ZnSe/IIIV族/ZnSexS1x或ZnSe/IIIV族/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法.pdf

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1、(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201610834857.2 (22)申请日 2016.09.20 (71)申请人 纳晶科技股份有限公司 地址 310052 浙江省杭州市滨江区秋溢路 500号1幢4楼405-407室 (72)发明人 谢松均汪均涂丽眉高静 (74)专利代理机构 北京康信知识产权代理有限 责任公司 11240 代理人 赵囡囡金田蕴 (51)Int.Cl. C09K 11/02(2006.01) C09K 11/88(2006.01) B82Y 20/00(2011.01) B82Y 30/00(2。

2、011.01) B82Y 40/00(2011.01) (54)发明名称 ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ ZnSe/ZnS量子点及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x 或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点及其制备方 法。 该制备方法包括： S1， 制备含ZnSe核和非配位 溶剂的第一混合液； S2， 向第一混合液中加入III 族元素前体溶液形成第二混合液， 升温至180 320， 加入V族元素前体溶液进行反应； S3， 包覆 ZnSexS1-x或ZnSe/ZnS壳层， 得到ZnSe/III-V族/。

3、 ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点。 先 在低温加III族元素前体溶液， 然后高温加V族元 素前体溶液， 避免III-V的自成核， 实现III-V族 元素壳层在ZnSe核上完美的包覆。 权利要求书1页 说明书8页 附图2页 CN 106479481 A 2017.03.08 CN 106479481 A 1.一种ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点的制备方法， 其特征 在于， 包括以下步骤： S1， 制备含ZnSe核和非配位溶剂的第一混合液， 所述第一混合液温度150； S2， 向所述第一混合液中加入III。

4、族元素前体溶液形成第二混合液， 升温至180320 ， 加入V族元素前体溶液进行反应， 所述III族元素和所述V族元素包覆在所述ZnSe核上形 成III-V族元素壳层， 形成含ZnSe/III-V族量子点的第三混合液； S3， 包覆ZnSexS1-x或ZnSe/ZnS壳层， 得到所述ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ ZnSe/ZnS量子点， 其中0 x1。 2.根据权利要求1所述的制备方法， 其特征在于， 所述III族元素为In， 所述V族元素为P 或As。 3.根据权利要求1所述的制备方法， 其特征在于， 所述S2中， 向所述第一混合液中加入 所述III族。

5、元素前体溶液和第一配体共同形成第二混合液。 4.根据权利要求1所述的制备方法， 其特征在于， 所述S2中， 所述V族元素前体溶液和第 二配体混合后加入。 5.根据权利要求3所述的制备方法， 其特征在于， 所述第一配体为酸类或胺类的至少一 种。 6.根据权利要求4所述的制备方法， 其特征在于， 所述第二配体为胺类。 7.根据权利要求1所述的制备方法， 其特征在于， 所述S2中， 所述第一混合液降温至25 100后加入所述III族元素前体溶液。 8.根据权利要求3所述的制备方法， 其特征在于， 所述S2中， 所述第一混合液降温至25 100后加入所述III族元素前体溶液和所述第一配体。 9.根据权。

6、利要求1所述的制备方法， 其特征在于， 所述S3具体包括： 向所述含ZnSe/III- V族量子点的第三混合液中加入Zn前体， 然后加热至180320， 加入Se和S混合前体溶液， 合成的ZnSexS1-x包覆在所述III-V族元素壳层表面， 得到所述ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x量子 点； 或者向所述含ZnSe/III-V族量子点的第三混合液中加入Zn前体， 然后加热至180320 ， 先加入Se前体溶液反应完全后， 再加入S前体溶液反应， 得到所述ZnSe/III-V族/ZnSe/ ZnS量子点。 10.根据权利要求1所述的制备方法， 其特征在于， 所述S1具体包括： 将Zn前。

7、体溶液和所 述非配位溶剂混合加热至200350后注入Se前体溶液反应得到所述第一混合液。 11.根据权利要求9或10所述的制备方法， 其特征在于， 所述Zn前体溶液为脂肪酸锌， 选 自由醋酸锌、 十酸锌、 十一烯酸锌、 十四酸锌、 油酸锌、 十六酸锌和硬脂酸锌组成的组中的一 种或多种的溶液。 12.根据权利要求1所述的制备方法， 其特征在于， 所述ZnSe核的PL半峰宽为12-15nm。 13.一种ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点， 其特征在于， 所述 ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS。

