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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201810499282.2 (22)申请日 2018.05.23 (71)申请人 芜湖航天特种电缆厂股份有限公司 地址 241000 安徽省芜湖市高新技术开发 区漳河路15号 (72)发明人 赵明哲吴天凤庞倩夏伟杰 (74)专利代理机构 北京润平知识产权代理有限 公司 11283 代理人 张苗 (51)Int.Cl. C08K 13/04(2006.01) C08K 3/04(2006.01) C08K 3/34(2006.01) C08K 7/04(2006.01) C08K。
2、 7/24(2006.01) C08L 27/06(2006.01) C08L 9/06(2006.01) C08L 83/04(2006.01) (54)发明名称 电缆用抗电磁屏蔽填料及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种电缆用抗电磁屏蔽填料 及其制备方法， 包括： 1)将炭黑、 聚多巴胺球与氟 化氢混合后、 干燥并进行煅烧得到氟掺杂碳； 2) 将云母粉、 所述氟掺杂碳、 陶瓷纤维、 泡沫银、 泡 沫镍和泡沫铝进行混合、 研磨后进行热处理。 该 电缆用抗电磁屏蔽填料作为点电缆抗电磁屏蔽 护套的制备原料， 能够大大提高制得的电缆护套 的抗电磁屏蔽性能、 导热性能和机械性能。 权利要求书1。
3、页 说明书3页 CN 108690221 A 2018.10.23 CN 108690221 A 1.一种电缆用抗电磁屏蔽填料的制备方法， 其特征在于， 包括： 1)将炭黑、 聚多巴胺球与氟化氢混合后、 干燥并进行煅烧得到氟掺杂碳； 2)将云母粉、 所述氟掺杂碳、 陶瓷纤维、 泡沫银、 泡沫镍和泡沫铝进行混合、 研磨后进行 热处理。 2.利要求1所述的制备方法， 其中， 所述炭黑、 聚多巴胺球与氟化氢的用量比为100mg： 20-50mg： 3-5mL氟化氢溶液； 所述氟化氢溶液中含5-8质量的HF。 3.根据权利要求1所述的制备方法， 其中， 以重量份计， 所述云母粉、 氟掺杂碳、 陶瓷纤 。
4、维、 泡沫银、 泡沫镍和泡沫铝的用量配比为100： 5-10： 15-30： 3-8： 5-10： 6-10。 4.根据权利要求1所述的制备方法， 其中， 所述煅烧至少满足以下条件： 在惰性气氛下， 温度为900-1000， 时间为1-2h。 5.根据权利要求1所述的制备方法， 其中， 所述热处理至少满足以下条件： 在惰性气氛 下， 温度为150-200， 时间为4-6h。 6.根据权利要求4或5所述的制备方法， 其中， 所述煅烧、 热处理步骤中所述惰性气氛各 自独立由氮气或氩气提供。 7.根据权利要求1所述的制备方法， 其中， 所述云母粉的颗粒尺寸为200-800nm。 8.一种由权利要求1。
5、-7中任意一项所述的制备方法制得的电缆用抗电磁屏蔽填料。 9.根据权利要求8所述的电缆用抗电磁屏蔽填料， 其中， 所述电缆用抗电磁屏蔽填料的 颗粒尺寸为900-1000nm。 权利要求书 1/1 页 2 CN 108690221 A 2 电缆用抗电磁屏蔽填料及其制备方法 技术领域 0001 本发明涉及电缆制品制造领域， 具体地， 涉及一种电缆用抗电磁屏蔽填料及其制 备方法。 背景技术 0002 电缆护套作为一种重要的屏蔽材料， 在日常生产中的应用极为广泛， 且在很多领 域中也广泛使用到， 例如， 在航空航天等领域。 当然， 因在航空航天领域的使用会使得对电 缆护套的要求更高， 因而， 普通的电。
