基板处理装置.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010396665.4 (22)申请日 2020.05.12 (30)优先权数据 2019-091865 2019.05.15 JP (71)申请人 株式会社斯库林集团 地址 日本京都府 (72)发明人 西原一树鳅场真树 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限 公司 11243 代理人 张敬强李平 (51)Int.Cl. H01L 21/67(2006.01) (54)发明名称 基板处理装置 (57)摘要 本发明提供一种能提高基板的面内蚀刻的 均匀性的基板处理装置。。

2、 基板处理装置(1)是利 用气相对基板(W1)的表面进行蚀刻的装置。 基板 处理装置(1)具备腔室(10)、 加热载置部(30)、 气 体导入部(40)、 排气部(50)、 以及第一加热部 (60)。 加热载置部(30)在腔室(10)内加热并载置 基板(W1)。 气体导入部(40)具有在腔室(10)内设 于与基板(W1)对置的位置的导入口(41a)， 从导 入口(41a)向腔室(10)内导入蚀刻气体。 排气部 (50)经由形成于腔室(10)的第一排气口(12a)而 排出腔室(10)内的气体。 第一加热部(60)安装于 腔室(10)。 权利要求书2页 说明书11页 附图5页 CN 1119522。

3、17 A 2020.11.17 CN 111952217 A 1.一种基板处理装置， 是利用气相对基板的表面进行蚀刻的基板处理装置， 其特征在 于， 具备： 腔室； 加热载置部， 其在上述腔室内， 加热并载置上述基板； 气体导入部， 其具有在上述腔室内设于与上述基板对置的位置的导入口， 并从上述导 入口向上述腔室内导入蚀刻气体； 排气部， 其经由形成于上述腔室的第一排气口向外部排出上述腔室内的气体； 以及 第一加热部， 其安装于上述腔室。 2.根据权利要求1所述的基板处理装置， 其特征在于， 上述第一加热部使上述腔室的内周面的温度升温至上述基板的表面的温度以上。 3.根据权利要求2所述的基板处。

4、理装置， 其特征在于， 上述第一加热部以使上述腔室的内周面的温度升温至比上述基板的表面的温度高30 度以上的值的方式加热上述腔室。 4.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置， 其特征在于， 上述加热载置部使上述基板的温度升温至50度以上且200度以下， 上述第一加热部使上述腔室的内周面的温度升温至80度以上且230度以下。 5.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置， 其特征在于， 上述第一加热部安装于上述腔室的侧壁中至少在水平方向上与上述基板对置的区域。 6.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置， 其特征在于， 还具备： 外腔室， 其包围上述腔室； 以及 第二加热部， 。

5、其安装于上述外腔室， 上述腔室的上述第一排气口使上述腔室的内部空间以及上述腔室与上述外腔室之间 的外侧空间相互相连， 在上述外腔室形成有第二排气口， 上述排气部经由上述第二排气口向外部排出上述外腔室内的气体。 7.根据权利要求6所述的基板处理装置， 其特征在于， 上述第二加热部使上述外腔室的内周面的温度升温至上述腔室的内周面的温度以上。 8.根据权利要求6所述的基板处理装置， 其特征在于， 上述第二加热部使上述外腔室的内周面的温度升温至100度以上。 9.根据权利要求6所述的基板处理装置， 其特征在于， 具备： 第一压力传感器， 其设于上述腔室内； 第二压力传感器， 其设于上述腔室与上述外腔室。

6、之间； 以及 控制部， 其基于上述第一压力传感器及上述第二压力传感器的测定值， 来控制上述排 气部的排气流量。 10.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置， 其特征在于， 还具备整流部， 该整流部设于上述导入口与上述基板之间， 对从上述导入口导入的上 述蚀刻气体进行整流。 11.根据权利要求1至3任一项中所述的基板处理装置， 其特征在于， 上述第一排气口设有多个， 权利要求书 1/2 页 2 CN 111952217 A 2 该多个第一排气口在上述基板的周向上大致等间隔地形成。 权利要求书 2/2 页 3 CN 111952217 A 3 基板处理装置 技术领域 0001 本申请涉及一。

7、种基板处理装置。 背景技术 0002 一直以来， 作为对基板进行蚀刻的蚀刻装置， 提出了一种向基板供给药液的装置。 若蚀刻装置向基板供给药液， 则药液能够作用于基板来对蚀刻对象膜进行蚀刻。 然而， 若基 板的图案微细， 则药液无法充分地进入到其狭小区域。 其结果， 有蚀刻变得不充分的问题。 0003 因此， 提出了一种不使用药液的气相蚀刻装置(例如专利文献1)。 该气相蚀刻装置 使用处理气体来对基板进行蚀刻。 气相蚀刻装置包括腔室和气体输送装置。 在腔室内载置 有成为蚀刻的对象的基板。 气体输送装置从腔室内的上侧向基板供给处理气体。 处理气体 作用于基板， 来对基板进行蚀刻。 由于处理气体是气。

