发光玻璃元件、其制造方法及其发光方法.pdf

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1、(10)授权公告号 CN 102439112 B (45)授权公告日 2013.06.12 CN 102439112 B *CN102439112B* (21)申请号 200980154082.2 (22)申请日 2009.06.26 C09K 11/55(2006.01) C09K 11/74(2006.01) C09K 11/79(2006.01) C03C 4/12(2006.01) (73)专利权人 海洋王照明科技股份有限公司 地址 518054 广东省深圳市南山区南海大道 海王大厦 A 座 22 层 (72)发明人 周明杰 马文波 刘玉刚 (74)专利代理机构 深圳中一专利商标事务所。

2、 44237 代理人 彭年才 (54) 发明名称 发光玻璃元件、 其制造方法及其发光方法 (57) 摘要 本发明涉及一种发光玻璃元件， 其包括 发光玻璃基体， 该发光玻璃基体的表面设有 一金属层， 该金属层具金属显微结构。发光 玻璃基体包含如下化学通式的复合氧化物 ： aM2ObY2O3cSiO2dDy2O3， 其中 M 为碱金属元素， a、 b、 c、 d 为摩尔份数， 各自取值范围为 ： a 为 25 60， b 为 1 30， c 为 20 70， d 为 0.001 10。 本发明还提供该发光玻璃元件制造方法及其发光 方法。 本发明的发光玻璃基体有金属层， 能增强发 光玻璃基体的发光效。

3、率， 可用在超高亮度和高速 运作的发光器件上。 (85)PCT申请进入国家阶段日 2011.07.11 (86)PCT申请的申请数据 PCT/CN2009/072473 2009.06.26 (87)PCT申请的公布数据 WO2010/148571 ZH 2010.12.29 (51)Int.Cl. 审查员 陈春淳 权利要求书 1 页 说明书 7 页 附图 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (10)授权公告号 CN 102439112 B CN 102439112 B *CN102439112B* 1/1 页 2 1. 一种发。

4、光玻璃元件， 其包括发光玻璃基体， 其特征在于， 所述发光玻璃基体的表面设 有一金属层， 所述金属层具有金属显微结构， 所述发光玻璃基体包含如下化学通式的复合 氧化物 ： aM2ObY2O3cSiO2dDy2O3， 其中 M 为碱金属元素， a、 b、 c、 d 为摩尔份数， 各自取值范围为 ： a 为 25 60， b 为 1 30， c 为 20 70， d 为 0.001 10。 2. 如权利要求 1 所述的发光玻璃元件， 其特征在于， 所述碱金属为 Na、 K、 Li 中的至少 一种。 3. 如权利要求 1 所述的发光玻璃元件， 其特征在于， 所述金属层的金属为金、 银、 铝、 铜、 。

5、钛、 铁、 镍、 钴、 铬、 铂、 钯、 镁、 锌中的至少一种。 4. 如权利要求 3 所述的发光玻璃元件， 其特征在于， 所述金属层的金属为金、 银、 铝中 的至少一种。 5. 如权利要求 1 所述的发光玻璃元件， 其特征在于， 所述金属层的厚度为 0.5 纳米至 200 纳米。 6. 一种发光玻璃元件制造方法， 其包括如下步骤 ： 制备 发光玻璃基体， 所述发光玻璃基体包含如下化学通式的复合氧化物 ： aM2ObY2O3cSiO2dDy2O3， 其中 M 为碱金属元素， a、 b、 c、 d 为摩尔份数， 各自取值范围为 ： a 为 25 60， b 为 1 30， c 为 20 70， 。

6、d 为 0.001 10 ； 在所述发光玻璃基体的表面形成一金属层 ； 及 将所述发光玻璃基体及金属层在真空下进行退火处理， 使所述金属层形成金属显微结 构， 冷却后即形成所需的发光玻璃元件。 7. 如权利要求 6 所述的发光玻璃元件制造方法， 其特征在于， 所述发光玻璃基体的制 备步骤如下 ： 取得各自对应摩尔份数的碱金属盐、 SiO2、 Y2O3和 Dy2O3 原料 ； 在 1200 1500温度下混合熔融， 冷却， 再置于还原气氛中， 在 600 1100温度下退火， 制得发光玻璃基体。 8. 如权利要求 6 所述的发光玻璃元件制造方法， 其特征在于， 所述金属层是通过将金 属溅射或蒸镀。