6、缆护套在用于航空航天领域时往往会出现使用寿命降 低等问题， 从而大大提高其使用成本， 且一旦应用于航空航天领域中， 则更换也变得极为复 杂和不利。 0003 因此， 提供一种具有更好的屏蔽性能， 进而使得在航空航天领域中使用依然能具 有较好的使用寿命和电磁屏蔽能力的航天航空用抗电磁电缆屏蔽编织护套是本发明亟需 解决的问题。 发明内容 0004 本发明的目的是提供一种电缆用抗电磁屏蔽填料， 该电缆用抗电磁屏蔽填料作为 电缆抗电磁屏蔽护套的制备原料， 能够大大提高制得的电缆护套的抗电磁屏蔽性能、 导热 性能和机械性能。 0005 为了实现上述目的， 本发明提供了一种电缆用抗电磁屏蔽填料的制备方法，。
7、 包括： 0006 1)将炭黑、 聚多巴胺球与氟化氢混合后、 干燥并进行煅烧得到氟掺杂碳； 0007 2)将云母粉、 所述氟掺杂碳、 陶瓷纤维、 泡沫银、 泡沫镍和泡沫铝进行混合、 研磨后 进行热处理。 0008 上述技术方案中， 所述炭黑、 聚多巴胺球与氟化氢的用量可以在宽的范围内选择， 但是为了提高氟掺杂率， 优选地， 所述炭黑、 聚多巴胺球与氟化氢的用量比为100mg： 20- 50mg： 3-5mL氟化氢溶液； 0009 所述氟化氢溶液中含5-8质量的HF。 0010 上述技术方案中， 各原料的用量可以在宽的范围内选择， 但是为了提高氟掺杂率， 优选地， 以重量份计， 所述云母粉、 氟。
8、掺杂碳、 陶瓷纤维、 泡沫银、 泡沫镍和泡沫铝的用量配 比为100： 5-10： 15-30： 3-8： 5-10： 6-10。 0011 上述技术方案中， 所述煅烧的条件可以在宽的范围内选择， 但是为了制备效率， 优 选地， 所述煅烧至少满足以下条件： 在惰性气氛下， 温度为900-1000， 时间为1-2h。 0012 上述技术方案中， 所述热处理的条件可以在宽的范围内选择， 但是为了制备效率， 优选地， 所述热处理至少满足以下条件： 在惰性气氛下， 温度为150-200， 时间为4-6h。 0013 在所述煅烧和热处理的过程中， 所述惰性气氛由氮气或氩气提供。 0014 上述技术方案中，。
9、 所述云母粉的具体粒径大小可以在宽的范围内选择， 但是为了 提高各原料之间的混合、 协同效果， 优选地， 所述云母粉的颗粒尺寸为200-800nm。 说明书 1/3 页 3 CN 108690221 A 3 0015 本发明还提供了一种上述制备方法制得得电缆用抗电磁屏蔽填料； 上述制的得电 缆用抗电磁屏蔽填料得颗粒尺寸为900-1000nm。 0016 通过上述技术方案， 本发明中先用炭黑、 聚多巴胺球和氟化氢混合、 煅烧制得氟掺 杂碳； 接着用云母粉、 所述氟掺杂碳、 陶瓷纤维、 泡沫银、 泡沫镍和泡沫铝进行混合、 研磨后 进行热处理制得电缆用抗电磁屏蔽填料。 氟掺杂碳材料一方面能够提高材料。
10、得导热性能， 同时氟得掺入会会降低导热材料得电导功能， 再与云母粉、 泡沫镍和泡沫铝进行混合进一 步制得电缆用抗电磁屏蔽填料。 0017 本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。 具体实施方式 0018 以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。 应当理解的是， 此处所描述的具体 实施方式仅用于说明和解释本发明， 并不用于限制本发明。 0019 在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值， 这些范围或 值应当理解为包含接近这些范围或值的值。 对于数值范围来说， 各个范围的端点值之间、 各 个范围的端点值和单独的点值之间， 以及单独的点值之间可以彼此组合而得到。
