公司 44104 代理人 高文龙 (51)Int.Cl. H01L 31/18(2006.01) H01L 31/0352(2006.01) (54)发明名称 一种选择性发射极P。

2、型单晶硅片的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种选择性发射极P型单晶硅 片的制备方法， 包括： 选取P型单晶硅片， 对硅片 进行碱制绒； 将硅片进行磷扩散， 在硅片表面形 成N型层； 硅片正面开槽； 去除硅片边缘PN结， 去 除硅片正面磷硅玻璃； 经过退火炉形成氧化保护 膜； 沉积硅片背面氧化铝钝化层； 在硅片的背面 镀氮化硅反射膜； 沉积硅片的正面镀氮化硅反射 膜； 硅片通过背面激光开槽； 背面电极印刷； 铝背 场印刷； 正面电极印刷以及高温快速烧结。 该制 备方法能提高电池片的效率。 权利要求书1页 说明书8页 CN 111883610 A 2020.11.03 CN 11188361。

3、0 A 1.一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 包括如下步骤： 步骤一： 选取P型单晶硅片， 对硅片进行碱制绒， 使得P型单晶硅片衬底的正背表面形成 金字塔状的减反射绒面， 减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9-15之间； 步骤二： 将硅片进行磷扩散， 在硅片表面形成N型层； 步骤三： 硅片正面开槽； 步骤四： 去除硅片边缘PN结， 去除硅片正面磷硅玻璃； 步骤五： 经过退火炉形成氧化保护膜； 步骤六： 沉积硅片背面氧化铝钝化层； 在硅片的背面镀氮化硅反射膜； 步骤七： 沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜； 步骤八： 硅片通过背面激光开槽； 步骤九、 背面电极印刷： 在硅片的背。

4、面印刷金属背电极， 所采用的金属为银； 步骤十、 铝背场印刷： 在硅片的背面印刷铝背场； 步骤十一、 正面电极印刷： 在硅片的正面印刷正面金属电极， 所采用的金属为银； 步骤十二、 高温快速烧结： 将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结。 2.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 其特征在于： 所述步 骤一中， 制绒剂为体积比为2的KOH水溶液， 温度为80， 制绒时间为300s； 或者制绒剂为 体积比为2-3的KOH、 体积比为0.5-0.7的制绒添加剂、 其余为水的混合溶液。 3.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 其特征在于： 所述步 骤二中， 硅片在8。

5、50的炉管中进行磷扩散， 扩散时间为70min。 4.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 其特征在于： 所述步 骤三的具体过程为： 硅片经过激光器， 正面开槽， 在主栅下面打一根激光线， 主栅激光宽度 为70um， 雕刻速度为30000mm/s， 形成重掺区域， 重掺区域的衬底方为855； 用于激光处 理的激光能量大小为25瓦特， 激光频率为225千赫兹。 5.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 其特征在于： 所述步 骤三的具体过程为： 硅片经过激光器， 正面开槽， 在主栅下面打两根激光线， 主栅激光重掺 杂宽度为140um， 雕刻速度为30000m。

6、m/s， 形成重掺区域， 重掺区域的衬底方为855； 用于 激光处理的激光能量大小为25瓦特， 激光频率为225千赫兹。 6.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 其特征在于： 所述步 骤四中， 采用等离子刻蚀法去除硅片边缘PN结， 去除硅片正面磷硅玻璃。 7.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 其特征在于： 所述步 骤五中， 退火温度为650-750， 时间为800-1000s。 8.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 其特征在于： 所述步 骤六中， 采用化学气相沉积法沉积硅片背面氧化铝钝化层， 背面氧化铝钝化层的膜厚为 5nm。

7、； 背面氮化硅反射膜的膜厚为80nm。 9.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 其特征在于： 所述步 骤七中， 采用化学气相沉积法沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜， 正面氮化硅反射膜的膜厚 为72nm。 10.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 其特征在于： 所述步 骤十二中， 烧结温度为： 700-800， 烧结时间为50-70秒。 权利要求书 1/1 页 2 CN 111883610 A 2 一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法 技术领域 0001 本发明涉及硅片的制备方法， 具体是指一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方 法， 。 背景技术 000。