8、量子点通过如权利要求1至12中任一项 所述的制备方法制备得到。 14.根据权利要求13所述的ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点， 其特征在于， 所述ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点的半峰宽小于 等于45nm， 发光量子效率大于等于60。 权利要求书 1/1 页 2 CN 106479481 A 2 ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点及 其制备方法 技术领域 0001 本发明涉及材料制备技术领域， 具体而言， 涉及一种ZnSe/。

9、III-V族/ZnSexS1-x或 ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法。 背景技术 0002 目前， 由II-VI族元素组成的硒化镉量子点发射光谱在可见光范围内连续可调， 所 制备的量子点尺寸分布均匀， 光谱的半峰宽较窄， 在对其表面进行有机无机钝化的之后， 表 现出很高的量子产率和稳定性， 受到广泛研究和关注。 然而， 硒化镉量子点中使用了重金属 镉(Cd)， 对人体和自然环境均存在一定的毒性和污染， 使得其在应用上， 受到一定的局限， 因此合成开发无镉低镉量子点发光材料具有很重大的现实意义。 0003 III-V族量子点是目前无镉量子点研究的热点， 但是该类型量子点。

10、的主要缺点是 效率低， 半峰宽大， 稳定性差。 目前文献中报道的方法， ZnSe/InP/ZnS的合成是无镉量子点 的一个发展方向， 目前绿光量子点可以做到PL(光致发光发射峰)半峰宽50-60nm， 量子效率 60(半峰宽越窄， 则峰型越尖， 颜色越纯粹； 量子效率越高越好)。 但离工业化应用还有一 定的距离。 发明内容 0004 本发明旨在提供一种ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点 及其制备方法， 以缩小量子点的PL半峰宽， 提高发光量子效率。 0005 为了实现上述目的， 根据本发明的一个方面， 提供了一种ZnSe/III-V族/Z。

11、nSexS1-x 或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点的制备方法。 该制备方法包括以下步骤： S1， 制备含ZnSe 核和非配位溶剂的第一混合液， 第一混合液温度150； S2， 向第一混合液中加入III族元 素前体溶液形成第二混合液， 升温至180320， 加入V族元素前体溶液进行反应， III族元 素和V族元素包覆在ZnSe核上形成III-V族元素壳层， 形成含ZnSe/III-V族量子点的第三混 合液； S3， 包覆ZnSexS1-x或ZnSe/ZnS壳层， 得到ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ ZnSe/ZnS量子点， 其中0 x1。 0。

12、006 进一步地， III族元素为In， V族元素为P或As。 0007 进一步地， S2中， 向第一混合液中加入III族元素前体溶液和第一配体共同形成第 二混合液。 0008 进一步地， S2中， V族元素前体溶液和第二配体混合后加入。 0009 进一步地， 第一配体为酸类或胺类的至少一种。 0010 进一步地， 第二配体为胺类。 0011 进一步地， S2中， 第一混合液降温至25100后加入III族元素前体溶液。 0012 进一步地， S2中， 第一混合液降温至25100后加入III族元素前体溶液和第 一配体。 说明书 1/8 页 3 CN 106479481 A 3 0013 进一步地。

13、， S3具体包括： 向含ZnSe/III-V族量子点的第三混合液中加入Zn前体， 然 后加热至180320， 加入Se和S混合前体溶液， 合成的ZnSexS1-x包覆在III-V族元素壳层 表面， 得到ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x量子点； 或者向含ZnSe/III-V族量子点的第三混合液中 加入Zn前体， 然后加热至180320， 先加入Se前体溶液反应完全后， 再加入S前体溶液反 应， 得到ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点。 0014 进一步地， S1具体包括： 将Zn前体溶液和非配位溶剂混合加热至200350后注 入Se前体溶液反应得到第一混合液。 0015 进。

14、一步地， Zn前体溶液为脂肪酸锌， 选自由醋酸锌、 十酸锌、 十一烯酸锌、 十四酸 锌、 油酸锌、 十六酸锌和硬脂酸锌组成的组中的一种或多种的溶液。 0016 进一步地， ZnSe核的PL半峰宽为12-15nm。 0017 根据本发明的另一个方面， 提供一种ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ ZnSe/ZnS量子点。 该ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点通过上述任 一种制备方法制备得到。 0018 进一步地， ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点的半峰。