8、体， 所以能够进入到基板的狭小区域。 0004 并且， 在该气相蚀刻装置中， 由于未利用等离子体， 所以能够减少制造成本。 0005 现有技术文献 0006 专利文献 0007 专利文献1： 日本特开2014-45125号公报 发明内容 0008 发明所要解决的课题 0009 在专利文献1的气相蚀刻装置中， 考虑加热基板。 由此， 能够促进利用处理气体(以 下称作蚀刻气体)进行的基板的蚀刻。 0010 然而， 通过加热基板， 基板的温度比腔室的内周面的温度高。 由于气体因对流而容 易向温度较低的一方流动， 所以基板的周缘部附近的气体容易向腔室的内周面流动。 由此， 基板的周缘部处的蚀刻量减少。。

9、 也就是说， 基板的面内蚀刻的均匀性降低。 0011 因此， 本申请的目的在于提供一种能够提高基板的面内蚀刻的均匀性的基板处理 装置。 0012 用于解决课题的方案 0013 基板处理装置的第一方案是一种基板处理装置， 是利用气相对基板的表面进行蚀 刻的基板处理装置， 具备： 腔室； 加热载置部， 其在上述腔室内， 加热并载置上述基板； 气体 导入部， 其具有在上述腔室内设于与上述基板对置的位置的导入口， 并从上述导入口向上 述腔室内导入蚀刻气体； 排气部， 其经由形成于上述腔室的第一排气口向外部排出上述腔 室内的气体； 以及第一加热部， 其安装于上述腔室。 0014 基板处理装置的第二方案在。

10、第一方案的基板处理装置的基础上， 上述第一加热部 使上述腔室的内周面的温度升温至上述基板的表面的温度以上。 0015 基板处理装置的第三方案在第二方案的基板处理装置的基础上， 上述第一加热部 以使上述腔室的内周面的温度升温至比上述基板的表面的温度高30度以上的值的方式加 热上述腔室。 说明书 1/11 页 4 CN 111952217 A 4 0016 基板处理装置的第四方案在第一至第三任一个方案的基板处理装置的基础上， 上 述加热载置部使上述基板的温度升温至50度以上且200度以下， 上述第一加热部使上述腔 室的内周面的温度升温至80度以上且230度以下。 0017 基板处理装置的第五方案在。

11、第一至第四任一个方案的基板处理装置的基础上， 上 述第一加热部安装于上述腔室的侧壁中至少在水平方向上与上述基板对置的区域。 0018 基板处理装置的第六方案在第一至第五任一个方案的基板处理装置的基础上， 还 具备： 外腔室， 其包围上述腔室； 以及第二加热部， 其安装于上述外腔室， 上述腔室的上述第 一排气口使上述腔室的内部空间、 以及上述腔室与上述外腔室之间的外侧空间相互相连， 在上述外腔室形成有第二排气口， 上述排气部经由上述第二排气口向外部排出上述外腔室 内的气体。 0019 基板处理装置的第七方案在第六方案的基板处理装置的基础上， 上述第二加热部 使上述外腔室的内周面的温度升温至上述腔。

12、室的内周面的温度以上。 0020 基板处理装置的第八方案在第六或第七方案的基板处理装置的基础上， 上述第二 加热部使上述外腔室的内周面的温度升温至100度以上。 0021 基板处理装置的第九方案在第六至第八任一个方案的基板处理装置的基础上， 具 备： 第一压力传感器， 其设于上述腔室内； 第二压力传感器， 其设于上述腔室与上述外腔室 之间； 以及控制部， 其基于上述第一压力传感器及上述第二压力传感器的测定值， 来控制上 述排气部的排气流量。 0022 基板处理装置的第十方案在第一至第九任一个方案的基板处理装置的基础上， 还 具备整流部， 该整流部设于上述导入口与上述基板之间， 对从上述导入口导。

13、入的上述蚀刻 气体进行整流。 0023 基板处理装置的第十一方案在第一至第十任一个方案的基板处理装置的基础上， 上述第一排气口设有多个， 该多个第一排气口在上述基板的周向上大致等间隔地形成。 0024 发明的效果 0025 根据基板处理装置的第一方案， 由于第一加热部能够加热腔室， 所以能够提高腔 室的内周面的温度。 因而， 能够抑制蚀刻气体因对流而朝向腔室的内周面流动的情况。 由 此， 能够更均匀地向基板供给蚀刻气体， 进而能够提高基板的面内蚀刻的均匀性。 0026 根据基板处理装置的第二方案， 能够进一步抑制蚀刻气体因对流而朝向腔室的内 周面流动的情况。 0027 根据基板处理装置的第三及。