7、在发光玻璃基体表面而形成的。 9. 如权利要求 6 所述的发光玻璃元件制造方法， 其特征在于， 所述真空退火处理是在 50 650下进行， 退火时间为 5 分钟 5 小时。 10. 一种发光玻璃元件的发光方法， 其包括如下步骤 ： 按照权利要求 6-9 任一项所述的制造方法获得发光玻璃元件 ； 对金属层发射阴极射线， 在阴极射线激发下金属层与发光玻璃基体之间形成表面等离 子体， 使发光玻璃基体发光。 权 利 要 求 书 CN 102439112 B 2 1/7 页 3 发光玻璃元件、 其制造方法及其发光方法 技术领域 0001 本发明关于发光材料技术领域， 尤其涉及一种玻璃基体作为发光材料的发。

8、光玻璃 元件、 其制造方法及其发光方法。 背景技术 0002 传统的作为发光基体的材料包括荧光粉、 纳米晶体及玻璃等， 相对于晶体和荧光 粉而言， 玻璃具有透明、 坚硬及良好化学稳定性和光学性质 ； 而且玻璃更容易被加工成各种 大小形状的产品， 如各种形状或尺寸的显示器件或照明光源。 0003 例如， 在真空微电子学领域中， 场发射器件通常利用发光玻璃作为发光体， 其在照 明及显示领域显示出了广阔的应用前景， 引起国内外研究机构的广泛关注。场发射器件工 作原理是 ： 在真空环境下， 阳极相对场发射阴极阵列 (Field emissive arrays， FEAs) 施加 正向电压形成加速电场，。

9、 阴极发射的电子加速轰向阳极板上的发光材料而发光。场发射器 件的工作温度范围宽 (-40 80 )、 响应时间短 ( 1ms)、 结构简单、 省电， 符合绿色环 保要求。另外， 荧光粉体、 发光玻璃、 发光薄膜等材料都可以在场发射器件中作为发光材料 使用， 但它们都存在发光效率低这一本质问题， 极大限制了场发射器件的应用， 特别是在照 明领域的应用。 0004 对发明的公开 0005 技术问题 0006 有鉴于此， 本发明提供一种具有良好的透光性、 高均匀性、 发光效率高、 稳定性好、 结构简单的发光玻璃元件， 以及一种制备工艺简单、 成本低的发光玻璃元件制造方法。 0007 本发明还提供一种。

10、操作简便、 方便可靠、 大大增强发光材料发光效率的发光玻璃 元件发光方法。 0008 技术解决方案 0009 一种发光玻璃元件， 其包括发光玻璃基体， 所述发光玻璃基体的表面设有一金属 层， 所述金属层具金属显微结构， 所述发光玻璃基体包含如下化学通式的复合氧化物 ： 0010 aM2ObY2O3cSiO2dDy2O3， 0011 其中 M 为碱金属元素， a、 b、 c、 d 为摩尔份数， 各自取值范围为 ： a 为 25 60， b 为 1 30， c 为 20 70， d 为 0.001 10。 0012 一种发光玻璃元件制造方法， 其包括如下步骤 ： 0013 制备发光玻璃基体， 所述。

11、发光玻璃基体包含如下化学通式的复合氧化物 ： aM2ObY2O3cSiO2dDy2O3， 其中 M 为碱金属元素， a、 b、 c、 d 为摩尔份数， 各自取值范围为 ： a 为 25 60， b 为 1 30， c 为 20 70， d 为 0.001 10 ； 0014 在所述发光玻璃基体的表面形成一金属层 ； 及 0015 将所述发光玻璃基体及金属层在真空下进行退火处理， 使所述金属层形成金属显 微结构， 冷却后即形成所需的发光玻璃元件。 0016 以及， 一种发光玻璃元件的发光方法， 其包括如下步骤 ： 说 明 书 CN 102439112 B 3 2/7 页 4 0017 按照上述制。

