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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201610906353.7 (22)申请日 2016.10.18 (71)申请人 中国电力科学研究院 地址 100192 北京市海淀区清河小营东路 15号 申请人 国家电网公司 (72)发明人 万小东吴仲奎胡伟林晨 霍锋南敬刘琴李瑶琴 (74)专利代理机构 北京工信联合知识产权代理 事务所(普通合伙) 11266 代理人 郭一斐 (51)Int.Cl. C08L 23/08(2006.01) C08L 57/02(2006.01) C08L 91/06(2006.01) C08。
2、L 95/00(2006.01) C08L 23/16(2006.01) C08L 71/02(2006.01) C08L 53/02(2006.01) C08L 75/04(2006.01) C08L 93/04(2006.01) C08K 3/26(2006.01) C08K 5/134(2006.01) C08K 5/12(2006.01) (54)发明名称 一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材 料及制造方法 (57)摘要 本发明公开了一种清除室温硫化型RTV涂层 表面污秽的材料， 其特征在于， 所述材料由聚合 物基体、 增粘剂、 填充剂和抗氧剂混合而成， 其 中， 所述增粘剂用于所。
3、述材料的粘接强度； 所述 填充剂用于缩短固化时间； 所述抗氧剂用于防止 所述材料的老化。 本发明还公开了一种RTV涂层 表面污秽的材料的制造方法， 包括： 将所述材料 放入到密炼机中共混； 将所述材料放入到压制成 型机中压制； 以及将所述材料保压冷却后出模。 本发明还公开了一种清除RTV涂层表面污秽的方 法， 包括： 将材料置于室温硫化型RTV涂层表面； 对所述材料加热预定时间长度， 使得所述材料吸 附所述RTV涂层表面的污秽； 以及加热完成后等 待温度降低并将所述材料取走， 清除所述RTV涂 层表面的污秽。 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 CN 106566062 A 2017.04.。
4、19 CN 106566062 A 1.一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料， 其特征在于， 所述材料由聚合物基 体、 增粘剂、 填充剂和抗氧剂混合而成， 其中， 所述增粘剂用于增大所述材料的粘结强度； 所述填充剂用于缩短固化时间， 并增 加所述材料的强度； 所述抗氧剂用于防止所述材料的老化。 2.根据权利要求1所述的材料， 其特征在于， 所述聚合物基体采用乙烯-醋酸乙烯共聚 物EVA和热塑性聚氨酯聚合物。 3.根据权利要求1所述的材料， 其特征在于， 所述材料的粘结强度能够达到3.5MPa。 4.一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料的制造方法， 所述方法包括： 步骤1， 将所述材。
5、料放入到密炼机中共混， 所述材料由聚合物基体、 增粘剂、 填充剂和抗 氧剂混合而成； 步骤2， 将所述材料放入到压制成型机中压制； 以及 步骤3， 将所述材料保压冷却后出模。 5.根据权利要求4所述的方法， 其特征在于， 所述共混密炼的时间为10-20分钟， 并且所 述密炼的温度为130-160。 6.根据权利要求4所述的方法， 其特征在于， 所述压制的时间为5-20分钟并且所述压制 的温度为110-160。 7.一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的方法， 所述方法包括： 步骤1， 将材料置于室温硫化型RTV涂层表面； 步骤2， 对所述材料加热预定时间长度， 使得所述材料吸附所述RTV涂层表。
6、面的污秽； 以 及 步骤3， 加热完成后等待温度降低并将所述材料取走， 清除所述RTV涂层表面的污秽。 权利要求书 1/1 页 2 CN 106566062 A 2 一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料及制造方法 技术领域 0001 本发明涉及高电压外绝缘领域， 并且更具体地， 涉及一种清除室温硫化型RTV涂层 表面污秽的材料及制造方法。 背景技术 0002 为提高输变电设备防污闪能力， 电力部门普遍采用了在瓷或玻璃绝缘表面喷涂 RTV防污闪涂料的措施。 RTV涂层长期运行后， 表面积污严重， 污秽与涂层结合紧密， 难以通 过简单的清洗方法除去污层。 由于瓷或玻璃绝缘子绝缘材料为无机物，。
