用于透反型液晶显示设备的阵列基板及其制造方法.pdf

一种用于透反型液晶显示设备的阵列基板，其像素区域被公共线划分成透射区域和反射区域，公共电极具有分别对应于透射区域和反射区域的第一开口和第二开口，其中第一开口相互间隔且平行于数据线，第二开口相互间隔且相对于数据线倾斜预定角度，其中第一开口的第一端重叠第二栅线，第一开口的第二端重叠公共线，第二开口的第一端重叠公共线，以及第二开口的第二端重叠第一栅线。

1.  一种用于透反型液晶显示设备的阵列基板，包括：
基板；
在基板上的沿着第一方向的第一和第二栅线，；
公共线，其与所述第一和第二栅线平行且在所述第一和第二栅线之间；
连接至所述第一栅线的栅电极；
在所述第一和第二栅线、所述栅电极和所述公共线上的栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上方且沿着第二方向的数据线，所述数据线与所述第一和第二栅线交叉以限定像素区域，所述像素区域被所述公共线划分成透射区域和反射区域；
在所述栅电极上方的栅绝缘层上的半导体层；
在所述半导体层上方且彼此间隔开的源电极和漏电极；
在所述数据线、所述源电极和所述漏电极上方且基本上遍布所述基板的第一钝化层；
在所述反射区域内的所述第一钝化层上方的反射层；
第二钝化层，在所述反射层上且在所述反射层内具有平坦顶面；
所述第一和第二钝化层上方且通过漏接触孔连接至所述漏电极的像素电极，所述像素电极为板状；
在所述像素电极上方的第三钝化层；和
在所述第三钝化层上方且基本上遍布所述基板的公共电极，所述公共电极具有分别对应于所述透射区域和所述反射区域的第一开口和第二开口，其中所述第一开口相互间隔开且平行于所述数据线，所述第二开口相互间隔开且以相对于所述数据线的预定角度倾斜，其中所述第一开口的第一端与所述第二栅线重叠，所述第一开口的第二端与所述公共线重叠，所述第二开口的第一端与所述公共线重叠，以及所述第二开口的第二端与所述第一栅线重叠。

2.  根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述第二开口沿着所述第一方向延伸至与所述像素区域相邻的下一像素区域。

3.  根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述漏接触孔形成在所述第一和第二钝化层中。

4.  根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述第二开口包括平行于所述第一方向且与所述数据线重叠的部分。

5.  根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述第一钝化层具有在所述反射区域内的不平坦顶面和在所述透射区域内的平坦顶面，以及所述反射层具有不平坦表面。

6.  根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述源电极连接至所述数据线，和所述漏电极穿过所述反射区域与所述公共线重叠以形成存储电容器。

7.  根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述公共电极通过公共接触孔连接至所述公共线，所述公共接触孔形成在所述第一和第二钝化层和所述栅绝缘层。