8、2 近些年来电力煤炭石油等不可再生能源频频告急， 能源问题日益成为制约国际社 会经济发展的瓶颈时， 越来越多的国家开始实行 “阳光计划” ， 开发太阳能资源， 寻求经济发 展的新动力迫在眉睫。 欧洲一些高水平的核研究所机构也开始转向可再生能源。 在国际光 伏市场巨大潜力的推动下， 各国的太阳能电池制造业争相投入巨资， 扩大生产， 以争一席 地。 随着光伏产业的不断发展， 组件对于高效电池的需求量越来越大， 尤其是对高开压电池 片的需求， 在高效电池的工业化生产中， 选择性发射极技术被广泛的应用。 0003 电池的结构特征为在丝网金属栅线接触区域形成高掺杂深扩区， 在非接触区域形 成低掺杂浅扩区。

9、， 通过对发射区选择性掺杂， 在栅线接触区和非接触区域实现不同的扩散 效果， 在低掺杂区和高掺杂区交界处形成横向N+N高低结， 在电极栅线下形成N+P结， 选择性 发射极太阳能电池栅线处多一个横向N+N高低结， 和一个N+P结， 从而实现降低串联电阻， 减 少光生少数载流子的表面复合和减小扩散死层的影响， 可以提高太阳能电池的的开路电 压， 短路电流， 和填充因子， 从而获得提升电池效率。 发明内容 0004 本发明的目的是提供一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 以此来提高电 池片的效率。 0005 本发明的上述目的采用如下技术方案来实现的： 一种选择性发射极P型单晶硅片 的制备方法， 。

10、包括如下步骤： 0006 步骤一： 选取P型单晶硅片， 对硅片进行碱制绒， 使得P型单晶硅片衬底的正背表面 形成金字塔状的减反射绒面， 减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9-15之 间； 0007 步骤二： 将硅片进行磷扩散， 在硅片表面形成N型层； 0008 步骤三： 硅片正面开槽； 0009 步骤四： 去除硅片边缘PN结， 去除硅片正面磷硅玻璃； 0010 步骤五： 经过退火炉形成氧化保护膜； 0011 步骤六： 沉积硅片背面氧化铝钝化层； 在硅片的背面镀氮化硅反射膜； 0012 步骤七： 沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜； 0013 步骤八： 硅片通过背面激光开槽； 0014。

11、 步骤九、 背面电极印刷： 在硅片的背面印刷金属背电极， 所采用的金属为银； 0015 步骤十、 铝背场印刷： 在硅片的背面印刷铝背场； 0016 步骤十一、 正面电极印刷： 在硅片的正面印刷正面金属电极， 所采用的金属为银； 说明书 1/8 页 3 CN 111883610 A 3 0017 步骤十二、 高温快速烧结： 将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结。 0018 本发明中， 所述步骤一中， 制绒剂为体积比为2的KOH水溶液， 温度为80， 制绒 时间为300s； 或者制绒剂为体积比为2-3的KOH、 体积比为0.5-0.7的制绒添加剂、 其余为水的混合溶液。 0019 本发明中， 所述步骤二。

12、中， 硅片在850的炉管中进行磷扩散， 扩散时间为70min。 0020 本发明中， 所述步骤三的具体过程为： 硅片经过激光器， 正面开槽， 在主栅下面打 一根激光线， 主栅激光宽度为70um， 雕刻速度为30000mm/s， 形成重掺区域， 重掺区域的衬底 方为855； 用于激光处理的激光能量大小为25瓦特， 激光频率为225千赫兹。 0021 本发明中， 所述步骤三的具体过程为： 硅片经过激光器， 正面开槽， 在主栅下面打 两根激光线， 主栅激光重掺杂宽度为140um， 雕刻速度为30000mm/s， 形成重掺区域， 重掺区 域的衬底方为855； 用于激光处理的激光能量大小为25瓦特， 激。

