制备用于pcLED的由原硅酸盐组成的发光体的方法 本发明涉及湿化学法制备由铕(II)掺杂的原硅酸盐，优选碱土金属原硅酸盐组成的磷光体，并涉及该磷光体作为用于白色LED或所谓的按需选色(colour-on-demand)应用的LED转换磷光体的用途。
按需选色概念指的是借助使用一种或多种磷光体的pcLED产生具有特定颜色位置的光。该概念例如用于制作某些企业图案设计，例如用于公司发光标识、商标等。
目前，发射基于光谱的UV光区或蓝色区激发的蓝绿光、黄绿光至橙色光的磷光体变得比以往更重要。这是由于该磷光体可以用于发射白光的装置。特别地，铈掺杂的石榴石磷光体(YAG:Ce)以各种方式被使用(参见例如EP 862794、WO 98/12757)。然而，它们具有的缺点是它们仅在低于560nm的发射最大值具有足够高的效率。因此，纯YAG:Ce磷光体与蓝光二极管(450-490nm)的组合只能用于产生色温为6000-8000K且颜色再现低(颜色再现指数Ra的典型值为70-75)的冷白光颜色。这对应用潜力有极大限制。一方面，在一般照明中使用白光源时对灯的颜色再现质量通常具有较高要求，另一方面，消费者，尤其是欧洲和北美的消费者更喜欢色温为2700-5000K的较暖的光颜色。
WO 00/33389此外尤其公开了Ba2SiO4:Eu2+作为发光体转换来自蓝光LED的光的用途。然而，该磷光体发射的最大值在505nm，这意味着不可能使用这类组合可靠地产生白光。
前些年已经研究了用于白光LED的硅酸盐磷光体(参见WO02/11214、WO 02/054502)。此外已知这些磷光体可以用于气体放电灯(参见K.H.Butler“Fluorescent Lamp Phosphors”Pennsylvania Univ.Press，1980)。另外，T.L.Barry，J.Electrochen.Soc.1968，1181记载了，均匀固体二元混合物(Ca，Sr)2SiO4:Eu已被系统研究。这些磷光体通过固态扩散方法(混合&烧灼(firing)法)制备，其中混合各粉末状氧化原料，研磨该混合物，然后在炉中在高达1500℃的温度下在任选还原气氛中煅烧该经研磨的粉末若干天。结果，形成了在形态、粒度分布和基体体积中发光活化剂离子分布方面具有不均一性的磷光体粉末。此外，通过传统方法制备的这些磷光体的形态、粒度分布和其它特性仅能困难地调节并难以再现。因此这些粒子具有很多缺点，例如，特别是LED芯片被这些具有非最佳和不均一的形态和粒度分布的磷光体的不均匀涂覆，这导致由于散射的高工艺损失。在这些LED的制备中还出现其它损失，这些损失是由于LED芯片的磷光体涂层不仅不均一，而且还不能从LED复制到LED。这导致在同一批内也会出现从pcLED发射的光的颜色位置不同。
LED硅酸盐磷光体单独或以混合物形式用于蓝色或UV LED基体中以获得比YAG:Ce系列更高的CRI。然而在实践中，传统硅酸盐磷光体没有显示出比YAG:Ce磷光体更高的效率和照度。另外，据报道(参见T.L.Barry，J.Electrochem.Soc.1968，1181)，一些具有高钡浓度的磷光体在使用中存在水解敏感的问题。这些缺陷导致硅酸盐磷光体的效率降低。
DE 102005051063A1公开了通过湿化学法(湿磨法和湿筛法)使用无水有机溶剂如乙醇(以去除纯化工艺中留下的大部分水)制备的具有改进的发射效率的硅酸盐基磷光体。
因此，本发明的目的是提供制备用于白光LED或按需选色应用的碱土金属原硅酸盐磷光体的方法，所述磷光体不具有一种或多种上述缺点并产生暖白光。
惊人地，该目的通过经由湿化学法制备碱土金属原硅酸盐磷光体而实现，其中可有两种工艺方案。
本发明因此涉及一种制备式I磷光体的方法：
BawSrxCaySiO4:zEu2+(I)
其中w+x+y+z＝2且0.005＜z＜0.5，
该方法的特征在于：
a)将盐、硝酸盐、草酸盐、氢氧化物或其混合形式的至少两种碱土金属和含铕掺杂剂及含硅化合物溶解、悬浮或分散在水、酸或碱中，
b)将该混合物喷入加热的热解反应器中并通过热分解转化成磷光体前体，及
c)随后通过热后处理转化成最终磷光体。