8.  根据权利要求1所述的阵列基板，还包括在所述第一钝化层与所述源电极和漏电极之间的基本上遍布所述基板的无机绝缘材料的第四钝化层。

9.  根据权利要求8所述的阵列基板，还包括在所述反射区域内的所述第一钝化层和所述反射层之间的无机绝缘材料的第五钝化层。

10.  根据权利要求9所述的阵列基板，还包括在所述反射区域内的所述反射层和所述第二钝化层之间的无机绝缘材料的第六钝化层。

11.  根据权利要求10所述的阵列基板，还包括在所述第二钝化层和所述像素电极之间的无机绝缘材料的第七钝化层。

12.  根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述第一和第二钝化层由有机绝缘材料构成。

13.  根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述预定角度在30至60度的范围内。

14.  一种制造用于透反型液晶显示设备的阵列基板的方法，包括：
在基板上沿着第一方向形成第一和第二栅线；
形成与所述第一和第二栅线平行并在所述第一和第二栅线之间的公共线；
形成连接至所述第一栅线的栅电极；
在所述第一和第二栅线、所述栅电极和所述公共线上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上方沿着第二方向形成数据线，所述数据线与所述第一和第二栅线交叉以限定像素区域，由所述公共线将所述像素区域划分成透射区域和反射区域；
在所述栅电极上方的栅绝缘层上形成半导体层；
在所述半导体层上方形成源电极和漏电极并彼此间隔；
在所述数据线、所述源电极和所述漏电极上方基本上遍布所述基板地形成第一钝化层；
在所述反射区域内的所述第一钝化层上方形成反射层；
在所述反射层上方形成第二钝化层，所述第二钝化层在所述反射层内具有平坦顶面；
在所述第一和第二钝化层上方形成像素电极，所述像素电极通过漏接触孔连接至所述漏电极，所述像素电极为板状；
在所述像素电极上方形成第三钝化层；和
在所述第三钝化层上方基本上遍布所述基板地形成公共电极，所述公共电极具有分别与所述透射区域和所述反射区域对应的第一开口和第二开口，其中所述第一开口相互间隔开且平行于所述数据线，所述第二开口相互间隔开且以相对于所述数据线的预定角度倾斜，其中所述第一开口的第一端与所述第二栅线重叠，所述第一开口的第二端与所述公共线重叠，所述第二开口的第一端与所述公共线重叠，以及所述第二开口的第二端与所述第一栅线重叠。