11、一个或多个 新的数值范围， 这些数值范围应被视为在本文中具体公开。 0020 以下将通过实施例对本发明进行详细描述。 0021 实施例1 0022 1)将100mg炭黑、 20mg聚多巴胺球加入到3mL氟化氢(5质量的HF)混合后、 干燥并 在氮气氛下、 900煅烧2h得到氟掺杂碳； 0023 2)将云母粉(200nm)、 所述氟掺杂碳、 陶瓷纤维、 泡沫银、 泡沫镍和泡沫铝按照100： 8： 20： 6： 8： 8的重量比进行混合、 研磨后在150热处理6h， 得到电缆用抗电磁屏蔽填料记作 A1。 0024 实施例2 0025 1)将100mg炭黑、 30mg聚多巴胺球加入到4mL氟化氢(8。
12、质量的HF)混合后、 干燥并 在氮气氛下、 950煅烧1h得到氟掺杂碳； 0026 2)将云母粉(600nm)、 所述氟掺杂碳、 陶瓷纤维、 泡沫银、 泡沫镍和泡沫铝按照100： 10： 30： 8： 10： 10的重量比进行混合、 研磨后在180热处理5h， 得到电缆用抗电磁屏蔽填料 记作A2。 0027 实施例3 0028 1)将100mg炭黑、 50mg聚多巴胺球加入到5mL氟化氢(5质量的HF)混合后、 干燥并 在氮气氛下、 1000煅烧1-2h得到氟掺杂碳； 0029 2)将云母粉(800nm)、 所述氟掺杂碳、 陶瓷纤维、 泡沫银、 泡沫镍和泡沫铝按照100： 5： 15： 3： 。
13、5： 6的重量比进行混合、 研磨后在200热处理4h， 得到电缆用抗电磁屏蔽填料记作 A3。 0030 对比例1 0031 按照实施例1的方法制得电缆用抗电磁屏蔽填料D1， 不同的是的步骤1)中未加入 氟化氢直接混合煅烧。 0032 对比例2 说明书 2/3 页 4 CN 108690221 A 4 0033 按照实施例1的方法制得电缆用抗电磁屏蔽填料D2， 不同的是未加入泡沫银。 0034 对比例3 0035 按照实施例1的方法制得电缆用抗电磁屏蔽填料D3， 不同的是未加入泡沫镍。 0036 对比例4 0037 按照实施例1的方法制得电缆用抗电磁屏蔽填料D4， 不同的是未加入泡沫铝。 003。
14、8 应用例1 0039 将实施例和对比例制得的抗电磁屏蔽填料A1-A3及D1-D4与聚氯乙烯、 丁苯橡胶、 聚二甲基硅氧烷、 甲苯、 邻苯二甲酸二辛脂、 肌醇六磷酸酯、 环氧化甘油三酸酯、 柠檬酸酯和 硫化促进剂TMTD混合后经过捏合、 挤出造粒加工制得对应的电缆护套， 并且检测其在30MHz 下的屏蔽衰减， 同时， 按照GB/T2951.12检测护套的抗老化实验并检测老化后的断裂伸长 率， 得到的结果如表1所示。 0040 表1 0041 编号屏蔽衰减(db)断裂伸长率() A199800 A294810 A397805 D185350 D255550 D357550 D461600 004。
15、2 以上详细描述了本发明的优选实施方式， 但是， 本发明并不限于上述实施方式中 的具体细节， 在本发明的技术构思范围内， 可以对本发明的技术方案进行多种简单变型， 这 些简单变型均属于本发明的保护范围。 0043 另外需要说明的是， 在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征， 在不矛 盾的情况下， 可以通过任何合适的方式进行组合， 为了避免不必要的重复， 本发明对各种可 能的组合方式不再另行说明。 0044 此外， 本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合， 只要其不违背本 发明的思想， 其同样应当视为本发明所公开的内容。 说明书 3/3 页 5 CN 108690221 A 5 。