这里w、x、y或z可以取0-2的值。
所用电加热热解反应器优选为喷雾热解反应器，例如热壁反应器(Merck内部设计)。为了进行本发明方法，将预先制备地溶液、分散体或悬浮液借助具有限定空气/进料比的双组分喷嘴(two-component nozzle)喷入外部电加热的管中。在图1中图示了原理。借助多孔金属过滤器使粉末与热气流分离。通过溶剂蒸发和流动的低湍流度导致的冷却效果，在反应器内自动实现了喷入点后紧邻处的所需要的降低的能量输入。
喷雾热解反应器中的反应器温度为600-1080℃，优选为800-1000℃。
根据本发明，通过无机盐如氯化物，优选氯化铵，或者硝酸盐或氯酸盐的化学分解反应引入的额外能量的量基于所用原料的量为0.5-80％，优选为1-5％。这些无机盐用作用于降低熔点的融合剂并在热后处理之前或过程中加入。
所用碱土金属原料优选为所需化学计量比的硝酸钡、硝酸锶和/或硝酸钙。
代替喷雾热解反应器或热壁反应器，所用热解反应器也可以是脉动反应器。Merck的专利申请DE 102006027133.5(申请日：12.06.2006)(其整个范围以引用方式并入本申请)详细描述了石榴石磷光体是怎样在脉动反应器中通过具体工艺设计制备的。本发明式I磷光体可以类似地通过该脉动反应器工艺制备，其中将起始溶液喷入由脉动、无焰燃烧产生的热气流中。
本发明此外还涉及一种制备上述式I磷光体的方法，其特征在于：
a)将盐、硝酸盐、草酸盐、氢氧化物或其混合形式的至少两种碱土金属和含铕掺杂剂溶解、悬浮或分散在水、酸或碱中，和
b)在高温下加入含硅化合物，及
c)在＜300℃的温度下喷雾干燥该混合物，以及
d)随后通过热后处理转化成最终磷光体。
该方法方案中所用碱土金属原料优选为所需化学计量比的氢氧化钡、氢氧化锶和/或氢氧化钙。
两种方法方案中合适的含硅化合物通常为无机或有机硅化合物。根据本发明，优选使用二氧化硅或原硅酸四乙酯。
在后提及的方法方案中，在25-95℃，优选75-90℃的温度下将含硅化合物加入碱土金属盐和掺杂剂的混合物中。随后在GEA Niro喷雾塔中在200-350℃，优选250-300℃的温度下喷雾干燥。喷雾塔中的喷嘴压力为1-3巴，优选为2巴。喷雾溶液的量与时间的关系为2-6升反应溶液/小时，优选4升/小时。
可以使用的掺杂剂通常为任何所需铕盐，其中优选硝酸铕和氯化铕。此外优选铕的掺杂浓度为0.5-50mol％。特别优选为2.0-20mol％。在10-15mol％的铕浓度下，通常会出现增加的吸收和由其导致的磷光体的增加的光输出或更大的亮度。更高的铕浓度会降低量子产额并从而导致降低的光输出。
在高温炉中通过在刚玉坩埚中在1000-1400℃的温度下煅烧限定量的磷光体前体数小时而进行前体的热后处理以得到最终磷光体。将粗磷光体饼粉碎、洗涤和筛分。
在上述热后处理中，煅烧优选至少部分地在还原条件(例如使用一氧化碳、形成气体(forming gas)或氢气或至少真空或缺氧气氛)下进行。
本发明磷光体的粒度为50nm至50μm，优选为1-25μm。
在另一个方法方案中，根据本发明优选将磷光体表面另外结构化，例如通过锥体结构(参见DE 102006054330.0，Merck，其整个范围以引用方式并入本申请)。这能够从磷光体耦合出尽可能多的光。
磷光体上的结构化表面通过随后用已被结构化的合适材料涂覆或者在随后的步骤中通过(照相)平版印刷工艺、蚀刻工艺或写入工艺(writingprocess)，利用能量或材料束或机械力的作用产生。
在另一个方法方案中，根据本发明优选的是，在与LED芯片相对的一侧上产生携带SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO2、ZrO2和/或Y2O3或这些材料的组合的纳米粒子或者包含磷光体组合物粒子的纳米粒子的粗糙表面。
这里粗糙表面的粗糙度至多为数百纳米。经涂覆的表面的优点是可以降低或防止总反射并可以更好地从本发明磷光体耦合出光(参见DE102006054330.0(Merck)，其整个范围以引用方式并入本申请)。