12、造方法获得发光玻璃元件 ； 及 0018 对金属层发射阴极射线， 在阴极射线激发下金属层与发光玻璃基体之间形成表面 等离子体， 使发光玻璃基体发光。 0019 有益效果 0020 本发明采用在发光玻璃基体上设置一层具有显微结构的金属层， 该金属层能在阴 极射线下与发光玻璃基体之间的界面形成表面等离子体， 通过表面等离子体效应， 使发光 玻璃基体的内量子效率大大提高， 即发光玻璃的自发辐射增强， 进而大大增强了发光玻璃 基体的发光效率， 从而解决发光材料发光效率低这一问题。 因而， 在发光玻璃元件的发光方 法中， 只需对金属层发射阴极射线， 金属层与发光玻璃基体之间形成表面等离子体， 以增强 发。

13、光玻璃基体发光效率， 提高其发光可靠性。 进一步， 本发明的发光玻璃元件制备方法只需 要在发光玻璃基体上形成一层金属层， 然后经过退火处理， 即可获得所需发光玻璃元件， 从 而使得制备工艺简单、 降低成本， 具有广阔的生产应用前景。 附图说明 0021 下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明， 附图中 ： 0022 图 1 是本发明实施例的发光玻璃元件结构示意图 ； 0023 图 2 是本发明实施例的发光玻璃元件制备方法流程图 ； 0024 图 3 是本发明实施例的发光玻璃元件的发光方法流程图 ； 0025 图4是实施例1的发光玻璃元件与未加金属层的发光玻璃对比的发光光谱， 其中， 阴极射。

14、线发光光谱测试条件为 ： 电子束激发的加速电压为 9KV。 0026 本发明的实施方式 0027 为了使本发明的目的、 技术方案及优点更加清楚明白， 以下结合附图及实施例， 对 本发明进行进一步详细说明。 应当理解， 此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明， 并 不用于限定本发明。 0028 请参阅图 1， 示出本发明实施例的发光玻璃元件 10， 其包括发光玻璃基体 13 以及 设于发光玻璃基体 13 表面的金属层 14。金属层 14 具有金属显微结构， 该金属显微结构有 时也称为微纳结构。 进一步， 该金属显微结构是非周期性的， 即由无规则排列的金属晶体构 成。 0029 该发光玻璃基体 。

15、13 包含如下化学通式的复合氧化物 ： aM2ObY2O3cSiO2dDy2O3， 其中 M 为碱金属元素， a、 b、 c、 d 为摩尔份数， 各自取值范围为 ： a 为 25 60， b 为 1 30， c 为 20 70， d 为 0.001 10。在该发光玻璃基体 13 中包含镝的氧化物， 该镝的氧化物在 这种组份的发光玻璃中能够充分发挥其发光效果。该发光玻璃基体 13 还具有良好的透光 性能。 0030 其中， 金属层 14 可以是由化学稳定性良好的金属， 例如不易氧化腐蚀的金属， 另 外也可以是常用的金属， 优选为金、 银、 铝、 铜、 钛、 铁、 镍、 钴、 铬、 铂、 钯、 镁。

16、、 锌中的至少一种 金属形成的， 更优选为由金、 银、 铝中的至少一种金属形成的。金属层 14 中的金属物种可以 是它们的单金属或者复合金属。 复合金属可以是上述金属两种或两种以上的合金， 例如， 金 属层14可以是银铝合金层或金铝合金层， 其中银或金的重量分数优选为70以上。 金属层 14 的厚度优选为 0.5 纳米 200 纳米， 更优选为 1 纳米 100 纳米。 说 明 书 CN 102439112 B 4 3/7 页 5 0031 碱金属 M 优选为 Na、 K、 Li 中的至少一种。 0032 上述发光玻璃元件 10 作为发光元件， 可广泛应用于超高亮度和高速运作的发光 器件上， 。