14、第四方案， 由于蚀刻气体容易朝向基板流动， 所以能 够增加作用于基板的蚀刻气体。 因而， 能够提高吞吐量。 0028 根据基板处理装置的第五方案， 能够高效地加热内腔室中与基板在水平方向上对 置的区域。 因而， 能够高效地使对流所形成的蚀刻气体向侧壁22的内周面的流动向基板W1 侧变化。 0029 根据基板处理装置的第六方案， 能够减少蚀刻气体在外腔室的内周面液化的可能 性。 0030 根据基板处理装置的第七方案， 能够进一步抑制蚀刻气体的液化。 0031 根据基板处理装置的第八方案， 能够更可靠地抑制蚀刻气体的液化。 0032 根据基板处理装置的第九方案， 能够高精度地控制腔室内的压力以及外。

15、腔室内的 说明书 2/11 页 5 CN 111952217 A 5 压力。 0033 根据基板处理装置的第十方案， 由于对蚀刻气体进行整流， 所以能够进一步提高 基板的面内蚀刻的均匀性。 0034 根据基板处理装置的第十一方案， 能够使腔室内的气体的流动更加均匀。 0035 通过以下示出的详细说明和附图， 本申请说明书所公开的技术所相关的目的、 特 征、 方面以及优点变得更加明白。 附图说明 0036 图1是简要地示出基板处理装置的结构的一例的图。 0037 图2是简要地示出内腔室的结构的一例的图。 0038 图3是简要地示出整流部的结构的一例的图。 0039 图4是简要地示出基板处理装置的。

16、结构的一例的图。 0040 图5是简要地示出基板处理装置的结构的一例的图。 0041 图6是简要地示出基板处理装置的结构的一例的图。 0042 图中： 0043 1、 1A1C基板处理装置， 10腔室(内腔室)， 12a第一排气口(内排气口)， 20外腔室， 23a第二排气口(外排气口)， 30加热载置部， 40气体导入部， 41a导入 口(气体导入口)， 50排气部， 60第一加热部(加热部)， 61第二加热部(加热部)， 80 整流部， 91第一压力传感器(压力传感器)， 92第二压力传感器(压力传感器)。 具体实施方式 0044 以下， 参照附图来说明实施方式。 附图中， 对具有相同结构。

17、及功能的部分标注相同 符号， 并在下述说明中省略重复说明。 此外， 以下的实施方式仅是一例， 并非对技术范围加 以限定。 并且， 附图中， 为了容易理解， 有时夸张或简化地示出各部分的尺寸及个数。 0045 第一实施方式 0046 基板处理装置的结构 0047 图1是简要地示出基板处理装置1的结构的一例的图。 该基板处理装置1是利用气 相对基板W1的表面进行蚀刻处理的气相蚀刻装置。 由于基板处理装置1不使用等离子体就 对基板W1进行蚀刻处理， 所以能够避免由等离子体导致的基板W1的损伤。 并且， 由于不需要 产生等离子体的机构， 所以能够减少基板处理装置1的制造成本。 0048 如图1中例示，。

18、 基板处理装置1包括内腔室(腔室)10、 外腔室20、 加热载置部30、 气 体导入部40、 排气部50、 加热部60、 以及控制部70。 0049 内腔室10是形成处理空间V1的密闭箱体。 内腔室10例如由金属形成。 如图1中例 示， 内腔室10具有上板11、 侧壁12、 以及下板13。 上板11及下板13在铅垂方向上空开间隔地 相互对置。 侧壁12连结上板11的周缘及下板13的周缘。 侧壁12例如大致呈圆筒形状。 在该情 况下， 上板11及下板13在俯视时(即在沿铅垂方向观察时)大致呈圆形。 由上板11、 侧壁12以 及下板13围起的内腔室10的内部空间相当于处理空间V1。 0050 外腔。

19、室20是包围内腔室10的外侧的密闭箱体。 外腔室20例如由金属形成。 如图1中 例示， 外腔室20具有上板21、 侧壁22、 以及下板23。 下板23具有环状的形状， 其内周缘与内腔 说明书 3/11 页 6 CN 111952217 A 6 室10的下板13的外周缘连结。 下板13及下板23也可以形成为一体。 外腔室20的上板21位于 比内腔室10的上板11靠上侧的位置， 并空开间隔地与上板11对置。 外腔室20的上板21在俯 视时比内腔室10的上板11的周缘更向外侧扩展。 0051 外腔室20的侧壁22连结上板21的周缘与下板23的外周缘， 来从外侧包围内腔室10 的侧壁12。 外腔室20。