15.  根据权利要求14所述的方法，其中所述第二开口包括平行于所述第一方向且与所述数据线重叠的部分。

用于透反型液晶显示设备的阵列基板及其制造方法
本申请要求于2008年12月4日提交的申请号为No.2008-0122523的韩国专利申请的优先权，在此援引其全文作为参考。
技术领域
本发明涉及液晶显示(LCD)设备，更具体地，涉及用于透反型液晶显示设备的阵列基板及其制造方法。
背景技术
随着信息技术的快速发展，已经积极地建议和开发了用于显示信息的显示设备。更具体地，已经积极寻求使用薄型、重量轻和低功耗的平板显示(FPD)设备。根据其发光能力，FPD设备可以分为发光型和非发光型。在发光型FPD设备中，使用从FPD设备发出的光来显示图像。在非发光型FPD设备中，使用来自外部光源的反射和/或透射通过FPD的光来显示图像。例如，等离子显示面板(PDP)设备和场发射显示(FED)设备是发光型的。在另一例子中，电致发光显示(ELD)设备是发光型FPD设备。与PDP和ELD不同，液晶显示(LCD)设备是使用背光作为光源的非发光型FPD设备。
在各种FPD设备中，由于液晶显示(LCD)设备的高分辨率、彩色呈现能力和显示运动图像方面的优越性，液晶显示(LCD)设备已被广泛地用作笔记本计算机和台式计算机的监视器。LCD设备通过控制光透射通过设备的透射率来显示图像。更具体地，响应于在基板上电极之间产生的电场，介于两个相互面对的基板之间的液晶的液晶分子控制光透射。
因为LCD设备并不发光，所以LCD设备需要独立光源。因此，将背光设置在LCD设备的液晶面板的背面，用从背光发出并透射通过液晶面板的光来显示图像。因此，将上述LCD设备称作透射型LCD设备。由于使用独立光源，例如背光，因此透射型LCD设备可以在黑暗环境中显示明亮图像，但是因为使用背光，其可能导致很大功耗。
为了解决大功耗的问题，已经开发了反射型LCD设备。反射型LCD设备通过将外部自然光或者人工光反射通过液晶层来控制光的透射。在反射型LCD设备中，下基板上的像素电极由具有较高反射率的导电材料构成，上基板上的公共电极由透明导电材料构成。尽管反射型LCD设备可以具有比透射型LCD设备更低的功耗，但是当外部光不足或微弱时，它可能具有低亮度。
为了同时解决大功耗和低亮度两种问题，已经提出了组合透射型LCD设备和反射型LCD设备的能力的透反型LCD设备。透反型LCD设备可以选择在室内环境或者没有外部光源的环境中使用背光的透射模式和在存在外部光源的环境中使用外部光源的反射模式。
图1是根据现有技术的用于透反型LCD设备的阵列基板的平面图。在图1中，栅线5和数据线30被形成为相互交叉，并限定像素区域P。公共线6被形成为穿过像素区域P并平行于栅线5。公共线6将像素区域P划分成反射区域RA和透射区域TA。
在像素区域P内形成作为开关单元的薄膜晶体管Tr，并将其连接至栅线5和数据线30。薄膜晶体管Tr包括栅电极8、栅绝缘层(未图示)、半导体层20、以及源电极33和漏电极36。源电极33和漏电极36相互间隔开。像素电极62形成于像素区域P内，并接触薄膜晶体管Tr的漏电极36。像素电极62具有大致平板形状，包括分别在透射区域TA和反射区域RA内的条状第一开口op1和第二开口op2。条状第一开口op1和第二开口op2是沿着不同方向形成的，即，第一和第二开口op1和op2具有不同的长度方向，该长度方向是比宽度更长的长度的方向。更具体地，在透射区域TA内的第一开口op1与数据线30平行形成，在反射区域RA内的第二开口op2以相对于数据线30的预定角度倾斜形成。在像素区域P内的像素电极62与在下一像素区域内的像素电极分离开。
尽管在图中未图示，公共电极形成在像素区域P内，公共电极具有与像素区域P对应的大小。在像素区域P内的公共电极连接至下一个像素区域内的公共电极，公共电极在整个阵列基板1上相互电连接。绝缘层(未图示)形成在公共电极和像素电极62之间。因此，利用介于它们之间的绝缘层，相互间隔开的公共电极和像素电极62之间引入边缘电场。
此外，在反射区域RA内形成反射层(未图示)，以便该设备按照反射模式运行。反射层由具有较高反射率的金属材料构成。
顺便指出，在包括阵列基板1的透反型LCD设备中，在反射区域RA内出现与数据线30相邻的向错(disclination)，较暗部分被不规律地显示出。这导致不均匀的亮度，因而降低了图像质量。向错由无序排列的液晶分子导致，向错主要在用于引发边缘电场的第一和第二开口op1和op2的末端周围出现。
而且，在阵列基板1中，由于在反射区域RA内的第二开口op2的末端被设置在像素区域P内，向错严重出现，如图2所示，其图示根据现有技术的关于像素区域的反射区的仿真结果。为了防止由向错导致的图像质量降低，在与阵列基板1相对的滤色片基板上的黑矩阵应当具有加宽的宽度以覆盖数据线30和出现向错的部分。因此降低了孔径比。
像素电极62接收来自数据线30的随时改变的信号电压。因此，期望的是，像素电极62不与数据线30重叠，且第二开口op2的末端与数据线30之间间隔开。因此，在阵列基板1内，很难在不降低反射区域RA的孔径比的情况下防止图像质量降低。
发明内容