13、光频率为225千赫兹。 0022 本发明中， 所述步骤四中， 采用等离子刻蚀法去除硅片边缘PN结， 去除硅片正面磷 硅玻璃。 0023 本发明中， 所述步骤五中， 退火温度为650-750， 时间为800-1000s。 0024 本发明中， 所述步骤六中， 采用化学气相沉积法沉积硅片背面氧化铝钝化层， 背面 氧化铝钝化层的膜厚为5nm； 背面氮化硅反射膜的膜厚为80nm。 0025 本发明中， 所述步骤七中， 采用化学气相沉积法沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜， 正面氮化硅反射膜的膜厚为72nm。 0026 本发明中， 所述步骤十二中， 烧结温度为： 700-800， 烧结时间为50-70秒。 0。

14、027 与现有技术相比， 本发明具有如下显著的有益效果： 0028 现阶段单晶硅片普遍采用碱制绒方式形成金字塔状的减反射绒面， 绒面大小在2- 5um， 反射率(全波段300-1200nm)范围10-18， 传统的单晶碱制绒技术进一步优化电池 片反射率困难较大， 降低反射率可以进一步提高电池片的短路电流， 本发明绒面结构是在 碱制绒金子塔绒面结构的基础上进行二次制绒进一步优化绒面结构， 反射率在范围5- 9之间， 降低硅片表面的反射率增加光的利用率， 进而提高电池片的短路电流。 0029 与现有设计相比， 本发明具有以下有益效果： 0030 本发明的的制备方法， 通过改善电池片的重掺杂区域面积。

15、， 实现电池片的效率提 升。 0031 本发明的制备方法， 通过改变主栅金属栅线下重掺杂， 实现主栅线横向N+N高低 结， 和一个N+P结， 从而实现降低串联电阻， 减少光生少数载流子的表面复合和减小扩散死 层的影响， 提高太阳能电池的的开路电压， 短路电流， 和填充因子,提高效率0.03-0.8 0032 本发明的制备方法， 无需额外的购入新设备， 只需要在原来激光图形上修改设计， 能有效的提高电池片的效率， 能满足不同尺度的硅片需求， 适合大规模的工业化生产。 具体实施方式 0033 实施例一 0034 一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 包括如下步骤： 0035 步骤一： 选取电阻。

16、率为0.5-1.5仩cm的P型单晶硅片， 对硅片进行碱制绒， 制绒剂 为体积比为2的KOH水溶液， 温度为80， 制绒时间为300s， 使得P型单晶硅片衬底的正背 说明书 2/8 页 4 CN 111883610 A 4 表面形成金字塔状的减反射绒面， 减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9-15 之间； 0036 对于同一片硅片， 测试位置的不同， 电阻率都存在不同， 因此， 硅片的电阻率为范 围值， 不是固定值。 0037 步骤一中的制绒剂也可以选取体积比为2-3的KOH、 体积比为0.5-0.7的 制绒添加剂、 其余为水的混合溶液。 0038 其中， 步骤一为硅片的制绒工艺。

17、方法， 采用化学制绒和物理制绒叠加， 形成纳米绒 面； 0039 步骤二： 将硅片置于850的炉管中进行磷扩散， 扩散时间为70min， 在硅片表面形 成N型层； 扩散结深0.2um， 扩散方阻1505； 0040 步骤三： 硅片经过激光器， 正面开槽， 在主栅下面打一根激光线， 主栅激光宽度为 70um， 雕刻速度为30000mm/s， 形成重掺区域， 重掺区域的衬底方为855； 用于激光处理 的激光能量大小为25瓦特， 激光频率为225千赫兹； 0041 步骤四： 采用等离子刻蚀法去除硅片边缘PN结， 去除硅片正面磷硅玻璃； 刻蚀后硅 片减重0.21g； 0042 步骤五： 经过退火炉形成。

18、氧化保护膜， 退火温度为700， 时间为900s， 氧气流量为 100sccm， 压力为150Pa； 0043 步骤六： 采用PECVD法(PECVD法即为化学气相沉积法)沉积硅片背面氧化铝钝化 层； 背面氧化铝钝化层的膜厚为5nm， 在硅片的背面镀氮化硅反射膜； 背面氮化硅反射膜的 膜厚为80nm； 折射率为2.15； 0044 步骤七： 采用PECVD法沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜； 正面氮化硅反射膜的膜厚 为72nm； 折射率为2.13； 0045 步骤八： 硅片通过背面激光开槽； 0046 步骤九： 背面电极印刷： 在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷金属背电极， 所采用 的金属为银； 印。