20、的侧壁22例如具有与内腔室10的侧壁12同心的大致圆筒形状。 在该情 况下， 在俯视时， 外腔室20的上板21呈与内腔室10的上板11同心的大致圆形， 外腔室20的下 板23具有与内腔室10的下板13同心的大致圆环形状。 0052 如上所述， 在图1的例子中， 基板处理装置1具有基于内腔室10及外腔室20的双重 构造。 以下， 也将由内腔室10及外腔室20所夹的空间称作外侧空间V2。 0053 在内腔室10形成有内排气口12a。 在图1的例子中， 内排气口12a形成于内腔室10的 侧壁12。 内排气口12a在侧壁12的厚度方向上贯通侧壁12， 使内腔室10内的处理空间V1、 以 及内腔室10与。

21、外腔室20之间的外侧空间V2相互相连。 在图1的例子中， 内排气口12a形成于 侧壁12的下部。 处理空间V1内的气体经由内排气口12a向外侧空间V2排出。 0054 内排气口12a也可以设置多个。 图2是简要地示出内腔室10的结构的一例的图。 图2 中示出内腔室10的水平剖视图。 在图2的例子中， 在内腔室10形成有四个内排气口12a。 四个 内排气口12a大致等间隔地沿侧壁12的周向形成。 据此， 在俯视时， 处理空间V1内的气体更 均衡地排出。 由此， 能够使流经处理空间V1的气体的流动更均匀。 此外， 能够适当地变更内 排气口12a的个数， 更优选为形成三个以上。 若内排气口12a形成。

22、三个以上， 则能够更适当地 使气体的流动变得均匀。 0055 再次参照图1， 在外腔室20形成有外排气口23a。 排气部50经由外排气口23a抽吸内 腔室10与外腔室20之间的外侧空间V2的气体， 并将其排出到外部。 由此， 处理空间V1内的气 体也经由内排气口12a及外排气口23a向排气部50排出。 因而， 外腔室20内(处理空间V1及外 侧空间V2)的压力降低。 0056 在图1的例子中， 外排气口23a形成于外腔室20的下板23， 在下板23的厚度方向上 贯通下板23。 并且， 在图1的例子中， 外排气口23a形成有多个(此处为两个)。 多个外排气口 23a也可以大致等间隔地沿周向形成。。

23、 由此， 处理空间V1内的气体更均衡地从内排气口12a 排出。 0057 在图1的例子中， 排气部50包括排气管51、 排气阀52、 以及真空泵53。 排气管51与外 腔室20的外排气口23a连接。 在图1的例子中， 由于形成有多个外排气口23a， 所以设有多个 排气管51。 在图1的例子中， 多个排气管51合流， 并共同与真空泵53连接。 0058 真空泵53抽吸排气管51内的气体并将其排出到外部。 真空泵53由控制部70控制。 排气阀52设于排气管51的中途， 调整排气管51内的流路的开度。 排气阀52的开度由控制部 70控制。 控制部70例如以使处理空间V1内的压力成为预定的处理压力的方。

24、式控制排气阀52 及真空泵53。 0059 在内腔室10及外腔室20， 形成有用于搬出、 搬入基板W1的搬出搬入口(未图示)。 例 如， 在内腔室10的侧壁12以及外腔室20的侧壁22分别形成有搬出搬入口。 并且， 在该搬出搬 入口分别设有闸门(未图示)。 通过关闭该闸门， 能够气密地关闭搬出搬入口， 并且通过打开 闸门， 来使搬出搬入口开口。 闸门的开闭由控制部70控制。 0060 加热载置部30设于内腔室10内， 加热并载置基板W1。 加热载置部30包括载置台31 说明书 4/11 页 7 CN 111952217 A 7 和加热部32。 在载置台31之上载置基板W1。 基板W1大致以水平。

25、姿势载置在载置台31之上。 换 言之， 基板W1以其厚度方向沿铅垂方向的姿势载置在载置台31之上。 0061 基板W1例如是半导体基板。 在基板W1是半导体基板的情况下， 基板W1大致呈圆板 形状。 通过基板处理装置1的搬入前的工序， 在基板W1的上表面形成有蚀刻对象膜。 蚀刻对 象膜没有特别限定， 但例如是氧化膜或氮化膜。 此处， 作为一例， 设为通过CVD(化学气相沉 积法)、 ALD(原子层体积法)或者热氧化等， 在在基板W1的上表面形成有氧化膜。 0062 也可以在载置台31设有保持基板W1的卡盘机构。 例如载置台31也可以具有与基板 W1的下表面对置的上表面， 并在该上表面设有多个卡。