7、 其在运行环境下的 使用寿命可达50年； 而RTV防污闪涂层为有机材料， 其在运行环境下会发生老化， 其使用寿 命远短于瓷和玻璃绝缘子。 在RTV涂层老化或破损后需进行复涂， 目前普遍采用在老旧涂层 表明直接喷涂RTV， 但由于RTV涂层表面污秽的存在， 影响复涂后新涂层与旧涂层的粘合性 能， 从而降低了复涂后新涂层的性能， 在电弧放电等极端情况下对设备整体绝缘性能造成 不利影响。 0003 如何有效除去RTV涂层表面污秽， 提高RTV涂层老化后的涂覆效果并保证其涂覆后 的性能成为运行部门关注的重大问题。 发明内容 0004 为了解决上述问题， 根据本发明的一个方面， 提供了一种清除室温硫化型。
8、RTV涂层 表面污秽的材料， 其特征在于， 所述材料由聚合物基体、 增粘剂、 填充剂和抗氧剂混合而成， 0005 其中， 所述增粘剂用于增大所述材料的粘结强度； 所述填充剂用于缩短固化时间， 并增加所述材料的强度； 所述抗氧剂用于防止所述材料的老化。 0006 优选地， 其中所述聚合物基体采用乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA和热塑性聚氨酯聚合 物。 0007 优选地， 其中所述材料的粘结强度能够达到3.5MPa。 0008 根据本发明的另一个发明， 提供了一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料 的制造方法， 所述方法包括： 0009 将所述材料放入到密炼机中共混密炼， 所述材料由聚合物基体、 增。
9、粘剂、 填充剂和 抗氧剂混合而成； 0010 将所述材料放入到压制成型机中压制； 以及 0011 将所述材料保压冷却后出模。 0012 优选地， 其中所述密炼的时间为10-20分钟， 并且所述密炼的温度为130-160。 0013 优选地， 其中所述压制的时间为5-20分钟并且所述压制的温度为110-160。 0014 根据本发明又一个方面， 提供了一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的方法， 所 述方法包括： 0015 将材料置于室温硫化型RTV涂层表面； 0016 对所述材料加热预定时间长度， 使得所述材料吸附所述RTV涂层表面的污秽； 以及 说明书 1/4 页 3 CN 10656606。
10、2 A 3 0017 加热完成后等待温度降低并将所述材料取走， 清除所述RTV涂层表面的污秽。 0018 本发明的有益效果在于： 0019 本发明提供的室温硫化型RTV涂层表面污秽清除材料， 具有较好的去污效果， 而且 不会对室温硫化型RTV涂层本身造成损坏， 成本低， 无毒性， 易施工。 附图说明 0020 通过参考下面的附图， 可以更为完整地理解本发明的示例性实施方式： 0021 图1为根据本发明实施方式的清除RTV涂层表面污秽的材料的制造方法100的结构 示意图； 0022 图2为根据本发明实施方式的清除RTV涂层表面污秽的方法200的结构示意图； 以 及 0023 图3为根据本发明实施。
11、方式的清除RTV涂层表面污秽的原理图。 具体实施方式 0024 现在参考附图介绍本发明的示例性实施方式， 然而， 本发明可以用许多不同的形 式来实施， 并且不局限于此处描述的实施例， 提供这些实施例是为了详尽地且完全地公开 本发明， 并且向所属技术领域的技术人员充分传达本发明的范围。 对于表示在附图中的示 例性实施方式中的术语并不是对本发明的限定。 在附图中， 相同的单元/元件使用相同的附 图标记。 0025 除非另有说明， 此处使用的术语(包括科技术语)对所属技术领域的技术人员具有 通常的理解含义。 另外， 可以理解的是， 以通常使用的词典限定的术语， 应当被理解为与其 相关领域的语境具有一。
12、致的含义， 而不应该被理解为理想化的或过于正式的意义。 0026 本发明所要解决的技术问题是， 研制一种高分子粘附材料， 其分子极性与硅橡胶 相差较大而与污秽物的极性相近， 利用高分子粘附材料与硅橡胶和污秽物结合力的差异， 在外力作用下选择性地将污秽物除去， 而保留室温硫化型RTV涂层， 并为再次涂覆室温硫化 型RTV涂层提供结合力强的表面。 0027 本发明通过以热塑型高分子材料为主体， 通过与相应的增粘剂、 粘度调节剂、 抗氧 剂、 增塑剂、 填充剂等共混研制一种环保、 可再生、 零排放的RTV涂层表面污秽清除材料。 所 述一种清除室温硫化型RTV涂层表面污秽的材料由聚合物基体、 增粘剂、。
13、 填充剂和抗氧剂混 合而成， 其中， 所述增粘剂用于增大所述材料的粘结强度； 所述填充剂用于缩短固化时间， 并增加所述材料的强度； 所述抗氧剂用于防止所述材料的老化。 优选地， 其中所述材料的粘 结强度能够达到3.5MPa。 0028 所述聚合物基体可以是乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、 聚乳酸、 聚己内酯、 聚酯酰 胺、 热塑性聚氨酯和天然高分子。 从粘接强度、 力学性能和价格等方面综合考虑， 本发明选 用的基体为乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)和热塑性聚氨酯。 0029 所述增粘剂， 主要作用是增加材料对被粘物的润湿性和结合力， 从而提高其粘接 强度。 增粘剂的相对分子质量为1010 000。