19、刷速度为450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为280度的烘干 炉， 烘干银电极； 0047 步骤十： 铝背场印刷： 在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷铝背场， 印刷速度为 450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为330度的烘干炉， 烘干铝背场； 0048 步骤十一： 正面电极印刷： 在硅片的正面采用丝网印刷方法印刷正面金属电极， 所 采用的金属为银； 印刷速度为450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为280度的 烘干炉， 烘干银栅线和银电极； 0049 步骤十二： 高温快速烧结： 将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结。

20、， 烧结温度为： 750 ， 烧结时间为60秒； 0050 最后将电池片在测试机进行测试分选。 0051 实施例二 0052 一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 包括如下步骤： 0053 步骤一： 选取电阻率为0.5-1.5仩cm的P型单晶硅片， 对硅片进行碱制绒， 制绒剂 为体积比为2的KOH水溶液， 温度为80， 制绒时间为300s， 使得P型单晶硅片衬底的正背 表面形成金字塔状的减反射绒面， 减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9-15 说明书 3/8 页 5 CN 111883610 A 5 之间； 0054 对于同一片硅片， 测试位置的不同， 电阻率都存在不同， 。

21、因此， 硅片的电阻率为范 围值， 不是固定值。 0055 步骤一中的制绒剂也可以选取体积比为2-3的KOH、 体积比为0.5-0.7的 制绒添加剂、 其余为水的混合溶液。 0056 其中， 步骤一为硅片的制绒工艺方法， 采用化学制绒和物理制绒叠加， 形成纳米绒 面； 0057 步骤二： 将硅片置于850的炉管中进行磷扩散， 扩散时间为70min， 在硅片表面形 成N型层； 扩散结深0.2um， 扩散方阻1505； 0058 步骤三： 硅片经过激光器， 正面开槽， 在主栅下面打一根激光线， 主栅激光宽度为 70um， 雕刻速度为30000mm/s， 形成重掺区域， 重掺区域的衬底方为855； 用。

22、于激光处理 的激光能量大小为25瓦特， 激光频率为225千赫兹； 0059 步骤四： 采用等离子刻蚀法去除硅片边缘PN结， 去除硅片正面磷硅玻璃； 刻蚀后硅 片减重0.21g； 0060 步骤五： 经过退火炉形成氧化保护膜， 退火温度为650， 时间为1000s， 氧气流量 为100sccm， 压力为150Pa； 0061 步骤六： 采用PECVD法(PECVD法即为化学气相沉积法)沉积硅片背面氧化铝钝化 层； 背面氧化铝钝化层的膜厚为5nm， 在硅片的背面镀氮化硅反射膜； 背面氮化硅反射膜的 膜厚为80nm； 折射率为2.15； 0062 步骤七： 采用PECVD法沉积硅片的正面镀氮化硅反射。

23、膜； 正面氮化硅反射膜的膜厚 为72nm； 折射率为2.13； 0063 步骤八： 硅片通过背面激光开槽； 0064 步骤九： 背面电极印刷： 在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷金属背电极， 所采用 的金属为银； 印刷速度为450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为280度的烘干 炉， 烘干银电极； 0065 步骤十： 铝背场印刷： 在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷铝背场， 印刷速度为 450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为330度的烘干炉， 烘干铝背场； 0066 步骤十一： 正面电极印刷： 在硅片的正面采用丝网印刷方法印刷正面金属电极，。

24、 所 采用的金属为银； 印刷速度为450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为280度的 烘干炉， 烘干银栅线和银电极； 0067 步骤十二： 高温快速烧结： 将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结， 烧结温度为： 700 ， 烧结时间为70秒； 0068 最后将电池片在测试机进行测试分选。 0069 实施例三 0070 一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 包括如下步骤： 0071 步骤一： 选取电阻率为0.5-1.5仩cm的P型单晶硅片， 对硅片进行碱制绒， 制绒剂 为体积比为2的KOH水溶液， 温度为80， 制绒时间为300s， 使得P型单晶硅片衬底的正背 表面形成金。