15、宽小 于等于45nm， 发光量子效率大于等于60。 0019 应用本发明的技术方案， III-V族元素壳层的包覆中将III族元素前体溶液和V族 元素前体溶液分开加入， 先在低温(150)加III族元素前体溶液， 然后高温(220300 )加V族元素前体溶液， 避免III-V的自成核， 实现III-V族元素壳层在ZnSe核上完美的包 覆， 得到半峰宽窄的ZnSe/III-V族量子点， 然后进行包覆。 附图说明 0020 构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解， 本发明的示 意性实施例及其说明用于解释本发明， 并不构成对本发明的不当限定。 在附图中： 0021 图1示出了实施例。

16、1所得到的量子点的UV和PL光谱； 0022 图2示出了实施例1所得到的量子点的透射电镜图(TEM)； 0023 图3示出了对比例1所得到的量子点的透射电镜图(TEM)。 具体实施方式 0024 需要说明的是， 在不冲突的情况下， 本申请中的实施例及实施例中的特征可以相 互组合。 下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。 0025 根据本发明一种典型的实施方式， 提供一种ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III- V族/ZnSe/ZnS量子点的制备方法。 该制备方法包括以下步骤： 该制备方法包括以下步骤： S1， 制备含ZnSe核和非配位溶剂的第一混合液， 第一混合液温。

17、度150； S2， 向第一混合液 中加入III族元素前体溶液形成第二混合液， 升温至180320， 优选220300， 加入V族 元素前体溶液进行反应， III族元素和V族元素包覆在ZnSe核上形成III-V族元素壳层， 形成 含ZnSe/III-V族量子点的第三混合液； S3， 包覆ZnSexS1-x或ZnSe/ZnS壳层， 得到ZnSe/III-V 族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点， 其中0 x1。 本发明关键在于III-V族元 素壳层的包覆， III-V族元素壳层高质量的包覆结合后续合适的ZnS包覆可以获得较窄的PL 半峰宽。 III-V族元素壳层的。

18、包覆中将III族元素前体溶液和V族元素前体溶液分开加入， 先 说明书 2/8 页 4 CN 106479481 A 4 在低温(150)加III族元素前体溶液， 然后高温(180320)加V族元素前体溶液， 避免 III-V元素的自成核， 实现III-V族元素壳层在ZnSe核上完美的包覆， 得到吸收峰窄的ZnSe/ III-V族量子点。 其中， 低温下(相对于后面的高温)加入III族元素， 然后高温注入V族元素， III族元素和V族元素的加入是分开进行的， 这样低温加入III族元素前体溶液， 有利于其吸 附在ZnSe表面， 高温加入V族元素前体溶液与吸附在ZnSe表面的III族元素前体溶液反应。

19、， 生成包覆在ZnSe表面的InP， 防止III和V族元素同时高温下加入发生自成核(即III-V族元 素单独成核， 而不是在ZnSe上生长)及生长不均匀。 高温下注入V族元素可以迅速生长而不 是产生大量的自成核。 0026 根据本发明一种典型的实施方式， III族元素为In， V族元素为P或As。 优选的， III 族元素前体溶液为铟盐， 选自醋酸铟、 氯化铟和十四酸铟中的一种或多种的溶液。 优选的， S2中， 向第一混合液中加入III族元素前体溶液和第一配体共同形成第二混合液。 其中， 第 一配体为胺类或酸类的至少一种， 优选自由十四酸、 十酸、 油酸、 八胺、 油胺和三辛胺组成的 组中的一。

20、种或多种。 优选的， V族元素前体溶液选自由三(三甲基硅基)膦(即P(Si(CH3)3)， 缩 写为TMSP)和/或三(三乙基硅基)膦(即P(Si(CH2CH3)3)， 缩写为TESP)中的一种或多种的溶 液。 优选的， 在S2中， V族元素前体溶液和第二配体混合后加入。 第二配体为胺类， 优选自八 胺、 油胺和三辛胺中的一种或多种。 第一配体和第二配体的作用是提高III族元素和V族元 素在反应体系中的溶解性。 0027 优选的， S2中， 第一混合液降温至25100后加入III族元素前体溶液， S2步骤 反应的时间为530min。 这个反应时间可以根据UV来测定是否反应完全。 UV吸光位置可。