此外还优选通过本发明方法制备的磷光体在背离芯片的表面上具有折射率适应层(refractive-index-adapted layer)，这简化了通过磷光体元件发射的初级辐射和/或辐射的耦合。
在另一个方法方案中，根据本发明优选的是，在磷光体表面另外提供有SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO、ZrO2和/或Y2O3或它们的混合氧化物的封闭涂层(closed coating)。该表面涂层的优点是可以经由涂层材料折射率的适当分级而实现折射率与环境相适应。此时，磷光体表面的光散射降低并且更大比例的光可以透入磷光体并且在那被吸收并转换。另外，由于总内部反射降低，所以折射率适应表面涂层使得能够从磷光体耦合出更多光。
另外，如果磷光体必须被包封的话，封闭层是有利的。为了对抗磷光体或部分磷光体对直接邻近区域的水或其它材料的扩散的敏感性，这可能是必要的。用封闭套包封的另一个原因是使实际磷光体不受芯片中形成的热的热影响。该热导致磷光体的荧光输出降低并且可能还会影响荧光的颜色。最后，这类涂层能够通过防止磷光体中形成的晶格振动传播到环境中而使磷光体的效率增加。
另外，优选通过所述方法制备具有由SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO、ZrO2和/或Y2O3或它们的混合氧化物组成的或者磷光体组合物组成的多孔表面涂层的磷光体。这些多孔涂层提供了进一步降低单层折射率的可能性。这类多孔涂层可以三种常规方法制备，如在WO 03/027015中所述，其整个范围以引用方式并入本申请：蚀刻玻璃(例如钠钙玻璃(参见US 4019884))，施加多孔层，以及多孔层和蚀刻法的结合。
在另一个优选的方法方案中，制备了具有这样的表面的磷光体。所述表面带有有利于与环境化学结合的官能团，优选由环氧树脂或有机硅树脂组成。这些官能团可以是例如经由桥氧基结合的酯或其它衍生物，并能够形成与基于环氧化物和/或硅酮的粘合剂的组分的连接。这类表面的优点是有利于磷光体均匀地混入粘合剂。此外，磷光体/粘合剂体系的流变性质以及贮存期能够由此被一定程度地调节。因此简化了混合物的加工。
因为将本发明磷光体层施加至优选由硅酮和均匀磷光体粒子的混合物组成的LED芯片且硅酮具有表面张力，所以该磷光体层在微观水平下不均匀，或者层厚度并不是到处一样。
此外，本发明还涉及通过本发明方法制备的式I磷光体：
BawSrxCaySiO4:zEu2+(I)
其中w+x+y+z＝2且0.005＜z＜0.5。
该磷光体优选具有携带SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO、ZrO2和/或Y2O3或它们的混合氧化物的纳米粒子或者包含磷光体组合物的粒子的纳米粒子的结构化表面或粗糙表面。
还优选该式I磷光体具有由SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO、ZrO2和/或Y2O3或它们的混合氧化物组成的封闭涂层或多孔表面涂层。
此外还优选该磷光体表面携带有利于与环境化学结合的官能团，优选包含环氧树脂或有机硅树脂。
借助于上述方法，可以产生磷光体粒子的任何所需外部形状，如球形粒子、薄片和结构化材料及陶瓷。
作为另一个优选的实施方案，通过常规方法由相应的碱土金属盐和铕盐制备薄片形磷光体。在EP 763573和DE 102006054331.9中详细描述了制备方法，其整个范围以引用方式并入本申请中。这些薄片形磷光体可以通过在水分散体或悬浮液中的沉淀反应而在具有非常大的纵横比、原子平滑表面和可调节厚度的天然或合成的例如云母薄片、SiO2薄片、Al2O3薄片、ZrO2薄片、玻璃薄片或TiO2薄片的高稳定载体或基底上涂覆磷光体层而制备。除了云母、ZrO2、SiO2、Al2O3、玻璃或TiO2或其混合物，薄片还可以由磷光体材料本身组成或由材料堆积而成。如果薄片本身仅用作磷光体涂层的载体，则磷光体涂层必须由能够透过来自LED的初级辐射或者吸收初级辐射并将该能量传输至磷光体层的材料组成。薄片形磷光体分散在树脂(如有机硅树脂或环氧树脂)中，并将该分散体施加至LED芯片。