25、字塔状的减反射绒面， 减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9-15 之间； 说明书 4/8 页 6 CN 111883610 A 6 0072 对于同一片硅片， 测试位置的不同， 电阻率都存在不同， 因此， 硅片的电阻率为范 围值， 不是固定值。 0073 步骤一中的制绒剂也可以选取体积比为2-3的KOH、 体积比为0.5-0.7的 制绒添加剂、 其余为水的混合溶液。 0074 其中， 步骤一为硅片的制绒工艺方法， 采用化学制绒和物理制绒叠加， 形成纳米绒 面； 0075 步骤二： 将硅片置于850的炉管中进行磷扩散， 扩散时间为70min， 在硅片表面形 成N型层； 扩散结深0。

26、.2um， 扩散方阻1505； 0076 步骤三： 硅片经过激光器， 正面开槽， 在主栅下面打一根激光线， 主栅激光宽度为 70um， 雕刻速度为30000mm/s， 形成重掺区域， 重掺区域的衬底方为855； 用于激光处理 的激光能量大小为25瓦特， 激光频率为225千赫兹； 0077 步骤四： 采用等离子刻蚀法去除硅片边缘PN结， 去除硅片正面磷硅玻璃； 刻蚀后硅 片减重0.21g； 0078 步骤五： 经过退火炉形成氧化保护膜， 退火温度为750， 时间为800s， 氧气流量为 100sccm， 压力为150Pa； 0079 步骤六： 采用PECVD法(PECVD法即为化学气相沉积法)沉。

27、积硅片背面氧化铝钝化 层； 背面氧化铝钝化层的膜厚为5nm， 在硅片的背面镀氮化硅反射膜； 背面氮化硅反射膜的 膜厚为80nm； 折射率为2.15； 0080 步骤七： 采用PECVD法沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜； 正面氮化硅反射膜的膜厚 为72nm； 折射率为2.13； 0081 步骤八： 硅片通过背面激光开槽； 0082 步骤九： 背面电极印刷： 在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷金属背电极， 所采用 的金属为银； 印刷速度为450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为280度的烘干 炉， 烘干银电极； 0083 步骤十： 铝背场印刷： 在硅片的背面采用丝网印刷方法。

28、印刷铝背场， 印刷速度为 450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为330度的烘干炉， 烘干铝背场； 0084 步骤十一： 正面电极印刷： 在硅片的正面采用丝网印刷方法印刷正面金属电极， 所 采用的金属为银； 印刷速度为450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为280度的 烘干炉， 烘干银栅线和银电极； 0085 步骤十二： 高温快速烧结： 将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结， 烧结温度为： 800 ， 烧结时间为50秒； 0086 最后将电池片在测试机进行测试分选。 0087 实施例四 0088 一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 包括如。

29、下步骤： 0089 步骤一： 选取电阻率为0.5-1.5仩cm的P型单晶硅片， 对硅片进行碱制绒， 制绒剂 为体积比为2的KOH水溶液， 温度为80， 制绒时间为300s， 使得P型单晶硅片衬底的正背 表面形成金字塔状的减反射绒面， 减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9-15 之间； 0090 对于同一片硅片， 测试位置的不同， 电阻率都存在不同， 因此， 硅片的电阻率为范 说明书 5/8 页 7 CN 111883610 A 7 围值， 不是固定值。 0091 步骤一中的制绒剂也可以选取体积比为2-3的KOH、 体积比为0.5-0.7的 制绒添加剂、 其余为水的混合溶液。 0。

30、092 其中， 步骤一为硅片的制绒工艺方法， 采用化学制绒和物理制绒叠加， 形成纳米绒 面； 0093 步骤二： 将硅片置于850的炉管中进行磷扩散， 扩散时间为70min， 在硅片表面形 成N型层； 扩散结深0.2um， 扩散方阻1505； 0094 步骤三： 硅片经过激光器， 正面开槽， 在主栅下面打两根激光线， 主栅激光重掺杂 宽度为140um， 雕刻速度为30000mm/s， 形成重掺区域， 重掺区域的衬底方为855； 用于激 光处理的激光能量大小为25瓦特， 激光频率为225千赫兹； 0095 步骤四： 采用等离子刻蚀法去除硅片边缘PN结， 去除硅片正面磷硅玻璃； 刻蚀后硅 片减重0。