17、例如场发射显示器、 场发射光源或大型广告显示牌等产品中。以场发射显示器为 例， 阳极相对场发射阴极阵列施加正向电压形成加速电场， 阴极发射的电子， 即对金属层 14 发射阴极射线16， 具有显微结构的金属层13与发光玻璃基体13之间形成表面等离子体， 通 过表面等离子体效应， 使发光玻璃基体 13 的内量子效率大大提高， 即发光玻璃的自发辐射 增强， 进而大大增强了发光玻璃基体的发光效率， 从而解决发光材料发光效率低这一问题。 另外， 由于是发光玻璃基体13表面形成一层金属层， 整个金属层与发光玻璃基体13之间形 成均匀界面， 可以提高发光的均匀性。 0033 请参阅图 1 和 2， 说明本发。

18、明实施例的发光玻璃元件制造方法的流程， 该制造方法 包括如下步骤 ： 0034 S01 ： 制备发光玻璃基体， 该发光玻璃基体 13 为上述组成及含量， 即包含如下化学 通式的复合氧化物 ： 0035 aM2ObY2O3cSiO2dDy2O3， 其中 M 为碱金属元素， a、 b、 c、 d 为摩尔份数， 各自取 值范围为 ： a 为 25 60， b 为 1 30， c 为 20 70， d 为 0.001 10 ； 0036 S02 ： 在该发光玻璃基体的表面形成一金属层 ； 以及 0037 S03 ： 将所述发光玻璃基体及金属层在真空下进行退火处理， 使所述金属层形成金 属显微结构， 冷。

19、却后即形成所需的发光玻璃元件。 0038 其中， 发光玻璃基体 13 的制备方法具体为 ： 以分析纯的碱金属盐、 SiO2和 99.99 的 Y2O3、 Dy2O3为主要原料， 按照发光玻璃基体化学通式 aM2ObY2O3cSiO2dDy2O3中各组分 之间的摩尔份数比例， 来称取相应的原料， 在 1200 1500下混合熔融 1 5 小时后， 冷 却至室温， 再置于还原气氛中， 在 600 1100下退火 1 20 小时， 制得发光玻璃基体。 另外， 可进一步将该玻璃基体进行切割、 抛光加工成一定的尺寸， 由此获得所需的发光玻璃 基体。 0039 与前面描述的结构相类似， 金属层 14 可以。

20、是由化学稳定性良好的金属， 例如不易 氧化腐蚀的金属， 另外也可以是常用的金属， 优选为金、 银、 铝、 铜、 钛、 铁、 镍、 钴、 铬、 铂、 钯、 镁、 锌中的至少一种金属形成的， 更优选为由金、 银、 铝中的至少一种金属形成的。 金属层14 的厚度优选为 0.5 纳米 200 纳米， 更优选为 1 纳米 100 纳米。碱金属 M 优选为 Na、 K、 Li 中的至少一种。 0040 在步骤 S02 中， 该金属层是通过将金属溅射或蒸镀在发光玻璃基体表面而形成 的。步骤 S03 具体如下 ： 在发光玻璃基体表面形成一金属层后， 在 50 650下进行真 空退火处理， 退火时间为 5 分钟。

21、 5 小时， 然后自然冷却至室温。其中， 退火温度优选为 100 500， 退火时间优选为 15 分钟 3 小时。 0041 请参阅图 1 和 3， 说明本发明实施例的发光玻璃元件发光方法的流程， 该发光方法 包括如下步骤 ： 0042 S11 ： 按照前述制造方法获得发光玻璃元件 10 ； 0043 S12 ： 对金属层 14 发射阴极射线 16， 在阴极射线 16 的激发下， 金属层与发光玻璃 基体 13 之间形成表面等离子体， 使发光玻璃基体 13 发光。 0044 发光玻璃元件 10 具有前面描述各种结构及组份等特征。在实际应用中， 例如用于 说 明 书 CN 102439112 B 。