26、盘销(未图示)。 多个卡盘销大致等间 隔地沿基板W1的周缘设置， 并保持基板W1的周缘。 此外， 作为卡盘机构， 可以采用卡盘销以 外的各种机构(例如抽吸卡盘等)。 此处， 作为一例， 载置台31设为包括卡盘机构。 载置台31 的卡盘机构由控制部70控制。 0063 加热部32对载置在载置台31之上的基板W1进行加热。 加热部32设于比基板W1靠下 侧的位置， 例如包括产生焦耳热的电阻线。 电阻线适当地由绝缘膜覆盖。 作为更具体的一 例， 加热部32也可以内置在载置台31内。 例如， 电阻线在俯视时呈二维地布设。 载置台31由 内置的加热部32加热。 加热部32由控制部70控制。 0064 在。

27、图1的例子中， 加热载置部30包括旋转机构33。 旋转机构33使基板W1绕通过基板 W1的中心并沿铅垂方向的旋转轴旋转。 例如， 旋转机构33包括马达(未图示)和轴(未图示)。 轴的一端与载置台31的下表面连结， 另一端与马达连结。 轴将马达的旋转力传递到载置台 31， 来使载置台31绕该旋转轴旋转。 由此， 能够使保持于载置台31的基板W1旋转。 旋转机构 33由控制部70控制。 0065 气体导入部40具有设于内腔室10内的气体导入口41a， 从气体导入口41a向处理空 间V1导入蚀刻气体。 气体导入口41a设于与基板W1的表面(图1中的上表面)对置的位置。 在 图1的例子中， 气体导入口。

28、41a位于比保持于载置台31的基板W1靠上侧的位置。 气体导入部 40从气体导入口41a朝向基板W1的上表面喷出蚀刻气体。 在图1的例子中， 示意地以虚线箭 头示出蚀刻气体在处理空间V1内流动的方向。 0066 蚀刻气体作用于基板W1的上表面， 对该上表面的蚀刻对象膜进行蚀刻。 该蚀刻气 体包括氢氟酸气体或氟气等反应性气体。 并且， 蚀刻气体也可以还包括水蒸气或者乙醇气 体等具有羟基(OH基)的添加气体。 并且， 蚀刻气体也可以还包括氩气、 氦气或者氮气等惰性 气体。 此处所述的惰性气体是与基板W1的反应性较低的气体。 0067 在图1的例子中， 气体导入部40包括导入管41、 导入阀42、 。

29、以及气体供给源43。 导入 管41贯通内腔室10及外腔室20， 其一端在内腔室10内的处理空间V1内位于比基板W1靠上侧 的位置。 在导入管41的一端形成有气体导入口41a。 在图1的例子中， 导入管41在外腔室20内 沿铅垂方向延伸， 并在内腔室10的上板11及外腔室20的上板21的厚度方向上贯通它们。 导 入管41与内腔室10之间由预定的密封部(例如O型圈)气密地密封， 并且导入管41与外腔室 20之间也由预定的密封部(例如O型圈)气密地密封。 0068 在导入管41的另一端连接有气体供给源43。 气体供给源43向导入管41供给蚀刻气 体。 此外， 在图1的例子中， 简易地仅示出一个气体供。

30、给源43， 但如上所述， 由于蚀刻气体能 够包括多种气体， 所以能够设有与该多种气体对应的多个气体供给源43。 在该情况下， 导入 管41分支成多个， 并且其分支端分别与气体供给源43连接。 说明书 5/11 页 8 CN 111952217 A 8 0069 导入阀42设于导入管41的中途。 在设有多个气体供给源43、 并且导入管41分支成 多个的情况下， 在其分支管分别设有导入阀42。 导入阀42由控制部70控制。 导入阀42也可以 是能够调整流经导入管41的内部的气体的流量的阀。 0070 通过打开导入阀42， 蚀刻气体从气体供给源43流经导入管41的内部， 并从气体导 入口41a喷出。。

31、 从气体导入口41a被导入到处理空间V1内的蚀刻气体朝向下侧流动。 在图1的 例子中， 设有下述的整流部80， 蚀刻气体因通过整流部80而被整流。 通过整流部80后的蚀刻 气体流经基板W1的上表面， 对上表面的蚀刻对象膜进行气相分解并进行蚀刻。 0071 由于内排气口12a位于比载置台31上的基板W1靠下侧的位置， 所以通过气相分解 而产生气体从基板W1的周缘朝向下侧流动， 并经由内排气口12a及外排气口23a向排气部50 排出。 并且， 不利于蚀刻的蚀刻气体也经由内排气口12a及外排气口23a向排气部50排出。 0072 整流部80设于气体导入部40的气体导入口41a与加热载置部30之间。 。