31、.21g； 0096 步骤五： 经过退火炉形成氧化保护膜， 退火温度为700， 时间为900s， 氧气流量为 100sccm， 压力为150Pa； 0097 步骤六： 采用PECVD法(PECVD法即为化学气相沉积法)沉积硅片背面氧化铝钝化 层； 背面氧化铝钝化层的膜厚为5nm， 在硅片的背面镀氮化硅反射膜； 背面氮化硅反射膜的 膜厚为80nm； 折射率为2.15； 0098 步骤七： 采用PECVD法沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜； 正面氮化硅反射膜的膜厚 为72nm； 折射率为2.13； 0099 步骤八： 硅片通过背面激光开槽； 0100 步骤九： 背面电极印刷： 在硅片的背面采用丝网印刷。

32、方法印刷金属背电极， 所采用 的金属为银； 印刷速度为450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为280度的烘干 炉， 烘干银电极； 0101 步骤十： 铝背场印刷： 在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷铝背场， 印刷速度为 450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为330度的烘干炉， 烘干铝背场； 0102 步骤十一： 正面电极印刷： 在硅片的正面采用丝网印刷方法印刷正面金属电极， 所 采用的金属为银； 印刷速度为450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为280度的 烘干炉， 烘干银栅线和银电极； 0103 步骤十二： 。

33、高温快速烧结： 将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结， 烧结温度为： 750 ， 烧结时间为60秒； 0104 最后将电池片在测试机进行测试分选。 0105 实施例五 0106 一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 包括如下步骤： 0107 步骤一： 选取电阻率为0.5-1.5仩cm的P型单晶硅片， 对硅片进行碱制绒， 制绒剂 为体积比为2的KOH水溶液， 温度为80， 制绒时间为300s， 使得P型单晶硅片衬底的正背 表面形成金字塔状的减反射绒面， 减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9-15 之间； 0108 对于同一片硅片， 测试位置的不同， 电阻率都存在不同， 因此， 硅片。

34、的电阻率为范 围值， 不是固定值。 说明书 6/8 页 8 CN 111883610 A 8 0109 步骤一中的制绒剂也可以选取体积比为2-3的KOH、 体积比为0.5-0.7的 制绒添加剂、 其余为水的混合溶液。 0110 其中， 步骤一为硅片的制绒工艺方法， 采用化学制绒和物理制绒叠加， 形成纳米绒 面； 0111 步骤二： 将硅片置于850的炉管中进行磷扩散， 扩散时间为70min， 在硅片表面形 成N型层； 扩散结深0.2um， 扩散方阻1505； 0112 步骤三： 硅片经过激光器， 正面开槽， 在主栅下面打两根激光线， 主栅激光重掺杂 宽度为140um， 雕刻速度为30000mm。

35、/s， 形成重掺区域， 重掺区域的衬底方为855； 用于激 光处理的激光能量大小为25瓦特， 激光频率为225千赫兹； 0113 步骤四： 采用等离子刻蚀法去除硅片边缘PN结， 去除硅片正面磷硅玻璃； 刻蚀后硅 片减重0.21g； 0114 步骤五： 经过退火炉形成氧化保护膜， 退火温度为650， 时间为1000s， 氧气流量 为100sccm， 压力为150Pa； 0115 步骤六： 采用PECVD法(PECVD法即为化学气相沉积法)沉积硅片背面氧化铝钝化 层； 背面氧化铝钝化层的膜厚为5nm， 在硅片的背面镀氮化硅反射膜； 背面氮化硅反射膜的 膜厚为80nm； 折射率为2.15； 0116。

36、 步骤七： 采用PECVD法沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜； 正面氮化硅反射膜的膜厚 为72nm； 折射率为2.13； 0117 步骤八： 硅片通过背面激光开槽； 0118 步骤九： 背面电极印刷： 在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷金属背电极， 所采用 的金属为银； 印刷速度为450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为280度的烘干 炉， 烘干银电极； 0119 步骤十： 铝背场印刷： 在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷铝背场， 印刷速度为 450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为330度的烘干炉， 烘干铝背场； 0120 步骤十一： 正面电极。