21、以 来确定粒子大小， 粒子达到目标大小后可以停止反应， 防止熟化后粒子单分散性变差。 S2 中， 降温至25150终止反应后形成所述含ZnSe/III-V族量子点的第三混合液， 或者不降 温待反应完全后形成所述含ZnSe/III-V族量子点的第三混合液； 0028 根据本发明一种典型的实施方式， S3具体包括： 向含ZnSe/III-V族量子点的第三 混合液中加入Zn前体， 然后加热至180320， 加入Se和S混合前体溶液， 合成的ZnS包覆在 III-V族元素壳层表面， 得到ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x量子点； 或者向含ZnSe/III-V族量子 点的第三混合液中加入Zn前体。

22、， 然后加热至180320， 优选220300， 加入Se前体溶液 反应完全后， 形成ZnSe/III-V族/ZnSe， 然后再加入S前体溶液， 反应一定时间， 得到ZnSe/ III-V族/ZnSe/ZnS量子点。 0029 优选的， S前体选自由硫-三丁基膦、 硫-三辛基膦、 硫-十八烯和六甲基二硅硫烷组 成的组中的一种或多种。 0030 根据本发明一种典型的实施方式， Zn前体和非配位溶剂混合加热至200350后 注入Se前体溶液反应得到第一混合液。 0031 优选的， 非配位溶剂选自由十六烷、 十八烷、 十六烯和十八烯组成的组中的一种或 多种。 0032 优选的， Zn前体为脂肪酸锌，。

23、 选自由醋酸锌、 十酸锌、 十一烯酸锌、 十四酸锌、 油酸 锌、 十六酸锌和硬脂酸锌组成的组中的一种或多种。 0033 优选的， ZnSe核的PL半峰宽为12-15nm。 0034 根据本发明一种典型的实施方式， ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ ZnSe/ZnS量子点的制备方法包括以下步骤： S1， 制备ZnSe核： 首先将脂肪酸锌(脂肪酸锌可 说明书 3/8 页 5 CN 106479481 A 5 以是醋酸锌、 十酸锌、 十一烯酸锌、 十四酸锌、 油酸锌、 十六酸锌， 硬脂酸锌等)和十八烯(1- octadecene， ODE)在高温(200350)溶。

24、解， 然后高温(200350)注入Se前体溶液， 得到 高质量的ZnSe的核(粒子均一， 发射半峰宽窄)， 其PL半峰宽为12-15nm； S2， 包覆InP壳层： ZnSe成核后在低温(25到150)加入铟盐(醋酸铟， 氯化铟， 十四酸铟)和配体(八胺、 油胺、 三辛胺)， 升温至180-320， 优选220-300迅速注入P前体溶液(TMSP， TESP)反应一段时 间， 实现InP的包覆， 避免自成核； 这一步是关键步骤， 是影响后续半峰宽大小的主要因素； S3， 包覆ZnSexS1-x壳层： 在低温(25150)加入一定量的锌前体(醋酸锌、 十酸锌、 十一烯 酸锌、 十四酸锌、 油酸锌。

25、、 十六酸锌， 硬脂酸锌等， 锌前体也可以是溶解于溶液后加入反应)， 排气， 升温至180-320加入一定比例的Se和S混合前体溶液反应一定时间， 比如， Se前体溶 液选自硒-三丁基膦(Se-TBP) ,硒-三辛基膦(Se-TOP)， Se-十八烯溶液或者悬浊液(Se- ODE)， 六甲基二硅硒烷(Se-TMS)中的一种或多种。 S前体溶液选择硫-三丁基膦(S-TBP), 硫-三辛基膦(S-TOP)， 硫-十八烯(S-ODE)， 六甲基二硅硫烷(S-TMS)中的一种或多种。 或包 覆ZnSe/ZnS壳层： 在低温(25150)加入一定量的锌前体溶液(醋酸锌、 十酸锌、 十一烯酸 锌、 十四酸。

26、锌、 油酸锌、 十六酸锌， 硬脂酸锌等)， 排气， 升温至180-320加入一定量的Se前 体溶液反应一定时间， Se前体溶液选自硒-三丁基膦(Se-TBP),硒-三辛基膦(Se-TOP)， Se- 十八烯溶液或者悬浊液(Se-ODE)， 六甲基二硅硒烷(Se-TMS)中的一种或多种。 然后加入一 定量的S前体溶液反应完全后， S前体溶液选自硫-三丁基膦(S-TBP),硫-三辛基膦(S-TOP)， 硫-十八烯(S-ODE)， 六甲基二硅硫烷(S-TMS)中的一种或多种。 0035 根据本发明一种典型的实施方式， 提供一种ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III- V族/Zn。