因此，本发明涉及透反型LCD设备及其制造方法，其基本上避免了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种用于透反型LCD设备的阵列基板及其制造方法，其在不降低孔径比的情况下最小化向错和最大化反射效率。
在随后的说明书中将阐述本发明的附加特征和优点，其中一部分根据说明书将是显而易见的，或者可以通过实施本发明来获得。通过在说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构将实现和获得本发明的这些和其它优点。
为了实现这些和其它的优点和根据本发明的目的，如所实施和简要描述的，一种用于透反型液晶显示设备的阵列基板，包括：基板；在基板上沿着第一方向的第一和第二栅线；与第一和第二栅线平行且在第一和第二栅线之间的公共线；连接至第一栅线的栅电极；在第一和第二栅线、栅电极和公共线上的栅绝缘层；在栅绝缘层上方且沿着第二方向的数据线，该数据线与第一和第二栅线交叉以限定像素区域，像素区域被公共线划分成透射区域和反射区域；在栅电极上方的栅绝缘层上的半导体层；在半导体层上方且彼此间隔开的源电极和漏电极；在数据线、源电极和漏电极上方基本上遍布基板的第一钝化层；在反射区域内第一钝化层上的反射层；在反射层上方且在反射层内具有平坦顶面的第二钝化层；在第一和第二钝化层上方且通过漏接触孔连接至漏电极的像素电极，该像素电极为板状；在像素电极上方的第三钝化层；和在第三钝化层上方基本上遍布基板的公共电极，该公共电极具有分别对应于透射区域和反射区域的第一开口和第二开口，其中第一开口相互间隔开且平行于数据线，第二开口相互间隔开且以相对于数据线的预定角度倾斜，其中第一开口的第一端与第二栅线重叠，第一开口的第二端与公共线重叠，第二开口的第一端与公共线重叠，以及第二开口的第二端与第一栅线重叠。
另一方面，一种制造用于透反型液晶显示设备的阵列基板的方法包括步骤：在基板上沿着第一方向形成第一和第二栅线；与第一和第二栅线平行并在第一和第二栅线之间形成公共线；形成连接至第一栅线的栅电极；在第一和第二栅线、栅电极和公共线上方形成栅绝缘层；在栅绝缘层上方沿着第二方向形成数据线，该数据线与第一和第二栅线交叉以限定像素区域，由公共线将该像素区域划分成透射区域和反射区域；在栅电极上方的栅绝缘层上形成半导体层；在半导体层上方形成源和漏电极并彼此间隔开；在数据线、源电极和漏电极上方基本上遍布基板地形成第一钝化层；在反射区域内的第一钝化层上方形成反射层；在反射层上方形成第二钝化层，所述第二钝化层在反射层内具有平坦顶面；在第一和第二钝化层上方形成像素电极，所述像素电极通过漏接触孔连接至漏电极，该像素电极为板状；在像素电极上方形成第三钝化层；和在第三钝化层上方基本上遍布基板地形成公共电极，该公共电极具有分别与透射区域和反射区域对应的第一开口和第二开口，其中第一开口相互间隔开且平行于数据线，第二开口相互间隔开且以相对于数据线的预定角度倾斜，其中第一开口的第一端与第二栅线重叠，第一开口的第二端与公共线重叠，第二开口的第一端与公共线重叠，以及第二开口的第二端与第一栅线重叠。
将理解上述简要描述和下述详细描述是示例性和解释性的，并将提供如所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
将包括以提供本发明的进一步理解和并入并构成本说明书一部分的附图图示本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是根据现有技术的用于透反型LCD设备的阵列基板的平面图。
图2图示根据现有技术的透反型LCD设备的像素区域的反射区域的相关仿真结果。
图3是根据本发明示例实施例的用于透反型LCD设备的阵列基板的平面图。
图4是根据本发明另一实施例的用于透反型LCD设备的阵列基板的平面图。
图5是根据本发明和对应于图3的线V-V的用于透反型LCD设备的阵列基板的剖面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的实施例，其示例在附图中图示。只要可能，将使用类似的参考数字表示相同或类似部分。
图3是根据本发明示例实施例的用于透反型LCD设备的阵列基板的平面图。图3图示两个像素区域。
如图3所示，栅线105和数据线130形成在基板上。栅线105和数据线130相互交叉，从而限定像素区域P。将公共线106形成为穿过像素区域P且平行于栅线105。公共线106将像素区域P划分成反射区域RA和透射区域TA。
薄膜晶体管Tr作为开关单元形成在像素区域P内，更具体是形成在反射区域RA内，并且连接至栅线105和数据线130。薄膜晶体管Tr包括栅电极108、栅绝缘层(未图示)、半导体层120以及源电极133和漏电极136。源电极133和漏电极136彼此间隔开。漏电极136延伸到反射区域RA内，漏电极136的末端与公共线106重叠。利用两者之间插入的绝缘层(未图示)，该重叠的漏电极136和公共线106构成存储电容器StgC。
像素电极162形成在像素区域P内并且接触薄膜晶体管Tr的漏电极136。像素电极162具有大致平板形状和对应于像素区域P的大小。