32、整流部80具 有通气性， 从气体导入部40被导入到处理空间V1内的蚀刻气体通过整流部80， 由此蚀刻气 体被整流。 通过整流部80后的蚀刻气体进一步向下侧流动而向基板W1的上表面供给。 整流 部80与基板W1之间的距离例如设定为10mm左右以下。 在整流部80与基板W1之间的距离较 长的情况下， 由整流部80整流后的蚀刻气体有在基板W1的上表面附近再次紊乱的可能性， 但若该距离为10mm左右以下， 则难以产生这样的紊乱。 0073 图3是简要地示出整流部80的结构的一例的俯视图。 在图3的例子中， 整流部80是 冲孔板。 整流部80具有板状形状， 并以其厚度方向沿铅垂方向的姿势设置。 整流部8。

33、0在俯视 时大致呈圆形， 其周缘固定于内腔室10的侧壁22的内周面。 在图3的例子中， 在整流部80形 成有多个贯通孔80a。 各贯通孔80a在俯视时例如大致呈圆形， 其直径例如设定为0.12 mm左右。 多个贯通孔80a在俯视时呈二维地分散配置， 在图3的例子中， 大致呈矩阵状地配 置。 多个贯通孔80a的大小及个数能够适当地变更。 0074 此外， 在图1的例子中， 设有一个整流部80， 但也可以设置多个整流部80。 多个整流 部80在气体导入口41a与基板W1之间在铅垂方向上空开间隔地设置。 贯通孔80a的位置也可 以在沿铅垂方向相邻的整流部80之间错开。 例如概述设置第一整流部80及第。

34、二整流部80的 情况。 第一整流部80的贯通孔80a在铅垂方向上不与第二整流部80的贯通孔80a对置， 而与 未形成贯通孔80a的区域对置。 相反， 第二整流部80的贯通孔80a也与第一整流部80中未设 置贯通孔80a的区域对置。 据此， 气体因通过多个整流部80而进一步被整流。 0075 并且， 整流部80也可以具有网眼状的形状。 例如整流部80也可以具有涂层有PTFE (聚四氟乙烯)等氟系树脂的网眼构造。 0076 加热部60安装于内腔室10， 加热内腔室10。 加热部60由控制部70控制， 使内腔室10 的内周面的温度升温至保持于载置台31的基板W1的温度以上的温度。 0077 如图1中。

35、例示， 加热部60也可以设于内腔室10的外周面。 在图1的例子中， 加热部60 设于内腔室10的侧壁12的外周面。 该加热部60也可以具有包围侧壁12的筒状形状。 并且， 加 热部60可以紧贴于内腔室10的外周面。 据此， 加热部60能够更高效地加热内腔室10。 加热部 60设于侧壁12中至少包括与基板W1在水平方向上对置的位置的区域。 0078 加热部60例如也可以具有产生焦耳热的电阻线(未图示)。 电阻线适当地由绝缘膜 覆盖。 也可以通过沿内腔室10的外周面布设该电阻线， 来加热内腔室10。 此外， 加热部60也 可以包括内置有电阻线并紧贴于内腔室10的外周面的导热部件(例如金属)。 说明。

36、书 6/11 页 9 CN 111952217 A 9 0079 或者， 加热部60也可以具有热介质配管(未图示)。 热介质配管沿内腔室10的侧壁 12的外周面布设。 例如热介质配管呈螺旋状地布设并包围侧壁12。 在热介质配管的内部， 流 动高温的热介质(也称作制冷剂)。 利用该热介质与内腔室10之间的换热， 能够加热内腔室 10。 热介质配管的两端与加热部(未图示)连接。 若向内腔室10散热而变成低温的热介质从 热介质配管的一端向加热部流入， 则该加热部加热该热介质， 向热介质配管的另一端供给 高温的热介质。 由此， 高温的热介质再次流经热介质配管来加热内腔室10。 如上所述， 热介 质在热。

37、介质配管内循环。 此外， 加热部60也可以包括内置有热介质配管并紧贴于内腔室10 的外周面的导热部件(例如金属)。 0080 并且， 加热部60不一定设于内腔室10的外周面。 例如加热部60可以埋设于内腔室 10本身， 也可以设于内腔室10的内周面。 与加热部60埋设于内腔室10的情况相比， 在加热部 60设于内腔室10的外周面的情况下， 加热部60的设置更容易。 并且， 由于加热部60并未暴露 于内腔室10内的处理空间V1， 所以即使因加热部60本身而产生颗粒等， 该颗粒也难以附着 于基板W1。 0081 控制部70统一地控制基板处理装置1。 控制部70例如由一般的FA(Factory Au。

38、tomation)计算机构成， 该一般的FA(Factory Automation)计算机通过总线等相互连接 有进行各种运算处理的CPU(Central Processing Unit)、 存储程序等的ROM(ReadOnly Memory)、 成为运算处理的作业区域的RAM(Random Access Memory)、 存储程序、 各种数据文 件等的硬盘、 具有经由LAN(Local Area Network)等的数据通信功能的数据通信部等。 并 且， 控制部70与由进行各种显示的显示器、 键盘以及鼠标等构成的输入部等连接。 此外， 控 制部70所执行的功能的一部分或者全部也可以由专用的硬件。