可以大型工业规模制备厚度为50nm至约300μm，优选150nm至100μm的薄片形磷光体。这里直径为50nm至20μm。
通常具有的纵横比(直径与粒子厚度之比)为1∶1-400∶1，特别是3∶1-100∶1。
薄片的尺寸(长×宽)取决于设置。薄片还适合作为转换层内散射的中心，特别是如果它们具有特别小的尺寸。
本发明薄片形磷光体面对LED芯片的表面可以提供有具有与LED芯片发射的初级辐射有关的降低反射作用的涂层。这导致初级辐射的反向散射降低，增强了初级辐射向本发明磷光体元件内的耦合。
适合此目的的为例如折射率适应涂层，其必须具有以下厚度d∶d＝[来自LED芯片的初级辐射的波长/(4×磷光体陶瓷的折射率)]，参见例如Gerthsen，Physik[Physics]，Springer Verlag，第18版，1995。该涂层还可以由光子晶体组成，其还包括将薄片形磷光体表面结构化以获得一定官能度。这能够使磷光体元件耦合出尽可能多的光。通过使用具有结构化压盘的模型进行等压压制并在表面压出结构而产生磷光体元件上的结构化表面。如果目的是制备尽可能最薄的磷光体元件或薄片，则需要结构化表面。压制条件是本领域熟练技术人员已知的(参见J.Kriegsmann，TechnischeKeramische Werkstoffe[工业陶瓷材料]，第4章，DeutscherWirtschaftsdienst，1998)。重要的是所用压制温度为待压制物质熔点的2/3-5/6。
另外，本发明磷光体可以在宽范围内激发，其从约120nm延伸至530nm，优选254nm至约480nm。这些磷光体因此不仅适于UV激发或蓝光发射初级光源如LED或传统放电灯(例如基于Hg的放电灯)，而且适于诸如利用451nm处的蓝色In3+谱线的那些光源。
本发明还涉及具有至少一个其发射最大值在120-530nm，优选254-约480nm范围内的初级光源的发光单元，其中初级辐射通过本发明磷光体被部分或完全转换为更长波长的辐射。
根据本发明，术语“发光单元”包括以下组件或组分：
●至少一个发射紫外光或蓝光的初级光源，
●至少一个与初级光源直接或间接接触的转换磷光体，
●任选的，包封该发光单元的透明密封树脂(例如环氧树脂或有机硅树脂)，
●任选的，初级光源安装于其上的载体组件，其具有至少两个为初级光源供应电能的电连接，
●任选的，次级光学装置，如透镜、镜子、棱镜或光子晶体。
该发光单元优选发射白光或发射具有特定颜色位置的光(按需选色原理)。图4-15描述了本发明发光单元的优选实施方案。
在本发明发光单元的优选实施方案中，光源为发光的铟铝镓氮化物，特别是式IniGajAlkN的氮化物，其中0≤i，0≤j，0≤k，并且i+j+k＝1。这类光源的可能形式是本领域熟练技术人员已知的。它们可以是具有不同结构的发光LED芯片。
在本发明发光单元的另一个优选实施方案中，光源为基于ZnO、TCO(透明传导氧化物)、ZnSe或SiC的发光装置，或者基于有机发光层的装置(OLED)。
在本发明发光单元的另一个优选实施方案中，光源为呈现电致发光和/或光致发光的光源。此外光源还可以是等离子体光源或放电光源。
本发明磷光体可以分散在树脂(例如环氧树脂或有机硅树脂)中，或者以合适的尺寸比例正好设置在初级光源上，或者取决于应用偏离初级光源设置(后一设置也包括“远程磷光体技术”)。远程磷光体技术的优点是本领域熟练技术人员已知的并揭示于例如以下出版物中：Japanese Journ.ofAppl.Phys.第44卷，No.21(2005).L649-L651。
在另一个实施方案中，优选通过光传导设置实现磷光体与初级光源之间发光单元的光学耦合。这使初级光源能够安装在中心位置并借助光传导装置如传导光纤与磷光体光学耦合。以此方式，可以实现与发光希望匹配并仅由一种或不同的磷光体(其可以排列形成光屏)及一个或多个光传导体(其与初级光源耦合)组成的灯。以此方式，强初级光源可以位于有利于电安装的位置并且可以在任何所需位置安装包含与光传导体耦合的磷光体的灯，无需其它电缆，而是仅通过放置光传导体。