基本上遍布基板地形成公共电极(未图示)，更具体是遍布于包括像素区域的基板的显示区域。公共电极通过公共接触孔168连接至公共线106。尽管作为示例该图中在像素区域P内形成公共接触孔168，但也可以将公共接触孔168形成在基板的设置有公共线106的末端的非显示区域内。
公共电极包括分别与透射区域TA和反射区域RA对应的条状第一开口op1和第二开口op2。对应于透射区域TA的第一开口op1被形成为平行于数据线130。第一开口op1的一端与另一栅线105重叠，第一开口op1的另一端与公共线106重叠。与反射区域RA对应的第二开口op2以相对于数据线130的预定角度倾斜形成，有益的是以30度至60度的角度形成。第二开口op2是直条状的，而无论像素区域P是否如该附图中所示的彼此水平相邻。与数据线130重叠的部分第二开口op2以相对于数据线130的预定角度倾斜。一些第二开口op2可以被设置在像素区域P以及在该附图中与该像素区域P水平相邻的下一像素区域的反射区域RA内。第二开口op2的一端与公共线106重叠，第二开口op2的另一端与栅线105重叠。
在本发明中，第二开口op2的末端没有被规则地设置为与数据线130相邻。因此，与用于现有技术的透反型LCD设备的图1中的阵列基板1不同，其中第二开口op2的末端与图1的数据线130间隔开并与图1的数据线130规则地相邻设置，本发明可以最小化由于在第二开口op2末端处的边缘电场方向改变而出现的向错。而且，第二开口op2的末端与栅线105或公共线106重叠，并且即使向错在第二开口op2的末端周围出现，该向错可以由栅线105或公共线106屏蔽。此外，因为第二开口op2的末端没有被设置为与数据线130相邻，所以除了数据线130之外的全部反射区域RA都能够得到利用，并可以提高反射效率。因此，能够改善孔径比。
根据仿真，在本发明的透反型LCD设备中，与现有技术相比，在反射区域RA内的反射效率提高了13％，且由于最小化的向错，对比率改善了23％。在像素区域P内的像素电极62与在下一个像素区域内的像素电极分离开。
图4是根据本发明另一实施例的用于透反型LCD设备的阵列基板的平面图。图4图示两个像素区域。图4的阵列基板包括除了第二开口op2之外均与图3相同的部件。将省略对相同部件的解释。
在图4中，与反射区域RA对应的第二开口op2被形成为以相对于数据线130的预定角度倾斜，有益的是以30度至60度的角度形成。与数据线130重叠的部分第二开口op2平行于栅线105。可以将一些第二开口op2设置在相邻像素区域P的反射区域RA内。第二开口op2的一端与公共线106重叠，第二开口op2的另一端与栅线105重叠。
在下文中，将参考附图描述根据本发明的用于透反型LCD设备的阵列基板的剖面结构。图3和图4的阵列基板可以具有相同的剖面结构。
图5是根据本发明且对应于图3的线V-V的用于透反型LCD设备的阵列基板的剖视图。
在图5中，限定了包括将在其中形成薄膜晶体管的开关区域TrA的像素区域P。
在绝缘基板101上形成栅线(未图示)、公共线106和栅电极108。栅线沿着第一方向延伸。公共线106与栅线平行。栅电极108设置在开关区域TrA内并连接至栅线。栅绝缘层110形成在栅线和栅电极108上。栅绝缘层110可以由诸如氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiNx)等无机绝缘材料构成。
数据线130形成在栅绝缘层110上。数据线130与栅线交叉以限定像素区域P。在开关区域TrA内顺序地形成有源层120a、欧姆接触层120b以及源电极133和漏电极136。有源层120a由本征非晶硅构成，并被设置在栅电极108上方的栅绝缘层110上。欧姆接触层120b由掺杂非晶硅构成，并在有源层120a上方相互间隔开。源电极133和漏电极136在欧姆接触层120b上方彼此间隔开。源电极133连接至数据线130。栅电极108、栅绝缘层110、有源层120a、欧姆接触层120b、以及源电极133和漏电极136构成薄膜晶体管Tr。
半导体图案121被形成在数据线130下方。半导体图案121包括由与有源层120a和欧姆接触层120b相同的材料构成的第一图案121a和第二图案121b。也可以省去半导体图案121。
第一钝化层140形成在数据线130和薄膜晶体管Tr上。第一钝化层140可以由诸如氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiNx)等无机绝缘材料构成。第二钝化层143形成在第一钝化层140上。第二钝化层143可以由诸如感光亚克力(photoacryl)或苯并环丁烯(BCB)构成。第二钝化层143具有在反射区域RA内的不平坦顶面和在透射区域TA内的平坦顶面。
反射层150形成在第二钝化层143上的反射区域RA内。反射层150可以由具有较高反射率的金属材料构成，例如铝(Al)或铝合金(AlNd)。由于第二钝化层143的不平坦顶面，反射层150具有不平坦表面。反射层150延伸至开关区域TrA内，并覆盖薄膜晶体管Tr，从而阻止光入射到薄膜晶体管Tr的沟道上。