39、电路实现。 0082 基板处理装置的动作的概要 0083 首先， 控制部70控制内腔室10的闸门以及外腔室20的闸门， 打开两个闸门。 由此， 基板处理装置1的搬出搬入口开口。 未图示的基板搬运装置经由该搬出搬入口将基板W1搬 入到基板处理装置1内， 并载置于加热载置部30。 若基板搬运装置所进行的搬入动作结束， 则控制部70控制两个闸门， 关闭两个闸门。 0084 控制部70控制排气部50， 使内腔室10内的处理空间V1的压力减压至预定处理压 力。 预定处理压力例如设定在1300Torr左右的范围内。 控制部70可以以在蚀刻处理中 将处理空间V1的压力维持在预定的压力范围内的方式控制排气部5。

40、0。 0085 并且， 控制部70控制加热部32及加热部60， 来分别加热基板W1及内腔室10。 加热部 32加热基板W1， 使基板W1的上表面的温度例如升温至50度以上且200度以下的范围内。 0086 加热部60以使内腔室10的内周面的温度成为基板W1的上表面的温度以上的方式 加热内腔室10。 更具体而言， 加热部60以使侧壁12的内周面中至少与基板W1在水平方向上 对置的区域的温度成为基板W1的上表面的温度以上的方式加热内腔室10。 内腔室10的内周 面的温度例如设定为80度以上且230度以下的范围内的温度， 例如设定为比基板W1的上表 面的温度高30度以上的温度。 0087 在蚀刻处理。

41、中， 控制部70可以以将基板W1及内腔室10的温度维持在各自的温度范 围内的方式控制加热部32及加热部60。 0088 接下来， 控制部70控制旋转机构33， 使基板W1旋转。 在蚀刻处理中， 控制部70以将 基板W1的转速维持在预定的速度范围内的方式控制旋转机构33。 说明书 7/11 页 10 CN 111952217 A 10 0089 接下来， 控制部70控制气体导入部40， 将蚀刻气体导入到内腔室10内的处理空间 V1内。 例如， 反应性气体的流量设定为1003000sccm左右， 惰性气体的流量设定为100 15000sccm左右， 并且添加气体的流量设定为03000sccm。 0。

42、090 从气体导入口41a喷出的蚀刻气体由整流部80整流， 整流后的蚀刻气体对基板W1 的上表面的蚀刻对象膜进行气相分解并进行蚀刻。 通过气相分解而产生的气体以及不利于 气相分解的蚀刻气体经由内排气口12a及外排气口23a向排气部50排出。 0091 在从蚀刻气体的导入开始起经过了蚀刻处理所需的处理期间时， 控制部70控制基 板处理装置1的各种构成要素， 使各动作停止。 由此， 结束对基板W1进行的蚀刻处理。 0092 如上所述， 在基板处理装置1设有加热部60， 加热部60在蚀刻处理中加热内腔室 10。 此处， 为了比较， 说明未设置加热部60的情况。 在该情况下， 基板W1的上表面的温度比。

43、内 腔室10的侧壁12的内周面的温度高。 因而， 从基板W1的上侧朝向基板W1的上表面的周缘部 地向下侧流动的蚀刻气体容易因对流而朝向内腔室10的侧壁12的内周面流动。 据此， 朝向 基板W1的上表面的周缘部流动的蚀刻气体减少。 0093 并且， 部件的温度越低， 蚀刻气体越容易吸附于该部件， 从而在内腔室10的内周面 的温度较低的情况下， 内腔室10的内周面的蚀刻气体的吸附量增大。 由此， 朝向基板W1的上 表面的周缘部流动的蚀刻气体也减少。 0094 如上所述， 若朝向基板W1的上表面的周缘流动的蚀刻气体减少， 则基板W1的上表 面的中央部的蚀刻量与周缘部的蚀刻量之差增大。 也就是说， 基。

44、板W1的面内蚀刻的均匀性 降低。 0095 相对于此， 加热部60使内腔室10的内周面的温度升温至基板W1的上表面的温度以 上。 因而， 能够抑制蚀刻气体因对流而朝向内腔室10的内周面流动的情况。 并且， 也能够减 少吸附于内腔室10的内周面的蚀刻气体的量。 0096 由此， 蚀刻气体也适当地被供给至基板W1的上表面的周缘部， 从而更均衡地作用 于基板W1的上表面。 因此， 能够提高基板W1的面内蚀刻的均匀性。 0097 并且， 在内腔室10的侧壁12的内周面的温度比基板W1的上表面的温度高的情况 下， 朝向下侧地流经基板W1的外周侧的蚀刻气体容易朝向基板W1的上表面流动。 据此， 能够 增大。