14、， 软化点为70150。 常用的增粘剂有氢化C5 石油树脂， 松香甘油酯等。 0030 所述填充剂是为了缩短固化时间， 增加材料的强度， 降低成本。 常用的填充剂有轻 说明书 2/4 页 4 CN 106566062 A 4 质碳酸钙， 沥青等。 0031 由于聚合物易老化的特点， 所以一般需要加入抗氧剂， 例如抗氧剂246或1010。 0032 图1为根据本发明实施方式的清除RTV涂层表面污秽的材料的制造方法100的结构 示意图。 如图1所示， 所述清除RTV涂层表面污秽的材料的制造方法100从步骤101处开始， 在 步骤101将所述材料放入到密炼机中共混密炼， 所述材料由聚合物基体、 增粘。
15、剂、 填充剂和 抗氧剂混合而成。 优选地， 其中所述共混密炼的时间为10-20分钟， 并且所述共混密炼的温 度为130-160。 0033 优选地， 在步骤102将所述材料放入到压制成型机中压制。 优选地， 其中所述压制 的时间为5-20分钟并且所述压制的温度为110-160。 0034 优选地， 在步骤103将所述材料保压冷却后出模。 0035 根据本发明的实施例1为： 称取50的EVA， 35的氢化C5石油树脂， 10的石蜡， 3的CaCO3， 1的沥青和1的抗氧剂1010， 加入到密炼机中共混密炼， 温度为160， 转速 60转/分钟密炼15分钟左右； 然后在压延机中压延10分钟， 温度。
16、为160， 保压冷却10分钟后 出模。 0036 根据本发明的实施例2为： 称取80的EVA， 10的EPDM， 8的聚乙二醇6000， 1 的沥青和1的抗氧剂1010， 加入到密炼机中共混密炼， 温度为160， 转速60转/分钟， 密炼 15分钟左右。 然后在压延机中压延10分钟， 温度为160， 保压冷却10分钟后出模。 0037 根据本发明的实施例3为： 称取40的氢化C5石油树脂， 35的邻苯二甲酸二辛酯 (DEHP)， 20的SBS， 3的CaCO3,1的沥青和1的抗氧剂1010， 加入到密炼机中共混， 温 度为160， 转速60转/分钟， 密炼15分钟左右。 然后在压延机中压延10。
17、分钟， 温度为160， 保压冷却10分钟后出模。 0038 根据本发明的实施例4为： 称取50的聚氨酯， 30的松香树脂， 10的石蜡， 8 的轻质CaCO3,1的沥青和1的抗氧剂1010， 在温度150、 转速30转/分钟的条件下， 加入 到密炼机中共混20分钟左右。 然后在压延机中压延10分钟， 温度为150， 保压冷却10分钟 后出模。 0039 根据本发明的实施例5为： 称取50的聚氨酯， 35的氢化C5石油树脂， 10的石 蜡， 3的CaCO3,1的沥青和1的抗氧剂1010， 加入到密炼机中共混， 温度为160， 转速 60转/分钟， 密炼15分钟左右。 然后在压延机中压延10分钟，。
18、 温度为160， 保压冷却10分钟 后出模。 0040 图2为根据本发明实施方式的清除RTV涂层表面污秽的方法200的结构示意图。 如 图2所示， 所述清除RTV涂层表面污秽的方法200从步骤201处开始， 步骤201将材料置于室温 硫化型RTV涂层表面。 0041 优选地， 在步骤202对所述材料加热预定时间长度， 使得所述材料吸附所述RTV涂 层表面的污秽。 0042 优选地， 在步骤203加热完成后等待温度降低并将所述材料取走， 清除所述RTV涂 层表面的污秽。 0043 图3为根据本发明实施方式的清除RTV涂层表面污秽的原理图。 如图3所示， 所述材 料清除污秽的原理为： 污层清除用高。
19、分子材料常温下为固态， 在其置于RTV涂层表面后对其 加热， 则该材料和RTV涂层表面温度同时升高， 温度的升高导致RTV表面污层中的硅油小分 说明书 3/4 页 5 CN 106566062 A 5 子加速运动且与污秽物的结合力减弱， 在一定温度下高分子材料由固态变为熔融态， 污秽 物与高分子材料中极性基团结合力高于其与硅油小分子的结合力， 停止加热待温度降低后 高分子材料由熔融态变为固态， 则污秽物被吸附于高分子材料中， 从而达到了出去RTV表面 污秽的目的。 0044 已经通过参考少量实施方式描述了本发明。 然而， 本领域技术人员所公知的， 正如 附带的专利权利要求所限定的， 除了本发明以上公开的其他的实施例等同地落在本发明的 范围内。 0045 通常地， 在权利要求中使用的所有术语都根据他们在技术领域的通常含义被解 释， 除非在其中被另外明确地定义。 所有的参考 “一个/所述/该装置、 组件等” 都被开放地 解释为所述装置、 组件等中的至少一个实例， 除非另外明确地说明。 这里公开的任何方法的 步骤都没必要以公开的准确的顺序运行， 除非明确地说明。 说明书 4/4 页 6 CN 106566062 A 6 图1 图2 说明书附图 1/2 页 7 CN 106566062 A 7 图3 说明书附图 2/2 页 8 CN 106566062 A 8 。