22、5 4/7 页 6 场发射显示器或照明光源时， 在真空环境下， 阳极相对场发射阴极阵列施加正向电压形成 加速电场， 阴极发射阴极射线 16， 在阴极射线 16 的激发下， 电子束首先穿透金属层 14 进而 激发发光玻璃基体 13 发光， 在这个过程中， 金属层 14 与发光玻璃基体 13 的界面上产生了 表面等离子体效应， 通过该效应使发光玻璃基体的内量子效率大大提高， 即发光玻璃的自 发辐射增强， 进而大大增强了发光玻璃基体的发光效率。 0045 表面等离子体 (Surface Plasmon， SP) 是一种沿金属和介质界面传播的波， 其振 幅随离开界面的距离而指数衰减。当改变金属表面结构。

23、时， 表面等离子体激元 (Surface plasmon polaritons， SPPs) 的性质、 色散关系、 激发模式、 耦合效应等都将产生重大的变 化。 SPPs引发的电磁场， 不仅仅能够限制光波在亚波长尺寸结构中传播， 而且能够产生和操 控从光频到微波波段的电磁辐射， 实现对光传播的主动操控。因此， 本实施例利用该 SPPs 的激发性能， 增大发光玻璃基体的光学态密度和增强其自发辐射速率 ； 而且， 可利用表面等 离子体的耦合效应， 当发光玻璃基体发出光时， 能与其发生耦合共振效应， 从而大大提高发 光玻璃基体的内量子效率， 提高发光玻璃基体的发光效率。 0046 以下通过多个实施例。

24、来举例说明发光玻璃元件的不同组成及其制备方法， 以及其 性能等方面。 0047 实施例 1 0048 选 择 大 小 为 11cm2、 表 面 抛 光 的 上 述 制 备 方 法 制 得 30Na2O9.8Y2O360SiO20.2Dy2O3发光玻璃为基体 ( 各氧化物前的数字表示摩尔份数， 以 下同此 )， 再利用磁控溅射设备在其表面沉积厚度为 2 纳米的金属银层， 然后将其置于真空 度小于 110-3Pa 的真空环境下， 以 300的温度退火处理半小时， 然后冷却至室温， 得到本 实施例 1 中的发光玻璃元件。 0049 用电子枪产生的阴极射线轰击本实施例的发光玻璃元件， 产生如图 4 所。

25、示的发光 光谱， 图中曲线11为未加金属银层时玻璃的发光光谱 ； 曲线12为本实施例制得发光玻璃元 件的发光光谱， 从图 4 中可以看到， 由于金属层与玻璃之间产生了表面等离子体效应， 相对 于未加金属层时发光玻璃， 本实施例的发光玻璃元件从 300 纳米到 700 纳米的发光积分强 度是未加金属层时发光玻璃发光积分强度的 2.2 倍， 使发光性能得到极大提高。以下各个 实施例的发光光谱都与实施例 1 相类似， 各发光玻璃元件也具有类似的发光强度效果， 在 下面不再赘述。 0050 实施例 2 0051 选 择 大 小 为 11cm2、表 面 抛 光 的 上 述 制 备 方 法 制 得 的 2。

26、5Na2O15Y2O345SiO25Dy2O3发光玻璃为基体， 利用磁控溅射设备在其表面沉积厚度为 0.5纳米的金属金层， 然后将其置于真空度小于110-3Pa的真空环境下， 以200的温度退 火处理 1 小时， 然后冷却至室温， 得到本实施例中的发光玻璃元件。 0052 实施例 3 0053 选择大小为 11cm2、 表面抛光的 27Na2O1Y2O370SiO20.001Dy2O3发光玻璃为 基体， 利用磁控溅射设备在其表面沉积厚度为 200 纳米的金属铝层， 然后将其置于真空度 小于 110-3Pa 的真空环境下， 以 500的温度退火处理 5 小时， 然后冷却至室温， 得到本实 施例中。

