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1、(10)申请公布号 CN 102093816 A (43)申请公布日 2011.06.15 CN 102093816 A *CN102093816A* (21)申请号 200910200315.X (22)申请日 2009.12.11 C09G 1/02(2006.01) C23F 3/04(2006.01) (71)申请人 安集微电子 ( 上海 ) 有限公司 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园 区龙东大道 3000 号 5 号楼 613-618 室 (72)发明人 王晨 何华锋 (74)专利代理机构 上海翰鸿律师事务所 31246 代理人 李佳铭 (54) 发明名称 一种化学机械。
2、抛光液 (57) 摘要 本发明公开了一种化学机械抛光液， 含有水， 研磨剂， 氧化剂和水溶性阳离子表面活性剂。 本发 明的化学机械抛光液可降低并消除抛光噪音， 改 善操作环境， 降低抛光垫的摩擦， 延长抛光垫的使 用寿命。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 5 页 CN 102093822 A1/1 页 2 1. 一种化学机械抛光液， 含有水， 研磨剂， 氧化剂和水溶性阳离子表面活性剂。 2. 根据权利要求 1 所述的抛光液， 所述的研磨剂为气相二氧化硅 (fumedsilica) 和 / 或硅溶胶 (colloid。
3、al silica)。 3. 根据权利要求 1 所述的抛光液， 所述的氧化剂为含铁氧化剂或含铁氧化剂和其他氧 化剂的组合物。 4. 根据权利要求 3 所述的抛光液， 所述的含铁氧化剂为硝酸铁。 5. 根据权利要求 3 所述的抛光液， 所述的含铁氧化剂和其他氧化剂的组合物为硝酸铁 和单过硫酸氢钾的组合物。 6. 根据权利要求 1 所述的抛光液， 所述的水溶性阳离子表面活性剂为长链烷基氯化 铵、 长链烷基溴化铵、 末端含硅氧键的长链烷基氯化铵、 吉米奇类型季铵盐、 聚合型季铵盐 中的一种或多种。 7. 根据权利要求 6 所述的抛光液， 所述的水溶性阳离子表面活性剂优选为十二烷基三 甲基氯化铵、 十。
4、二烷基三甲基溴化铵、 苄基三甲基氯化铵、 辛基三甲基氯化铵、 3- 三乙氧基 硅基丙基三甲基氯化铵、 十八烷基胺聚氧乙烯醚双季铵盐和 / 或聚季铵盐 -10 中的一种或 多种。 8. 根据权利要求 1 所述的抛光液， 所述的研磨剂的质量百分比为 0.2 4。 9.根据权利要求4或5所述的抛光液， 所述的硝酸铁的质量百分比为0.051.5。 10. 根据权利要求 1 所述的抛光液， 所述的水溶性阳离子表面活性剂的浓度为 100-500ppm。 11. 根据权利要求 1 所述的抛光液， pH 值为 1.5-2.5。 权 利 要 求 书 CN 102093816 A CN 102093822 A1/。
5、5 页 3 一种化学机械抛光液 技术领域 0001 本发明涉及一种用于钨化学机械抛光液， 具体涉及一种含有阳离子表面活性剂的 化学机械抛光液。 背景技术 0002 随着半导体技术的不断发展， 以及大规模集成电路互连层的不断增加， 导电层和 绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。二十世纪 80 年代， 由 IBM 公司首创的化学机械研 磨 (CMP) 技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。 0003 化学机械研磨 (CMP) 由化学作用、 机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由 一个带有抛光垫的研磨台， 及一个用于承载芯片的研磨头组成。 其中研磨头固定住芯片， 然 后将芯片的正面压在抛光垫上。
6、。当进行化学机械研磨时， 研磨头在抛光垫上线性移动或是 沿着与研磨台一样的运动方向旋转。 与此同时， 含有研磨剂的浆液被滴到抛光垫上， 并因离 心作用平铺在抛光垫上。芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。 0004 对金属层 CMP 的主要机制被认为是 ： 氧化剂先将金属表面氧化成膜， 以二氧化硅 和氧化铝为代表的研磨剂将该层氧化膜机械去除， 产生新的金属表面继续被氧化， 这两种 作用协同进行。 0005 作为化学机械研磨 (CMP) 对象之一的金属钨， 在高电流密度下， 抗电子迁移能力 强， 并且能够与硅形成很好的欧姆接触， 所以可作为接触窗及介层洞的填充金属及扩散阻 挡层。 00。
