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芘桥基梯形聚硅氧烷有机电致发光材料及其合成方法.pdf

  • 上传人:徐敬
  • 文档编号:8755788
  • 上传时间:2021-01-01
  • 格式:PDF
  • 页数:6
  • 大小:340.20KB
  • 摘要
    申请专利号:

    CN201110104510.X

    申请日:

    20110426

    公开号:

    CN102757781A

    公开日:

    20121031

    当前法律状态:

    有效性:

    失效

    法律详情:

    IPC分类号:

    C09K11/06,C08G77/26

    主分类号:

    C09K11/06,C08G77/26

    申请人:

    北京化工大学

    发明人:

    万平玉,罗新荣,陈永梅,吴军宁,张辰

    地址:

    100029 北京市朝阳区北三环东路15号

    优先权:

    CN201110104510A

    专利代理机构:

    代理人:

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    内容摘要

    本发明提供一种强荧光性的芘衍生物与聚苯基硅氧烷形成的梯形有机电致发光材料及其制备方法。首先选取强荧光性的芘衍生物作为发光小分子,设计合成出1,6-二氨基芘;再通过“超分子构筑调控逐步偶联聚合法”以1,6-二氨基芘为模板剂,将具有三官能团的有机硅单体三氯苯基硅烷偶联成梯形模板单元(Ph-LS),然后在1,6-二氨基芘的氢键作用下水解缩合,得到1,6-二氨基芘桥基梯形聚苯基硅氧烷有机电致发光材料(Ph-LP)。该聚合物材料可溶于普通溶剂,解决了芘小分子发光材料溶解性差的问题,同时还保持了其强发光性;作为聚合物便于成膜,加工性能良好。

    权利要求书

    1.一种芘桥基梯形聚硅氧烷有机电致发光材料,其特征在于以强荧光性的芘衍生物分子作为梯撑形成梯形聚硅氧烷。 2.一种芘桥基梯形聚硅氧烷有机电致发光材料的合成方法,其特征在于以1,6-二氨基芘为模板,三乙胺为催化剂,通过超分子模板调控合成规整度梯形有机桥基梯形聚硅氧烷,合成过程中单体PhSiCl以氢键和π-π堆积相互作用力实现有序自组装形成超结构(Ph-LS)。 3.如权利要求2所述的芘桥基梯形聚硅氧烷有机电致发光材料合成方法,其产物芘桥基梯形聚硅氧烷Ph-LP是在超结构Ph-LS的基础上进一步水解缩合,依靠N--H,O--H氢键作用而形成。

    说明书

    技术领域

    本发明涉及梯形聚硅氧烷有机电致发光材料,特别是以强荧光性的芘衍生物为桥基的梯 形聚硅氧烷及其合成方法,属于有机发光材料领域。

    背景技术

    近年来,由于有机发光材料在人们的生活和发光材料领域有广泛的用途,尤其是有机电 致发光材料的基础研究及应用得到飞速发展。作为有机EL器件的发光材料,要有较高的荧 光量子效率且荧光光谱要覆盖整个可见光区域,良好的半导体特性,合适的熔点(200-400℃), 且有良好的成膜特性,在薄膜状态下具有良好的稳定性。

    发光材料按分子大小可分为小分子发光材料和聚合物发光材料。小分子发光材料有更高 的电致发光效率及更好的元件性能,其耐久性、亮度及颜色方面的控制较佳。而聚合物电致 发光没有小分子纯度高,但聚合物型元件具有易加工成型、易曲性比小分子材料好等优点。 在器件的制备工艺方面,小分子器件主要采用真空热蒸发工艺;聚合物器件则采用旋涂覆或 喷墨工艺。

    此外,还有所谓掺杂的聚合物发光材料,即将有机小分子发光材料掺杂到聚合物体系中。 然而简单的掺杂效果不佳:一方面,在一定条件下会出现典型的浓度淬灭现象;另一方面, 大多数小分子发光材料与聚合物的相容性差,因而难以分散均匀,容易发生相分离。再者, 掺杂后的材料透明性变差,且聚合物的力学性能下降,因此难以获得高质量的发光材料。

    聚硅烷是常见的聚合物基体,在许多方面与π共轭聚合物有相似的性质。电荷在Si-Si上 的离域使电离能降低,空穴迁移率升高,室温下的空穴迁移率约为10-5-10-4cm2/eV·s。在侧链 上接上取代基可以增强聚硅烷在可见光范围内的灵活性。聚甲基苯基硅氧烷(PMPS)就是 典型的有机硅类聚合物空穴传输材料,但是该种含Si-Si键主链的聚合物化学稳定性较差。 1980年以来张榕本等提出超分子构筑调控逐步偶联和聚合反应,利用活性基团反应性的差 异,在国际上首次合成了具有规整双链结构的氧桥基梯形聚硅氧烷和有机桥基梯形聚倍半硅 氧烷。解决了40余年来国际高分子化学界人工合成规整梯形聚硅氧烷的难题,处于国际领 先水平。规整双链结构的氧桥基梯形聚硅氧烷,包括腰接和端接两种类型。高规整性的有机 桥基梯形聚硅氧烷可溶于普通溶剂,便于制成薄膜,加工性能极好。

    芘小分子及其衍生物作为一个大稠环,有很高的荧光量子效率和深蓝光发射,从器件上 讲,它能够提高材料的迁移率和空穴注入的性能。芘及其衍生物的这些性质使得它们很有希 望成为高发光效率的光电材料,但芘衍生物的溶解性及机械性能较差,使得其在发光材料领 域的应用受到限制。