45、作用于基板W1的上表面的蚀刻气体的量。 因而， 能够提高吞吐量。 0098 而且， 由于内腔室10的内周面的温度较高， 所以能够减少蚀刻气体吸附于内腔室 10的内周面以及液化的可能性。 据此， 能够减少因蚀刻气体的液化而导致的内腔室10腐蚀 的可能性。 例如在采用水蒸气作为添加气体的情况下， 若处理空间V1的压力为100Torr左 右， 则在温度为50度左右时水蒸气液化。 若液体的水附着于内腔室10， 则例如内腔室10会腐 蚀。 加热部60加热内腔室10， 使内腔室10的内周面的温度升温至比50度高的温度， 由此能够 抑制或避免这样的腐蚀。 另外， 反应性气体例如在温度为20度左右时会液化。 。

46、通过由加热部 60加热内腔室10， 也能够更可靠地抑制反应性气体的液化。 0099 但是， 若内腔室10的内周面的温度过高， 则因来自内腔室10的侧壁12的辐射热， 会 加热基板W1的周缘部。 由此， 有基板W1的上表面的周缘部的温度比基板W1的中央部的温度 高的可能性。 从面内蚀刻的均匀性的观点出发， 不期望这样的基板W1的温度的差别。 因此， 期望以使基板W1的温度差别在预定范围内的方式控制内腔室10的内周面的温度。 0100 并且， 在上述的例子中， 加热部60安装于内腔室10的侧壁12中至少与基板W1在水 说明书 8/11 页 11 CN 111952217 A 11 平方向上对置的区。

47、域。 据此， 加热部60能够高效地加热侧壁12中的该区域。 因此， 能够高效 地使对流所形成的蚀刻气体向侧壁22的内周面的流动向基板W1侧变化。 0101 并且， 在上述的例子中， 旋转机构33在蚀刻处理中使基板W1旋转。 由此， 蚀刻气体 更均衡地作用于基板W1的上表面。 因而， 能够进一步提高面内蚀刻的均匀性。 0102 此外， 在上述的例子中， 基板处理装置1包括整流部80， 但也可以不设置整流部80。 这是因为： 利用加热部60对内腔室10进行的加热， 能够提高基板W1的面内蚀刻的均匀性。 当 然， 为了进一步提高面内蚀刻的均匀性， 期望设有整流部80。 同样， 也不一定设置旋转机构 。

48、33， 但为了进一步提高面内蚀刻的均匀性， 期望设有旋转机构33。 0103 另外， 在上述的例子中， 加热部60设于内腔室10的侧壁12， 但不限定于此。 加热部 60可以设于上板11， 也可以设于下板13。 总之， 加热部60设于上板11、 侧壁12以及下板13的 至少任一个即可， 并且能够将内腔室10的内周面(至少与基板W1在水平方向上对置的区域) 的温度升温至基板W1的上表面的温度以上即可。 0104 第二实施方式 0105 图4是简要地示出基板处理装置1A的结构的一例的图。 除加热部61的有无以外， 基 板处理装置1A具有与基板处理装置1相同的结构。 加热部61安装于外腔室20， 加。

49、热外腔室 20。 加热部61的结构的一例与加热部60相同。 加热部61由控制部70控制。 0106 如图4中例示， 加热部61也可以设于外腔室20的外周面。 例如， 加热部61具有在周 向上包围外腔室20的侧壁22的外周面的筒状形状。 加热部61可以紧贴于外腔室20的外周 面。 由此， 加热部61能够更高效地加热外腔室20。 0107 加热部61以使外腔室20的内周面的温度在蚀刻处理中维持在预定的温度范围内 的方式加热外腔室20。 作为预定的温度范围， 采用能够抑制蚀刻气体的液化的温度范围。 具 体而言， 采用比蚀刻气体的沸点(处理压力中的沸点)高的温度范围。 由此， 能够减少蚀刻气 体在外腔。

50、室20的内周面液化的可能性。 作为具体的一例， 加热部61也可以使外腔室20的内 周面升温至100度以上。 据此， 例如即使作为添加气体而包含水蒸气， 也能够避免该水蒸气 在外腔室20的内周面液化。 0108 在基板处理装置1A中， 由于在外腔室20的内周侧设有内腔室10， 所以即使外腔室 20的温度较高， 来自外腔室20的辐射热也会由内腔室10遮挡， 不会直接照射到基板W1。 因 此， 即使外腔室20的内周面的温度较高， 外腔室20所产生的辐射热也难以对基板W1的温度 分布造成影响。 换言之， 与内腔室10相比， 外腔室20的内周面的温度难以对基板W1的温度分 布造成影响。 因而， 即使外腔。