37、印刷： 在硅片的正面采用丝网印刷方法印刷正面金属电极， 所 采用的金属为银； 印刷速度为450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为280度的 烘干炉， 烘干银栅线和银电极； 0121 步骤十二： 高温快速烧结： 将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结， 烧结温度为： 700 ， 烧结时间为70秒； 0122 最后将电池片在测试机进行测试分选。 0123 实施例六 0124 一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法， 包括如下步骤： 0125 步骤一： 选取电阻率为0.5-1.5仩cm的P型单晶硅片， 对硅片进行碱制绒， 制绒剂 为体积比为2的KOH水溶液， 温度为80， 制绒时。

38、间为300s， 使得P型单晶硅片衬底的正背 表面形成金字塔状的减反射绒面， 减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9-15 之间； 0126 对于同一片硅片， 测试位置的不同， 电阻率都存在不同， 因此， 硅片的电阻率为范 围值， 不是固定值。 0127 步骤一中的制绒剂也可以选取体积比为2-3的KOH、 体积比为0.5-0.7的 说明书 7/8 页 9 CN 111883610 A 9 制绒添加剂、 其余为水的混合溶液。 0128 其中， 步骤一为硅片的制绒工艺方法， 采用化学制绒和物理制绒叠加， 形成纳米绒 面； 0129 步骤二： 将硅片置于850的炉管中进行磷扩散， 扩散时。

39、间为70min， 在硅片表面形 成N型层； 扩散结深0.2um， 扩散方阻1505； 0130 步骤三： 硅片经过激光器， 正面开槽， 在主栅下面打两根激光线， 主栅激光重掺杂 宽度为140um， 雕刻速度为30000mm/s， 形成重掺区域， 重掺区域的衬底方为855； 用于激 光处理的激光能量大小为25瓦特， 激光频率为225千赫兹； 0131 步骤四： 采用等离子刻蚀法去除硅片边缘PN结， 去除硅片正面磷硅玻璃； 刻蚀后硅 片减重0.21g； 0132 步骤五： 经过退火炉形成氧化保护膜， 退火温度为750， 时间为800s， 氧气流量为 100sccm， 压力为150Pa； 0133 。

40、步骤六： 采用PECVD法(PECVD法即为化学气相沉积法)沉积硅片背面氧化铝钝化 层； 背面氧化铝钝化层的膜厚为5nm， 在硅片的背面镀氮化硅反射膜； 背面氮化硅反射膜的 膜厚为80nm； 折射率为2.15； 0134 步骤七： 采用PECVD法沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜； 正面氮化硅反射膜的膜厚 为72nm； 折射率为2.13； 0135 步骤八： 硅片通过背面激光开槽； 0136 步骤九： 背面电极印刷： 在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷金属背电极， 所采用 的金属为银； 印刷速度为450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为280度的烘干 炉， 烘干银电极； 。

41、0137 步骤十： 铝背场印刷： 在硅片的背面采用丝网印刷方法印刷铝背场， 印刷速度为 450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为330度的烘干炉， 烘干铝背场； 0138 步骤十一： 正面电极印刷： 在硅片的正面采用丝网印刷方法印刷正面金属电极， 所 采用的金属为银； 印刷速度为450mm/s， 压力为60N， 网版间距为2.1mm， 通过温度为280度的 烘干炉， 烘干银栅线和银电极； 0139 步骤十二： 高温快速烧结： 将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结， 烧结温度为： 800 ， 烧结时间为50秒； 0140 最后将电池片在测试机进行测试分选。 0141 本发明的上述实施例并不是对本发明保护范围的限定， 本发明的实施方式不限于 此， 凡此种种根据本发明的上述内容， 按照本领域的普通技术知识和惯用手段， 在不脱离本 发明上述基本技术思想前提下， 对本发明上述结构做出的其它多种形式的修改、 替换或变 更， 均应落在本发明的保护范围之内。 说明书 8/8 页 10 CN 111883610 A 10 。