7、06 针对钨的化学机械研磨 (CMP)， 常用的氧化剂主要有含铁金属的盐类， 碘酸盐， 双 氧水等。 0007 1991 年， F.B.Kaufman 等报道了铁氰化钾用于钨的化学机械研磨 (CMP) 技术。 ( Chemical Mechanical Polishing for Fabricating Patterned W MetalFeatures as Chip Interconnects， Journal of the Electrochemical Society， Vol.138， No.11， 1991 年 11 月 )。 0008 美国专利 5340370 公开了一种用于钨化。
8、学机械研磨 (CMP) 的配方， 其中含有 0.1M 铁氰化钾， 5氧化硅， 同时含有醋酸盐作为 pH 缓冲剂。 0009 美国专利 5980775， 5958288， 6068787 公开了用铁离子作催化剂、 双氧水作氧化剂 进行钨化学机械研磨(CMP)方法。 在这种催化机制中， 铁离子的含量被降至了200ppm左右， 但由于铁离子催化双氧水分解， 所以催化剂要和氧化剂分开存放， 在化学机械研磨 (CMP) 之前进行混合。另外， 和氧化剂混合好之后的研磨液不稳定， 会缓慢分解失效。 0010 美国专利 5527423， 6008119， 6284151 等公开了 Fe(NO3)3、 氧化铝体。
9、系进行钨的化 学机械研磨 (CMP) 方法。该抛光体系在静态腐蚀速率 (static etchrate) 上具有优势， 但 是在产品缺陷 (defect) 上存在显著不足。 0011 以上用于钨化学机械抛光液都是通过氧化剂先将钨表面氧化成膜， 然后通过二氧 化硅和氧化铝为代表的研磨剂将氧化膜机械去除。 由于机械摩擦， 会抛光时产生摩擦噪音。 说 明 书 CN 102093816 A CN 102093822 A2/5 页 4 发明内容 0012 本发明所要解决的技术问题是降低并消除抛光噪音， 改善操作环境， 降低抛光垫 的摩擦， 延长抛光垫的使用寿命。 0013 本发明的化学机械抛光液， 含有。
10、水， 研磨剂， 氧化剂和水溶性阳离子表面活性剂。 0014 本发明中， 所述的研磨剂为气相二氧化硅 (fumed silica) 和 / 或硅溶胶 (colloidal silica)。 0015 本发明中， 所述的氧化剂为含铁氧化剂或含铁氧化剂和其他氧化剂的组合物。 0016 本发明中， 所述的含铁氧化剂为硝酸铁， 所述的含铁氧化剂和其他氧化剂的组合 物为硝酸铁和单过硫酸氢钾的组合物。 0017 本发明中， 所述的水溶性阳离子表面活性剂为长链烷基氯化铵、 长链烷基溴化铵、 末端含硅氧键的长链烷基氯化铵、 吉米奇类型季铵盐、 聚合型季铵盐中的一种或多种。 0018 本发明中， 所述的水溶性阳离。
11、子表面活性剂优选为十二烷基三甲基氯化铵、 十二 烷基三甲基溴化铵、 苄基三甲基氯化铵、 辛基三甲基氯化铵、 3- 三乙氧基硅基丙基三甲基氯 化铵、 十八烷基胺聚氧乙烯醚双季铵盐和 / 或聚季铵盐 -10 中的一种或多种。 0019 本发明中， 所述的研磨剂的质量百分比为 0.2 4。 0020 本发明中， 所述的硝酸铁的质量百分比为 0.05 1.5。 0021 本发明中， 所述的水溶性阳离子表面活性剂的浓度为 100-500ppm。 0022 本发明中， 所述的抛光液的 pH 值为 1.5-2.5。 0023 本发明的积极进步效果在于 ： 通过在用于钨化学机械抛光液中加入阳离子表面活 性剂，。
12、 显著降低并消除抛光噪音， 改善操作环境， 降低抛光垫的摩擦， 延长抛光垫的使用寿 命。 具体实施方式 0024 下面用实施例来进一步说明本发明， 但本发明并不受其限制。 下述实施例中， 百分 比均为质量百分比。 0025 抛光条件 ： 抛光机台mirra， 8英寸晶圆(inch wafer)， 研磨压力4psi， 抛光液流量 100ml/min。 0026 表 1 给出了本发明的化学机械抛光液实施例 1 10 和对比例 1 2 的配方， 按表 1 中所列组分及其含量， 在去离子水中混合均匀， 用氢氧化钾或稀硝酸调到所需 pH 值， 即制 得化学机械抛光液。 0027 表 1 化学机械抛光液实。
13、施例 1 12 以及对比例 1 2 0028 说 明 书 CN 102093816 A CN 102093822 A3/5 页 5 0029 说 明 书 CN 102093816 A CN 102093822 A4/5 页 6 0030 从对比例 1 和对比例 2 中可以发现， 在没有本发明所述的阳离子表面活性剂存在 的情况下， 无论抛光液使用单氧化剂， 还是使用双氧化剂， 都会产生很高的噪音。 说 明 书 CN 102093816 A CN 102093822 A5/5 页 7 0031 从实施例 1 10 中可以发现， 当加入本专利所述的阳离子表面活性剂之后， 在不 同的研磨剂、 氧化剂、 稳定剂的种类和含量的情况下， 抛光噪音都消失了。 说 明 书 CN 102093816 A 。