    发明内容

    为了克服有机发光材料领域存在的上述问题,本发明提出以芘衍生物为桥基的梯形聚硅 氧烷电致发光材料。

    本发明提供的芘桥基梯形聚硅氧烷,其中以芘衍生物(如:1,6-二氨基芘)作为梯撑。

    结构示意图如下:

    其中代表发光基1,6-二氨基芘基,结构式如下:

    本发明所述的芘桥基梯形聚硅氧烷合成方法,至少包含以下两个步骤:(1)单体的合成; (2)单体的水解、缩合。

    其中单体合成步骤将强荧光性芘衍生物与有机硅氧烷键合,芘衍生物至少在对位上含有 两个活性官能团;有机硅氧烷至少含有一个可以与芘衍生物活性官能团发生键合反应的官能 团。

    单体的合成阶段:以甲苯作溶剂,三乙胺为催化剂,氩气保护下,1,6-二氨基芘、三氯 苯基硅烷以2∶1的比例反应,有机硅单体三氯苯基硅烷偶联成梯形模板单元(Ph-LS)。

    水解与缩合阶段:以三乙胺为催化剂,模板单元(Ph-LS)在1,6-二氨基芘的氢键调控作 用下水解缩合,用ClSiMe3封端得终产物Ph-LP。

    上述反应中,1,6-二氨基芘桥基梯形聚苯基硅氧烷(Ph-LP)纯品是由1,6-二氨基芘桥基 梯形聚苯基硅氧烷(Ph-LP)粗品经环己烷多次重结晶得到。

    本发明中超分子模板是合成高规整度有机桥基梯形聚苯基硅氧烷得到关键,因此自组装 过程中要保证做到绝对隔水,所用溶剂、试剂瓶反应前均经除水、干燥处理,反应过程中通 氩气保护。反应选用极性较小的甲苯(Toluene)作溶剂,有利于超分子间氢键起作用,同时 加入弱极性溶剂1,4-二氧六环(DOX)以提高单体的溶解度,保证反应在均相体系中进行; 加入三乙胺(TEA)做催化剂,可将体系中生成的HCI及时吸收,加快反应的同时又能保证 Si-N键不被HCI破坏,保持聚合物的规整度。同时,整个过程中,反应液的滴加速度要非常 缓慢,速度过快将导致交联或枝化,也会影响聚合的规整度。

    附图说明

    图1.实施例1中1,6-二氨基芘的荧光谱图。

    图2.实施例1制得的芘桥基苯基梯形聚硅氧烷电致发光材料Ph-LP的XRD图谱。

    具体实施方式

    实施例1:

    将200ml的无水甲苯加入到500ml干燥三口烧瓶中,抽真空充氩气三次。于氩气保护下, 用干燥移液管移取3.3715ml的苯基三氯硅烷加入到甲苯溶液中,搅拌。称取2.3228g 1,6-二 氨基芘溶于100ml无水甲苯中,再向此溶液中加入16.8ml的无水三乙胺,混合均匀。0℃下, 用干燥恒压滴液漏斗将此溶液缓慢地滴加到三口烧瓶溶液中,24小时滴完。反应液在0℃下 继续反应48小时。氩气保护下,迅速过滤掉反应中生成的三乙胺盐酸盐,得到超结构Ph-LS 溶液。

    氩气保护下将所得Ph-LS溶液,迅速转移至500ml三口烧瓶中,搅拌。在恒压滴液漏斗 中分别加入0.36g去离子水、100ml无水甲苯/无水二氧六环的混合液(60/40)。于25℃下, 将此溶液缓慢地滴加到三口烧瓶中,可以看到三乙胺盐迅速生成,24小时滴完,然后继续反 应24小时。最后向体系中加入0.2mL三甲基氯硅烷进行封端,反应6小时,过滤除去三乙 胺盐酸盐,得浅黄色透明液体,减压除去溶剂得浅黄色固体,于60℃真空干燥,所得粗品用 环己烷重结晶得产物,收率70%。

    实施例2:

    将200ml的无水甲苯加入到500ml干燥三口烧瓶中,抽真空充氩气三次。于氩气保护下, 用干燥移液管移取3.3715ml的苯基三氯硅烷加入到甲苯溶液中,搅拌。称取2.3228g 1,6-二 氨基芘溶于100ml无水甲苯中,再向此溶液中加入16.8ml的无水三乙胺,混合均匀。25℃下, 用干燥恒压滴液漏斗将此溶液缓慢地滴加到三口烧瓶溶液中,48小时滴完。反应液在25℃ 下继续反应48小时。

    在恒压滴液漏斗中分别加入0.36g去离子水、100ml无水甲苯/无水二氧六环的混合液 (60/40)。于25℃下,将此溶液缓慢地滴加到三口烧瓶中,可以看到三乙胺盐迅速生成,24 小时滴完,然后继续反应48小时。最后向体系中加入0.2mL三甲基氯硅烷进行封端,反应 6小时,过滤除去三乙胺盐酸盐,得浅黄色透明液体,减压除去溶剂得浅黄色固体,于60℃ 真空干燥,所得粗品用环己烷重结晶得产物,收率59%。

    关 键  词:
    桥基 梯形 聚硅氧烷 有机 电致发光 材料 及其 合成 方法
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