27、Se/ZnS量子点。 该ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点通过上 述任一种制备方法制备得到。 ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点的 半峰宽小于等于45nm， 发光量子效率大于等于60。 0036 下面将结合实施例进一步说明本发明的有益效果。 在本发明中没有明确的步骤， 可以通过本领域的常规技术手段实现。 0037 实施例1 0038 称取0.2mmol硬脂酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 惰性气体中排气10min， 升温至250 注入0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得。

28、ZnSe核； 0039 降温至100加0.1mmol In(Ac)3固体， 升温至270注入0.1mmol的TMSP和0.1ml 油胺， 反应10min； 0040 降温至100加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入含0.06mmol Se 和0.24mmol S的TBP溶液； 降温至100。 0041 实施例2 0042 称取0.2mmol硬脂酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 惰性气体中排气10min， 升温至300 注入0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得ZnSe核； 0043 降温至25加0.1mmol In(Ac)3固体， 升温至220注入0.。

29、1mmol的TMSP和0.1ml油 胺， 反应5min； 0044 降温至25加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入0.3mmol的Se-TBP 溶液， 降温至25。 0045 实施例3 说明书 4/8 页 6 CN 106479481 A 6 0046 称取0.2mmol硬脂酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 惰性气体中排气10min， 升温至350 注入0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得ZnSe核； 0047 降温至150加0.1mmol In(Ac)3固体， 升温至300注入0.1mmol的TMSP和0.1ml 油胺， 反应30min； 0048。

30、 降温至150加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入0.3mmol的S-TBP 溶液， 降温至150。 0049 实施例4 0050 称取0.2mmol醋酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 惰性气体中排气10min， 升温至300注 入0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得ZnSe核； 0051 降温至150加0.1mmol氯化铟固体， 升温至180注入0.1mmol的TMSP和0.1ml八 胺， 反应10min； 0052 降温至150加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入含0.15mmol Se 和0.15mmol S的TB。

31、P溶液， 降温至150。 0053 实施例5 0054 称取0.2mmol醋酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 惰性气体中排气10min， 升温至300注 入0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得ZnSe核； 0055 降温至120加0.1mmol醋酸铟固体， 升温至300注入0.1mmol的TMSP和0.1ml油 胺， 反应10min； 0056 降温至150加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入0.15mmol的Se- TBP溶液， 反应10min， 然后注入0.15mmol的S-TBP溶液， 反应20min， 降温至150。 0057 实施例6 00。

32、58 称取0.2mmol醋酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 惰性气体中排气10min， 升温至300注 入0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得ZnSe核； 0059 降温至150加0.1mmol氯化铟固体， 升温至180注入0.1mmol的TMSAs和0.1ml八 胺， 反应10min； 0060 降温至150加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入含0.15mmol Se 和0.15mmol S的TBP溶液， 降温至150。 0061 实施例7 0062 称取0.2mmol硬脂酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 惰性气体中排气10min， 升温至250 注。

33、入0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得ZnSe核； 0063 降温至100加0.1mmol In(Ac)3固体， 升温至270注入0.1mmol的TMSP， 反应 10min； 0064 降温至100加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入含0.06mmol Se 和0.24mmolS的TBP溶液； 降温至100。 0065 实施例8 0066 称取0.2mmol硬脂酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 惰性气体中排气10min， 升温至250 注入0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得ZnSe核； 0067 降温至100加0.1mmol In。

34、(Ac)3固体， 升温至320注入0.1mmol的TMSP和0.1ml 油胺， 反应10min； 说明书 5/8 页 7 CN 106479481 A 7 0068 降温至100加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入含0.06mmol Se 和0.24mmol S的TBP溶液； 降温至100。 0069 实施例9 0070 称取0.2mmol硬脂酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 惰性气体中排气10min， 升温至250 注入0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得ZnSe核； 0071 降温至100加0.1mmol In(Ac)3固体和0.05ml油酸， 。