27、的发光玻璃元件。 0054 实施例 4 说 明 书 CN 102439112 B 6 5/7 页 7 0055 选择大小为 11cm2、 表面抛光的 32Na2O5Y2O365SiO20.1Dy2O3发光玻璃为基 体， 利用电子束蒸发设备在其表面沉积厚度为 100 纳米的金属镁层， 然后将其置于真空度 小于 110-3Pa 的真空环境下， 以 650的温度退火处理 5 分钟， 然后冷却至室温， 得到本实 施例中的发光玻璃元件。 0056 实施例 5 0057 选择大小为 11cm2、 表面抛光的 35Na2O10Y2O350SiO22Dy2O3发光玻璃为基 体， 利用电子束蒸发设备在其表面沉积。

28、厚度为 1 纳米的金属钯层， 然后将其置于真空度小 于 110-3Pa 的真空环境下， 以 100的温度退火处理 3 小时， 然后冷却至室温， 得到本实施 例中的发光玻璃元件。 0058 实施例 6 0059 选择大小为 11cm2、 表面抛光的 38Na2O12Y2O343SiO20.5Dy2O3发光玻璃为 基体， 利用电子束蒸发设备在其表面沉积厚度为 5 纳米的金属铂层， 然后将其置于真空度 小于 110-3Pa 的真空环境下， 以 450的温度退火处理 15 分钟， 然后冷却至室温， 得到本 实施例中的发光玻璃元件。 0060 实施例 7 0061 选择大小为 11cm2、 表面抛光的 。

29、28Na2O10Y2O368SiO22Dy2O3发光玻璃为基 体， 利用电子束蒸发设备在其表面沉积厚度为 20 纳米的金属铁层， 然后将其置于真空度小 于 110-3Pa 的真空环境下， 以 50的温度退火处理 5 小时， 然后冷却至室温， 得到本实施 例中的发光玻璃元件。 0062 实施例 8 0063 选择大小为 11cm2、 表面抛光的 35Li2O18Y2O355SiO26Dy2O3发光玻璃为基 体， 利用电子束蒸发设备在其表面沉积厚度为 10 纳米的金属钛层， 然后将其置于真空度小 于 110-3Pa 的真空环境下， 以 150的温度退火处理 2 小时， 然后冷却至室温， 得到本实施。

30、 例中的发光玻璃元件。 0064 实施例 9 0065 选择大小为 11cm2、 表面抛光的 40Li2O22Y2O340SiO28Dy2O3发光玻璃为基 体， 利用电子束蒸发设备在其表面沉积厚度为 50 纳米的金属铜层， 然后将其置于真空度小 于 110-3Pa 的真空环境下， 以 200的温度退火处理 2.5 小时， 然后冷却至室温， 得到本实 施例中的发光玻璃元件。 0066 实施例 10 0067 选择大小为 11cm2、 表面抛光的 50Li2O25Y2O330SiO29.5Dy2O3发光玻璃为 基体， 利用电子束蒸发设备在其表面沉积厚度为 150 纳米的金属锌层， 然后将其置于真空。

31、 度小于 110-3Pa 的真空环境下， 以 350的温度退火处理 0.5 小时， 然后冷却至室温， 得到 本发明中的发光玻璃元件。 0068 实施例 11 0069 选择大小为 11cm2、 表面抛光的 60Li2O30Y2O340SiO210Dy2O3发光玻璃为基 体， 利用电子束蒸发设备在其表面沉积厚度为 120 纳米的金属铬层， 然后将其置于真空度 小于 110-3Pa 的真空环境下， 以 250的温度退火处理 2 小时， 然后冷却至室温， 得到实施 例中的发光玻璃元件。 说 明 书 CN 102439112 B 7 6/7 页 8 0070 实施例 12 0071 选择大小为 11c。