可以进一步将诸如氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiNx)等无机绝缘材料的第三钝化层(未图示)形成在反射区域RA内的第二钝化层143和反射层150之间，以改善相互之间的接触特性。
第四钝化层155形成在反射区域RA内的反射层150上。第四钝化层155可以由诸如感光亚克力等有机绝缘材料构成。第四钝化层155具有平坦顶面。第四钝化层155在透射区域TA和反射区域RA之间形成台阶以使LCD设备的透射区域TA和反射区域RA内的液晶层(未图示)具有不同厚度。更具体地，在反射区域RA内，从外部入射到反射层150上的光被反射层150反射，随后用户可以看到反射光。因此，光两次穿过液晶层。另一方面，在透射区域TA内，来自背光单元(未图示)的光穿过液晶层一次，然后用户看到光。因此，在透射区域TA和反射区域RA之间存在相位差。为了解决在透射区域TA和反射区域RA之间的相位差，在透射区域TA内的液晶层的厚度应当是在反射区域RA内液晶层的厚度的两倍。为此，在反射区域RA内形成第四钝化层155。
此外，第四钝化层155防止反射层150的不平坦性影响上部单元。有机绝缘材料的第四钝化层155具有较厚的厚度以克服反射层150的不平坦性，第四钝化层155的顶面是平坦的。
第四钝化层155和第二钝化层143具有暴露与公共线106重叠的漏电极136的漏接触孔158。
尽管在图中未图示，可以在第四钝化层155和反射层150之间进一步形成诸如氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiNx)等无机绝缘材料的第五钝化层，以改善相互之间的接触特性。
接着，在反射区域RA内的第四钝化层155上和在透射区域TA内的第二钝化层143上形成像素电极162。像素电极162为板(plate)状。像素电极162由像素区域P分离开，并通过漏接触孔158连接至漏电极136。像素电极162可以由诸如氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)等透明导电材料构成。
在此，可以在像素电极162和第四钝化层155之间以及在像素电极162和第二钝化层143之间进一步形成诸如氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiNx)等无机绝缘材料的第六钝化层(未图示)。第六钝化层可以改善在透明导电材料的像素电极162与有机绝缘材料的第二和第四钝化层143和155之间的接触特性。有机绝缘材料和无机绝缘材料之间的接触特性优于有机绝缘材料和金属材料之间的接触特性，金属材料和无机绝缘材料之间的接触特性也优于有机绝缘材料和金属材料之间的接触特性。当进一步形成第六钝化层时，将第六钝化层与第二和第四钝化层143和155一起构图，从而形成暴露漏电极的漏接触孔158。
第七钝化层165形成在像素电极162上并基本上遍布基板101。第七钝化层165可以由诸如氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiNx)等无机绝缘材料构成。
公共电极170形成在第七钝化层165上并基本上遍布基板101。公共电极170可以由透明导电材料构成。公共电极170具有与像素区域P内的透射区域TA对应的第一开口op1、和与反射区域RA对应的第二开口op2。与透射区域TA对应的第一开口op1平行于数据线130，更具体来讲，它们的比宽度更长的长度的方向平行于数据线130。与反射区域RA对应的第二开口op2具有以相对于数据线130的预定角度倾斜的长度方向，更具体来讲，第二开口op2以相对于数据线130预定角度倾斜形成，而无论像素区域P是否如该附图所示的水平彼此相邻。第二开口op2的一端与栅线(未图示)重叠，第二开口op2的另一端与公共线106重叠。第一开口op1的一端与另一栅线(未图示)重叠，以及第一开口op1的另一端与公共线106重叠。
尽管在附图中未图示，基本上遍布基板101的公共电极170通过在钝化层内形成的公共接触孔接触并电连接至公共线106。
在包括上述阵列基板的透反型LCD设备内，最小化了由数据线130周围的第二开口的末端导致的向错，并提高了反射效率。此外，改善了在反射区域RA内的对比率和孔径比。
如上所述，在根据本发明的用于透反型LCD设备的阵列基板内，在公共线和栅线内形成公共电极的第二开口，以便将第二开口的末端设置在栅线和公共线上，而与像素区域无关。因此，能够防止由数据线周围的第二开口的末端导致的向错。
此外，因为不存在数据线周围的向错，所以不需要加宽用于屏蔽向错的黑矩阵，因而能够提高孔径比。
而且，因为防止了数据线周围的向错，所以扩大了反射区域，并提高了反射效率。此外，改善了对比率。
对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中可以进行的各种修改和变化是显而易见的。因此，本发明将包含本发明的这些修改和变化，只要它们落入在权利要求书及其等同物的保护范围之内。