此外，根据本发明优选的是，在真空UV(＜200nm)和/或UV区发光的初级光源与本发明磷光体组合具有半值宽度为至少10nm的发射谱带。
本发明此外还涉及本发明磷光体用于部分或完全转换来自发光二极管的蓝色或近紫外发射的用途。
本发明磷光体还优选用于将蓝色或近紫外发射转换成可见白色辐射。本发明磷光体还优选用于将初级辐射按照“按需选色”的原理转换到特定颜色位置。
本发明还涉及本发明磷光体在电致发光材料如电致发光膜(也称为发光膜或光膜)中的用途，其中将例如硫化锌或掺杂有Mn2+、Cu+或Ag+的硫化锌用作发射体，其在黄绿区发射。电致发光膜的应用领域例如为广告、液晶显示器屏(LC显示器)和薄膜晶体管(TFT)显示器中的显示器背光、自发光车辆牌照、地板绘图(floor graphics)(与抗碾和防滑层结合)，在显示和/或控制元件中，例如在汽车、火车、船和飞机，或者家用设施、花园装置、测量仪器或运动和娱乐设备中。
以下实施例用于说明本发明。然而它们不应以任何方式被认为是限制本发明。可在该组合物中使用的所有化合物或组分均是已知的或市售的或可以通过已知方法合成。实施例中指出的温度单位均为℃。此外，无需多说的是，在说明书以及实施例中，组合物中组分的添加量加起来总是为100％。给出的百分比数据是就给定关系而言。然而，它们通常总是基于所指出的部分量或全部量的重量。
实施例
实施例1：在热壁反应器中制备磷光体Ba0.345Sr1.6Eu0.055SiO4
将90.162g硝酸钡(分析级，Merck KGaA)、338.605g硝酸锶(分析级，Merck KGaA)、60.084g高度分散的二氧化硅(特别纯的等级，Ph Eur，NF，E551，Merck KGaA)、13.373g氯化铵(分析级，Merck KGaA)和24.528g六水合硝酸铕(分析级ACS，Treibacher Industrie AG)溶解或悬浮在5L去离子水中。然后借助双组分喷嘴将反应溶液喷入长度为1.5m的热壁反应器中。借助烧结金属热气过滤器分离磷光体粒子和热气流。
或者，所用硅源还可以是原硅酸四乙酯(TEOS)。在该实施例中，上述二氧化硅用208.33g TEOS(合成级，Merck KGaA)代替。为了增加其在反应溶液中的溶解度，一些溶剂水可以用乙醇代替。然而，在将TEOS或乙醇用作溶剂时，必须考虑，此时要向系统中输入额外能量，这可能要求修正加热参数。
热壁反应器设置：
温度：800℃
喷嘴压力：3巴(N2)，对流原理
喷嘴直径：1mm
输出：1.4dm3溶液/h
烧结金属过滤器筒中的分离：Δp＝50毫巴
产量：250g(理论产量：279g)
实施例2：在喷雾干燥器中制备磷光体Ba0.345Sr1.6Eu0.055SiO4
使用精密玻璃搅拌器将275.914g八水合氢氧化钡(特别纯的等级，Merck KGaA)、1062.480g八水合氢氧化锶(特别纯的等级，Merck KGaA)和50.369g六水合氯化铕(分析级ACS，Treibacher Industrie AG)悬浮在20L反应器中的5L去离子水中并加热至90℃。当所有材料悬浮时，加入150.0g高度分散的二氧化硅(特别纯的等级，Ph Eur，NF，E 551，MerckKGaA)，并为此用约5L去离子水清洗该混合物。
随后喷雾干燥反应溶液。
喷雾塔设置：(GEA Niro)
喷嘴压力：2巴
入口温度：250℃
出口温度：68-70℃
软管泵：25RPM(对应于约4L/h)
然后在1200℃的煅烧工艺中将实施例1和2的前体转化成磷光体，在还原形成气体气氛下进行。为此，将前体引入用1-10重量％(在优选的实施方案中为5重量％)氯化铵覆盖的250ml刚玉坩埚中，通过振摇使其紧实，随后煅烧5小时。随后在灰浆磨机中研磨所得粗磷光体饼，然后洗涤、干燥(T＝120℃)并筛分。
【附图说明】
下文参照多个示例性实施方案更详细地解释本发明。图4-15描述了不同的发光单元，所有发光单元均包含本发明的原硅酸盐磷光体：
图1：热壁反应器原理简图