32、m2、 表面抛光的 33K2O7Y2O358SiO20.7Dy2O3发光玻璃为基 体， 利用电子束蒸发设备在其表面沉积厚度为 40 纳米的金属镍层， 然后将其置于真空度小 于 110-3Pa 的真空环境下， 以 80的温度退火处理 4 小时， 然后冷却至室温， 得到实施例 中的发光玻璃元件。 0072 实施例 13 0073 选择大小为 11cm2、 表面抛光的 26K2O4Y2O369SiO20.9Dy2O3发光玻璃为基 体， 利用电子束蒸发设备在其表面沉积厚度为 180 纳米的金属钴层， 然后将其置于真空度 小于 110-3Pa 的真空环境下， 以 400的温度退火处理 1 小时， 然后冷。

33、却至室温， 得到实施 例中的发光玻璃元件。 0074 实施例 14 0075 选择大小为 11cm2、 表面抛光的 45K2O8Y2O348SiO21.5Dy2O3发光玻璃为基 体， 利用电子束蒸发设备在其表面沉积厚度为 80 纳米的金属银铝层， 其中， 金属层中的银 和铝的重量份数分别为80和20， 然后将其置于真空度小于110-3Pa的真空环境下， 以 380的温度退火处理 2.5 小时， 然后冷却至室温， 得到实施例中的发光玻璃元件。 0076 实施例 15 0077 选择大小为 11cm2、 表面抛光的 36K2O16Y2O352SiO24Dy2O3发光玻璃为基 体， 利用电子束蒸发设。

34、备在其表面沉积厚度为 15 纳米的金属银铝层， 其中， 金属层中的银 和铝的重量份数分别为90和10， 然后将其置于真空度小于110-3Pa的真空环境下， 以 180的温度退火处理 3.5 小时， 然后冷却至室温， 得到实施例中的发光玻璃元件。 0078 实施例 16 0079 选择大小为 11cm2、 表面抛光的 55K2O3Y2O362SiO27Dy2O3发光玻璃为基体， 利用电子束蒸发设备在其表面沉积厚度为 35 纳米的金属金铝层， 其中， 金属层中的金和铝 的重量份数分别为80和20， 然后将其置于真空度小于110-3Pa的真空环境下， 以70 的温度退火处理 1.5 小时， 然后冷却。

35、至室温， 得到实施例中的发光玻璃元件。 0080 实施例 17 0081 选择大小为11cm2、 表面抛光的 58K2O 6Y2O3 35SiO2 9Dy2O3发光玻璃为基体， 利 用电子束蒸发设备在其表面沉积厚度为 60 纳米的金属金铝层， 其中， 金属层中的金和铝的 重量份数分别为 90和 10， 然后将其置于真空度小于 110-3Pa 的真空环境下， 以 600 的温度退火处理 4.5 小时， 然后冷却至室温， 得到实施例中的发光玻璃元件。 0082 在以上描述的各实施例中， 采用在发光玻璃基体 13 上设置一层具有显微结构的 金属层 14， 该金属层 14 能在阴极射线 16 下与发光。

36、玻璃基体 13 之间的界面形成表面等离 子体， 通过表面等离子体效应， 使发光玻璃基体的内量子效率被大大提高， 即发光玻璃的自 发辐射增强， 进而大大增强了发光玻璃基体的发光效率。 因而， 在发光玻璃元件的发光方法 中， 只需对金属层 13 发射阴极射线 16， 金属层 14 与发光玻璃基体 13 之间形成表面等离子 体， 以增强发光玻璃基体 16 发光效率， 提高其发光可靠性。 0083 在本发明实施例的发光玻璃元件制备方法中， 只需要在发光玻璃基体 13 上形成 一层金属层 14， 然后经过退火处理， 即可获得所需发光玻璃元件 10， 从而使得制备工艺简 单、 降低成本， 具有广阔的生产应用前景， 尤其可用在超高亮度和高速运作的发光器件上， 说 明 书 CN 102439112 B 8 7/7 页 9 如场发射显示器。 0084 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已， 并不用以限制本发明， 凡在本发明的精 神和原则之内所作的任何修改、 等同替换和改进等， 均应包含在本发明的保护范围之内。 说 明 书 CN 102439112 B 9 1/2 页 10 图 1 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 102439112 B 10 2/2 页 11 图 4 说 明 书 附 图 CN 102439112 B 11 。