35、升温至270注入0.1mmol的 TMSP， 反应10min； 0072 降温至100加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入含0.06mmol Se 和0.24mmolS的TBP溶液； 降温至100。 0073 实施例10 0074 称取0.2mmol硬脂酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 惰性气体中排气10min， 升温至250 注入0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得ZnSe核； 0075 降温至100加0.1mmol In(Ac)3固体和0.1ml油酸和0.05ml十二胺， 升温至270 注入0.1mmol的TMSP， 反应10min； 0076 。

36、降温至100加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入含0.06mmol Se 和0.24mmolS的TBP溶液； 降温至100。 0077 实施例11 0078 称取0.2mmol硬脂酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 惰性气体中排气10min， 升温至250 注入0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得ZnSe核； 0079 降温至100加0.1mmol In(Ac)3固体和0.05ml十二胺， 升温至270注入0.1mmol 的TMSP， 反应10min； 0080 降温至100加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入含0.06m。

37、mol Se 和0.24mmolS的TBP溶液； 降温至100。 0081 对比例1 0082 S1， 称取0.2mmol硬脂酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 排气10min， 升温至300注入 0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得ZnSe核； 0083 S2， 降温至100加0.1mmol In(Ac)3固体和0.1ml油胺和0.1mmol的TMSP， 然后升 温至270， 反应10min； 0084 S3， 降温至100加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入含0.06mmol Se和0.24mmol S的TBP溶液； 降温至100。 0085 对比。

38、例2 0086 S1， 称取0.2mmol硬脂酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 排气10min， 升温至300注入 0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得ZnSe核； 0087 S2， 降温至100加0.1mmol In(Ac)3固体和0.1ml油胺和0.1mmol的TMSAs， 然后升 温至270， 反应10min； 0088 S3， 降温至150加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入含0.15mmol Se和0.15mmol S的TBP溶液， 降温至150。 0089 对比例3 0090 称取0.2mmol醋酸锌和6g ODE于三颈瓶中， 惰性气体中。

39、排气10min， 升温至300注 说明书 6/8 页 8 CN 106479481 A 8 入0.1mmol Se-ODE溶液， 反应20min得ZnSe核； 0091 降温至120加0.1mmol醋酸铟固体和0.1ml八胺和0.1mmol的TMSP， 升温至300 反应10min； 0092 降温至150加0.5mmol硬脂酸锌， 排气10min， 升温至270， 注入0.15mmol的Se- TBP溶液， 反应10min， 然后注入0.15mmol的S-TBP溶液， 反应20min， 降温至150。 0093 以上实施例和对比例得到的量子点用甲醇提纯， 用丙酮沉淀然后分离纯化， 最后 溶于。

40、甲苯进行UV(紫外吸收光谱)和PL(发射光谱)的表征， 采用荧光光谱仪测试半峰宽和可 见光发射峰， 采用紫外可见光谱仪检测紫外吸收峰， 用积分球测试量子点发光效率， 数据见 表1。 0094 表1 0095 0096 从表1的数据可以看出， 采用本发明的技术方案制备得到的产品， 量子效率得到了 很大的提高。 0097 图1是实施例1的得到量子点的UV和PL谱图， 从图中可以得出最后所得量子点的吸 收峰位置是486nm， 发射峰位置为518nm， 发射半峰宽为42nm。 0098 图2是实施例1的得到量子点的透射电镜图， 从图中可以看出， 所得量子点颗粒分 布均一， 为球形， 说明实施例1的方法。

41、有利于量子点的生长。 0099 图3是对比例1的得到量子点的透射电镜图， 从图中可以看出， 量子点形貌不均一， 说明了该方法不利于壳层的包覆。 0100 综上， III-V族元素壳层的包覆中将III族元素前体溶液和V族元素前体溶液分开 说明书 7/8 页 9 CN 106479481 A 9 加入， 先在低温(150)加III族元素前体溶液， 然后高温(180320)加V族元素前体溶 液， 避免III-V的自成核， 实现III-V族元素壳层在ZnSe核上完美的包覆， 得到吸收峰窄的 ZnSe/III-V族量子点。 0101 以上所述仅为本发明的优选实施例而已， 并不用于限制本发明， 对于本领域的技 术人员来说， 本发明可以有各种更改和变化。 凡在本发明的精神和原则之内， 所作的任何修 改、 等同替换、 改进等， 均应包含在本发明的保护范围之内。 说明书 8/8 页 10 CN 106479481 A 10 图1 说明书附图 1/2 页 11 CN 106479481 A 11 图2 图3 说明书附图 2/2 页 12 CN 106479481 A 12 。