为了进行本发明方法，将预先制备的溶液或分散体借助具有限定空气/进料比的双组分喷嘴喷入外部电加热的管中。原理如图1中的简图所示。借助多孔金属过滤器分离粉末和热气流(1＝溶液或分散体；2＝空气；3＝双组分喷嘴；4＝反应器管；5＝加热器；6＝料流来源)
图2：磷光体Ba0.345Sr1.6Eu0.055SiO4的激发光谱
图3：磷光体Ba0.345Sr1.6Eu0.055SiO4在465nm处激发的发射光谱
图4：显示了具有含磷光体涂层的发光二极管的示意图。该组件包括芯片类发光二极管(LED)1作为辐射源。发光二极管安装在杯形反射器中，其通过调节框2保持。芯片1经由扁平电缆7与第一接触器6连接并直接与第二电接触器6′连接。将包含本发明转换磷光体的涂层施加至反射器杯的内部弯曲部分中。磷光体彼此单独使用或以混合物形式使用。(部件编号列表：1发光二极管，2反射器，3树脂，4转换磷光体，5扩散器，6电极，7扁平电缆)
图5：显示了InGaN型COB(板上芯片)组件包，其用作白光光源(LED)(1＝半导体芯片；2，3＝电连接；4＝转换磷光体；7＝板)。磷光体分布在粘合剂透镜中，其代表次级光学元件并同时作为透镜影响发光特性。
图6：显示了InGaN型COB(板上芯片)组件包，其用作白光光源(LED)(1＝半导体芯片；2，3＝电连接；4＝转换磷光体；7＝板)。磷光体位于直接分布在LED芯片上的薄粘合剂层中。可以在其上放置由透明材料组成的次级光学元件。
图7：显示了用于白光光源(LED)的一种组件包(1＝半导体芯片；2，3＝电连接；4＝具有反射器的空腔中的转换磷光体)。该转换磷光体分散在粘合剂中，混合物填充空腔。
图8：显示了另一种组件包，其中1＝罩板(housing plate)；2＝电连接；3＝透镜；4＝半导体芯片。该设计的优点是倒装片(flip-chip)设计，其中更高比例的来自芯片的光可以经由透明基底和基座上的反射器用于光目的。另外，该设计中热消散是有利的。
图9：显示了组件包，其中1＝罩板；2＝电连接；4＝半导体芯片，并且透镜下方的空腔完全填充有本发明转换磷光体。该组件包的优点是可以使用更大量的转换磷光体。后者也可以用作远程磷光体。
图10：显示了SMD组件包(表面安装的组件包)，其中1＝罩，2，3＝电连接；4＝转换层。半导体芯片完全被本发明磷光体覆盖。SMD设计的优点是具有小的物理形状并由此适合常规照明。
图11：显示了T5组件包，其中1＝转换磷光体；2＝芯片；3，4＝电连接；5＝透明树脂透镜。转换磷光体位于LED芯片的背面，其优点是磷光体经由金属连接件冷却。
图12：显示了发光二极管的示意图，其中1＝半导体芯片；2，3＝电连接；4＝转换磷光体；5＝接合线，其中磷光体应用在粘合剂中作为顶部球形罩。这种形状的磷光体/粘合剂层可以用作次级光学元件并影响例如光传输。
图13：显示了发光二极管的示意图，其中1＝半导体芯片；2，3＝电连接；4＝转换磷光体；5＝接合线，其中磷光体以分散在粘合剂中的薄层应用。其它用作次级光学元件的组件如透镜可以容易地应用至该层。
图14：显示了另一种应用的实施例，如原理上已由US-B 6700,322已知。这里本发明磷光体与OLED一起使用。光源为由实际有机膜30和透明基底32组成的有机发光二极管31。膜30发射特别是例如借助PVK:PBD:香豆素(PVK，聚(正乙烯基咔唑)的缩写；PBD，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑的缩写)产生的蓝色初级光。该发射通过由本发明磷光体层33形成的覆盖层部分转换为黄色、次级发射的光，经由初级和次级发射的光的颜色混合产生总体上的白色发射。OLED主要由至少一层发光聚合物层组成或者由所谓的两个电极之间的小分子组成，所述两个电极包含本身已知的材料如ITO(铟锡氧化物缩写)作为阳极和高活性金属如Ba或Ca作为阴极。两个电极之间还经常使用多层，其用作空穴传输层，或者在小分子区域还用作电子传输层。所用发射聚合物例如为聚芴或多螺物质。
图15：显示了具有无汞气体填充物21的低压灯20(图示)，其包含铟填充物和类似WO 2005/061659的缓冲气体，其中应用了本发明磷光体层22。